JPH01100094A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01100094A JPH01100094A JP62255679A JP25567987A JPH01100094A JP H01100094 A JPH01100094 A JP H01100094A JP 62255679 A JP62255679 A JP 62255679A JP 25567987 A JP25567987 A JP 25567987A JP H01100094 A JPH01100094 A JP H01100094A
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- JP
- Japan
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- substrate
- growth
- single crystal
- gas
- yttrium oxide
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目 次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術
発明が解決しようとする問題点
問題点を解決するための手段
作用
実施例
１１１ 本発明の第１実施例 （第１〜３図）（２）
本発明の第２実施例 発明の効果 〔概 要〕 酸化イツトリウムの気相成長方法に関し、酸化イツトリ
ウムの単結晶薄膜をＣＶＤ法で形成する方法を提供する
ことを目的とし、酸化イツトリウムを形成する出発材料
としてインドリウムのハロゲン化物を用い、単結晶半導
体あるいは絶縁体よりなる基板上に化学気相成長により
、酸化イツトリウムよりなる単結晶薄膜を形成するよう
に構成する。
本発明の第２実施例 発明の効果 〔概 要〕 酸化イツトリウムの気相成長方法に関し、酸化イツトリ
ウムの単結晶薄膜をＣＶＤ法で形成する方法を提供する
ことを目的とし、酸化イツトリウムを形成する出発材料
としてインドリウムのハロゲン化物を用い、単結晶半導
体あるいは絶縁体よりなる基板上に化学気相成長により
、酸化イツトリウムよりなる単結晶薄膜を形成するよう
に構成する。
本発明は、酸化イツトリウムの気相成長方法に係り、詳
しくは酸化イツトリウムの薄膜を、シリコンあるいはサ
ファイアなどよりなる成長基板上に、化学気相成長方法
により形成する方法に関する。
しくは酸化イツトリウムの薄膜を、シリコンあるいはサ
ファイアなどよりなる成長基板上に、化学気相成長方法
により形成する方法に関する。
近年、コンピュータの高速化はめざましく、この高速化
のアプローチとしてプロセッサのマルチ化、デバイスの
スイッチング速度の向上、およびこれらデバイスを高密
度に実装して配線距離を短くすることが行われている。
のアプローチとしてプロセッサのマルチ化、デバイスの
スイッチング速度の向上、およびこれらデバイスを高密
度に実装して配線距離を短くすることが行われている。
高密度に配線するためには、微細な配線パターンで回路
を作成することが必要となり、このような微細化を図る
と、配線に用いる導体の断面積が減少する反面、配線の
電気抵抗が増加する。そのため、伝播する電気信号の減
少、波形の歪が起こる。
を作成することが必要となり、このような微細化を図る
と、配線に用いる導体の断面積が減少する反面、配線の
電気抵抗が増加する。そのため、伝播する電気信号の減
少、波形の歪が起こる。
そこで、超伝導物質を銅などの常伝導体に代えて配線材
料として用いることができれば、これらの問題は大きく
改善される。また、超伝導物質によりジョセフソン素子
を構成し、集積化すれば高速・低電力性と微小実装部品
技術の活用により超高速のコンピュータシステムを実現
できる。
料として用いることができれば、これらの問題は大きく
改善される。また、超伝導物質によりジョセフソン素子
を構成し、集積化すれば高速・低電力性と微小実装部品
技術の活用により超高速のコンピュータシステムを実現
できる。
従来の超伝導体は超伝導状態に転移する温度が低く、冷
却のために液体ヘリウムや液体水素を用いなければなら
なかった。しかし、これらの冷却媒体は取り扱いが難し
く、コストもかかるので、超伝導配線材料の実現化は困
難であった。
却のために液体ヘリウムや液体水素を用いなければなら
なかった。しかし、これらの冷却媒体は取り扱いが難し
く、コストもかかるので、超伝導配線材料の実現化は困
難であった。
ところが、近時Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系セラミックスに代
表される、いわゆる高温超伝導体が出現し、超伝導配線
の実用化の可能性が大きく広がりつつある。
表される、いわゆる高温超伝導体が出現し、超伝導配線
の実用化の可能性が大きく広がりつつある。
セラミックス系の酸化物高温超伝導体は液体窒素の沸点
（７７°Ｋ）以上の比較的高温で超伝導状態になること
から、ＩＣなどの半導体デバイス、各種装置の部品、装
置内の配線など応用範囲が広く、その要求も大きい、こ
れらの要求に答えるためには品質の良い薄膜を効率良く
形成する必要がある０例えばジョセフソン接合を含め半
導体、集積回路の構成素子は、すべて薄膜素子からなる
全薄膜集積回路という特質がある。このため、薄膜の結
晶粒径、配向性等の結晶性に基づく薄膜の性質、均一性
、再現性が素子ひいては超伝導集積回路の歩留り、信鯨
性の重要な因子となる。
（７７°Ｋ）以上の比較的高温で超伝導状態になること
から、ＩＣなどの半導体デバイス、各種装置の部品、装
置内の配線など応用範囲が広く、その要求も大きい、こ
れらの要求に答えるためには品質の良い薄膜を効率良く
形成する必要がある０例えばジョセフソン接合を含め半
導体、集積回路の構成素子は、すべて薄膜素子からなる
全薄膜集積回路という特質がある。このため、薄膜の結
晶粒径、配向性等の結晶性に基づく薄膜の性質、均一性
、再現性が素子ひいては超伝導集積回路の歩留り、信鯨
性の重要な因子となる。
また、上述の要求に答えるためには、品質の良い半導体
材料薄膜を低コストで提供することが重要である。
材料薄膜を低コストで提供することが重要である。
従来の半導体材料の薄膜の形成方法としては、主にスパ
ッタ法、蒸着法などが用いられている。
ッタ法、蒸着法などが用いられている。
スパッタ法では、成長を行う物質と同程度の組成のター
ゲットを用い、これをイオンスパッタにより気化し基板
上に成長させている。また、蒸着法では、薄膜を形成す
る物質（蒸発源）を加熱して蒸発させ、成長基板上に、
蒸着させている。
ゲットを用い、これをイオンスパッタにより気化し基板
上に成長させている。また、蒸着法では、薄膜を形成す
る物質（蒸発源）を加熱して蒸発させ、成長基板上に、
蒸着させている。
また、同様の方法によって超伝導材料を成長基板上に形
成するのであるが、この場合の成長基板としては通常、
高価な５ｒＴｉＯｓ（チタン酸ストロンチウム）基板や
ＹＳＺ（イツトリウム安定化ジルコニア）基板が用いら
れている。
成するのであるが、この場合の成長基板としては通常、
高価な５ｒＴｉＯｓ（チタン酸ストロンチウム）基板や
ＹＳＺ（イツトリウム安定化ジルコニア）基板が用いら
れている。
しかしながら、このような従来の薄膜形成方法により、
成長基板として高価な５ｒＴｉＯｓ基板やＹＳＺ基板な
どを用いているたため、超伝導特性を得るための半導体
装置として使用する場合にコストが上昇するという問題
点があった。このための基板として安価なＳｔ（シリコ
ン）やサファイアを用いることができればコストの低減
が可能である。ところが、Ｓｉ基板やサファイア基板を
用いた場合には膜の形成中や形成後の熱処理により薄膜
と基板との間に化学反応が起こるため、良好な超伝導特
性を有す・る膜が得られに（いという欠点がある。
成長基板として高価な５ｒＴｉＯｓ基板やＹＳＺ基板な
どを用いているたため、超伝導特性を得るための半導体
装置として使用する場合にコストが上昇するという問題
点があった。このための基板として安価なＳｔ（シリコ
ン）やサファイアを用いることができればコストの低減
が可能である。ところが、Ｓｉ基板やサファイア基板を
用いた場合には膜の形成中や形成後の熱処理により薄膜
と基板との間に化学反応が起こるため、良好な超伝導特
性を有す・る膜が得られに（いという欠点がある。
そこで本発明者等は鋭意検討の結果、上記欠点を解消す
るために、Ｓｉあるいはサファイア基板とＹ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０系のいわゆるセラミックス系酸化物超伝導材料と
の間にＹ２Ｏ２（酸化イツトリウム）よりなる層を挿入
する構造が有意義であることを見出した。
るために、Ｓｉあるいはサファイア基板とＹ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０系のいわゆるセラミックス系酸化物超伝導材料と
の間にＹ２Ｏ２（酸化イツトリウム）よりなる層を挿入
する構造が有意義であることを見出した。
ただし、Ｙ、０１層が多結晶であればその上に形成され
るＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物層も多結晶となり良好な
超伝導特性を得ることがむずかしい。したがって、Ｓｉ
やサファイア基板上に単結晶の良質なＹｚＯｓ層を形成
することが望まれる。
るＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物層も多結晶となり良好な
超伝導特性を得ることがむずかしい。したがって、Ｓｉ
やサファイア基板上に単結晶の良質なＹｚＯｓ層を形成
することが望まれる。
そこで本発明は、Ｓｔやサファイアなどの単結晶半導体
あるいは絶縁体を基板とし、化学気相成長法によって単
結晶の良質なＹｚＯｓ層を形成することを目的としてい
る。
あるいは絶縁体を基板とし、化学気相成長法によって単
結晶の良質なＹｚＯｓ層を形成することを目的としてい
る。
本発明による酸化イツトリウムの気相成長方法は上記目
的達成のため、単結晶半導体あるいは絶縁体よりなる基
板に、成長材料としてイツトリウムのハロゲン化物を用
いるとともに、酸化剤としてｏｇ、ｃｏｚおよびＨ２Ｏ
から選ばれた単独若しくは混合ガスを用い、不活性ガス
またはＨｔガス若しくはこれらの混合ガスよりなる成長
雰囲気中において、化学気相成長により前記基板上に酸
化イツトリウムの膜を形成するようにしている。
的達成のため、単結晶半導体あるいは絶縁体よりなる基
板に、成長材料としてイツトリウムのハロゲン化物を用
いるとともに、酸化剤としてｏｇ、ｃｏｚおよびＨ２Ｏ
から選ばれた単独若しくは混合ガスを用い、不活性ガス
またはＨｔガス若しくはこれらの混合ガスよりなる成長
雰囲気中において、化学気相成長により前記基板上に酸
化イツトリウムの膜を形成するようにしている。
本発明では、化学気相成長法の長所が生かされてＳｉ基
板あるいはサファイア基板上に酸化インドリウム（Ｙｚ
Ｏｓ）の単結晶薄膜が確実に形成される。
板あるいはサファイア基板上に酸化インドリウム（Ｙｚ
Ｏｓ）の単結晶薄膜が確実に形成される。
したがって、基板として安価なＳｉ基板あるいはサファ
イア基板を用い、化学気相成長法によりセラミックス系
酸化物よりなる超伝導体薄膜が前記Ｙ２Ｏｓ層上に形成
されることになり、前記薄膜と基板との間に化学反応を
生ずることがないばかりか、良好な超伝導特性を有する
薄膜が得られる。
イア基板を用い、化学気相成長法によりセラミックス系
酸化物よりなる超伝導体薄膜が前記Ｙ２Ｏｓ層上に形成
されることになり、前記薄膜と基板との間に化学反応を
生ずることがないばかりか、良好な超伝導特性を有する
薄膜が得られる。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
】」Ｊυ１１１
第１〜３図は本発明の“第１実施例を示す図である。第
１図はＣＶＤ装置の概略図であり、この図において、１
は円筒状で石英を素材とする耐熱性の反応管である０反
応管１の周囲には２つの抵抗加熱炉２ａ、２ｂが配設さ
れており、抵抗加熱炉２ａ、 ２ｂは電流の通電によ
り発熱して反応管１の各部を加熱する。一方、反応管１
の内部にはソースチェンバ３が設けられており、ソース
チェンバ３内にはソースポート４が配設されている。ソ
ースポート４にはＹＣｌ３ （塩化イツトリウム）が
入っており、ソースポート４は抵抗加熱炉２ｂにより加
熱されると、ＹＣｌ３ガスを発生させる。
１図はＣＶＤ装置の概略図であり、この図において、１
は円筒状で石英を素材とする耐熱性の反応管である０反
応管１の周囲には２つの抵抗加熱炉２ａ、２ｂが配設さ
れており、抵抗加熱炉２ａ、 ２ｂは電流の通電によ
り発熱して反応管１の各部を加熱する。一方、反応管１
の内部にはソースチェンバ３が設けられており、ソース
チェンバ３内にはソースポート４が配設されている。ソ
ースポート４にはＹＣｌ３ （塩化イツトリウム）が
入っており、ソースポート４は抵抗加熱炉２ｂにより加
熱されると、ＹＣｌ３ガスを発生させる。
すなわち、本実施例では酸化イツトリウム単結晶半導体
の成長材料としてＹＣＩ、が用いられ、ソースチェンバ
３内でガス化されるようになっている。ソースチェンバ
３の一端側には小径のガス導入部３ａが設けられ、ガス
導入部３ａからはキャリアガスＨｅやＨオが導入される
。また、ソースチェンバ３の他端側は開口し、その側方
には所定距離を隔てて基板支持台５が配置されている。
の成長材料としてＹＣＩ、が用いられ、ソースチェンバ
３内でガス化されるようになっている。ソースチェンバ
３の一端側には小径のガス導入部３ａが設けられ、ガス
導入部３ａからはキャリアガスＨｅやＨオが導入される
。また、ソースチェンバ３の他端側は開口し、その側方
には所定距離を隔てて基板支持台５が配置されている。
基板支持台５は石英やセラミックなどからなり、その上
面には成長基板６が載置されている。一方、反応管１の
一端側にも同様に小径のガス導入口１ａが設けられ、キ
ャリアガスＨｅ、Ｈｚとともに酸化剤であるＯｘ 、Ｈ
ｚ Ｏガスが導入される０反応管１の他端側には排気口
１ｂが設けられ、反応管１内のガスを排出する。
面には成長基板６が載置されている。一方、反応管１の
一端側にも同様に小径のガス導入口１ａが設けられ、キ
ャリアガスＨｅ、Ｈｚとともに酸化剤であるＯｘ 、Ｈ
ｚ Ｏガスが導入される０反応管１の他端側には排気口
１ｂが設けられ、反応管１内のガスを排出する。
以上の構成において、本実施例では酸化イツトリウムＹ
！Ｏ３の薄膜を基板上に成長させるために、成長ガスと
してＹＣｔｓが用いられる。まず、基板支持台５に成長
基板６を載置するとともに、ソースポート４にＹＣｌ３
を入れる０次いで、反応管１の抵抗加熱炉２ａ、 ２
ｂにより加熱してソースポート４からＹＣＩ！ガスを発
生させるとともに、ガス導入部３ａよりキャリアガスＨ
ｅを導入し、発生したガスを成長基板６上に送る。また
、ガス導入口１ａよりキャリアガスＨｅを導入するとと
もに、酸化剤としてＯｘ 、Ｈｚ Ｏを導入し、これら
のガスをソースチェンバ３の外側を通して成長基板６上
に送る。このとき、成長基板６も抵抗加熱炉２ａにより
加熱する。この結果、成長基板６上あるいは成長基板６
の周辺で酸化・還元反応が起こり、成長基板６上に次式
■で示す化学反応が生じてｙｚ ０３の薄膜が成長する
。
！Ｏ３の薄膜を基板上に成長させるために、成長ガスと
してＹＣｔｓが用いられる。まず、基板支持台５に成長
基板６を載置するとともに、ソースポート４にＹＣｌ３
を入れる０次いで、反応管１の抵抗加熱炉２ａ、 ２
ｂにより加熱してソースポート４からＹＣＩ！ガスを発
生させるとともに、ガス導入部３ａよりキャリアガスＨ
ｅを導入し、発生したガスを成長基板６上に送る。また
、ガス導入口１ａよりキャリアガスＨｅを導入するとと
もに、酸化剤としてＯｘ 、Ｈｚ Ｏを導入し、これら
のガスをソースチェンバ３の外側を通して成長基板６上
に送る。このとき、成長基板６も抵抗加熱炉２ａにより
加熱する。この結果、成長基板６上あるいは成長基板６
の周辺で酸化・還元反応が起こり、成長基板６上に次式
■で示す化学反応が生じてｙｚ ０３の薄膜が成長する
。
２ＹＣ１３＋３Ｈ２０−Ｙｔ ０３ ＋６ＨＣ１・・・
・・・■ 上記の成長条件として下記の範囲で行った。
・・・■ 上記の成長条件として下記の範囲で行った。
成長基板温度（’ｒｓ□）・・・・・・ ７５０〜１２
００℃ＹＣｔ、温度（Ｔｙ ） −−７００〜１１５
０℃Ｏｔ？！Ａ度（対Ｈｅ）・・・・・・・・・・・・
０〜３０％バブル温度 ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・ ０〜１００℃（水をキャリアーガス
Ｈｅの一部若しくは全部でバブル） 成長基板 −・・−” （１１０２）ｓａｐｐｈｉｒ
ｅ、（０００１）ｓａｐｐｈｉｒｅ。
００℃ＹＣｔ、温度（Ｔｙ ） −−７００〜１１５
０℃Ｏｔ？！Ａ度（対Ｈｅ）・・・・・・・・・・・・
０〜３０％バブル温度 ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・ ０〜１００℃（水をキャリアーガス
Ｈｅの一部若しくは全部でバブル） 成長基板 −・・−” （１１０２）ｓａｐｐｈｉｒ
ｅ、（０００１）ｓａｐｐｈｉｒｅ。
（１００） Ｓ ｉ、 （１１０） Ｓ １（１１１）
Ｓ ｉ 成長膜厚 ・・・・・・・・・・・・ ０．１〜５μｍ
このように、本実施例ではＹ！０．の成長膜厚として０
．１〜５μｍ程度のものが得られた。第２図および第３
図は、これらの成長膜のＸ線回折（Ｃｕ、にα線）によ
る測定結果の例を示すものである。第２図によれば、（
ＩＴＯ２）サファイア基板上に（１００）の単結晶Ｙ２
０．が成長したことが示されており、第３図によれば（
１００） Ｓ ｉ基板上に（１００）の単結晶Ｙ２０．
が成長したことが示されている。
Ｓ ｉ 成長膜厚 ・・・・・・・・・・・・ ０．１〜５μｍ
このように、本実施例ではＹ！０．の成長膜厚として０
．１〜５μｍ程度のものが得られた。第２図および第３
図は、これらの成長膜のＸ線回折（Ｃｕ、にα線）によ
る測定結果の例を示すものである。第２図によれば、（
ＩＴＯ２）サファイア基板上に（１００）の単結晶Ｙ２
０．が成長したことが示されており、第３図によれば（
１００） Ｓ ｉ基板上に（１００）の単結晶Ｙ２０．
が成長したことが示されている。
なお、第１図、第２図に示す結果は、下記の成長条件の
ときの結果である。
ときの結果である。
Ｔ、□・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・ １０５０℃ＴＶ ・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ １０
００℃０□濃度（対Ｈｅ）・・・・・・・・・・・・
０．３％バブル温度 ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・ ８０℃（水をキャリアーガスＨｅの一部
若しくは全部でバブル） 成長膜厚 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ １μｍまた、（１１０） Ｓ ｉ基板上には
（１１０） Ｙｚ ０３が、（０００１）サファイア基
板または（１１１） Ｓ ｉ基板上には（１１１） Ｙ
ｔ Ｏ！が成長することが明らかになった。
・・・・・・・・ １０５０℃ＴＶ ・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ １０
００℃０□濃度（対Ｈｅ）・・・・・・・・・・・・
０．３％バブル温度 ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・ ８０℃（水をキャリアーガスＨｅの一部
若しくは全部でバブル） 成長膜厚 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ １μｍまた、（１１０） Ｓ ｉ基板上には
（１１０） Ｙｚ ０３が、（０００１）サファイア基
板または（１１１） Ｓ ｉ基板上には（１１１） Ｙ
ｔ Ｏ！が成長することが明らかになった。
スｍ影
上記第１実施例では、酸化・還元剤として０１１Ｈ！０
を用いたが、第２実施例では酸化・還元剤としてＣＯｚ
、 Ｈｚを用いて気相成長を行った。このときの化学反
応は次式〇で示される。
を用いたが、第２実施例では酸化・還元剤としてＣＯｚ
、 Ｈｚを用いて気相成長を行った。このときの化学反
応は次式〇で示される。
２ＹＣ１３＋３ＧＯ！ ＋３Ｈｚ
−一→Ｙｚ Ｏｓ ＋６ＨＣ１＋３ｃｏ・・・・・・■
このときの成長条件として下記の範囲で行った。
このときの成長条件として下記の範囲で行った。
成長基板温度（Ｔｓ■）・・・・・・ ７５０〜１２０
０℃Ｙ Ｃ１！温度（Ｔｖ ） −・−−−−・・−７
００〜１１５０℃ＣＯ！濃度（対Ｈｅ）・・・・・・・
・・ ０．０１〜３０％Ｈ１濃度（対Ｈｅ）・・・・・
・・・・・・−０，０１〜１０％成長基板 ・・・・・
・・・・・・・・・・（１１０２）ｓａｐｐｈｉｒｅ。
０℃Ｙ Ｃ１！温度（Ｔｖ ） −・−−−−・・−７
００〜１１５０℃ＣＯ！濃度（対Ｈｅ）・・・・・・・
・・ ０．０１〜３０％Ｈ１濃度（対Ｈｅ）・・・・・
・・・・・・−０，０１〜１０％成長基板 ・・・・・
・・・・・・・・・・（１１０２）ｓａｐｐｈｉｒｅ。
（０００１）ｓａｐｐｈｉｒｅ。
（１００） Ｓ ｉ 、 （１１０） Ｓ １（１１１
） Ｓ ｉ 成長膜厚 ・・・・・・・・・・・・ ０．１〜５μｍ
このように、本実施例ではＹ２Ｏｓの成長膜厚として０
．１〜５μｍ程度のものが得られた。また、成長膜のＸ
線回折（Ｃｕ、にα線）によれば、第１実施例と同様に
Ｓｉ基板およびサファイア基板上に単結晶のＹ２Ｏ，が
成長していることが示された。
） Ｓ ｉ 成長膜厚 ・・・・・・・・・・・・ ０．１〜５μｍ
このように、本実施例ではＹ２Ｏｓの成長膜厚として０
．１〜５μｍ程度のものが得られた。また、成長膜のＸ
線回折（Ｃｕ、にα線）によれば、第１実施例と同様に
Ｓｉ基板およびサファイア基板上に単結晶のＹ２Ｏ，が
成長していることが示された。
なお、上記各実施例においては、成長材料としてｙｃｔ
ｓを用いたが、Ｙ Ｆ ｓ 、Ｙ Ｂ ｒ ２などを用
いても単結晶のＹ２Ｏｓを成長させることができた。
ｓを用いたが、Ｙ Ｆ ｓ 、Ｙ Ｂ ｒ ２などを用
いても単結晶のＹ２Ｏｓを成長させることができた。
本発明によれば、Ｓｉやサファイアなどの単結晶半導体
あるいは絶縁体よりなる基板に、成長材料としてイツト
リウムのハロゲン化物を用い、化学気相成長により酸化
イツトリウムの単結晶薄膜を確実に形成させることがで
きる。その結果、安価なＳｉ基板あるいはサファイア基
板上に、前記ＹｚＯｓの単結晶薄膜を形成させた後、化
学気相成長によりセラミックス系酸化物などの超伝導体
薄膜を形成させることにより、安定した超伝導特性を有
する超伝導体が得られ、半導体装置とじて使用する場合
のコストを大幅に低減することができる。
あるいは絶縁体よりなる基板に、成長材料としてイツト
リウムのハロゲン化物を用い、化学気相成長により酸化
イツトリウムの単結晶薄膜を確実に形成させることがで
きる。その結果、安価なＳｉ基板あるいはサファイア基
板上に、前記ＹｚＯｓの単結晶薄膜を形成させた後、化
学気相成長によりセラミックス系酸化物などの超伝導体
薄膜を形成させることにより、安定した超伝導特性を有
する超伝導体が得られ、半導体装置とじて使用する場合
のコストを大幅に低減することができる。
第１〜３図は本発明に係る酸化イツトリウムの気相成長
方法の第１実施例を示す図であり、第１図はその方法を
実現するＣＶＤ装置の模式第２図はそのサファイア基板
上の成長結晶のＸ線回折を示すグラフ、 第３図はそのＳｉ基板上の成長結晶のＸ線回折を示すグ
ラフである。 １・・・・・・反応管、 ２ａ、２ｂ・・・・・・抵抗加熱炉、 ３・・・・・・ソースチェンバ、 ４・・・・・・ソースポート、 ５・・・・・・基板支持台、 ６・・・・・・成長基板。
方法の第１実施例を示す図であり、第１図はその方法を
実現するＣＶＤ装置の模式第２図はそのサファイア基板
上の成長結晶のＸ線回折を示すグラフ、 第３図はそのＳｉ基板上の成長結晶のＸ線回折を示すグ
ラフである。 １・・・・・・反応管、 ２ａ、２ｂ・・・・・・抵抗加熱炉、 ３・・・・・・ソースチェンバ、 ４・・・・・・ソースポート、 ５・・・・・・基板支持台、 ６・・・・・・成長基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 単結晶半導体あるいは絶縁体よりなる基板に、成長材
料としてイットリウムのハロゲン化物を用いるとともに
、 酸化剤としてＯ＿２ＣＯ＿２およびＨ＿２Ｏから選ばれ
た単独若しくは混合ガスを用い、 不活性ガスまたはＨ＿２ガス若しくはこれらの混合ガス
よりなる成長雰囲気中において、 化学気相成長により前記基板上に酸化イットリウムの膜
を形成することを特徴とする酸化イットリウムの気相成
長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255679A JP2598043B2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255679A JP2598043B2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100094A true JPH01100094A (ja) | 1989-04-18 |
| JP2598043B2 JP2598043B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=17282118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62255679A Expired - Lifetime JP2598043B2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2598043B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117926221A (zh) * | 2022-10-14 | 2024-04-26 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 形成耐腐蚀涂层的装置及形成耐腐蚀涂层的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537514A (en) * | 1976-07-10 | 1978-01-24 | Mitsubishi Metal Corp | Covered hard alloy product |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP62255679A patent/JP2598043B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537514A (en) * | 1976-07-10 | 1978-01-24 | Mitsubishi Metal Corp | Covered hard alloy product |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117926221A (zh) * | 2022-10-14 | 2024-04-26 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 形成耐腐蚀涂层的装置及形成耐腐蚀涂层的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2598043B2 (ja) | 1997-04-09 |
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