JPH01100090A - 分子線セル - Google Patents
分子線セルInfo
- Publication number
- JPH01100090A JPH01100090A JP25719387A JP25719387A JPH01100090A JP H01100090 A JPH01100090 A JP H01100090A JP 25719387 A JP25719387 A JP 25719387A JP 25719387 A JP25719387 A JP 25719387A JP H01100090 A JPH01100090 A JP H01100090A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- crucible
- molecular beam
- vapor deposition
- deposition material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は分子線エピタキシャル結晶膜な得るための源と
なる分子線を発生する分子線セルに係り、と（Ｋ安定し
て結晶成長を促進するのに好適な分子線セルに関する。
なる分子線を発生する分子線セルに係り、と（Ｋ安定し
て結晶成長を促進するのに好適な分子線セルに関する。
従来より超高真空中で薄膜単結晶をエピタキシャル成長
させる分子線結晶成長法は、高品質の結晶を均一に成長
出来る技術として注目を集め、これｔひ化ガリウム電界
効果トランジスタの製造方法に採用している。
させる分子線結晶成長法は、高品質の結晶を均一に成長
出来る技術として注目を集め、これｔひ化ガリウム電界
効果トランジスタの製造方法に採用している。
この分子線結晶成長法によってひ化ガリウム電界効果ト
ランジスタ半導体レーザなどに用いられているアルミニ
ウム、ガリウム、ヒ素薄膜結晶をエピタキシャル成長さ
せるためくは、アルミニウム、ガリウム、ヒ素などの材
料をそれぞれ加熱蒸発させて所望の各元素の蒸気を発生
させる分子線セルが用いられている。たとえば特開昭５
７−２０１５２２に記載され、これを第２図に示すよう
に、上方中心部に開口し蒸着材料５を入れる空間１蟲を
有する円筒形状のルツボ１と、このルツボ１の外周面に
形成された溝８内に嵌挿し、上記空間１畠内の蒸着材料
を加熱するための巻朦ヒータ２と、上記ルツボ１および
巻線ヒータ２をＮりてヒータ２からの熱を遮蔽する金属
製のラジェータ１ンシールド３と、上記ルツボ１の温度
を検知するための熱電対４とを設けたものが提案されて
いる。
ランジスタ半導体レーザなどに用いられているアルミニ
ウム、ガリウム、ヒ素薄膜結晶をエピタキシャル成長さ
せるためくは、アルミニウム、ガリウム、ヒ素などの材
料をそれぞれ加熱蒸発させて所望の各元素の蒸気を発生
させる分子線セルが用いられている。たとえば特開昭５
７−２０１５２２に記載され、これを第２図に示すよう
に、上方中心部に開口し蒸着材料５を入れる空間１蟲を
有する円筒形状のルツボ１と、このルツボ１の外周面に
形成された溝８内に嵌挿し、上記空間１畠内の蒸着材料
を加熱するための巻朦ヒータ２と、上記ルツボ１および
巻線ヒータ２をＮりてヒータ２からの熱を遮蔽する金属
製のラジェータ１ンシールド３と、上記ルツボ１の温度
を検知するための熱電対４とを設けたものが提案されて
いる。
而して、前記従来技術による真空蒸着用セルのエピタキ
シャル成長方法はつぎの如（である。
シャル成長方法はつぎの如（である。
すなわち、まづラジエーションシール３ｆｔ外して蒸着
材料５１にルツボ１の空間１ａ内に入れたのち、ラジエ
ーションシール３を覆せて巻線ヒータ２に通電すると、
蒸着材料５が加熱するのに伴なって該蒸着材料５から蒸
発した分子線６がルツボ１の開口部方向へある運動エネ
ルギをもって進行し、図示しない被成長用部上に分子線
を構成する物質がエピタキシャル成長する。
材料５１にルツボ１の空間１ａ内に入れたのち、ラジエ
ーションシール３を覆せて巻線ヒータ２に通電すると、
蒸着材料５が加熱するのに伴なって該蒸着材料５から蒸
発した分子線６がルツボ１の開口部方向へある運動エネ
ルギをもって進行し、図示しない被成長用部上に分子線
を構成する物質がエピタキシャル成長する。
前記の従来技術においては、結晶成長時に、蒸発材料が
液体となるアルミニウム、ガリウムのような金属がルツ
ボの空間内から内壁面にそ５てはい上ってルツボの上方
開口部からその上面とラジエーションシールとの間を通
ってルツボの外周間に流出し、ルツボの外周面の溝に挿
入する巻線ヒータに接触して巻線ヒータがショートする
事故が頻繁に発生する問題がありだ。
液体となるアルミニウム、ガリウムのような金属がルツ
ボの空間内から内壁面にそ５てはい上ってルツボの上方
開口部からその上面とラジエーションシールとの間を通
ってルツボの外周間に流出し、ルツボの外周面の溝に挿
入する巻線ヒータに接触して巻線ヒータがショートする
事故が頻繁に発生する問題がありだ。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、安定
して蒸着材料の結晶成長を促進し、これによって稼動率
の向上を可能とする分子線セルを提供することに−ある
。
して蒸着材料の結晶成長を促進し、これによって稼動率
の向上を可能とする分子線セルを提供することに−ある
。
前記の目的は、内部に蒸着材料を充填するルツボの上端
部に、該ルツボの外周に配置され、上記蒸着材料を力Ｕ
熱するヒータおよび該ヒータの外周に配置されヒータか
らの熱を遮蔽する熱シールド板の上端部を嵌挿する部材
を設けることに達成される。
部に、該ルツボの外周に配置され、上記蒸着材料を力Ｕ
熱するヒータおよび該ヒータの外周に配置されヒータか
らの熱を遮蔽する熱シールド板の上端部を嵌挿する部材
を設けることに達成される。
本発明は、ルツボの上端部に、ヒータおよび熱シールド
板の上端部を嵌挿する部材を設けたので、ルツボ内の加
熱された蒸着材料が内壁面にそうてはい上ってルツボの
上方開口部に流出しても、その蒸着用材料を部材の上面
にそ５て熱シールド板の外側に流出させてヒータとの接
触な防止するので、これによりてヒータがショートする
事故を防止することができる。
板の上端部を嵌挿する部材を設けたので、ルツボ内の加
熱された蒸着材料が内壁面にそうてはい上ってルツボの
上方開口部に流出しても、その蒸着用材料を部材の上面
にそ５て熱シールド板の外側に流出させてヒータとの接
触な防止するので、これによりてヒータがショートする
事故を防止することができる。
〔実施例］
以下、本発明の一実施例である分子線セルを模式化して
示す第１図について・説明する。
示す第１図について・説明する。
第１図において、１゛はルツボにして、植木鉢状をし、
内部に蒸着材料（図示せず）を挿入する空間１ａ ｅ
Ｙ有する本体１ｂ’と、この本体１ｂゝの上端部を外方
水平方向に折り曲げたのち、さらにその先端部を下方に
折り曲げて部材を構成するガイド部ＩＣ′とから形成さ
れている。２′はタングステンにて形成された円筒形状
のヒータにして、上記ルツボ１′の本体ｔｂ’の外周面
との間に介挿物７を介在し、上端部を上記ガイド部ＩＣ
”内に挿入している。３°はシールド輻射本体にして、
上記ヒータ２゜の外周を覆うように上端部を上記ガイド
部ＩＣ°内に挿入する複数板からなる肉厚の薄い第１シ
ールド輻射本体３＆°と、この第１シールド輻射本体３
４°の外周を覆うように上端部を上記ガイド部ＩＣ″の
先端部内周面に支持された肉厚の厚い第２シールド輻射
本体３ｂ１とから形成されている。６はモリブデンにて
形成された支持台にして、上記ルツボ１°の本体１ｂ”
の底面との間にタングステンにて形成された複数枚の輻
射シールド体５を介挿するとともに中央ｉＫ先端部を上
記ルツボ１″の本体１ｂ°の底面に対接する熱電対４°
を支持し、かつ上記ヒータ２′、シールド輻射本体３°
のそれぞれ下端部を固定支持している。
内部に蒸着材料（図示せず）を挿入する空間１ａ ｅ
Ｙ有する本体１ｂ’と、この本体１ｂゝの上端部を外方
水平方向に折り曲げたのち、さらにその先端部を下方に
折り曲げて部材を構成するガイド部ＩＣ′とから形成さ
れている。２′はタングステンにて形成された円筒形状
のヒータにして、上記ルツボ１′の本体ｔｂ’の外周面
との間に介挿物７を介在し、上端部を上記ガイド部ＩＣ
”内に挿入している。３°はシールド輻射本体にして、
上記ヒータ２゜の外周を覆うように上端部を上記ガイド
部ＩＣ°内に挿入する複数板からなる肉厚の薄い第１シ
ールド輻射本体３＆°と、この第１シールド輻射本体３
４°の外周を覆うように上端部を上記ガイド部ＩＣ″の
先端部内周面に支持された肉厚の厚い第２シールド輻射
本体３ｂ１とから形成されている。６はモリブデンにて
形成された支持台にして、上記ルツボ１°の本体１ｂ”
の底面との間にタングステンにて形成された複数枚の輻
射シールド体５を介挿するとともに中央ｉＫ先端部を上
記ルツボ１″の本体１ｂ°の底面に対接する熱電対４°
を支持し、かつ上記ヒータ２′、シールド輻射本体３°
のそれぞれ下端部を固定支持している。
本発明による分子線セルは、前記のように構成されてい
るから、ヒータ２゛によつ″′Ｃ空間１４′内の蒸着材
料を加熱して前記従来技術と同様な方法により分子線エ
ピタキシャル成長を行なった場合、空間１畠°内の蒸着
材料が内壁面にそうてはい上り【上方開口部から流出す
ると、蒸着材料がガイド部ｔｃ’の上面にそうて外方に
流出してその外端部からシールド輻射本体３′の外周に
落下するので、蒸着材料がヒータ２゛に接触するのを防
止することができる。
るから、ヒータ２゛によつ″′Ｃ空間１４′内の蒸着材
料を加熱して前記従来技術と同様な方法により分子線エ
ピタキシャル成長を行なった場合、空間１畠°内の蒸着
材料が内壁面にそうてはい上り【上方開口部から流出す
ると、蒸着材料がガイド部ｔｃ’の上面にそうて外方に
流出してその外端部からシールド輻射本体３′の外周に
落下するので、蒸着材料がヒータ２゛に接触するのを防
止することができる。
また、熱電対４°がシールド輻射体５内に挿入し、その
先端部がルツボ１′の本体１ｂ’の底部に接触している
ので、ルツボ１′の温度を正確に制御することができる
。
先端部がルツボ１′の本体１ｂ’の底部に接触している
ので、ルツボ１′の温度を正確に制御することができる
。
なお、上記実施例は、分子線エピタキシャル成長の場合
を示すが、これに限定されるものでな（、たとえば真空
蒸着法の場合にも適用できる。
を示すが、これに限定されるものでな（、たとえば真空
蒸着法の場合にも適用できる。
本発明によれば、ルツボからはい上った蒸着材料ｔヒー
タに接触することな（、ヒータの外周に配置したシール
ド輻射本体の外側に流出するので、ヒータがショートす
る事故を防止して安定して蒸着材料の結晶成長を促進す
ることができ、これＫよって従来、分子線セルの事故を
補修して稼動状態に復させるのに２週間程度要していた
のｔ省略することができるので、稼動率の向上をはかる
ことができ、かつ半導体装置の量産における工程管理上
の問題を防止することができる。
タに接触することな（、ヒータの外周に配置したシール
ド輻射本体の外側に流出するので、ヒータがショートす
る事故を防止して安定して蒸着材料の結晶成長を促進す
ることができ、これＫよって従来、分子線セルの事故を
補修して稼動状態に復させるのに２週間程度要していた
のｔ省略することができるので、稼動率の向上をはかる
ことができ、かつ半導体装置の量産における工程管理上
の問題を防止することができる。
第１図は、本発明の一実施例である分子線セルを模式化
して示す断面図、第２図は、従来の分子線セルの要部を
模式化して示す断面図である。 １−・ルツボ、２−・・ヒータ、３１・−シールド輻射
本体、４’・・・熱電対、５・・・輻射シールド、６−
支持台、躬 １０ 躬２圀
して示す断面図、第２図は、従来の分子線セルの要部を
模式化して示す断面図である。 １−・ルツボ、２−・・ヒータ、３１・−シールド輻射
本体、４’・・・熱電対、５・・・輻射シールド、６−
支持台、躬 １０ 躬２圀
Claims (1)
- １、内部に蒸着材料を充填するルツボの上端部に、該ル
ツボの外周に配置され、上記蒸着材料を加熱するヒータ
および該ヒータの外周に配置され、ヒータからの熱を遮
蔽する熱シールド板の上端部を嵌挿する部材を備え、上
記ルツボの上端部から流出した蒸着材料をヒータに接触
することなく熱シールド板の外周に流出させるように構
成したことを特徴とする分子線セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25719387A JPH01100090A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 分子線セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25719387A JPH01100090A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 分子線セル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100090A true JPH01100090A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17302971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25719387A Pending JPH01100090A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 分子線セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100090A (ja) |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP25719387A patent/JPH01100090A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1619966C3 (de) | Vorrichtung zum Ziehen von Siliciumeinkristallen | |
| US20040200416A1 (en) | Effusion cell with improved temperature control of the crucible | |
| JPH01100090A (ja) | 分子線セル | |
| US3526205A (en) | Process and apparatus for heat treatment of disc-shaped semiconductor bodies | |
| US3360405A (en) | Apparatus and method of producing semiconductor rods by pulling the same from a melt | |
| US6574264B2 (en) | Apparatus for growing a silicon ingot | |
| CN218666245U (zh) | 一种束流限定装置 | |
| JP2546746Y2 (ja) | 垂直ブリッジマン法用るつぼ | |
| JPS61220414A (ja) | 分子線発生装置 | |
| JPS6043913B2 (ja) | 蒸発源用るつぼ | |
| JPH0322913Y2 (ja) | ||
| JPH0696479B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH06172083A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法およびそれに用いるるつぼ | |
| JPS5838603Y2 (ja) | 半導体気相ド−ピング装置 | |
| SU353469A1 (ja) | ||
| JPH072617Y2 (ja) | Ｐｂｎルツボの均一加熱機構 | |
| JPH0215520B2 (ja) | ||
| JPH0316988A (ja) | 化合物半導体単結晶製造装置 | |
| JPH01305889A (ja) | 分子線セル | |
| JP2534341B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
| JPS61141119A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
| JPH034028Y2 (ja) | ||
| JPH01226794A (ja) | 分子線源セル | |
| JPS6348703Y2 (ja) | ||
| JPH03194922A (ja) | ２―６族化合物半導体結晶成長装置 |