JPH01100893A - 過電流保護回路 - Google Patents
過電流保護回路Info
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- JPH01100893A JPH01100893A JP25728987A JP25728987A JPH01100893A JP H01100893 A JPH01100893 A JP H01100893A JP 25728987 A JP25728987 A JP 25728987A JP 25728987 A JP25728987 A JP 25728987A JP H01100893 A JPH01100893 A JP H01100893A
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- current
- fet
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- fet2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、放電灯用点灯装置の過電流保護回路に関する
ものである。
ものである。
[従来の技術]
従来から、この種の過電流保護回路として、ヒユーズあ
るいはコイルを用いた各種の回路が知られている。
るいはコイルを用いた各種の回路が知られている。
[発明が解決しようとする問題点コ
しかしながら、ヒユーズを用いた従来の回路は安価であ
るという反面、ヒユーズ交換の手間を要するほか、応答
特性・応答速度について満足いく結果が得られないとい
う欠点がみられた。
るという反面、ヒユーズ交換の手間を要するほか、応答
特性・応答速度について満足いく結果が得られないとい
う欠点がみられた。
また、コイルを用いて過電流検出を行う回路にあっては
、検出精度を向上させることができる反面、回路全体が
複雑になるほか、ノイズによって誤動作することがある
といった欠点がみられた。
、検出精度を向上させることができる反面、回路全体が
複雑になるほか、ノイズによって誤動作することがある
といった欠点がみられた。
よって、本発明の目的は、上述の点に鑑み、過電流の検
出およびその対処を、迅速かつ正確に行い得るよう構成
した過電流保護回路を提供することにある。
出およびその対処を、迅速かつ正確に行い得るよう構成
した過電流保護回路を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
かかる目的を達成するために、本発明では、直流電源端
子(ps)に接続された第1抵抗素子(R1)、および
、該第1抵抗素子に直列接続された第1コンデンサ(C
0)と、前記第1抵抗素子と前記第1コンデンサとの共
通接続点に対し、第2抵抗素子(R5)を介して接続さ
れたベースを有するトランジスタ(TRI) と、前
記トランジスタを動作させるため、該トランジスタのコ
レクタに接続された第3抵抗素子(R6)およびダイオ
ード(D6)から成る直列回路と、前記直列回路の一端
と、前記トランジスタのコレクタとの共通接続点に接続
された第2コンデンサ(C3)と、前記第2コンデンサ
と並列に接続された第4抵抗素子(R2)と、前記放電
灯の点灯回路に過大電流が流れたとき、前記第1コンデ
ンサの端子間電圧を降下させる放電手段(Dl)と、前
記放電手段の作動に応答して前記トランジスタのコレク
タ電圧が所定値に達したとき、前記点灯回路の動作を停
止させる停止手段(Th2.TR2) とを備える。
子(ps)に接続された第1抵抗素子(R1)、および
、該第1抵抗素子に直列接続された第1コンデンサ(C
0)と、前記第1抵抗素子と前記第1コンデンサとの共
通接続点に対し、第2抵抗素子(R5)を介して接続さ
れたベースを有するトランジスタ(TRI) と、前
記トランジスタを動作させるため、該トランジスタのコ
レクタに接続された第3抵抗素子(R6)およびダイオ
ード(D6)から成る直列回路と、前記直列回路の一端
と、前記トランジスタのコレクタとの共通接続点に接続
された第2コンデンサ(C3)と、前記第2コンデンサ
と並列に接続された第4抵抗素子(R2)と、前記放電
灯の点灯回路に過大電流が流れたとき、前記第1コンデ
ンサの端子間電圧を降下させる放電手段(Dl)と、前
記放電手段の作動に応答して前記トランジスタのコレク
タ電圧が所定値に達したとき、前記点灯回路の動作を停
止させる停止手段(Th2.TR2) とを備える。
なお、かっこ内の符号は、本発明の一実施例(第1図参
照)との対応を明示するために付したにすぎない。
照)との対応を明示するために付したにすぎない。
[作 用]
上述した構成において、事故時には前記第1コンデンサ
の蓄積電荷が放電されるため、トランジスタがOFF状
態に近づき、コレクタ電位が上昇し、点灯回路の動作が
停止する。
の蓄積電荷が放電されるため、トランジスタがOFF状
態に近づき、コレクタ電位が上昇し、点灯回路の動作が
停止する。
[実施例]
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。本図に
おいて、PSは直流電源、Ciはコンデンサ(iは添え
字、以下同様)、Riは抵抗、Liはコイル、Diはダ
イオード、ZDiはツェナーダイオード、Thはサイリ
スタ、SSSはダイアック、FET1はパワーMO5F
ET 、 TRiはバイポーラトランジスタ、TBは蛍
光管、Fiはフィラメントである。
おいて、PSは直流電源、Ciはコンデンサ(iは添え
字、以下同様)、Riは抵抗、Liはコイル、Diはダ
イオード、ZDiはツェナーダイオード、Thはサイリ
スタ、SSSはダイアック、FET1はパワーMO5F
ET 、 TRiはバイポーラトランジスタ、TBは蛍
光管、Fiはフィラメントである。
次に、本実施例の動作を説明する。なお、以下の説明で
は簡略化を図るため、図中の符号R1,DI等のみを用
い、抵抗、ダイオード等の名称は省略する。
は簡略化を図るため、図中の符号R1,DI等のみを用
い、抵抗、ダイオード等の名称は省略する。
まず、発振の生じる過程について説明する。
1、PSがONされ、起動開始となる。
2、R1を介しC1に充電がなされる。
3、C1の陽子間充電電圧がSSSのしきい値電圧に達
すると、D2を介してFET2のゲートにその電圧が印
加される。
すると、D2を介してFET2のゲートにその電圧が印
加される。
4、 FET2のゲートに電圧が印加された瞬間、この
FET2が導通(ON)L、、C8に充電されている電
荷がDlおよびFET2を介し放電すると同時に、C2
+Fl+C4,F2 、L、F3を介してFET2に電
流が流れる。
FET2が導通(ON)L、、C8に充電されている電
荷がDlおよびFET2を介し放電すると同時に、C2
+Fl+C4,F2 、L、F3を介してFET2に電
流が流れる。
5、 その後、F3に蓄えられていたエネルギーが放出
される時、F2に電圧が誘起され、それがR2を介しF
ETIのゲートに印加される。そしてFET、がONL
/た時、同様にLl、C4,C2に蓄えられていたエネ
ルギーがFETIを介して放出される。この時、FET
IのソースおよびF ET2のドレインの電圧は、第2
図に示すような減衰波形となる。
される時、F2に電圧が誘起され、それがR2を介しF
ETIのゲートに印加される。そしてFET、がONL
/た時、同様にLl、C4,C2に蓄えられていたエネ
ルギーがFETIを介して放出される。この時、FET
IのソースおよびF ET2のドレインの電圧は、第2
図に示すような減衰波形となる。
6.上記2項〜5項の繰り返しでFl、F2に電流が流
れ、これにより、予熱がなされ、Llのキック電圧に依
り蛍光管TBの放電が開始する。
れ、これにより、予熱がなされ、Llのキック電圧に依
り蛍光管TBの放電が開始する。
7、電源がONシ発振が開始すると、第4図(A)に示
す方形波電圧波形がFETIのソースとFET2のドレ
インの接続点に生じる。最初のうちは、第2図(A)の
波形動作が行われ、この信号に依り発振が開始する。つ
まりFET2のONにより第4図(A) ノV、sから
v。ニ遷移し、C2,TB、Ll、F3を介しFET2
に電流が流れ込む。その時、F4に誘起される正の電圧
はR3を介してFET2のゲートに印加されるため、F
ET2はその間ONL/続ける。
す方形波電圧波形がFETIのソースとFET2のドレ
インの接続点に生じる。最初のうちは、第2図(A)の
波形動作が行われ、この信号に依り発振が開始する。つ
まりFET2のONにより第4図(A) ノV、sから
v。ニ遷移し、C2,TB、Ll、F3を介しFET2
に電流が流れ込む。その時、F4に誘起される正の電圧
はR3を介してFET2のゲートに印加されるため、F
ET2はその間ONL/続ける。
8、C4およびLlにエネルギーが蓄積され終ると、L
、に流れる電流も停止する。これにより、F4に誘起さ
れる電圧も無くなり、FET2のゲートに印加されてい
た電圧も無くなる。その結果、FET2はOFFする。
、に流れる電流も停止する。これにより、F4に誘起さ
れる電圧も無くなり、FET2のゲートに印加されてい
た電圧も無くなる。その結果、FET2はOFFする。
これまでの間は、第4図(A)R4に示すvoを呈する
。
。
9、 FET2がOFFすると、C2,C4,Ll、
F3に蓄積されていたエネルギーは総てCRを介して放
出され始める。その時、F3には前回と逆の電流が流れ
ようとするため、F2に誘起された正の電圧がR2を介
してFETIのゲートに印加される。
F3に蓄積されていたエネルギーは総てCRを介して放
出され始める。その時、F3には前回と逆の電流が流れ
ようとするため、F2に誘起された正の電圧がR2を介
してFETIのゲートに印加される。
lo、 FETIのゲートに電圧が印加されると、FE
T、はONとなる。すると、9項で述べた蓄積エネルギ
ーは、−気にFET、を介し放出される。その時、し、
にその電流が流れ、その間FET+はONシ続ける。こ
の波形が第4図(A)のvo(4)からvPに至り(t
、)、L、に電流が流れている間(第4図(^)のR3
)保たれる。
T、はONとなる。すると、9項で述べた蓄積エネルギ
ーは、−気にFET、を介し放出される。その時、し、
にその電流が流れ、その間FET+はONシ続ける。こ
の波形が第4図(A)のvo(4)からvPに至り(t
、)、L、に電流が流れている間(第4図(^)のR3
)保たれる。
11.9項で述べたエネルギーの放出が終ると、L。
に電流が流れなくなり、F2には電圧が誘起されなくな
る。その結果、FETIがOFFする。
る。その結果、FETIがOFFする。
12、 FETIがOFFすると、C2を介しに4.L
l に再びエネルギーが蓄積され始める。これと同時に
、F3に流れる電流に起因してF4に正の電圧が誘起さ
れ始め、R3を介してFET2のゲートに正の電圧が印
加さ′れ、再びFET2がONする。すると、−気にC
2,C4,L、にエネルギーが蓄積され、その電流がF
3に流れるため、F4にはその間電圧が誘起され続ける
。
l に再びエネルギーが蓄積され始める。これと同時に
、F3に流れる電流に起因してF4に正の電圧が誘起さ
れ始め、R3を介してFET2のゲートに正の電圧が印
加さ′れ、再びFET2がONする。すると、−気にC
2,C4,L、にエネルギーが蓄積され、その電流がF
3に流れるため、F4にはその間電圧が誘起され続ける
。
13、上記7項〜12項を繰り返し、発振が維持される
。
。
なお、F2とF4は相反する方向に正電圧が誘起される
ように、巻方向を予め決めておく。また、Zn2および
Zn3はゲート電圧が所定の最大値を越えないよう、保
護のために挿入しているものである。従って、F2.F
4が逆電位に誘起された場合、Zn2,7D3にはそれ
ぞれ順方向の電流が流れる。
ように、巻方向を予め決めておく。また、Zn2および
Zn3はゲート電圧が所定の最大値を越えないよう、保
護のために挿入しているものである。従って、F2.F
4が逆電位に誘起された場合、Zn2,7D3にはそれ
ぞれ順方向の電流が流れる。
−8このように、R+、C+は回路発振の起動用であり
、発振周波数との関係はない。R,、C,の時定数は、
起動用パルスの繰り返し時間(第2図(B)に示す発振
)である。
、発振周波数との関係はない。R,、C,の時定数は、
起動用パルスの繰り返し時間(第2図(B)に示す発振
)である。
次に、TR,がON状態を維持し続けることの意味につ
いて述べておく。
いて述べておく。
TRIがONシ続けるという意味は、正常動作時と異常
動作時(後に詳述する)に関して2通り有る。
動作時(後に詳述する)に関して2通り有る。
正常時には、C1の端子間電圧(鋸歯状波電圧)がR5
を介してTRIのベースに電流を流し、TRIの
。
を介してTRIのベースに電流を流し、TRIの
。
HFE倍がコレクタ・エミッタ間に常時流れ、04゜Z
n2にかかる電圧をコントロールしてZn2のしぎい値
を越えないようにしている。また、TBよりノイズがR
,、C6を介して混入した時には、Zn2のインピーダ
ンスによりカットし、C3に吸収させる様にしてい名。
n2にかかる電圧をコントロールしてZn2のしぎい値
を越えないようにしている。また、TBよりノイズがR
,、C6を介して混入した時には、Zn2のインピーダ
ンスによりカットし、C3に吸収させる様にしてい名。
さらに、電源側にノイズが混入した場合、R,、R,を
介してTRIのベースに印加され、TR,がONされる
ことから、C4のかかる電圧を下げるため、ストップ回
路(後に詳述する)が動作しないようにもしている。
介してTRIのベースに印加され、TR,がONされる
ことから、C4のかかる電圧を下げるため、ストップ回
路(後に詳述する)が動作しないようにもしている。
異常時においては、TRIのコレクタ電圧がC4゜Zn
2のしきい値電圧を越した場合、ThがONシて発振が
停止する(後に詳述する)。このとき、C1の電圧が上
昇してくると、C5を介してThを保持すると同時に8
5を介してTR,のベースにも印加されるため、TRI
がONシ、C3,C4への印加電圧はOボルトにクラン
プされてしまうことになる。
2のしきい値電圧を越した場合、ThがONシて発振が
停止する(後に詳述する)。このとき、C1の電圧が上
昇してくると、C5を介してThを保持すると同時に8
5を介してTR,のベースにも印加されるため、TRI
がONシ、C3,C4への印加電圧はOボルトにクラン
プされてしまうことになる。
以上述べた2点が、TRIがONシ続けるときに果たす
機能である。
機能である。
なお、発振と同時にFET2がONLた場合、FET2
のドレインが0ボルトになる。従って、その時、clの
電荷はり、を介して放電する。
のドレインが0ボルトになる。従って、その時、clの
電荷はり、を介して放電する。
次に、0.の必要性について詳述する。
FET+がONの時、そのソースが直流電源Psの出力
端と同電位になる。従ってDlがなければclが充電さ
れてしまい、その結果として、sssのしぎい値を越え
てFET2がONL、てしまう。
端と同電位になる。従ってDlがなければclが充電さ
れてしまい、その結果として、sssのしぎい値を越え
てFET2がONL、てしまう。
また、Dlを挿入せず、且つ結線もしない場合には、正
常発振が起った後も、CIの充電が行れ、SSSのしき
い値を越えたときにFET2をONさせてしまう。その
結果、正常発振と、起動用鋸歯状波発振とが重複する事
になる。
常発振が起った後も、CIの充電が行れ、SSSのしき
い値を越えたときにFET2をONさせてしまう。その
結果、正常発振と、起動用鋸歯状波発振とが重複する事
になる。
異常時の動作について、以下に説明する。
■ 蛍光管TBが破損した場合は、Fl−04−F2へ
と流れる電流値が増大する。その理由は、次のとおりで
ある。
と流れる電流値が増大する。その理由は、次のとおりで
ある。
ランプ正常点灯時には、TBのインピーダンスZ、F、
およびF2<7)抵抗R、C4及びLl(7)共振流が
安定して保たれている。ところが、この中のインピーダ
ンスZが無くなると、すなわちF2からF、に直接流れ
ていた回路が断線すると、共振点が大きく外れるために
電流が増大する。
およびF2<7)抵抗R、C4及びLl(7)共振流が
安定して保たれている。ところが、この中のインピーダ
ンスZが無くなると、すなわちF2からF、に直接流れ
ていた回路が断線すると、共振点が大きく外れるために
電流が増大する。
なお、ランプ始動時は、かかる現象を利用している。す
なわち、最初はTHのインピーダンスZが無いため、P
I、F2.C4,Llの回路によって大きく電流を流し
、PI、F2を熱して放電を開始させ、やがてTBに電
流が流れると、第3図に示すような等価回路に成り安定
する。
なわち、最初はTHのインピーダンスZが無いため、P
I、F2.C4,Llの回路によって大きく電流を流し
、PI、F2を熱して放電を開始させ、やがてTBに電
流が流れると、第3図に示すような等価回路に成り安定
する。
第4図(A) 、 CB)において、VPSは直流電源
psの出力電圧を、VOは0ボルトを表す。また、vP
はvoに対するピーク値を意味し、vps と同じ値と
なる。但し、瞬時値であるのでVPとして表した。
psの出力電圧を、VOは0ボルトを表す。また、vP
はvoに対するピーク値を意味し、vps と同じ値と
なる。但し、瞬時値であるのでVPとして表した。
正常時は、第4図(A)に示すとおり、ON10 F
Fが対称的に動作する。
Fが対称的に動作する。
異常時は、第4図(B)に示すとおり、OFF状態が長
くなりON状態が短くなっている。すなわち、V、が大
になるとC3に充電する所要時間が長くなり、電圧が上
昇する傾向となる。つまり、FET、のソース・FET
2のドレインの接続点は、第4図(B)の様な方形電圧
波形が生じ、FET2の0N(FET、は0FF)は短
< FET2の0FF(FET+はON)は、長くなる
。よって、■、が長く、voが短くなり(すなわちvP
が長くなる事)正電圧が上昇する事になるので、今迄バ
ランスがとれていた。
くなりON状態が短くなっている。すなわち、V、が大
になるとC3に充電する所要時間が長くなり、電圧が上
昇する傾向となる。つまり、FET、のソース・FET
2のドレインの接続点は、第4図(B)の様な方形電圧
波形が生じ、FET2の0N(FET、は0FF)は短
< FET2の0FF(FET+はON)は、長くなる
。よって、■、が長く、voが短くなり(すなわちvP
が長くなる事)正電圧が上昇する事になるので、今迄バ
ランスがとれていた。
その上に上昇した正電圧がRa、C6を介しC3に充電
する。この時TR,のコレクタ電圧は、最初に04、Z
n2のしきい値を越えないよう電圧がクランプされてい
るので、この電圧上昇により、R8゜C6を介しての電
流が増大し、C3に充電されC3の電圧が上昇する。そ
して04を介しZn2のしきい値に達すると、Thのゲ
ートに印加され、ThはONし、C4,R6,Thを介
しTR2のベースに電圧が印加され、TR2がONする
。
する。この時TR,のコレクタ電圧は、最初に04、Z
n2のしきい値を越えないよう電圧がクランプされてい
るので、この電圧上昇により、R8゜C6を介しての電
流が増大し、C3に充電されC3の電圧が上昇する。そ
して04を介しZn2のしきい値に達すると、Thのゲ
ートに印加され、ThはONし、C4,R6,Thを介
しTR2のベースに電圧が印加され、TR2がONする
。
TR2がONする事により、C3を介しFET2のゲー
トがアースされる。すなわちFET2のゲート信号が無
くなり、FET2の動作が停止し、その事により、FE
T、のゲート信号も停止し、FET、も動作が停止し、
発振が停止する。これと同時に、今迄R1を介してC1
に充電されようとしているのを、第4図(^)のv0時
にDlを介し放電していたものが発振停止により、D、
に流れなく成るので、clの充電電圧が上昇し、今度は
、Dsを介しTh。
トがアースされる。すなわちFET2のゲート信号が無
くなり、FET2の動作が停止し、その事により、FE
T、のゲート信号も停止し、FET、も動作が停止し、
発振が停止する。これと同時に、今迄R1を介してC1
に充電されようとしているのを、第4図(^)のv0時
にDlを介し放電していたものが発振停止により、D、
に流れなく成るので、clの充電電圧が上昇し、今度は
、Dsを介しTh。
TR2をONL、続ける。この事により、電源通電中は
ONシ続け、電源をOFFすることにより復帰する。
ONシ続け、電源をOFFすることにより復帰する。
異常時の一態様である短絡の場合について、以下に説明
する。
する。
この場合には第4図(B)に示すように、vPの時間が
長く成る(つまり発振が下がることになる)。この短絡
とはFl、F2 (抵抗分は0)をショートする事で
、Llと62の共振回路においてC2はC4より約10
倍ぐらいの容量をとっているのでf=17(2πr)で
周波数は下ることに成る。
長く成る(つまり発振が下がることになる)。この短絡
とはFl、F2 (抵抗分は0)をショートする事で
、Llと62の共振回路においてC2はC4より約10
倍ぐらいの容量をとっているのでf=17(2πr)で
周波数は下ることに成る。
この時の動作は(上記説明でV、の時間が長くなるとい
う事は) 、 FET、のON時間が長く正電圧時間が
長いということで、この時FET+のドレインおよびソ
ース、 L3.Ra、Daを介し前回同様D4゜Zn4
に電圧が印加される。この電圧は、直流電源PSの直流
電圧が直接FETIのON時間流れる。この繰り返しに
より、C3の充電電圧が上昇し、Zn4のしきい値電圧
に達して前回同様と成り発振が停止する。
う事は) 、 FET、のON時間が長く正電圧時間が
長いということで、この時FET+のドレインおよびソ
ース、 L3.Ra、Daを介し前回同様D4゜Zn4
に電圧が印加される。この電圧は、直流電源PSの直流
電圧が直接FETIのON時間流れる。この繰り返しに
より、C3の充電電圧が上昇し、Zn4のしきい値電圧
に達して前回同様と成り発振が停止する。
■ 異常時にはC,の端子間電圧が低下し、TR1を0
FF−させる理由について、更に詳しく説明する。
FF−させる理由について、更に詳しく説明する。
第5図に示す電源オン時から発振スタートまで(tl)
の動作は、先に説明したとおりである。C2の充放電に
よる端子間電圧波形は点線で示す。
の動作は、先に説明したとおりである。C2の充放電に
よる端子間電圧波形は点線で示す。
発振がスタートした場合、正常時CIの点線電圧波形は
、前記説明7.8動作で表われる。つまりFET2のス
タート時、SSSを介し放電FET2のゲートに印加さ
れFET2ONと成り、Vot、間C1は、前記放電し
たまま充電されず、t1点線波形で保持されていて、次
に説明9.10.11動作に依りFET、がOFF L
/FETIがONする事に依りFET2のドレーン電圧
は電源電圧に達する。この事に依りR,を介しDlを流
れる電流が停止するため、今度はR,を介しC2に充電
され始める。これは、t。
、前記説明7.8動作で表われる。つまりFET2のス
タート時、SSSを介し放電FET2のゲートに印加さ
れFET2ONと成り、Vot、間C1は、前記放電し
たまま充電されず、t1点線波形で保持されていて、次
に説明9.10.11動作に依りFET、がOFF L
/FETIがONする事に依りFET2のドレーン電圧
は電源電圧に達する。この事に依りR,を介しDlを流
れる電流が停止するため、今度はR,を介しC2に充電
され始める。これは、t。
に当る。しかしt、はtl’ に比較して17数lθ〜
1/数100短いため、CIの充電時間も短く、再びF
ET2のONに依り、C1はり、を介しFET、のドレ
ーン電圧がゼロボルトに近づいた時点に放電する。この
波形がt3の点線波形に成りつまり、鋸歯状波として表
われる。
1/数100短いため、CIの充電時間も短く、再びF
ET2のONに依り、C1はり、を介しFET、のドレ
ーン電圧がゼロボルトに近づいた時点に放電する。この
波形がt3の点線波形に成りつまり、鋸歯状波として表
われる。
第6図示の方形波と鋸歯状波を見ると、t3の間R3か
らC1に充電され、t4の間D1を介し放電されている
が、第6図のように実際CIの電圧は放電しても完全に
放電されず、Ovより少し上った状態に有る。これが異
常時には、TBに過電流が流れるため、それ以上にCI
の電圧もり、を介して流れようとする。よって、Rsを
介してTR,のベースに電圧が印加されていた電圧も下
りTR,に定電流を流しコントロールしていたものが、
ベース電圧が下がるためTR,の電流が少し減少すると
同時に、上述の説明の動作によりD4.Zn2の電圧が
上昇する。
らC1に充電され、t4の間D1を介し放電されている
が、第6図のように実際CIの電圧は放電しても完全に
放電されず、Ovより少し上った状態に有る。これが異
常時には、TBに過電流が流れるため、それ以上にCI
の電圧もり、を介して流れようとする。よって、Rsを
介してTR,のベースに電圧が印加されていた電圧も下
りTR,に定電流を流しコントロールしていたものが、
ベース電圧が下がるためTR,の電流が少し減少すると
同時に、上述の説明の動作によりD4.Zn2の電圧が
上昇する。
■ ストップ回路がひとたび動作すると、すなわちFE
T2 のゲート電位が零に至ると、再び電源をオフし
ない限りストップ状態が保持される。
T2 のゲート電位が零に至ると、再び電源をオフし
ない限りストップ状態が保持される。
換言すれば、電源を一度オフして再投入したときに限り
、再スタートが行われる。その理由を次に説明する。
、再スタートが行われる。その理由を次に説明する。
先に、ストップ動作と保持の説明をしたが、まず発振が
停止すると、スタート動作と同様に、R1を介しCIに
充電がなされる。モしてCIの電圧が上昇する事により
り、、Thを介しTR2のベースに電圧が印加され、T
R2がONシ続ける。よって、R,に流れる電流が零に
なり(すなわちOv)、モしてC3に充電されていた電
荷が放電してしまうまでの間は、復帰しない。
停止すると、スタート動作と同様に、R1を介しCIに
充電がなされる。モしてCIの電圧が上昇する事により
り、、Thを介しTR2のベースに電圧が印加され、T
R2がONシ続ける。よって、R,に流れる電流が零に
なり(すなわちOv)、モしてC3に充電されていた電
荷が放電してしまうまでの間は、復帰しない。
■ 次に、R6およびD6から成る直列回路について説
明する。
明する。
R8は、正常動作時にRaとl’lsのバイアスにより
バランスをとり、その電圧をD4を介してZn4のしき
い値以下にコントロールする。また、異常時にはZn2
およびTRIに過電流が流れないようにする保護用でも
有る。
バランスをとり、その電圧をD4を介してZn4のしき
い値以下にコントロールする。また、異常時にはZn2
およびTRIに過電流が流れないようにする保護用でも
有る。
D6については、第4図(B)、第5図示の正電圧Ov
の繰り返しく発振)により正電圧時に、C3に充電され
た電荷が、07時に逆にRa、La 、 FET2(O
v時は、FET2がON)を介し放電を防ぐ、電圧クラ
ンプ用として用いられる。
の繰り返しく発振)により正電圧時に、C3に充電され
た電荷が、07時に逆にRa、La 、 FET2(O
v時は、FET2がON)を介し放電を防ぐ、電圧クラ
ンプ用として用いられる。
■ R7は、D4. Zn2のバイアス用およびC3の
放電用抵抗である。
放電用抵抗である。
第6図は、本発明を適用した第2の実施例を示す回路図
である。本実施例の動作は、次のとおりである。
である。本実施例の動作は、次のとおりである。
■ スタート時
電源オンによりR1を介しC1に充電されSSSのしき
い値に達すると、CIに充電されていた電荷は、SSS
のトリガ電流となりFETのゲートに印加され、その間
FETはONされ、電源よりL+を介しFETに電流が
流れる。その時、L2に誘起された電圧は、L3.L5
.F2.C4,Flに電流を流す。これと同時に、F4
にも電圧が誘起されるので、これが83を介しくFET
のゲートに正の電圧として印加されるよう、F4の巻方
向を決める事により)、FETのゲートに印加され、F
ETがONを続け、またCIの充電された電荷がり、を
介しFETに放電することの繰り返しによりTBのF、
、 F2が予熱され、起動に至る。
い値に達すると、CIに充電されていた電荷は、SSS
のトリガ電流となりFETのゲートに印加され、その間
FETはONされ、電源よりL+を介しFETに電流が
流れる。その時、L2に誘起された電圧は、L3.L5
.F2.C4,Flに電流を流す。これと同時に、F4
にも電圧が誘起されるので、これが83を介しくFET
のゲートに正の電圧として印加されるよう、F4の巻方
向を決める事により)、FETのゲートに印加され、F
ETがONを続け、またCIの充電された電荷がり、を
介しFETに放電することの繰り返しによりTBのF、
、 F2が予熱され、起動に至る。
この波形も第2図同様になる。
■ 正常点灯時
(イ)■の動作により起動した場合、電源からLlを介
しC2に流れ始める。同時にF2に誘起された電圧がF
3 、 F5 、TBに電流として流れ始める。その時
、F4に誘起された電圧がR5を介してFETのゲート
に印加され、FETがONする。
しC2に流れ始める。同時にF2に誘起された電圧がF
3 、 F5 、TBに電流として流れ始める。その時
、F4に誘起された電圧がR5を介してFETのゲート
に印加され、FETがONする。
すると−気に、電源からLlを介してFETに■=E/
Zが流れる。そのLlの巻数比に応じた電圧がF2に誘
起され、F5のインピーダンスに応じた電流がTBに流
れる。この電流がF3を流れるので、前記同様L4に誘
起した電圧で、FETをONシ続ける。この時、C2に
充電されていた電荷は放電する。
Zが流れる。そのLlの巻数比に応じた電圧がF2に誘
起され、F5のインピーダンスに応じた電流がTBに流
れる。この電流がF3を流れるので、前記同様L4に誘
起した電圧で、FETをONシ続ける。この時、C2に
充電されていた電荷は放電する。
(II) Llにエネルギーが蓄積されると、やがて電
流は流れなくなり、上記(イ)の説明の逆により、FE
TはOFFする。すると今度は、Llに貯えられていた
エネルギーは放出を始め、L。
流は流れなくなり、上記(イ)の説明の逆により、FE
TはOFFする。すると今度は、Llに貯えられていた
エネルギーは放出を始め、L。
から電源を介し、C2に逆充電される。この時もF2に
電圧は誘起され、TB、LS、F3の方向に電流が流れ
る。しかしこの時も、F4に電圧が誘起されるが、電流
の方向が逆なので、FETに負の電圧が印加されオフ状
態を保つ。なお、そのF4の電流は、Zn2.R3の方
向に流れる。
電圧は誘起され、TB、LS、F3の方向に電流が流れ
る。しかしこの時も、F4に電圧が誘起されるが、電流
の方向が逆なので、FETに負の電圧が印加されオフ状
態を保つ。なお、そのF4の電流は、Zn2.R3の方
向に流れる。
(八) Llのエネルギーが放出されてしまうと、再度
(イ)の説明に戻り、C2の放電が始まる。
(イ)の説明に戻り、C2の放電が始まる。
そして、(イ)の説明同様L1に電流が流れる。
この動作波形を第7図に図示する。
■ 異常時
ランプの破損あるいは出力端子(FL−ランプ両端の事
)の短絡により電流が増大し、L。
)の短絡により電流が増大し、L。
にV=2πfLIなる電圧が生じる(周波数fの変化を
少なくする。)すなわちり、の電圧が大きくなり、正方
向に電流が流れた場合は、”2+03+C3+CIl
(TBのF、、F2 ショート) Lsに帰る。つまり
C3に充電される。逆方向の場合はF2 、 F3 、
Lsに帰る。この時S CSも放電する。この繰り返
しにより、C3の充電電圧が上昇してD4.Zn2のし
きい値に達すると、Zn2に電流が流れ、Thのゲート
に印加されオンし、TR2に63の放電又は、F2の誘
起電圧、L、の起電力等正電圧時にRz、Ds、D<、
Rs、Thを介しTR2のベースに印加されることによ
りTR2がONシ、FETのゲートがD2を介しアース
側に短絡する。つまりFETがオフする。
少なくする。)すなわちり、の電圧が大きくなり、正方
向に電流が流れた場合は、”2+03+C3+CIl
(TBのF、、F2 ショート) Lsに帰る。つまり
C3に充電される。逆方向の場合はF2 、 F3 、
Lsに帰る。この時S CSも放電する。この繰り返
しにより、C3の充電電圧が上昇してD4.Zn2のし
きい値に達すると、Zn2に電流が流れ、Thのゲート
に印加されオンし、TR2に63の放電又は、F2の誘
起電圧、L、の起電力等正電圧時にRz、Ds、D<、
Rs、Thを介しTR2のベースに印加されることによ
りTR2がONシ、FETのゲートがD2を介しアース
側に短絡する。つまりFETがオフする。
FETがオフすると発振が停止し、今迄R1からC2に
充電しようとしている条件を、01を介しFETのオン
時に放電させていたものが、FETのオフにより、D、
、 FET ドレインの電位が電源と同電位になるため
、放電できなくなり、C1の電位が上昇する。C1の電
位が上昇する事により、D5を介しThへ流す電流が出
来る。これと同時に、R4を介しTR,のベースにも同
様の電圧が印加されるので、TR2がオンしD4+R5
に流れていた電流が平になる。但し厳密に説明すると、
D4に印加されている電圧がOvに下るのとDsに電圧
が印加されるタイミングは、上記説明では、殆ど同時で
あるが、実際は、C3の充電電圧が、TR,オン時に放
電される間D4の電圧がOvに下るのは、遅れることに
なる。つまり、D、に電圧が印加された後に遅れてD4
の電圧が下るので、完全にこの回路が断続する事に成る
。すなわち、電源をオフしないかぎり、保持続ける。
充電しようとしている条件を、01を介しFETのオン
時に放電させていたものが、FETのオフにより、D、
、 FET ドレインの電位が電源と同電位になるため
、放電できなくなり、C1の電位が上昇する。C1の電
位が上昇する事により、D5を介しThへ流す電流が出
来る。これと同時に、R4を介しTR,のベースにも同
様の電圧が印加されるので、TR2がオンしD4+R5
に流れていた電流が平になる。但し厳密に説明すると、
D4に印加されている電圧がOvに下るのとDsに電圧
が印加されるタイミングは、上記説明では、殆ど同時で
あるが、実際は、C3の充電電圧が、TR,オン時に放
電される間D4の電圧がOvに下るのは、遅れることに
なる。つまり、D、に電圧が印加された後に遅れてD4
の電圧が下るので、完全にこの回路が断続する事に成る
。すなわち、電源をオフしないかぎり、保持続ける。
■ 再スタート
電源を切る事により今迄R+、D5.Th、TR2ベー
スに流れていた電流が、又C1の放電が終った、つまり
電流がOAになる事によりThが復帰する。すると再び
D4から2D、のしきい値に。
スに流れていた電流が、又C1の放電が終った、つまり
電流がOAになる事によりThが復帰する。すると再び
D4から2D、のしきい値に。
達する電圧が印加されないかぎり、R1を介してC1の
充電が始まり、始動−発振と正常動作することになる。
充電が始まり、始動−発振と正常動作することになる。
[効果]
以上述べたとおり本発明によれば、ヒユーズ交換等の手
間を不要とした正確な過電流保護回路を得ることがで社
る。
間を不要とした正確な過電流保護回路を得ることがで社
る。
また、異常動作により本回路が作動したとしても、電源
を所定時間だけオフして再投入することにより、再びス
タート状態に復帰させることができるので、極めて取扱
いが容易となる。
を所定時間だけオフして再投入することにより、再びス
タート状態に復帰させることができるので、極めて取扱
いが容易となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図ないし
N5図はそれぞれ第1図の動作を説明する図、 第6図は本発明のその他の実施例を示す回路図、第7図
は第6図の動作を説明する波形図である。 第7図
N5図はそれぞれ第1図の動作を説明する図、 第6図は本発明のその他の実施例を示す回路図、第7図
は第6図の動作を説明する波形図である。 第7図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 直流電源端子に接続された第1抵抗素子、および、該第
1抵抗素子に直列接続された第1コンデンサと、 前記第1抵抗素子と前記第1コンデンサとの共通接続点
に対し、第2抵抗素子を介して接続されたベースを有す
るトランジスタと、 前記トランジスタを動作させるため、該トランジスタの
コレクタに接続された第3抵抗素子およびダイオードか
ら成る直列回路と、 前記直列回路の一端と、前記トランジスタのコレクタと
の共通接続点に接続された第2コンデンサと、 前記第2コンデンサと並列に接続された第4抵抗素子と
、 前記放電灯の点灯回路に過大電流が流れたとき、前記第
1コンデンサの端子間電圧を降下させる放電手段と、 前記放電手段の作動に応答して前記トランジスタのコレ
クタ電圧が所定値に達したとき、前記点灯回路の動作を
停止させる停止手段と を備えたことを特徴とする過電流保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25728987A JPH01100893A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 過電流保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25728987A JPH01100893A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 過電流保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100893A true JPH01100893A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17304305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25728987A Pending JPH01100893A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 過電流保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100893A (ja) |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP25728987A patent/JPH01100893A/ja active Pending
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