JPH0197314A - 超伝導材料構造 - Google Patents
超伝導材料構造Info
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- JPH0197314A JPH0197314A JP62255676A JP25567687A JPH0197314A JP H0197314 A JPH0197314 A JP H0197314A JP 62255676 A JP62255676 A JP 62255676A JP 25567687 A JP25567687 A JP 25567687A JP H0197314 A JPH0197314 A JP H0197314A
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- Japan
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- layer
- superconducting material
- material layer
- superconducting
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目 次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術
発明が解決しようとする問題点
問題点を解決するための手段
作用
実施例
（１）本発明の第１実施例 （第１〜４図）（２）本発
明の第２実施例 発明の効果 〔概 要〕 セラミックス系の超伝導材料構造に関し、セラミックス
系超伝導材料層と半導体あるいは絶縁体よりなる基板と
の間の化学反応を抑制して良好な超伝導特性を有する超
伝導材料を得ることを目的とし、 超伝導材料層と基板との間に酸化イノトリ、ラムよりな
る層を形成するように構成する。
明の第２実施例 発明の効果 〔概 要〕 セラミックス系の超伝導材料構造に関し、セラミックス
系超伝導材料層と半導体あるいは絶縁体よりなる基板と
の間の化学反応を抑制して良好な超伝導特性を有する超
伝導材料を得ることを目的とし、 超伝導材料層と基板との間に酸化イノトリ、ラムよりな
る層を形成するように構成する。
本発明は、超伝導材料構造に係り、詳しくは、セラミッ
クス系超伝導材料層と基板との間に酸化イツトリウム層
を形成した超伝導材料構造に関する。
クス系超伝導材料層と基板との間に酸化イツトリウム層
を形成した超伝導材料構造に関する。
近年、コンピュータの高速化はめざましく、この高速化
のアプローチとしてプロセッサのマルチ化、デバイスの
スイッチング速度の向上、およびこれらデバイスを高密
度に実装して配線距離を短くすることが行われている。
のアプローチとしてプロセッサのマルチ化、デバイスの
スイッチング速度の向上、およびこれらデバイスを高密
度に実装して配線距離を短くすることが行われている。
高密度に配線するためには、微細な配線パターンで回路
を作成することが必要となり、このような微細化を図る
と、配線に用いる導体の断面積が減少する反面、配線の
電気抵抗が増加する。そのため、伝播する電気信号の減
少、波形の歪が起こる。
を作成することが必要となり、このような微細化を図る
と、配線に用いる導体の断面積が減少する反面、配線の
電気抵抗が増加する。そのため、伝播する電気信号の減
少、波形の歪が起こる。
そこで、超伝導物質を銅などの常伝導体に代えて配線材
料として用いることができれば、これらの問題は大きく
改善される。また、超伝導物質によりジョセフソン素子
を構成し、集積化すれば高速・低電力性と微小実装部品
技術の活用により超高速のコンピュータシステムを実現
できる。
料として用いることができれば、これらの問題は大きく
改善される。また、超伝導物質によりジョセフソン素子
を構成し、集積化すれば高速・低電力性と微小実装部品
技術の活用により超高速のコンピュータシステムを実現
できる。
従来の超伝導体は超伝導状態に転移する温度が低く、冷
却のために液体ヘリウムや液体水素を用いらなければな
らなかった。しかし、これらの冷却媒体は取り扱いが難
しく、コストもかかるので、超伝導配線材料の実現化は
困難であった。
却のために液体ヘリウムや液体水素を用いらなければな
らなかった。しかし、これらの冷却媒体は取り扱いが難
しく、コストもかかるので、超伝導配線材料の実現化は
困難であった。
ところが、近時Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系セラミックスに代
表される、いわゆる高温超伝導体が出現し、超伝導配線
の実用化の可能性が大きく広がりつつある。
表される、いわゆる高温超伝導体が出現し、超伝導配線
の実用化の可能性が大きく広がりつつある。
セラミックス系の酸化物高温超伝導体は液体窒素の沸点
（７７°Ｋ）以上の比較的高温で超伝導状態になること
から、ＩＣなどの半導体デバイス、各種装置の部品、装
置内の配線など応用範囲が広く、その要求も大きい。こ
れらの要求に答えるためには品質の良い薄膜を効率良く
形成する必要がある。例えばジョセフソン接合を含め半
導体、集積回路の構成素子は、すべて薄膜素子からなる
全薄膜集積回路という特質がある。このため、薄膜の結
晶粒径、配向性等の結晶性に基づく薄膜の性質、均一性
、再現性が素子ひいては超伝導集積回路の歩留り、信頼
性の重要な因子となる。
（７７°Ｋ）以上の比較的高温で超伝導状態になること
から、ＩＣなどの半導体デバイス、各種装置の部品、装
置内の配線など応用範囲が広く、その要求も大きい。こ
れらの要求に答えるためには品質の良い薄膜を効率良く
形成する必要がある。例えばジョセフソン接合を含め半
導体、集積回路の構成素子は、すべて薄膜素子からなる
全薄膜集積回路という特質がある。このため、薄膜の結
晶粒径、配向性等の結晶性に基づく薄膜の性質、均一性
、再現性が素子ひいては超伝導集積回路の歩留り、信頼
性の重要な因子となる。
従来の半導体材料の薄膜の形成方法としては、主にスパ
ッタ法、蒸着法などが用いられる。スパッタ法では、成
長を行う物質と同程度の組成のターゲットを用い、これ
をイオンスパッタにより気化し基板上に成長させている
。また、蒸着法では、薄膜を形成する物質（蒸発源）を
加熱して蒸発させ、基板上に、蒸着させている。
ッタ法、蒸着法などが用いられる。スパッタ法では、成
長を行う物質と同程度の組成のターゲットを用い、これ
をイオンスパッタにより気化し基板上に成長させている
。また、蒸着法では、薄膜を形成する物質（蒸発源）を
加熱して蒸発させ、基板上に、蒸着させている。
しかしながら、このようなセラミックス系酸化物超伝導
体は、良好な超伝導特性を得るための基板として通常、
高価なチタン酸ストロンチウム（Ｓ ｒ Ｔ ｉ ０３
）基板やイツトリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）基
板を用いているため、半導体装置として使用する場合の
コストが高くなるという問題点があった。
体は、良好な超伝導特性を得るための基板として通常、
高価なチタン酸ストロンチウム（Ｓ ｒ Ｔ ｉ ０３
）基板やイツトリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）基
板を用いているため、半導体装置として使用する場合の
コストが高くなるという問題点があった。
このような問題点に対して、基板として安価なＳｉ基板
やサファイア基板を用いることができればコストの低減
が可能である。ところが、Ｓｉ基板やサファイア基板を
用いた場合には超伝導体層の形成中あるいは形成後の熱
処理により、超伝導材料と基板との間に化学反応が起こ
るため、良好な超伝導特性を有する薄膜が得られにくい
という欠点がある。
やサファイア基板を用いることができればコストの低減
が可能である。ところが、Ｓｉ基板やサファイア基板を
用いた場合には超伝導体層の形成中あるいは形成後の熱
処理により、超伝導材料と基板との間に化学反応が起こ
るため、良好な超伝導特性を有する薄膜が得られにくい
という欠点がある。
そこで、本発明者等は鋭意検討の結果、上記欠点を解消
するため、セラミックス系酸化物などの超伝導材料層と
Ｓｉあるいはサファイア基板との間に酸化イツトリウム
（Ｙｚ ０３ ）よりなる層を形成することが有効であ
ることを見出した。Ｙ２Ｏ３は、 （イ）融点が高＜ （２４１０℃）化学的に安定な物
質であるため１０００℃程度の温度ではＳｉやサファイ
アともＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の酸化物とも殆ど反応しな
い。
するため、セラミックス系酸化物などの超伝導材料層と
Ｓｉあるいはサファイア基板との間に酸化イツトリウム
（Ｙｚ ０３ ）よりなる層を形成することが有効であ
ることを見出した。Ｙ２Ｏ３は、 （イ）融点が高＜ （２４１０℃）化学的に安定な物
質であるため１０００℃程度の温度ではＳｉやサファイ
アともＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の酸化物とも殆ど反応しな
い。
（ロ）Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−〇系の酸化物の１成分であるた
め、前記の酸化物中に混入することがあったとしてもそ
の影響は小さい。
め、前記の酸化物中に混入することがあったとしてもそ
の影響は小さい。
という特徴を有している。
本発明は、Ｓｉあるいはサファイアなどの半導体あるい
は絶縁体よりなる基板を用いて、良好な超伝導特性を有
するセラミックス系超伝導材料を低コストで提供するこ
とを目的としている。
は絶縁体よりなる基板を用いて、良好な超伝導特性を有
するセラミックス系超伝導材料を低コストで提供するこ
とを目的としている。
本発明による超伝導材料構造は上記目的達成のため、セ
ラミックス系超伝導材料層が半導体あるいは絶縁体より
なる基板上に形成された超伝導材料構造において、前記
基板とセラミックス系超伝導材料層との間に、酸化イツ
トリウムよりなる層を形成するようにしている。
ラミックス系超伝導材料層が半導体あるいは絶縁体より
なる基板上に形成された超伝導材料構造において、前記
基板とセラミックス系超伝導材料層との間に、酸化イツ
トリウムよりなる層を形成するようにしている。
本発明では、半導体あるいは絶縁体よりなる基板とセラ
ミックス系超伝導材料層との間に化学的に安定な酸化イ
ツトリウム層が形成される。
ミックス系超伝導材料層との間に化学的に安定な酸化イ
ツトリウム層が形成される。
したがって、前記基板と超伝導材料層との間の化学反応
が酸化インドリウム層により確実に抑制され、良好な超
伝導特性を有する薄膜が得られる。
が酸化インドリウム層により確実に抑制され、良好な超
伝導特性を有する薄膜が得られる。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１実ｉ
第１〜４図は本発明の第１実施例を示す図である。第１
．２図は本発明による超伝導材料構造を示す図であり、
第１図において、１はＳｉよりなる成長基板であり、２
は成長基板１の上に形成されたＹ２Ｏ３層である。３は
Ｙ２Ｏ３層２の上に形成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸
化物よりなる超伝導材料層であり、Ｙ２Ｏ３層２は成長
基板１と超伝導材料層３との間に形成されている。本実
施例における超伝導材料構造は、たとえば化学気相成長
方法（ＣＶＤ法）により第２図（ａ）に示すように、ま
ず基板１の上にＹ２Ｏ３層２を薄膜として形成する工程
と、第２図（ｂ）に示すように、Ｙ２Ｏ３層２の上に超
伝導材料層３を薄膜として形成する工程とを経て得られ
る。
．２図は本発明による超伝導材料構造を示す図であり、
第１図において、１はＳｉよりなる成長基板であり、２
は成長基板１の上に形成されたＹ２Ｏ３層である。３は
Ｙ２Ｏ３層２の上に形成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸
化物よりなる超伝導材料層であり、Ｙ２Ｏ３層２は成長
基板１と超伝導材料層３との間に形成されている。本実
施例における超伝導材料構造は、たとえば化学気相成長
方法（ＣＶＤ法）により第２図（ａ）に示すように、ま
ず基板１の上にＹ２Ｏ３層２を薄膜として形成する工程
と、第２図（ｂ）に示すように、Ｙ２Ｏ３層２の上に超
伝導材料層３を薄膜として形成する工程とを経て得られ
る。
第３．４図は化学気相成長方法（ＣＶＤ法）を実施する
ためのＣＶＤ装置の概略図である。まず、基板上にＹ２
Ｏ３層を形成する工程について説明すると、第３図にお
いて、基板支持台１５上に成長基板１６を載置するとと
もに、ソースポート１４にＹＣＩ、を入れる。次いで、
反応管１１を抵抗加熱炉１２ａ、１２ｂにより加熱して
ソースポート１４がらＹＣ１３ガスを発生させる。ガス
導入口１３ａより導入されたキャリアガスＨｅによって
Ｙ’Ｃ１，ガスがソースチェンバ１３から成長基板１６
上に送られる。
ためのＣＶＤ装置の概略図である。まず、基板上にＹ２
Ｏ３層を形成する工程について説明すると、第３図にお
いて、基板支持台１５上に成長基板１６を載置するとと
もに、ソースポート１４にＹＣＩ、を入れる。次いで、
反応管１１を抵抗加熱炉１２ａ、１２ｂにより加熱して
ソースポート１４がらＹＣ１３ガスを発生させる。ガス
導入口１３ａより導入されたキャリアガスＨｅによって
Ｙ’Ｃ１，ガスがソースチェンバ１３から成長基板１６
上に送られる。
また、ガス導入口１１ａよりキャリアガスＨｅとともに
導入された０２ 、Ｈｚ Ｏよりなる酸化剤が成長基板
１６上に送られる。このようにして成長基板１６上で次
式■に示す化学反応が起こって、Ｙ２Ｏ３の薄膜が成長
する。この場合の成長条件は下記の範囲とする。
導入された０２ 、Ｈｚ Ｏよりなる酸化剤が成長基板
１６上に送られる。このようにして成長基板１６上で次
式■に示す化学反応が起こって、Ｙ２Ｏ３の薄膜が成長
する。この場合の成長条件は下記の範囲とする。
２ＹＣＩ３ ＋３Ｈ２０−Ｙ２ ｏ、 ＋６ＨＣ１・・
・・・・■ 成長基板温度（Ｔｓｕ＋＋）・・・・・・・・・・旧・
・ １０５０”ｃＹ Ｃｌ ｓ ｌｎ度（Ｔ？ ）・・
・・・・川・旧・・・・・ １０００’ｃＯｗ’１７４
度（対Ｈｅ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ ０．３％バブル温度 ・・・・・・・・・・旧
旧・・・・・−・・・・・・・・ ８０℃（水をキャリ
アーガスＨｅの一部若しくは全部でバブル） 成長基板 ・・・・・・・・・・・・・旧・・・旧・・
（１００） Ｓ ｉ、（１１０） Ｓ ｉ 。
・・・・■ 成長基板温度（Ｔｓｕ＋＋）・・・・・・・・・・旧・
・ １０５０”ｃＹ Ｃｌ ｓ ｌｎ度（Ｔ？ ）・・
・・・・川・旧・・・・・ １０００’ｃＯｗ’１７４
度（対Ｈｅ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ ０．３％バブル温度 ・・・・・・・・・・旧
旧・・・・・−・・・・・・・・ ８０℃（水をキャリ
アーガスＨｅの一部若しくは全部でバブル） 成長基板 ・・・・・・・・・・・・・旧・・・旧・・
（１００） Ｓ ｉ、（１１０） Ｓ ｉ 。
（１１１） Ｓ ｉ、
成長膜厚 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・旧
・・ １μｍ次に、基板上に成長したＹ ｚ Ｏ３層上
に、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物よりなる超伝導材料層
を形成させるには、第４図に示す装置を用いて下記のよ
うな方法で行う。Ｙ２Ｏ３層を形成した成長基板２６を
基板支持台２５に載置し、ソースポー）２４ａ〜２４ｃ
にそれぞれＢ ａ Ｃｌ ｚ、 Ｙ ＣＩ ３． Ｃｕ
ＣＩを入れる。次いで、反応管２１を抵抗加熱炉２２
ａ〜２２ｄにより加熱してソースポート２４ａ〜２４ｃ
がらそれぞれＢａＣｌ□ガス、ＹＣＩ、ガス、ＣｕＣｌ
ガスを発生させるとともに、ガス導入部２３ａよりキャ
リアガスＨｅを導入し発生したガスを成長基板２６上に
送る。また、ガス導入口２１ａより酸化剤としてキャリ
アガスＨｅとともに、Ｏｚ 、Ｈｚ Ｏを導入し、これ
らのガスをソースチェンバ２３の外側を通して成長基板
２６上に送る。このようにして成長基ｖｉ１．２６上に
ＹＢａｚ Ｃｕｓ ０７−Ｘなるセラミックス系超伝導
体の薄膜が成長する。成長条件としては下記の範囲で行
った。
・・ １μｍ次に、基板上に成長したＹ ｚ Ｏ３層上
に、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物よりなる超伝導材料層
を形成させるには、第４図に示す装置を用いて下記のよ
うな方法で行う。Ｙ２Ｏ３層を形成した成長基板２６を
基板支持台２５に載置し、ソースポー）２４ａ〜２４ｃ
にそれぞれＢ ａ Ｃｌ ｚ、 Ｙ ＣＩ ３． Ｃｕ
ＣＩを入れる。次いで、反応管２１を抵抗加熱炉２２
ａ〜２２ｄにより加熱してソースポート２４ａ〜２４ｃ
がらそれぞれＢａＣｌ□ガス、ＹＣＩ、ガス、ＣｕＣｌ
ガスを発生させるとともに、ガス導入部２３ａよりキャ
リアガスＨｅを導入し発生したガスを成長基板２６上に
送る。また、ガス導入口２１ａより酸化剤としてキャリ
アガスＨｅとともに、Ｏｚ 、Ｈｚ Ｏを導入し、これ
らのガスをソースチェンバ２３の外側を通して成長基板
２６上に送る。このようにして成長基ｖｉ１．２６上に
ＹＢａｚ Ｃｕｓ ０７−Ｘなるセラミックス系超伝導
体の薄膜が成長する。成長条件としては下記の範囲で行
った。
成長基板温度（ＴｓｕＢ）・・・・・・・・・・・・・
・・ １０５０°ＣＢａＣｌ□温度（Ｔ□）・・・・・
・・・・・・・・・・ ８５０℃ＹＣ１，温度（Ｔ７）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ １０００℃Ｃ
ｕＣｌ温度（Ｔｃｕ）・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ ４５０℃０□濃度（対Ｈｅ）・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ ０．５％バブル温度 ・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ ８０℃（水をキャリアーガスの一部若しくは
全部でバブル） 成長膜厚 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ １μｍ以上のようにして
得られた超伝導体薄膜を抵抗加熱炉を用いて酸素雰囲気
中で、９００℃において８時間アニールし、さらに酸素
雰囲気中で徐冷を行う。アニール後の成長膜をＸ＆’ｉ
回折（Ｃｕ、にα線）によって測定した結果、（１００
） Ｓ ｉ基板。
・・ １０５０°ＣＢａＣｌ□温度（Ｔ□）・・・・・
・・・・・・・・・・ ８５０℃ＹＣ１，温度（Ｔ７）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ １０００℃Ｃ
ｕＣｌ温度（Ｔｃｕ）・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ ４５０℃０□濃度（対Ｈｅ）・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ ０．５％バブル温度 ・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ ８０℃（水をキャリアーガスの一部若しくは
全部でバブル） 成長膜厚 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ １μｍ以上のようにして
得られた超伝導体薄膜を抵抗加熱炉を用いて酸素雰囲気
中で、９００℃において８時間アニールし、さらに酸素
雰囲気中で徐冷を行う。アニール後の成長膜をＸ＆’ｉ
回折（Ｃｕ、にα線）によって測定した結果、（１００
） Ｓ ｉ基板。
（１１０） Ｓ ｉ基板および（１１１） Ｓ ｉ基
板上にＹＢａ２Ｃｕ０７−ｘが成長していることが確認
され、いずれの場合にも成長薄膜が良好な超伝導特性を
示している。
板上にＹＢａ２Ｃｕ０７−ｘが成長していることが確認
され、いずれの場合にも成長薄膜が良好な超伝導特性を
示している。
本実施例では、安価なＳｉよりなる成長基板１とＹＢａ
ｚ Ｃ１Ｊ３０ｑ−＋ｖの組成を有するセラミックス系
超伝導材料層３との間にＹ ２０３よりなる層２が形成
されている。Ｙ２Ｏ３は融点が高く、化学的に安定な物
質であるため１０００℃程度の高温においても成長基板
１（Ｓｉ）とも、超伝導材料層３とも殆ど反応しない。
ｚ Ｃ１Ｊ３０ｑ−＋ｖの組成を有するセラミックス系
超伝導材料層３との間にＹ ２０３よりなる層２が形成
されている。Ｙ２Ｏ３は融点が高く、化学的に安定な物
質であるため１０００℃程度の高温においても成長基板
１（Ｓｉ）とも、超伝導材料層３とも殆ど反応しない。
また、Ｙ２Ｏ３は超伝導材料層３の１成分であるため、
超伝導材料Ｎ３に混入しても殆ど影舌がない。
超伝導材料Ｎ３に混入しても殆ど影舌がない。
したがって、超伝導材料層３形成中あるいは形成後の熱
処理中にＹ２Ｏ３層２によって成長基板１と超伝導材料
層３との間の化学反応が確実に抑制され、安価なＳｉ基
板を用いてセラミックス系の超伝導材料を低コストで提
供することができる。
処理中にＹ２Ｏ３層２によって成長基板１と超伝導材料
層３との間の化学反応が確実に抑制され、安価なＳｉ基
板を用いてセラミックス系の超伝導材料を低コストで提
供することができる。
第２実施例
上記第１実施例では、成長基板１としてＳｉ基板を用い
たが、第２実施例では成長基板１としで、（１１０２）
Ｓａｐｐｈｉｒｅおよび（０００１）Ｓａｐｐｈ ｉｒ
ｅを用い、第１実施例と同じＣＶＤ装置を用いて、同様
の成長条件においてＹ２Ｏ１層の形成および超伝導材料
層の形成を行う。第１実施例と同じ条件でアニールした
後の成長膜をＸ線回折（Ｃｕ、にα線）によって測定し
た結果、（１１０２）Ｓａｐｐｈｉｒｅ基板および（０
００１）Ｓａｐｐｈｉｒｅ基板上にＹＢａ２Ｃｕ、、０
７−９が成長していることが確認され、いずれの場合に
も成長薄膜は良好な超伝導特性を示している。サファイ
ア基板を用いた第２実施例においても第１実施例と同様
の効果が得られる。
たが、第２実施例では成長基板１としで、（１１０２）
Ｓａｐｐｈｉｒｅおよび（０００１）Ｓａｐｐｈ ｉｒ
ｅを用い、第１実施例と同じＣＶＤ装置を用いて、同様
の成長条件においてＹ２Ｏ１層の形成および超伝導材料
層の形成を行う。第１実施例と同じ条件でアニールした
後の成長膜をＸ線回折（Ｃｕ、にα線）によって測定し
た結果、（１１０２）Ｓａｐｐｈｉｒｅ基板および（０
００１）Ｓａｐｐｈｉｒｅ基板上にＹＢａ２Ｃｕ、、０
７−９が成長していることが確認され、いずれの場合に
も成長薄膜は良好な超伝導特性を示している。サファイ
ア基板を用いた第２実施例においても第１実施例と同様
の効果が得られる。
なお、前記第１．２実施例において、Ｙ２Ｏ３層および
超伝導材料層をともにＣＶＤ法によって形成する場合に
ついて説明したが、スパッター法、蒸着法その他の方法
を用いて薄膜を形成してもよい。
超伝導材料層をともにＣＶＤ法によって形成する場合に
ついて説明したが、スパッター法、蒸着法その他の方法
を用いて薄膜を形成してもよい。
本発明によれば、基板とセラミックス系超伝導材料層と
の間に化学的に安定な酸化イツトリウムよりなる層が形
成されているため、超伝導材料層と基板との間の化学反
応が抑制される。したがって、安価なＳｉ基板やサファ
イア基板等を用いて良好な超伝導特性を有する超伝導材
料を提供することができ、半導体装置などのコストを低
減することができる。
の間に化学的に安定な酸化イツトリウムよりなる層が形
成されているため、超伝導材料層と基板との間の化学反
応が抑制される。したがって、安価なＳｉ基板やサファ
イア基板等を用いて良好な超伝導特性を有する超伝導材
料を提供することができ、半導体装置などのコストを低
減することができる。
第１〜４図は本発明に係る超伝導材料構造の第１実施例
を示す図であり、 第１図はその構成を示すモデル図、 第２図（ａ）、（ｂ）はその形成工程を示す各モデル図
、 第３図はそのＹ２Ｏ３層を形成するためのＣＶＤ装置の
模式図、 第４図はその超伝導材料層を形成するためのＣＶＤ装置
の模式図である。 ■・・・・・・成長基板、 ２・・・・・・Ｙ２Ｏ３層、 ３・・・・・・超伝導材料層。 ７６一
を示す図であり、 第１図はその構成を示すモデル図、 第２図（ａ）、（ｂ）はその形成工程を示す各モデル図
、 第３図はそのＹ２Ｏ３層を形成するためのＣＶＤ装置の
模式図、 第４図はその超伝導材料層を形成するためのＣＶＤ装置
の模式図である。 ■・・・・・・成長基板、 ２・・・・・・Ｙ２Ｏ３層、 ３・・・・・・超伝導材料層。 ７６一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体あるいは絶縁体よりなる基板上にセラミックス
系超伝導材料層が形成された超伝導材料構造において、 前記基板とセラミックス系超伝導材料層との間に、酸化
イットリウムよりなる層を形成したことを特徴とする超
伝導材料構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255676A JPH0197314A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 超伝導材料構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255676A JPH0197314A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 超伝導材料構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0197314A true JPH0197314A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17282074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62255676A Pending JPH0197314A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 超伝導材料構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0197314A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63239738A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導体線およびその製造方法 |
| JPS6457513A (en) * | 1987-04-13 | 1989-03-03 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Superconducting wire and its manufacture |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP62255676A patent/JPH0197314A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63239738A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導体線およびその製造方法 |
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