JPH02306591A - 薄膜ｅｌ素子の製造法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造法Info
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- JPH02306591A JPH02306591A JP1128417A JP12841789A JPH02306591A JP H02306591 A JPH02306591 A JP H02306591A JP 1128417 A JP1128417 A JP 1128417A JP 12841789 A JP12841789 A JP 12841789A JP H02306591 A JPH02306591 A JP H02306591A
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- oxygen
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
、本発明は、薄膜ＥＬ素子の製造法に関する。
〔従来の技術〕 。
従来、透明導電膜、−必要に応じ第１の絶縁層。
発光層、第２の絶縁層及び導電膜を順次積層してなる薄
膜ＥＬ素子において該薄膜Ｅ Ｌ素子の発光輝度を向上
させるために通常、その製造工程にお、いて、一般的に
は発光層の形成後基板を真空下、５００〜６００℃で１
〜２時間程度加熱する熱処理が行われている（日経エレ
クトロニクス１９７９年４月号）。
膜ＥＬ素子において該薄膜Ｅ Ｌ素子の発光輝度を向上
させるために通常、その製造工程にお、いて、一般的に
は発光層の形成後基板を真空下、５００〜６００℃で１
〜２時間程度加熱する熱処理が行われている（日経エレ
クトロニクス１９７９年４月号）。
前記従来の薄膜Ｅ Ｌ素子において発光層としてＭｎを
少量添加したＺｎＳ発光層を用いたものであって第１及
び第２の絶縁層を有するものが、現在、最も高い発光輝
度を示すものとされている。
少量添加したＺｎＳ発光層を用いたものであって第１及
び第２の絶縁層を有するものが、現在、最も高い発光輝
度を示すものとされている。
しかし、この薄膜ＥＬ素子においても、フレーム周波数
が数十Ｈｚである線順次走査による発光時の輝度は２０
−７３０フートランバートであり、ＣＲＴ（カソード・
レイ・チューブ）などと比べると実用的なディスプレイ
パネルとするには、未だ、発光輝度が不充分である。
が数十Ｈｚである線順次走査による発光時の輝度は２０
−７３０フートランバートであり、ＣＲＴ（カソード・
レイ・チューブ）などと比べると実用的なディスプレイ
パネルとするには、未だ、発光輝度が不充分である。
本発明は、透光性基村上に、透明導電膜、発光層及び導
電膜を順次積層し、これらの層間のうち少なくとも一つ
の層間にＮ縁膜を形成する薄膜ＥＬ素子の製造法におい
て、上記発光層を母材物質であるｎＡ族又はＩＩＢ族の
元素とＶＴＲ族元素（ただし、酸素は除く）とから構成
される化合物を含むターゲット及び酸素を含むターゲラ
ｉ・を用いて電子ビーム蒸着法又は抵抗加熱蒸着法によ
り形成することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造法に関
する。、 上記発光層は、Ｍｎ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｃｅ等の遷移金属、
希土類などの発光性付活元素（発光中心）を含むＺ ｎ
Ｓ 、 Ｃａ Ｓ 、 Ｓ ｒ Ｓ 、 ７． ｎ
Ｓ ａ等の母材物質からなる螢光体からなり酸素を含む
ものである。形成力法としては、電子ビーム蒸着法又は
抵抗加熱蒸着法が用いられる。これらの方法において、
ターゲットとしては、上記の母材物質又は上記の発光中
心を添加（ドープ）した上記母材物質からなるターゲッ
トと酸素を含むターゲットの少なくとも二つのターゲッ
トが同時に蒸発源として使用される。発光中心を添加（
ドープ）していない母材物質をターゲラｌ−として用い
るときは。
電膜を順次積層し、これらの層間のうち少なくとも一つ
の層間にＮ縁膜を形成する薄膜ＥＬ素子の製造法におい
て、上記発光層を母材物質であるｎＡ族又はＩＩＢ族の
元素とＶＴＲ族元素（ただし、酸素は除く）とから構成
される化合物を含むターゲット及び酸素を含むターゲラ
ｉ・を用いて電子ビーム蒸着法又は抵抗加熱蒸着法によ
り形成することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造法に関
する。、 上記発光層は、Ｍｎ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｃｅ等の遷移金属、
希土類などの発光性付活元素（発光中心）を含むＺ ｎ
Ｓ 、 Ｃａ Ｓ 、 Ｓ ｒ Ｓ 、 ７． ｎ
Ｓ ａ等の母材物質からなる螢光体からなり酸素を含む
ものである。形成力法としては、電子ビーム蒸着法又は
抵抗加熱蒸着法が用いられる。これらの方法において、
ターゲットとしては、上記の母材物質又は上記の発光中
心を添加（ドープ）した上記母材物質からなるターゲッ
トと酸素を含むターゲットの少なくとも二つのターゲッ
トが同時に蒸発源として使用される。発光中心を添加（
ドープ）していない母材物質をターゲラｌ−として用い
るときは。
Ｍｎ５．ＭｎＣＯ２等の発光性付活元素の化合物を上記
ターゲットとは別に使用するか、上記酸素を含む化合物
としてＭｎ Ｓ０４ 、ＭｎＯ。
ターゲットとは別に使用するか、上記酸素を含む化合物
としてＭｎ Ｓ０４ 、ＭｎＯ。
Ｃｅ２Ｏ３等の発光性付活元素及び酸素を含む化合物が
使用される。発光中心を添加（ドープ）した母材物質を
用いるとき発光中心は母材物質に対して０．００１〜１
０重量％添加されているのが好ましい。上記の酸素を含
む化合物としては、上記したＭｎＳＯ４，ＭｎＯ等の発
光性付活元素及び酸素を含む化合物以外に、ＺｎＯ，Ｚ
ｎＳＯ４゜ＺｎＣ０１，ＣａＳＯ４，ＳｒＣＯ３等の母
材物質を構成するＩＩＡ族又はＩＩＢ族元素及び酸素を
含む化合物がある。借物質材としては、硫化物が特に好
ましい。
使用される。発光中心を添加（ドープ）した母材物質を
用いるとき発光中心は母材物質に対して０．００１〜１
０重量％添加されているのが好ましい。上記の酸素を含
む化合物としては、上記したＭｎＳＯ４，ＭｎＯ等の発
光性付活元素及び酸素を含む化合物以外に、ＺｎＯ，Ｚ
ｎＳＯ４゜ＺｎＣ０１，ＣａＳＯ４，ＳｒＣＯ３等の母
材物質を構成するＩＩＡ族又はＩＩＢ族元素及び酸素を
含む化合物がある。借物質材としては、硫化物が特に好
ましい。
電子ビーム蒸着法又は抵抗加熱蒸着法により得られる発
光層は結晶性に優れ、また、蒸着時の真空度をｌＸｌ０
−”〜ｌＸｌ０−’と高くできるため、不純物の混入を
防ぐことができ、高輝度の薄膜ＥＬ素子が得やすい。ま
た、成膜速度を速くすることができるので短時間で発売
層を形成することができる。
光層は結晶性に優れ、また、蒸着時の真空度をｌＸｌ０
−”〜ｌＸｌ０−’と高くできるため、不純物の混入を
防ぐことができ、高輝度の薄膜ＥＬ素子が得やすい。ま
た、成膜速度を速くすることができるので短時間で発売
層を形成することができる。
このようにして作成される発光層には、Ｍ素が導入され
ており、この酸素が発光層のＶＴＲ族元素の欠陥を埋め
る役目を果たすためと考えられるが、結果として発光輝
度が向上する。
ており、この酸素が発光層のＶＴＲ族元素の欠陥を埋め
る役目を果たすためと考えられるが、結果として発光輝
度が向上する。
本発明における透光性基材としてはガラス板等が使用さ
れる。
れる。
透明導電膜は、ＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３、インジウムスズ
オキサイド（ＩＴＯ）等からなり、電子ビーム蒸着法、
真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｊ、ｔｉｏｎ）法、
プラズマＣＶＤ法等によって形成される。
オキサイド（ＩＴＯ）等からなり、電子ビーム蒸着法、
真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｊ、ｔｉｏｎ）法、
プラズマＣＶＤ法等によって形成される。
もう一つの導電膜は、透明導電膜と同様のものでもよく
、アルミニウム、クロム、金等の金属からなるものであ
ってもよい。
、アルミニウム、クロム、金等の金属からなるものであ
ってもよい。
前記絶縁層は、Ｔａ２０５．Ｙ２Ｏ３，Ｓｉ、０２゜Ａ
Ｑ２０３．Ｓｉ、Ｎ、、ＡｎＮ、５ｒＴｉＯＪ等からな
り、これらの層を２周基」二積層して絶縁層としてもよ
い。これらの層の形成力法は、透明導電膜の形成方法と
同様である。
Ｑ２０３．Ｓｉ、Ｎ、、ＡｎＮ、５ｒＴｉＯＪ等からな
り、これらの層を２周基」二積層して絶縁層としてもよ
い。これらの層の形成力法は、透明導電膜の形成方法と
同様である。
本発明において、Ｍ縁周は、前記透明導電膜と前記発光
層の間に及び／又は前記発光層と前記導電膜の間に積層
される。以下、前記透明導電膜と前記発光層の間の絶縁
層を第１の絶縁層と及び前記発光層と前記導電膜の間を
第２の絶縁層と言う。
層の間に及び／又は前記発光層と前記導電膜の間に積層
される。以下、前記透明導電膜と前記発光層の間の絶縁
層を第１の絶縁層と及び前記発光層と前記導電膜の間を
第２の絶縁層と言う。
本発明において、透明導電膜、第１の絶縁層。
発光層、第２の絶縁層及び導電膜（背面電極）が、この
順序で、基材上に順次形成される。ただし、第１及び第
２の絶縁層のうちどちらか一つはなくてもよい。また１
発光層を形成後前記と同様の絶縁層を積層し、さらに発
光層を形成してもよい。
順序で、基材上に順次形成される。ただし、第１及び第
２の絶縁層のうちどちらか一つはなくてもよい。また１
発光層を形成後前記と同様の絶縁層を積層し、さらに発
光層を形成してもよい。
本発明においては、これらの工程中発光層の形成後に、
真空下又はＡｒ、Ｎ２等の不活性ガス雰囲気下に２００
〜６５０℃で加熱処理をしてもよい。
真空下又はＡｒ、Ｎ２等の不活性ガス雰囲気下に２００
〜６５０℃で加熱処理をしてもよい。
本発明を図面を用いて説明する。第１図は本発明により
得られる薄膜ＥＬ素子の一例を示す断面図であり、基板
１の上に透明導電膜（透明電極）２、第１の絶縁［３，
発光層４．第２の絶縁層５及びもう一つの導電膜（背面
電極）６をこの順に積層して作製したものである。
得られる薄膜ＥＬ素子の一例を示す断面図であり、基板
１の上に透明導電膜（透明電極）２、第１の絶縁［３，
発光層４．第２の絶縁層５及びもう一つの導電膜（背面
電極）６をこの順に積層して作製したものである。
実施例１
第１図に示すような構造の薄膜ＥＬ素子を作成した。
基材１としてのホウケイ酸ガラス上にＩＴＯ膜をスパン
“クリング法で形成し、これをエツチングして透明導電
膜２としてのス１−ライブ状ＩＴＯ透明電極（膜厚０．
２ μｍ ＋ ＠０ 、１５ ｍｍ 、電極間隔０．１
ｍｎ）３２０本を形成した。この上に、第１の絶縁層３
としてＳｉ３Ｎ、、膜プラズマＣＶＤ法で０．２２μｍ
の厚さに形成した。
“クリング法で形成し、これをエツチングして透明導電
膜２としてのス１−ライブ状ＩＴＯ透明電極（膜厚０．
２ μｍ ＋ ＠０ 、１５ ｍｍ 、電極間隔０．１
ｍｎ）３２０本を形成した。この上に、第１の絶縁層３
としてＳｉ３Ｎ、、膜プラズマＣＶＤ法で０．２２μｍ
の厚さに形成した。
次いで、発光層４として電子ビーム蒸着法によりマンガ
ン付活硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍｎ）層を０．６μｍの厚さ
に形成した。ターゲットとしてはＭｎをＺｎＳに対して
０．２５重量％添加したＺｎＳペレット及びＭ ｎ Ｏ
を使用し、それぞれのターゲットに電子ビームをあてた
。電子ビーム蒸着槽内は一旦ｌＸｌ０−７下−ルまで減
圧し、この後、発光層を形成した。また、基板温度は２
００℃とし、成膜速度は６０ｎ、ｍ／分で、Ｍ ｎ Ｏ
の蒸発速度は膜中のＭｎが０．１重量％となるように制
御した。
ン付活硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍｎ）層を０．６μｍの厚さ
に形成した。ターゲットとしてはＭｎをＺｎＳに対して
０．２５重量％添加したＺｎＳペレット及びＭ ｎ Ｏ
を使用し、それぞれのターゲットに電子ビームをあてた
。電子ビーム蒸着槽内は一旦ｌＸｌ０−７下−ルまで減
圧し、この後、発光層を形成した。また、基板温度は２
００℃とし、成膜速度は６０ｎ、ｍ／分で、Ｍ ｎ Ｏ
の蒸発速度は膜中のＭｎが０．１重量％となるように制
御した。
次いで、第２の絶縁層５としてＳｉ３Ｎ、膜をスパッタ
リング法で０．２２μｍの厚さに形成した。
リング法で０．２２μｍの厚さに形成した。
最後に、電子ビーム蒸着法でＡＱ層を形成し、エツチン
グして導電膜６としてのス１〜ライブ状ＡＱの背面電極
（膜厚０ 、２ μｍ 、幅０．１５＋ｎｍ、電極間隔
０．１ｍｍ）を２００本、ＩＴＯ透明電極と直交するよ
うに形成した。得られた薄膜ＥＬ素子を試料Ａとした。
グして導電膜６としてのス１〜ライブ状ＡＱの背面電極
（膜厚０ 、２ μｍ 、幅０．１５＋ｎｍ、電極間隔
０．１ｍｍ）を２００本、ＩＴＯ透明電極と直交するよ
うに形成した。得られた薄膜ＥＬ素子を試料Ａとした。
比較例１
実施例１において、発光層の形成時Ｍ ｎ Ｏターゲッ
トの代わりにＭｎＳを用いたこと以外は、実施例１に準
じて、薄膜ＥＬ素子を得た。得られた薄膜Ｅ Ｌ素子を
試料Ｂとした。
トの代わりにＭｎＳを用いたこと以外は、実施例１に準
じて、薄膜ＥＬ素子を得た。得られた薄膜Ｅ Ｌ素子を
試料Ｂとした。
前記で得られた試料Ａ及び試料Ｂを周波数１５０ Ｈ’
ｚの余弦波電圧を用いて駆動し、透明電極と背面電極の
間に印加する開動電圧（Ｖｒｍｓ）と発光輝度の関係（
印加電圧−発光輝度特性）を求めた。
ｚの余弦波電圧を用いて駆動し、透明電極と背面電極の
間に印加する開動電圧（Ｖｒｍｓ）と発光輝度の関係（
印加電圧−発光輝度特性）を求めた。
第２図はこの結果を示す。第２図中、グラフ７は試料Ａ
についての及びグラフ８は試料Ｂについての結果である
。
についての及びグラフ８は試料Ｂについての結果である
。
これらの結果から明らかであるように、発光開始電圧よ
り３０Ｖ高い印加電圧において、発光輝度は試料Ａでは
３８０ ｃ ｄ ／ ｒｒ？ （１７６Ｖにおいて）及
ぜ試料Ｂでは２３０ｃｄ／ｒｒ？（１７４Ｖにおいて）
であった。
り３０Ｖ高い印加電圧において、発光輝度は試料Ａでは
３８０ ｃ ｄ ／ ｒｒ？ （１７６Ｖにおいて）及
ぜ試料Ｂでは２３０ｃｄ／ｒｒ？（１７４Ｖにおいて）
であった。
実施例２
実施例１において発光層を、電子ビーム蒸着法の代わり
に抵抗加熱蒸着法によりマンガン付活硫化亜鉛（ＺｎＳ
：Ｍｎ）層を０．６７ｚｒｎ の厚さに形成した〔ただ
し、ターゲットとしては、ＺｎＳペレット及びＭ ｎ
Ｏを使用し、これらを異なるタングステンるつぼヒータ
ーから同時に蒸発させた。
に抵抗加熱蒸着法によりマンガン付活硫化亜鉛（ＺｎＳ
：Ｍｎ）層を０．６７ｚｒｎ の厚さに形成した〔ただ
し、ターゲットとしては、ＺｎＳペレット及びＭ ｎ
Ｏを使用し、これらを異なるタングステンるつぼヒータ
ーから同時に蒸発させた。
蒸着槽内は一旦ｌＸｌ０−７トールまで減圧した。
基板温度は２００℃とし、成膜速度は６０ｎｍ／分で、
Ｍ ｎ Ｏの蒸発速度は膜中のＭｎが０．３重量％及び
酸素が０．１重量％となるように制御した。〕こと以外
は、実施例１に準じて、薄膜Ｅ Ｉ。
Ｍ ｎ Ｏの蒸発速度は膜中のＭｎが０．３重量％及び
酸素が０．１重量％となるように制御した。〕こと以外
は、実施例１に準じて、薄膜Ｅ Ｉ。
素子を得た。得られた薄膜ＥＬ素子を試料Ｃとした。
比較例２
実施例２において、ターゲットとしてのＭ ｎ Ｏの代
わりにＭｎＳを使用すること（膜中のＭｎが０．３重・
量％になるように調整）以外は、実施例２に準じて、薄
膜ＥＬ素子を得た。得られた薄膜ＥＬ素子を試料りとし
た。
わりにＭｎＳを使用すること（膜中のＭｎが０．３重・
量％になるように調整）以外は、実施例２に準じて、薄
膜ＥＬ素子を得た。得られた薄膜ＥＬ素子を試料りとし
た。
前記で得られた試料Ｃ及び試料りの印加電圧−発光輝度
特性を前記と同様にして求めた。この結果、発光開始電
圧より３０Ｖ高い印加電圧において、試料Ｃは試料りの
１，６倍の発光輝度を示した。
特性を前記と同様にして求めた。この結果、発光開始電
圧より３０Ｖ高い印加電圧において、試料Ｃは試料りの
１，６倍の発光輝度を示した。
本発明によれば、発光輝度の優れた薄膜Ｅ Ｌ素子を容
易に製造することができる。
易に製造することができる。
第１図は本発明に係る薄膜ＥＬ素子の断面図及び第２図
は実施例１及び比較例１で得られた薄膜ＥＬ素子の印加
電圧−発光輝度特性を示すグラフである。 １・・・基材、２・・・透明導電膜、３・・・第１の絶
縁層、４・・・発光層、５・・・第２の絶縁膜、６・・
・導電膜（背面電極）、７・・・実施例１の結果を示す
グラフ、８・・・比較例１の結果を示すグラフ。
は実施例１及び比較例１で得られた薄膜ＥＬ素子の印加
電圧−発光輝度特性を示すグラフである。 １・・・基材、２・・・透明導電膜、３・・・第１の絶
縁層、４・・・発光層、５・・・第２の絶縁膜、６・・
・導電膜（背面電極）、７・・・実施例１の結果を示す
グラフ、８・・・比較例１の結果を示すグラフ。
Claims (1)
- １．透光性基材上に、透明導電膜、発光層及び導電膜
を順次積層し、これらの層間のうち少なくとも一つの層
間に絶縁層を形成する薄膜ＥＬ素子の製造法において、
上記発光層を母材物質であるIIＡ族又はIIＢ族の元素と
VIＢ族元素（ただし、酸素は除く）とから構成される化
合物を含むターゲット及び酸素を含む化合物を含むター
ゲットを用いて電子ビーム蒸着法又は抵抗加熱蒸着法に
より形成することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128417A JPH02306591A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 薄膜ｅｌ素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128417A JPH02306591A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 薄膜ｅｌ素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306591A true JPH02306591A (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=14984245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1128417A Pending JPH02306591A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 薄膜ｅｌ素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02306591A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0972816A3 (en) * | 1998-07-17 | 2000-07-12 | Bruker AXS, Inc. | High efficiency polycrystalline phosphors and method of making same |
| US6610352B2 (en) | 2000-12-22 | 2003-08-26 | Ifire Technology, Inc. | Multiple source deposition process |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP1128417A patent/JPH02306591A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0972816A3 (en) * | 1998-07-17 | 2000-07-12 | Bruker AXS, Inc. | High efficiency polycrystalline phosphors and method of making same |
| US6254806B1 (en) * | 1998-07-17 | 2001-07-03 | Bruker Ax, Inc. | High efficiency polycrystalline phosphors and method of making same |
| US6610352B2 (en) | 2000-12-22 | 2003-08-26 | Ifire Technology, Inc. | Multiple source deposition process |
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