JPH01100975A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH01100975A JPH01100975A JP62259061A JP25906187A JPH01100975A JP H01100975 A JPH01100975 A JP H01100975A JP 62259061 A JP62259061 A JP 62259061A JP 25906187 A JP25906187 A JP 25906187A JP H01100975 A JPH01100975 A JP H01100975A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は太陽光発電等に利用される光起電力装置に関す
る。
る。
（ロ）従来の技術
シリコンを含む水素化アモルファス半導体、例えば水素
化アモルファスシリコン（ａ−５ｉ：Ｈ）、水素化アモ
ルファスシリコンカーバイド（ａ −５ｉＣ：Ｈ）、水
素化アモルファスシリコンナイトライド（ａ−５ｉＮ：
Ｈ）、水素化アモルファスシリコンゲルマニクム（ａ−
５ｉＧｅ：Ｈ）を用いた光起電力装置は既に知られてお
り、米国特許第４．２８１．２０８最明Ｊ！ｌｉｌ書及
び図面に開示された如き集積型構造が簡単な装造プロセ
スにより任意の値の電圧が得られることから実用化され
ている。
化アモルファスシリコン（ａ−５ｉ：Ｈ）、水素化アモ
ルファスシリコンカーバイド（ａ −５ｉＣ：Ｈ）、水
素化アモルファスシリコンナイトライド（ａ−５ｉＮ：
Ｈ）、水素化アモルファスシリコンゲルマニクム（ａ−
５ｉＧｅ：Ｈ）を用いた光起電力装置は既に知られてお
り、米国特許第４．２８１．２０８最明Ｊ！ｌｉｌ書及
び図面に開示された如き集積型構造が簡単な装造プロセ
スにより任意の値の電圧が得られることから実用化され
ている。
然し乍ら、祈る水素化アモルファス半導体を主として光
電変換動作する光活性層とした光起電力装置にあっては
、単結晶半導体を光活性層とするものＫｅぺ光電変換効
率が低いのみならず、特開昭５９−５４２７４号公服に
開示されたように強い光照射を長時間受けると、光電変
換効率が低下する光劣化を招くことが知られており、太
陽光発電への適用に際し解決しなければならない。
電変換動作する光活性層とした光起電力装置にあっては
、単結晶半導体を光活性層とするものＫｅぺ光電変換効
率が低いのみならず、特開昭５９−５４２７４号公服に
開示されたように強い光照射を長時間受けると、光電変
換効率が低下する光劣化を招くことが知られており、太
陽光発電への適用に際し解決しなければならない。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は上述の如く水素化アモルファス半導体を主とし
て光ｉ４変換紡作する光活性層とした光起電力装置にあ
っては、強い光照射を長時間受けると、光電変換効率が
低下する光劣化を解決しようとするものである。
て光ｉ４変換紡作する光活性層とした光起電力装置にあ
っては、強い光照射を長時間受けると、光電変換効率が
低下する光劣化を解決しようとするものである。
に）間蹟点を解決するための手段・
本発明光起電力装置は上記光劣化を解決すぺ、く、シリ
コンを含む水素化アモルファス半導体を主として光電変
換動作する光活層とした光１！を変換素子の受光面倒に
、実質的に可視光の透過を許容し赤外光の透過を遮断す
るフィルタを配置すると共Ｋ。
コンを含む水素化アモルファス半導体を主として光電変
換動作する光活層とした光１！を変換素子の受光面倒に
、実質的に可視光の透過を許容し赤外光の透過を遮断す
るフィルタを配置すると共Ｋ。
光電変換素子の背面側に当該光電変換素子と熱的に接し
て熱容量部材を設けたことを特徴とする。
て熱容量部材を設けたことを特徴とする。
（ホ）作 用
上述の如く光電変換素子の背面側に当該光ｔ１！変換素
子と熱的に接して熱容量部材を設けることによって、昼
間熱容量部材で蓄積された熱容量は夜間上記光電変換素
子の光活性層を加熱し、また受光向側に配置された赤外
光の透過ｔ−遮断するフィの ルタは上記光電変換素子側かψ熱を抑圧する。
子と熱的に接して熱容量部材を設けることによって、昼
間熱容量部材で蓄積された熱容量は夜間上記光電変換素
子の光活性層を加熱し、また受光向側に配置された赤外
光の透過ｔ−遮断するフィの ルタは上記光電変換素子側かψ熱を抑圧する。
（へ）実施例
第１図は本発明光起電力装置の基本構成を示す模式的断
面図であって、（１）はシリコンを含む水素化アモルフ
ァス半導体を生として光電変換動作する光活性層とした
膜状光電変換素子で、例えば膜面に平行なｐｉｎ 接合
等の半導体接合を含む半導）等圧代表される透光性導電
酸化物（ＴＣＯ）カイらなる受光面電極と、Ａｔ％Ａｇ
％Ａｔ／ＴｉＡｇ％ＴＣＯ／Ａ４ＴＣＯ／ＡＬ／ＴｉＡ
ｇ、ＴＣＯ／Ａｇ等の高反射性金属層を少なくとも一層
含む単層或いは積層構造の背面電極と、で挾持した構成
にある。（２）は上記膜状光１！変換素子（１）を支持
する透光性の例えばガラスからなる支持基板で、当該支
持基板（２）は光電変換素子（１）に対して光入射方向
である受光面側に設けられ、具体的には支持基板（２）
に光電変換素子（１）の受光面電極が纏韻礪看、スパッ
タ、熱ＣｖＤ等の手法により直接成膜され、次いで光活
性層を含んだ生得体膜が５ｉＨａ、５ｉ２Ｈａ 等の
少なくともシリコンと水素を主体とする原料ガス（必要
とめれば適宜Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３の導電型決定不純物を含
むガス、ＣＨ４、ＮＨＳ、Ｇ ｅ Ｈ４等の光学的バン
ドギャップ調整元素を含むガスを添加しても良い）をプ
ラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等の手法による分解によって堆
積せしめられ、最終的に背面電極が被着される。
面図であって、（１）はシリコンを含む水素化アモルフ
ァス半導体を生として光電変換動作する光活性層とした
膜状光電変換素子で、例えば膜面に平行なｐｉｎ 接合
等の半導体接合を含む半導）等圧代表される透光性導電
酸化物（ＴＣＯ）カイらなる受光面電極と、Ａｔ％Ａｇ
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ｇ、ＴＣＯ／Ａｇ等の高反射性金属層を少なくとも一層
含む単層或いは積層構造の背面電極と、で挾持した構成
にある。（２）は上記膜状光１！変換素子（１）を支持
する透光性の例えばガラスからなる支持基板で、当該支
持基板（２）は光電変換素子（１）に対して光入射方向
である受光面側に設けられ、具体的には支持基板（２）
に光電変換素子（１）の受光面電極が纏韻礪看、スパッ
タ、熱ＣｖＤ等の手法により直接成膜され、次いで光活
性層を含んだ生得体膜が５ｉＨａ、５ｉ２Ｈａ 等の
少なくともシリコンと水素を主体とする原料ガス（必要
とめれば適宜Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３の導電型決定不純物を含
むガス、ＣＨ４、ＮＨＳ、Ｇ ｅ Ｈ４等の光学的バン
ドギャップ調整元素を含むガスを添加しても良い）をプ
ラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等の手法による分解によって堆
積せしめられ、最終的に背面電極が被着される。
（３）は上記支持基板（２）に直接形成された光電変換
素子（１）の背面電極を液密的忙覆蓋し当該背面電極へ
の熱伝導を許容する背面保護部材で、例えば先ず背面電
極に接して膜厚故１００μｍ程度のエポキシ系樹脂が塗
布され、次いで膜厚欧１０μｍ程度の高分子フィルムが
貼着された゛複合体から構成されている。（４）は上記
背面保護部材（３１の更に背面側に設けられた熱容量部
材で、例えば熱容量の大きい水（Ｈ２０）や、潜熱を利
用するＭｇ（ＮＯり２−６Ｈ２０や５ｒ（ＯＨ）ｚ−８
ＨｚＯ等の水和塩からなる。上記Ｍｇ（ＮＯｓ）２−６
Ｈ２０は、８９〜９５℃の融点を持ち、その融解熱は５
８．２ ｃａｌ／ｇであり、また５ｒ（ＯＨ）２−８Ｈ
ｚＯでは各々８８℃、８４ｃａｚ／ｇである。従って、
蓄熱・放熱の点から見れば融解・凝固を利用できる水和
塩を用いる方が有利であるものの、実用面では水（Ｈ２
０）を用い方が好ましい。（５）は上記熱容量部材（４
）の背面を断熱的に覆う断熱部材で、該断熱部材（５）
は上記支持基板（２）、光電変換素子（１）、背面保護
部材（３）の側面を囲続する枠体（６）と共に上記熱容
量部材１４）を液密的に保持する。
素子（１）の背面電極を液密的忙覆蓋し当該背面電極へ
の熱伝導を許容する背面保護部材で、例えば先ず背面電
極に接して膜厚故１００μｍ程度のエポキシ系樹脂が塗
布され、次いで膜厚欧１０μｍ程度の高分子フィルムが
貼着された゛複合体から構成されている。（４）は上記
背面保護部材（３１の更に背面側に設けられた熱容量部
材で、例えば熱容量の大きい水（Ｈ２０）や、潜熱を利
用するＭｇ（ＮＯり２−６Ｈ２０や５ｒ（ＯＨ）ｚ−８
ＨｚＯ等の水和塩からなる。上記Ｍｇ（ＮＯｓ）２−６
Ｈ２０は、８９〜９５℃の融点を持ち、その融解熱は５
８．２ ｃａｌ／ｇであり、また５ｒ（ＯＨ）２−８Ｈ
ｚＯでは各々８８℃、８４ｃａｚ／ｇである。従って、
蓄熱・放熱の点から見れば融解・凝固を利用できる水和
塩を用いる方が有利であるものの、実用面では水（Ｈ２
０）を用い方が好ましい。（５）は上記熱容量部材（４
）の背面を断熱的に覆う断熱部材で、該断熱部材（５）
は上記支持基板（２）、光電変換素子（１）、背面保護
部材（３）の側面を囲続する枠体（６）と共に上記熱容
量部材１４）を液密的に保持する。
（７）は上記光電変換素子（１）の受光面側に支持基板
（２）と空間１８）を隔てて上記枠体１６）により気密
に支持されたフィルタで、例えばガラス板上にＩ ｎ
２ ｘｓｎｙｏ（ｓ Ｘ＋２ ｙ）、フッ素ドープの５
ｎ０２、Ｉｎ２Ｏ５゜ＣｄＯ等を約１μｍコーティング
することによって、実質的に可視光の透過を許容し赤外
光の透過を遮断する所哨赤外臘カットフィルタからなる
。
（２）と空間１８）を隔てて上記枠体１６）により気密
に支持されたフィルタで、例えばガラス板上にＩ ｎ
２ ｘｓｎｙｏ（ｓ Ｘ＋２ ｙ）、フッ素ドープの５
ｎ０２、Ｉｎ２Ｏ５゜ＣｄＯ等を約１μｍコーティング
することによって、実質的に可視光の透過を許容し赤外
光の透過を遮断する所哨赤外臘カットフィルタからなる
。
所るフィルタ（７）として膜厚的１μｍのＩｎ２ｘＳｎ
ｙＯ（３ｘ＋２ｙ）と、フッ素ドープの５ｎ０２をコー
ティングした場合の反射・透過特性が第２図に示されて
いる。同図から光電変換素子（１）が光電変換動作する
波擾約０．７μｍ以下の可視光Ｉｊｔ［において両者共
に高い透過率金示し、波長的１μｍを越える赤外光＠域
に＄いて高い反射率を鼠する。
ｙＯ（３ｘ＋２ｙ）と、フッ素ドープの５ｎ０２をコー
ティングした場合の反射・透過特性が第２図に示されて
いる。同図から光電変換素子（１）が光電変換動作する
波擾約０．７μｍ以下の可視光Ｉｊｔ［において両者共
に高い透過率金示し、波長的１μｍを越える赤外光＠域
に＄いて高い反射率を鼠する。
さて、シリコンを含む水素化アモルファス半導体を主と
して光電変換動作する光活性層とし九光電変換素子（１
）は強い光照射を長時間受けると、光電変換効率が低下
する光劣化を招くことは先に説明した。一方、所る光電
変換効率の光劣化に対し、熱アニールを施すことにより
低下した光電変換効率が回復する効果（ＳｔｅｍｂＬｅ
ｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ効果）についても知られている。例
えば第５図はｍ −３ｉ：Ｈを光活性層としたｐｉｎ
接合型光電変換素子（１）における光電変換効率が初期
値から２０％光劣化後の熱アニールによる回復の様子を
示している。アニール温度が高い程、光劣化の回復の時
間が短いことがヤ」る。例えば、１６０℃の熱アニール
では４時間でほぼ１００％回復し、また低温の７０℃で
あっても当初の２時間ではほとんど回復が見られないも
のの２時間を経過した段階から回復が始まっている。
して光電変換動作する光活性層とし九光電変換素子（１
）は強い光照射を長時間受けると、光電変換効率が低下
する光劣化を招くことは先に説明した。一方、所る光電
変換効率の光劣化に対し、熱アニールを施すことにより
低下した光電変換効率が回復する効果（ＳｔｅｍｂＬｅ
ｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ効果）についても知られている。例
えば第５図はｍ −３ｉ：Ｈを光活性層としたｐｉｎ
接合型光電変換素子（１）における光電変換効率が初期
値から２０％光劣化後の熱アニールによる回復の様子を
示している。アニール温度が高い程、光劣化の回復の時
間が短いことがヤ」る。例えば、１６０℃の熱アニール
では４時間でほぼ１００％回復し、また低温の７０℃で
あっても当初の２時間ではほとんど回復が見られないも
のの２時間を経過した段階から回復が始まっている。
而して、本発明光起電力装置は昼間太陽光の下では、当
該太陽光線（ｈｖＪ）の内、可視光はフィルタ＋７１側
から入射し、空間（８）、支持基板（２）を透過して光
電変換素子（１）Ｋ到達し、光活性層で吸収されて光電
変換動作により光起電力に変換される。
該太陽光線（ｈｖＪ）の内、可視光はフィルタ＋７１側
から入射し、空間（８）、支持基板（２）を透過して光
電変換素子（１）Ｋ到達し、光活性層で吸収されて光電
変換動作により光起電力に変換される。
一方、入射光エネルギから光電変換動作による電気エネ
ルギに変換される割合は例えば約１０％程度で、伐りの
９０％の光エネルギの大部分は熱に変換される。そこで
、本発明は所る光エネルギの大部分が熱に変換されるこ
とに看目し、当該熱を背面保護部材（３）を挟んで熱的
に接する熱容量部材（４）に専びき蓄熱し、昼間の光照
射により劣化し九光電変換素子（１）を、夜間を利用し
て光劣化が僅かに進行した段階で上記熱容量部材（４）
からの熱伝導によって熱アニールして翌日の光照射に先
立って所る光劣化を回復せんとするものである。第４図
Ｆ１熱容量部材（４）として、栗さ■が２ａｍの水を用
いたときの光電変換素子（１）の−日の温度変化を実線
で示したものであり、日出時刻６時、日浸時刻１８時で
ある。尚、比較のために、フィルタ１７）、熱容量部材
１４１等を持たない従来装置の温度変化を破線で示した
。祈る温度変化の比較から明らかなようＫ、本発明装置
にあっては光照射のない夜間にあっても光電変換素子（
１）は約９０℃の温度に保たれていることから、第３図
に示したＳｔｅｍｂＡｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ効果により
光劣化の回復が行なわれていることかヤ」る。特に本発
明装置にあって光照射のない夜間でも約９０℃の高温に
保つことができるのは、断熱部材（５）は元より受光面
側に投けられたフィルタ（７）による効果が大きい。即
ち、当該フィルタ（７）は、光電変換素子（１）が光吸
収により高温となった熱エネルギの輻射を赤外線（ＩＲ
）の透過を遮断することＫよって、外部への伝播（放熱
）を阻止し、空間（８）内に閉じ込める保温効果を有す
る。従って、光電変換素子（１１の熱エネルギは外部に
放熱されず、効率良く熱容量部材（４）に蓄えられ、夜
間に６つても輻射熱は反射せしめられることから当該フ
ィルタ（７）の存在による効果は大きい。
ルギに変換される割合は例えば約１０％程度で、伐りの
９０％の光エネルギの大部分は熱に変換される。そこで
、本発明は所る光エネルギの大部分が熱に変換されるこ
とに看目し、当該熱を背面保護部材（３）を挟んで熱的
に接する熱容量部材（４）に専びき蓄熱し、昼間の光照
射により劣化し九光電変換素子（１）を、夜間を利用し
て光劣化が僅かに進行した段階で上記熱容量部材（４）
からの熱伝導によって熱アニールして翌日の光照射に先
立って所る光劣化を回復せんとするものである。第４図
Ｆ１熱容量部材（４）として、栗さ■が２ａｍの水を用
いたときの光電変換素子（１）の−日の温度変化を実線
で示したものであり、日出時刻６時、日浸時刻１８時で
ある。尚、比較のために、フィルタ１７）、熱容量部材
１４１等を持たない従来装置の温度変化を破線で示した
。祈る温度変化の比較から明らかなようＫ、本発明装置
にあっては光照射のない夜間にあっても光電変換素子（
１）は約９０℃の温度に保たれていることから、第３図
に示したＳｔｅｍｂＡｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ効果により
光劣化の回復が行なわれていることかヤ」る。特に本発
明装置にあって光照射のない夜間でも約９０℃の高温に
保つことができるのは、断熱部材（５）は元より受光面
側に投けられたフィルタ（７）による効果が大きい。即
ち、当該フィルタ（７）は、光電変換素子（１）が光吸
収により高温となった熱エネルギの輻射を赤外線（ＩＲ
）の透過を遮断することＫよって、外部への伝播（放熱
）を阻止し、空間（８）内に閉じ込める保温効果を有す
る。従って、光電変換素子（１１の熱エネルギは外部に
放熱されず、効率良く熱容量部材（４）に蓄えられ、夜
間に６つても輻射熱は反射せしめられることから当該フ
ィルタ（７）の存在による効果は大きい。
（ト）発明の効果
子の光活性層を、受光面側に配置され九赤外光の透過を
遮断するフィルタの光電変換素子側からの放熱の抑圧に
より、高温状態での加熱を施すことができるので、光照
射のない夜間を利用して光電変換素子が僅かに光劣化し
た状悪で、祈る光劣化を回復させることができ、高い光
電変換出力１に長期間安定して得られる。
遮断するフィルタの光電変換素子側からの放熱の抑圧に
より、高温状態での加熱を施すことができるので、光照
射のない夜間を利用して光電変換素子が僅かに光劣化し
た状悪で、祈る光劣化を回復させることができ、高い光
電変換出力１に長期間安定して得られる。
第１図は本発明光起電力装置の基本構成を示す模式的Ｖ
断面図、第２図は本発ＩＪ１１に用いられるフィルタの
反射・透過特性図、第３図は熱アニールによる光電変換
効率の回復を説明するための特性図、第４図は本発明装
置と従来装置の一日における温度変化の堆移を示す温度
変化図、を犬々示している。 （１）・・・光電変換素子、（４１・・・熱容量部材、
（５）・・・断熱部材、（６）・・・枠体、（７）・・
・フィルタ。
断面図、第２図は本発ＩＪ１１に用いられるフィルタの
反射・透過特性図、第３図は熱アニールによる光電変換
効率の回復を説明するための特性図、第４図は本発明装
置と従来装置の一日における温度変化の堆移を示す温度
変化図、を犬々示している。 （１）・・・光電変換素子、（４１・・・熱容量部材、
（５）・・・断熱部材、（６）・・・枠体、（７）・・
・フィルタ。
Claims (1)
- （１）シリコンを含む水素化アモルファス半導体を主と
して光電変換動作する光活性層とした光電変換素子の受
光面側に、実質的に可視光の透過を許容し赤外光の透過
を遮断するフィルタを配置すると共に、光電変換素子の
背面側に当該光電変換素子と熱的に接して熱容量部材を
設けたことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259061A JPH01100975A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259061A JPH01100975A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100975A true JPH01100975A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17328780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259061A Pending JPH01100975A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100975A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10134901B4 (de) * | 2000-07-21 | 2010-11-11 | Sharp K.K. | Transmissives Dünnschicht-Solarzellenmodul mit einem lichtdurchlässigen Substrat, einem lichtdurchlässigen Abschnitt und einer lichtdurchlässigen Abdichtschicht |
| JP2015528646A (ja) * | 2012-09-14 | 2015-09-28 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔ Ａｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | シリコン系太陽光電池を回復させる装置および方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5954162A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-28 | Teruie Fujiwara | 太陽光発電装置 |
| JPS6143486A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-03 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 長期のエネルギ変換安定性を有する光応答デバイス及び該デバイスの製造方法 |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62259061A patent/JPH01100975A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5954162A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-28 | Teruie Fujiwara | 太陽光発電装置 |
| JPS6143486A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-03 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 長期のエネルギ変換安定性を有する光応答デバイス及び該デバイスの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10134901B4 (de) * | 2000-07-21 | 2010-11-11 | Sharp K.K. | Transmissives Dünnschicht-Solarzellenmodul mit einem lichtdurchlässigen Substrat, einem lichtdurchlässigen Abschnitt und einer lichtdurchlässigen Abdichtschicht |
| JP2015528646A (ja) * | 2012-09-14 | 2015-09-28 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔ Ａｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | シリコン系太陽光電池を回復させる装置および方法 |
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