JPH0110076Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、振動子として圧電セラミツク薄板を
用いたトランスデユーサに係り、アコーステイツ
クエミツタ板の中心部の表面側に、ドーム状に湾
曲された圧電セラミツク薄板の装着部を形成する
とともに、この装着部の裏面側に、昇圧トランス
の取付け部を形成するようにしたものである。

振動子として、圧電セラミツク薄板を用いたト
ランスデユーサは、小型、小電力である他、殊に
超薄型構造にできる利点があるが、圧電セラミツ
ク薄板は薄く作らねばならないため機械的強度が
小さく、大口径状とすることは難しい。このた
め、この種トランスデユーサは、高周波特性はき
わめて良好であるが、低中周波特性に劣る欠点が
あり、従つて上記した種々の利点を有するにもか
かわらず、その使用分野はきわめて限定されたも
のであつた。

ところで、従来のスピーカは電流駆動型であつ
て、マグネツトの発生する磁束内にボイスコイル
を挿入し、ボイスコイルへ通電することによりボ
イスコイルを振動させ、更にコーンを振動させて
発音するようになつている。これに対し、圧電セ
ラミツクトランスデユーサは、電圧駆動型であつ
て、圧電セラミツク薄板の両主面に形成された電
極に音声信号電圧を印加することにより駆動され
るものであるから、圧電セラミツクトランスデユ
ーサを従来の音響装置に適用するためには、昇圧
トランスが必要となる。而して、圧電セラミツク
薄板は低出力により駆動されるものであるから、
昇圧トランスの設置方法如何によつては、昇圧ト
ランスが振動の大きな負荷障害となつて振動発音
を阻害することにもなる。

そこで、本考案は以上のような点を勘案してな
されたものであつて、アコーステイツクエミツタ
板の中心部の表面側に、ドーム状に湾曲された圧
電セラミツク薄板の装着部を形成するとともに、
この装着部の裏面側に、昇圧トランスの取付け部
を形成するようにしたものであり、かくすること
によりアコーステイツクエミツタ板を圧電セラミ
ツク薄板とともに駆動させて低中周波特性を確保
し、均一な周波数特性を有する音声を得られるよ
うにするとともに、昇圧トランスにより従来の音
響装置への適用を可能とし、更に、この昇圧トラ
ンスによりアコーステイツクエミツタ板や圧電セ
ラミツク薄板等を支持するようにし、しかも昇圧
トランスが、アコーステイツクエミツタ板の振動
の負荷障害とならないようにしたものである。

以下、図面に沿つて本考案の実施例の説明を行
う。

第１図は、トランスデユーサの断面図、第２図
および第３図は、蓋板および昇圧トランスの斜視
図であつて、１はアコーステイツクエミツタ板
（以下AE板と略す）であり、発泡スチロールや発
泡ポリウレタン等の発泡樹脂から成つており、そ
の中心部の表面側には円形の凹入部２が形成され
ている。

３は、圧電セラミツク薄板（以下薄板と略す）
であつて、円板状に形成されており、両主面には
電極４，４′が焼き付けられ、各電極４，４′は、
それぞれリード板５，５′に接続されている。こ
の薄板３は、リング状の枠体６に装着されるが、
枠体６の直径は薄板３の直径よりもやや小さく、
従つて薄板３はドーム状に湾曲している。そし
て、枠体６はAE板１の凹入部２に密嵌され、薄
板３の振動は枠体６を介してAE板１に伝達され
る。

また、凹入部２に対応するAE板１の裏面側に
は、嵌入部７が形成されている。この嵌入部７に
は昇圧トランス８が装着され、AE板１や薄板３
等は、この昇圧トランス８により支持されてい
る。なお、凹入部２と嵌入部７は貫通している。

９，９′は、昇圧トランス８の入力端子、１０，
１０′は出力端子であり、出力端子１０，１０′は
圧トランス８に装着された蓋板１１を貫通してリ
ード板５，５′と接続している。

本トランスデユーサは、以上のような構成より
成り、入力端子９，９′を音響装置本体（図外）
に接続し、音声信号を昇圧トランス８により昇圧
した後、出力端子１０，１０′、リード板５，
５′を通して電極４，４′に印加すると、薄板３は
主面方向に伸縮振動し、それ自体高音域の音圧を
発する。また、薄板３の振動は、枠体６を介して
AE板１に伝達され、AE板１も振動して低中音域
の音圧を発する。従つて、薄板とAE板１による
合成音声の周波数特性は均一なものとなり、更に
AE板１の大きさ、形状、材質を選択することに
より、所望の音声を自由に得ることもできる。

ここで、AE板１の周縁は自由端であり、端部
へ行くほど振幅は大きくなつて強い音圧を発する
が、中心部付近は殆ど振動せず、従つて音圧を発
しない。而して、昇圧トランス８は、AE板１の
中心部に形成された嵌入部７に取付けられてAE
板１を支持しているから、AE板１の振動の負荷
障害とはならない。

以上説明したように、本考案によればAE板１
の中心部の表面側に、ドーム状に湾曲された薄板
３の装着部２を形成するとともに、この装着部２
の裏面側に、昇圧トランス８の取付け部を形成し
ているので、AE板１によつて低中周波特性は十
分に補償され、従つて均一な周波数特性を有する
音声が得られ、更にAE板１の大きさ、形状、材
質を適宜選択することにより、所望特性を有する
音声を得ることもできる。

また、昇圧トランス８を取付けることにより、
従来の音響装置に適用することが可能となり、し
かも、この昇圧トランス８によりAE板１や薄板
３等は支持されるが、昇圧トランス８がAE板１
の振動の負荷障害とはならず、従つて強い音圧を
発することができる。

【図面の簡単な説明】

図は本考案の実施例を示すものであつて、第１
図はトランスデユーサの断面図、第２図および第
３図は、蓋板および昇圧トランスの斜視図であ
る。 １……アコーステイツクエミツタ板、２……凹
入部、３……圧電セラミツク薄板、７……嵌入
部、８……昇圧トランス。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. アコーステイツクエミツタ板１の中心部の表面
   側に、ドーム状に湾曲された圧電セラミツク薄板
   ３の装着部２を形成するとともに、該装着部２の
   裏面側に、昇圧トランス８の取付け部７を形成す
   るようにした圧電セラミツクトランスデユーサ。