JPH01102892A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01102892A JPH01102892A JP62261304A JP26130487A JPH01102892A JP H01102892 A JPH01102892 A JP H01102892A JP 62261304 A JP62261304 A JP 62261304A JP 26130487 A JP26130487 A JP 26130487A JP H01102892 A JPH01102892 A JP H01102892A
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- JP
- Japan
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- emitting layer
- sputtering
- thin film
- light
- zns
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- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
フラットデイスプレィパネルの一種である薄膜ＥＬパネ
ル、特に緑色発光表示を呈する薄膜ＥＬパネルの発光層
に関し、 テレビウム（Ｔｂ）を発光中心としたＺｎＳからなるＥ
Ｌ発光層を有する薄膜ＥＬ素子を高輝度化するための製
造方法を提供することを目的とし、Ｔｂを発光中心とし
たＺｎＳからなるＥＬ発光層を、その発光中心のテレビ
ウム含有濃度がＺｎに対して２．５〜７．０ａｔ％とな
るようにアルゴン（Ａｒ）とヘリウム（Ｈｅ）、若しく
はネオン（Ｎｅ）、窒素（Ｎ）のいずれかとの混合ガス
をスパッタガスとしたスパッタ ゛リング法により形成
する。
ル、特に緑色発光表示を呈する薄膜ＥＬパネルの発光層
に関し、 テレビウム（Ｔｂ）を発光中心としたＺｎＳからなるＥ
Ｌ発光層を有する薄膜ＥＬ素子を高輝度化するための製
造方法を提供することを目的とし、Ｔｂを発光中心とし
たＺｎＳからなるＥＬ発光層を、その発光中心のテレビ
ウム含有濃度がＺｎに対して２．５〜７．０ａｔ％とな
るようにアルゴン（Ａｒ）とヘリウム（Ｈｅ）、若しく
はネオン（Ｎｅ）、窒素（Ｎ）のいずれかとの混合ガス
をスパッタガスとしたスパッタ ゛リング法により形成
する。
本発明は薄膜ＥＬ素子の製造方法に係り、特に高輝度の
緑色発光表示を呈する薄膜ＥＬ素子の発光層の形成方法
に関するものである。
緑色発光表示を呈する薄膜ＥＬ素子の発光層の形成方法
に関するものである。
近来、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）薄膜を利用し
た緑色発光の薄膜ＥＬ素子が注目され、その実用化のた
めに鋭意研究開発が進められている。
た緑色発光の薄膜ＥＬ素子が注目され、その実用化のた
めに鋭意研究開発が進められている。
このような薄膜ＥＬ素子は他のＥＬ素子と同様に表示品
質を向上させるために高輝度なものが要求される。この
高輝度化はＥＬ発光層の特性に太き（影響されることか
ら、高輝度表示が実現できるＥＬ発光層の形成方法が必
要とされている。
質を向上させるために高輝度なものが要求される。この
高輝度化はＥＬ発光層の特性に太き（影響されることか
ら、高輝度表示が実現できるＥＬ発光層の形成方法が必
要とされている。
従来の緑色発光薄膜ＥＬ素子、例えば緑色表示用の薄膜
ＥＬパネルは、Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ）等からなるストライプ状の透明電極と高誘電
率の絶縁層が順に積層形成された透明ガラス基板上に、
発光中心としてテレビラム（Ｔｂ）をＺｎに対して２ａ
ｔ％添加したＺｎＳからなるＥＬ発光層を、アルゴン（
Ａｒ）をスパッタガスとしたスパッタリング法により形
成し、その上に更に高誘電率の絶縁層を介してアルミニ
ウム（八〇）等からなるストライプ状の背面電極を前記
透明電極と交差するように積層形成し、これら積層部分
は保護層により被覆されている。
ＥＬパネルは、Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ）等からなるストライプ状の透明電極と高誘電
率の絶縁層が順に積層形成された透明ガラス基板上に、
発光中心としてテレビラム（Ｔｂ）をＺｎに対して２ａ
ｔ％添加したＺｎＳからなるＥＬ発光層を、アルゴン（
Ａｒ）をスパッタガスとしたスパッタリング法により形
成し、その上に更に高誘電率の絶縁層を介してアルミニ
ウム（八〇）等からなるストライプ状の背面電極を前記
透明電極と交差するように積層形成し、これら積層部分
は保護層により被覆されている。
そしてこのようなパネルは前記透明電極と対向する背面
電極との任意の選択された各電極間に所要の駆動電極を
印加し、ＥＬ発光層に交流電界を加えることによって、
その電極交差部分の発光層を発光させて緑色表示を行っ
ている。
電極との任意の選択された各電極間に所要の駆動電極を
印加し、ＥＬ発光層に交流電界を加えることによって、
その電極交差部分の発光層を発光させて緑色表示を行っ
ている。
ところで上記した従来の薄膜ＥＬ素子では輝度の向上を
図るために、Ｔｂを発光中心とするＺｎＳからなるＥＬ
発光層を形成する際に、該Ｔｂの含有濃度をＺｎに対し
て最適な２ａｔ％となるようにＡｒをスパッタガスとし
たスパッタリング法により形成しているが、所望とする
十分な輝度は得られていない。
図るために、Ｔｂを発光中心とするＺｎＳからなるＥＬ
発光層を形成する際に、該Ｔｂの含有濃度をＺｎに対し
て最適な２ａｔ％となるようにＡｒをスパッタガスとし
たスパッタリング法により形成しているが、所望とする
十分な輝度は得られていない。
そこでこのような問題を解決するために検討した結果、
Ｔｂを発光中心としたＺｎＳからなるＥＬ発光層をスパ
ッタリング法社より形成する際のスパッタガスとして、
Ａｒにヘリウム（Ｈｅ）、或いはネオン（Ｎｅ）、窒素
（Ｎ、）等を混合した混合ガスを用いることにより輝度
が向上することを見出した。しかし高輝度化を図るため
にはなお十分な検討が必要であった。
Ｔｂを発光中心としたＺｎＳからなるＥＬ発光層をスパ
ッタリング法社より形成する際のスパッタガスとして、
Ａｒにヘリウム（Ｈｅ）、或いはネオン（Ｎｅ）、窒素
（Ｎ、）等を混合した混合ガスを用いることにより輝度
が向上することを見出した。しかし高輝度化を図るため
にはなお十分な検討が必要であった。
本発明は上記した従来の実状に鑑み、スパッタリング法
によりＴｂを発光中心としたＺｎＳからなるＥＬ発光層
を形成する際のスパッタガスとしてＡｒとＨｅ等との混
合ガスを用いると共に、該ＺｎＳからなるＥＬ発光層の
発光中心とするＴｂのＺｎに対する含有濃度を高輝度化
に最適な値にして高輝度のＥＬ表示が実現できる新規な
薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
によりＴｂを発光中心としたＺｎＳからなるＥＬ発光層
を形成する際のスパッタガスとしてＡｒとＨｅ等との混
合ガスを用いると共に、該ＺｎＳからなるＥＬ発光層の
発光中心とするＴｂのＺｎに対する含有濃度を高輝度化
に最適な値にして高輝度のＥＬ表示が実現できる新規な
薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
本発明は上記した目的を達成するため、Ｔｂを発光中心
としたＺｎＳからなるＥＬ発光層を有する薄膜ＥＬ素子
の製造において、上記ＺｎＳからなるＥＬ発光層を、例
えばＡｒとＨｅとの混合ガスをスパッタガスとしたスパ
ッタリング法により、そのＴｂ含有濃度をＺｎに対して
２．５〜７．Ｏａｔ％となるように形成する方法を採用
している。
としたＺｎＳからなるＥＬ発光層を有する薄膜ＥＬ素子
の製造において、上記ＺｎＳからなるＥＬ発光層を、例
えばＡｒとＨｅとの混合ガスをスパッタガスとしたスパ
ッタリング法により、そのＴｂ含有濃度をＺｎに対して
２．５〜７．Ｏａｔ％となるように形成する方法を採用
している。
薄膜ＥＬ素子の高輝度化を実現するために、例えばＡｒ
とＨｅとの混合ガスをスパッタガスとしたスパッタリン
グ法によりＴｂを発光中心としたＺｎＳからなるＥＬ発
光層を形成する際に、Ｔｂ発光中心濃度を変化させてそ
の最適値を調べた結果、第１図に示すようにＴｂ発光中
心濃度による輝度の増加を表すデータ線Ａと、該Ｔｂ発
光中心濃度の増加に伴うＺｎＳ成膜内の欠陥密度の増加
による輝度の低下を表す曲線Ｂとが交差する点Ｐが最適
値に相当し、輝度のＴｂ濃度依存性は曲線Ｃによって表
される。
とＨｅとの混合ガスをスパッタガスとしたスパッタリン
グ法によりＴｂを発光中心としたＺｎＳからなるＥＬ発
光層を形成する際に、Ｔｂ発光中心濃度を変化させてそ
の最適値を調べた結果、第１図に示すようにＴｂ発光中
心濃度による輝度の増加を表すデータ線Ａと、該Ｔｂ発
光中心濃度の増加に伴うＺｎＳ成膜内の欠陥密度の増加
による輝度の低下を表す曲線Ｂとが交差する点Ｐが最適
値に相当し、輝度のＴｂ濃度依存性は曲線Ｃによって表
される。
曲線りは従来のＡｒのみをスパッタガスとしたスパッタ
リング法により、Ｔｂ発光中心濃度を変化させてＺｎＳ
からなるＥＬ発光層を形成した場合の該Ｔｂ発光中心濃
度の増加に伴うＺｎＳ成膜内の欠陥密度の発生による輝
度の低下を表し、データ線Ａとの交点Ｑが最適値に相当
し、輝゛度のＴｂ濃度依存性は曲線Ｅによって表される
。
リング法により、Ｔｂ発光中心濃度を変化させてＺｎＳ
からなるＥＬ発光層を形成した場合の該Ｔｂ発光中心濃
度の増加に伴うＺｎＳ成膜内の欠陥密度の発生による輝
度の低下を表し、データ線Ａとの交点Ｑが最適値に相当
し、輝゛度のＴｂ濃度依存性は曲線Ｅによって表される
。
この図から、ＡｒとＨｅとの混合スパッタガスを用いた
スパッタリング法により形成された、Ｔｂを発光中心と
したＺｎＳからなるＥＬ発光層における、Ｔｂ含有濃度
の増加によるＺｎＳの結晶粒径の減少によって発生する
欠陥密度の増加に伴う輝度の低下は、Ａｒのみのスパッ
タガスを用いたスパッタリング法により形成された、同
様なＥＬ発光層と比較して高Ｔｂ含有濃度側で生じる傾
向が明らかとなった。
スパッタリング法により形成された、Ｔｂを発光中心と
したＺｎＳからなるＥＬ発光層における、Ｔｂ含有濃度
の増加によるＺｎＳの結晶粒径の減少によって発生する
欠陥密度の増加に伴う輝度の低下は、Ａｒのみのスパッ
タガスを用いたスパッタリング法により形成された、同
様なＥＬ発光層と比較して高Ｔｂ含有濃度側で生じる傾
向が明らかとなった。
この現象は該ＥＬ発光層に対する発光中心のＴｂ含有濃
度が増加するに伴って該層中の歪も増大するが、スパッ
タリング法による成膜時にＡｒガスにＨｅガスを混合し
た混合スパッタガスを用いることで前記歪の発生が緩和
されるものと考察される。
度が増加するに伴って該層中の歪も増大するが、スパッ
タリング法による成膜時にＡｒガスにＨｅガスを混合し
た混合スパッタガスを用いることで前記歪の発生が緩和
されるものと考察される。
第２図はＥＬ発光層のＺｎＳの結晶粒径とＴｂ含有濃度
との関係を示すもので、実線による曲線は本発明の方法
による実験例、破線による曲線は従来の方法による実験
例を示し、ＭとＮはそれぞれ輝度のピークを示している
。
との関係を示すもので、実線による曲線は本発明の方法
による実験例、破線による曲線は従来の方法による実験
例を示し、ＭとＮはそれぞれ輝度のピークを示している
。
このような成膜データに基づいて、Ａｒガスに対するＨ
ｅガスの混合比を７０流量％とじたスパッタガスを用い
たスパッタリング法によりＴｂを発光中心としたＺｎＳ
からなるＥＬ発光層を、そのＴｂ含有濃度がＺｎに対し
て２．５〜７．Ｏａｔ％の範囲で形成するこ七により、
熱処理前及び熱処理後の各ＥＬ発光層の輝度は、第３図
において実線による曲線■及び■で示されるように、従
来の破線による曲線■で示されるＥＬ発光層の輝度より
も格段に向上する。特にＺｎに対して４．Ｏａｔ％のＴ
ｂ含有濃度を有するＥＬ発光層は最も高輝度となること
が確認できた。
ｅガスの混合比を７０流量％とじたスパッタガスを用い
たスパッタリング法によりＴｂを発光中心としたＺｎＳ
からなるＥＬ発光層を、そのＴｂ含有濃度がＺｎに対し
て２．５〜７．Ｏａｔ％の範囲で形成するこ七により、
熱処理前及び熱処理後の各ＥＬ発光層の輝度は、第３図
において実線による曲線■及び■で示されるように、従
来の破線による曲線■で示されるＥＬ発光層の輝度より
も格段に向上する。特にＺｎに対して４．Ｏａｔ％のＴ
ｂ含有濃度を有するＥＬ発光層は最も高輝度となること
が確認できた。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第４図は本発明の形成方法に適用したスパッタリング装
置の一実施例を示す装置構成図であり、第５図（ａ）、
（ｂ）及び（Ｃ）は本発明に係るＥＬｉ膜素子の形成
方法の一実施例を工程順に示す断面図である。
置の一実施例を示す装置構成図であり、第５図（ａ）、
（ｂ）及び（Ｃ）は本発明に係るＥＬｉ膜素子の形成
方法の一実施例を工程順に示す断面図である。
先ず第４図に示すようにスパッタリング装置におけるス
パッタチャンバー１１内に、第５図（ａ）に示すように
用意された、例えばＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕ＋ｗ Ｔｉ
ｎ０ｘｉｄｅ）膜等からなる透明電極２と酸窒化シリコ
ン（ＳｉＯＮ）からなる第一絶縁膜３とが、それぞれ２
０００人の膜厚に形成された透明ガラス基板１を保持し
たヒーター１４内藏の基板ホルダー１３と、発光母材と
なるＺｎＳからなるＡターゲット１５及び発光中心添加
材どなるＴｂオＳ、とＴｂＦ３との混合物からなるＢタ
ーゲット１６がそれぞれ配設された２つのターゲット電
極１７．１８とを対向配置する。
パッタチャンバー１１内に、第５図（ａ）に示すように
用意された、例えばＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕ＋ｗ Ｔｉ
ｎ０ｘｉｄｅ）膜等からなる透明電極２と酸窒化シリコ
ン（ＳｉＯＮ）からなる第一絶縁膜３とが、それぞれ２
０００人の膜厚に形成された透明ガラス基板１を保持し
たヒーター１４内藏の基板ホルダー１３と、発光母材と
なるＺｎＳからなるＡターゲット１５及び発光中心添加
材どなるＴｂオＳ、とＴｂＦ３との混合物からなるＢタ
ーゲット１６がそれぞれ配設された２つのターゲット電
極１７．１８とを対向配置する。
次に該スパッタチャンバー１１内を排気装置１２により
、例えば１０− ’ ｔｏｒｒ程度の真空度に排気した
後、このチャンバー１１内にＡｒガスに対するＨｅガス
の混合比を７０流量％とした混合スパッタガスを、０，
２ｔｏｒｒのガス圧となるように導入すると共に、前記
基板１を３００℃に加熱した状態の基板ホルダー１３を
回転機構１９により８ｒｐ−の回転速度で回転させて、
該基板ｌを前記Ａターゲット１５上からＢターゲラ）１
６上に順次移動させた状態で該Ａターゲット電極１７に
２０００ Ｗ、またＢターゲット電極１Ｂに３００Ｗ
（５Ｘ １５インチのターゲットを対象とした場合）の
高周波電力を供給してスパッタリングを行い、該基板１
上に例えば６０００人の膜厚のＺｎＳ薄膜を被着する。
、例えば１０− ’ ｔｏｒｒ程度の真空度に排気した
後、このチャンバー１１内にＡｒガスに対するＨｅガス
の混合比を７０流量％とした混合スパッタガスを、０，
２ｔｏｒｒのガス圧となるように導入すると共に、前記
基板１を３００℃に加熱した状態の基板ホルダー１３を
回転機構１９により８ｒｐ−の回転速度で回転させて、
該基板ｌを前記Ａターゲット１５上からＢターゲラ）１
６上に順次移動させた状態で該Ａターゲット電極１７に
２０００ Ｗ、またＢターゲット電極１Ｂに３００Ｗ
（５Ｘ １５インチのターゲットを対象とした場合）の
高周波電力を供給してスパッタリングを行い、該基板１
上に例えば６０００人の膜厚のＺｎＳ薄膜を被着する。
引き続き、その薄膜を５００″Ｃに加熱して１時間程度
熱処理を施すことにより、第５図（ロ）に示すように４
．Ｏａｔ％の含有濃度を有するＴｂＰを発光中心とする
ＺｎＳからなる高輝度化の可能な良質のＥＬ発光層４が
得られる。
熱処理を施すことにより、第５図（ロ）に示すように４
．Ｏａｔ％の含有濃度を有するＴｂＰを発光中心とする
ＺｎＳからなる高輝度化の可能な良質のＥＬ発光層４が
得られる。
その後、かかるＥＬ発光Ｎ４上に第５図（Ｃ）に示すよ
うに酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる２０００人の
膜厚の第二絶縁膜５を設け、その表面にさらにアルミニ
ウム（ＡＩｌ）等からなる背面電極６を形成することに
より高輝度な緑色の薄膜Ｅ、Ｌ素子を容易に得ることが
できる。
うに酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる２０００人の
膜厚の第二絶縁膜５を設け、その表面にさらにアルミニ
ウム（ＡＩｌ）等からなる背面電極６を形成することに
より高輝度な緑色の薄膜Ｅ、Ｌ素子を容易に得ることが
できる。
なお以上の実施例では２つのターゲットを用いたスパッ
タリング装置によりＴｂＦを発光中心とするＺｎＳから
なるＥＬ発光層を形成する場合の例について説明したが
、この例に限定されることなく、例えばＺｎＳに所要と
する適量のＴｂＦ、を添加した混合物からなる１つのタ
ーゲットを用いたスパッタリング装置により同様なＥＬ
発光層を形成することも可能であり、同様の効果が得ら
れる。
タリング装置によりＴｂＦを発光中心とするＺｎＳから
なるＥＬ発光層を形成する場合の例について説明したが
、この例に限定されることなく、例えばＺｎＳに所要と
する適量のＴｂＦ、を添加した混合物からなる１つのタ
ーゲットを用いたスパッタリング装置により同様なＥＬ
発光層を形成することも可能であり、同様の効果が得ら
れる。
またスパッタガスとしては、ＡｒとＨｅとの混合ガスに
限定するものではなく、例えば＾ｒとＮｅとの混合ガス
、或いはＡｒとＮ！との混合ガスも適用可能なことはい
うまでもない。
限定するものではなく、例えば＾ｒとＮｅとの混合ガス
、或いはＡｒとＮ！との混合ガスも適用可能なことはい
うまでもない。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜ＥＬ
素子の製造方法によれば、高輝度な緑色のＥＬ表示を可
能とする高品質の薄膜ＥＬ素子を再現性よく得られる優
れた利点を有し、製造歩留りが向上する等、実用上の効
果は大きい。
素子の製造方法によれば、高輝度な緑色のＥＬ表示を可
能とする高品質の薄膜ＥＬ素子を再現性よく得られる優
れた利点を有し、製造歩留りが向上する等、実用上の効
果は大きい。
第１図は本発明に係るＥＬ発光層のＴｂ発光中心濃度と
輝度との相対的な関係を示す図、第２図は本発明に係る
ＥＬ発光層のＴｂ含有濃度とＺｎＳ粒径との関係を示す
図、 第３図は本発明に係るＥＬ発光層のＴｂ含を濃度と輝度
との関係を示す図、 第４図は本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製造方法を説明す
るためのスパッタリング装置 一実施例を示す構成図、 第５図（ａ）〜（Ｃ）は本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製
造方法の一実施例を工程順に示す要部 断面図である。 第４図及び第５図（ａ）〜（Ｃ）において、１は透明ガ
ラス基板、２は透明電極、３は第一絶縁膜、４はＥＬ発
光層、５は第二絶縁膜、６は背面電極、１１はスパッタ
チャンバー、１２は排気装置、１３は基板ホルダー、１
４はヒーター、１５はＡターゲット、１６はＢターゲッ
ト、１７はＡターゲット電極、１８はＢターゲット電極
、１９は回転機構をそれぞれ示す。 − →″ｒｂ発尤瞥切息度（利汀這） Ｔｂ４１克”ｆ’Ｘ：４ｆｔｄｆｆｌｖの間係ｍ第１図 →°ｒ１）づｔ、、Ｔｉｔ Ｃｄ ％）’ｎ奢膚メ幕嵐
にＺガＳｎ県Ｖ廁俵ｒ 第２図 Ｔｏ’ｔ４ｉＫｆｔ Ｃａｔ％） Ｔｈ喀第幕友を輝度ｘｎ闇係■ 第３図 非呵司形六加乏や酬ｔＪ張１藷双の 第４図
輝度との相対的な関係を示す図、第２図は本発明に係る
ＥＬ発光層のＴｂ含有濃度とＺｎＳ粒径との関係を示す
図、 第３図は本発明に係るＥＬ発光層のＴｂ含を濃度と輝度
との関係を示す図、 第４図は本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製造方法を説明す
るためのスパッタリング装置 一実施例を示す構成図、 第５図（ａ）〜（Ｃ）は本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製
造方法の一実施例を工程順に示す要部 断面図である。 第４図及び第５図（ａ）〜（Ｃ）において、１は透明ガ
ラス基板、２は透明電極、３は第一絶縁膜、４はＥＬ発
光層、５は第二絶縁膜、６は背面電極、１１はスパッタ
チャンバー、１２は排気装置、１３は基板ホルダー、１
４はヒーター、１５はＡターゲット、１６はＢターゲッ
ト、１７はＡターゲット電極、１８はＢターゲット電極
、１９は回転機構をそれぞれ示す。 − →″ｒｂ発尤瞥切息度（利汀這） Ｔｂ４１克”ｆ’Ｘ：４ｆｔｄｆｆｌｖの間係ｍ第１図 →°ｒ１）づｔ、、Ｔｉｔ Ｃｄ ％）’ｎ奢膚メ幕嵐
にＺガＳｎ県Ｖ廁俵ｒ 第２図 Ｔｏ’ｔ４ｉＫｆｔ Ｃａｔ％） Ｔｈ喀第幕友を輝度ｘｎ闇係■ 第３図 非呵司形六加乏や酬ｔＪ張１藷双の 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 テレビウム（Ｔｂ）を発光中心としたＺｎＳからなる
ＥＬ発光層を有する薄膜ＥＬ素子を製造する方法であっ
て、 上記ＺｎＳからなるＥＬ発光層を、その発光中心のテレ
ビウム含有濃度がＺｎに対して２．５〜７．０ａｔ％と
なるようにアルゴン（Ａｒ）とヘリウム（Ｈｅ），若し
くはネオン（Ｎｅ）、窒素（Ｎ）のいずれかとの混合ガ
スをスパッタガスとしたスパッタリング法により形成す
ることを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62261304A JPH01102892A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62261304A JPH01102892A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102892A true JPH01102892A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17359934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62261304A Pending JPH01102892A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01102892A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002527569A (ja) * | 1998-10-13 | 2002-08-27 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 酸窒化物カプセル化エレクトロルミネセント蛍光体粒子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59146192A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-21 | 松下電器産業株式会社 | Ｅｌ素子 |
| JPS6141112A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-27 | Alps Electric Co Ltd | 光ピツクアツプ用光学装置 |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP62261304A patent/JPH01102892A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59146192A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-21 | 松下電器産業株式会社 | Ｅｌ素子 |
| JPS6141112A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-27 | Alps Electric Co Ltd | 光ピツクアツプ用光学装置 |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002527569A (ja) * | 1998-10-13 | 2002-08-27 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 酸窒化物カプセル化エレクトロルミネセント蛍光体粒子 |
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