JPH01102921A - 被膜作製方法 - Google Patents
被膜作製方法Info
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- JPH01102921A JPH01102921A JP62260876A JP26087687A JPH01102921A JP H01102921 A JPH01102921 A JP H01102921A JP 62260876 A JP62260876 A JP 62260876A JP 26087687 A JP26087687 A JP 26087687A JP H01102921 A JPH01102921 A JP H01102921A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子サイクロトロン共鳴を利用した被膜作製方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来、電子サイクロトロン共鳴を用いて被膜を形成させ
る場合、共鳴空間を構成する壁部及び反応室内壁部に被
膜が形成されてしまったり、または粉末が被着してしま
っていた。しかしこの内壁に形成される被膜または粉末
は容易に離脱しやすくそのため離脱した被膜または粉末
は飛翔して基板上にも被着し、スノーフレーク等を作り
、結果として形成さ゛れる被膜にピンホールを作る等の
欠点があった。
る場合、共鳴空間を構成する壁部及び反応室内壁部に被
膜が形成されてしまったり、または粉末が被着してしま
っていた。しかしこの内壁に形成される被膜または粉末
は容易に離脱しやすくそのため離脱した被膜または粉末
は飛翔して基板上にも被着し、スノーフレーク等を作り
、結果として形成さ゛れる被膜にピンホールを作る等の
欠点があった。
そのため上記のような被膜を用いて半導体装置を作製し
た場合非常に特性の悪い半導体装置となってしまってい
た。
た場合非常に特性の悪い半導体装置となってしまってい
た。
本発明は反応室及び共鳴空間内壁部に形成された被膜や
被着した粉末を取り除くことを目的として成されたもの
である。
被着した粉末を取り除くことを目的として成されたもの
である。
本発明は膜形成すべき基板を設けた反応室と活性化すべ
き気体を活性化させプラズマ状態にさせる共鳴空間とを
有する電子サイクロトロン共鳴を用いた被膜形成装置に
おいて、被膜の形成前後において、被膜形成圧力以上の
圧力状態で電子サイクロトロン共鳴を用いて、反応室及
び共鳴空間の内壁に付着した被膜または粉体をエツチン
グすることを特徴とする半導体装置作製方法により、反
応室およ、び共鳴空間内の壁部に形成された被膜や被着
した粉末を取り除くことのできるものである。
き気体を活性化させプラズマ状態にさせる共鳴空間とを
有する電子サイクロトロン共鳴を用いた被膜形成装置に
おいて、被膜の形成前後において、被膜形成圧力以上の
圧力状態で電子サイクロトロン共鳴を用いて、反応室及
び共鳴空間の内壁に付着した被膜または粉体をエツチン
グすることを特徴とする半導体装置作製方法により、反
応室およ、び共鳴空間内の壁部に形成された被膜や被着
した粉末を取り除くことのできるものである。
以下実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図に本発明に用いられるサイクロトロン共鳴型プラ
ズマＣＶＤ装置の概要を示す。
ズマＣＶＤ装置の概要を示す。
図面において、ステンレス反応容器（１“）は前方また
は後方にゲイト弁（図示せず）を介してロード室、アン
ロード室を設けている。そしてこのロード室より第１図
の反応容器内に筒状空間を構成する枠構造（四方をステ
ンレス金属また絶縁体の板で取り囲み活性状態の反応性
気体がこの外側の容器内壁にまで広がってフレークの発
生原因とならないようにする構造） （３１） 、 （
３１’ ）を有する。さらにこの枠構造内に配設されて
いる基板ホルダ（１０゛）及びその両面に主面に被膜形
成されるようにして基板（１０）を対をなして設けてい
る。図面では１０枚の基板を５つのホルダ（１０’）に
配設している。
は後方にゲイト弁（図示せず）を介してロード室、アン
ロード室を設けている。そしてこのロード室より第１図
の反応容器内に筒状空間を構成する枠構造（四方をステ
ンレス金属また絶縁体の板で取り囲み活性状態の反応性
気体がこの外側の容器内壁にまで広がってフレークの発
生原因とならないようにする構造） （３１） 、 （
３１’ ）を有する。さらにこの枠構造内に配設されて
いる基板ホルダ（１０゛）及びその両面に主面に被膜形
成されるようにして基板（１０）を対をなして設けてい
る。図面では１０枚の基板を５つのホルダ（１０’）に
配設している。
そして容器（１゛）の筒状空間を反応空間（１）として
設けている。この容器（１°）の側部には、ハロゲンラ
ンプヒータ（７）を有する加熱室（７゛）を設けている
。石英窓（１９）を通して赤外線を枠構造及び基板（ｌ
Ｏ）に照射し加熱する。さらに必要に応じグロー放電を
も併設し得るため、この容器（１”）の内側の上部及び
下部に一対の網状電極（２０）、（２０’）を有せしめ
ここに高周波または直流電源（６）より１３．５６Ｍ＋
１２または直流の電界を加える。
設けている。この容器（１°）の側部には、ハロゲンラ
ンプヒータ（７）を有する加熱室（７゛）を設けている
。石英窓（１９）を通して赤外線を枠構造及び基板（ｌ
Ｏ）に照射し加熱する。さらに必要に応じグロー放電を
も併設し得るため、この容器（１”）の内側の上部及び
下部に一対の網状電極（２０）、（２０’）を有せしめ
ここに高周波または直流電源（６）より１３．５６Ｍ＋
１２または直流の電界を加える。
またアルゴン等の非生成物気体（分解または反応をして
もそれ自体は気体しか生じない気体）は（１８）より共
鳴空間（２）に供給される。この共鳴空間（２）はその
外側に空心コイル（ここではへルムホルツコイルとして
用いた）（５）、（５’）を配し磁場を加える。この内
側に冷却管（１２）を配している。
もそれ自体は気体しか生じない気体）は（１８）より共
鳴空間（２）に供給される。この共鳴空間（２）はその
外側に空心コイル（ここではへルムホルツコイルとして
用いた）（５）、（５’）を配し磁場を加える。この内
側に冷却管（１２）を配している。
同時にマイクロ波発振器（３）によりアナライザー（４
）を経て例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波が石英窓（
２９）より共鳴空間（２）に供給される。この空間では
共鳴を起こすべく非生成物気体としてアルゴンを（１８
）より加える。そしてその質量、周波数により決められ
た磁場（例えば８７５ガウス）が空心コイル（５） 、
（５’）により加えられる。
）を経て例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波が石英窓（
２９）より共鳴空間（２）に供給される。この空間では
共鳴を起こすべく非生成物気体としてアルゴンを（１８
）より加える。そしてその質量、周波数により決められ
た磁場（例えば８７５ガウス）が空心コイル（５） 、
（５’）により加えられる。
このため、アルゴンガスが励起して磁場によりピンチン
グすると同時に共鳴し、十分励起した後に反応空間（１
）へ電子および励起したアルゴンガスとして放出（２１
）される。この共鳴空間（２）の出口には生成物気体が
ドーピング系（１３）より（１６）を経て複数のノズル
（１７）より反応空間内に放出（２２）される。その結
果、生成物気体（分解または反応をして固体を生成する
気体） （２２）は電子および励起気体（２１）により
励起され、活性化する。そしてこの活性化した気体が共
鳴空間（２）に逆流しないように絶縁物のホモジナイザ
（２０）を設けて注意をした。加えて一対の電極（２３
） 、 （２３”）により生じた高周波電界が同時にこ
れら反応性気体に加えられる。
グすると同時に共鳴し、十分励起した後に反応空間（１
）へ電子および励起したアルゴンガスとして放出（２１
）される。この共鳴空間（２）の出口には生成物気体が
ドーピング系（１３）より（１６）を経て複数のノズル
（１７）より反応空間内に放出（２２）される。その結
果、生成物気体（分解または反応をして固体を生成する
気体） （２２）は電子および励起気体（２１）により
励起され、活性化する。そしてこの活性化した気体が共
鳴空間（２）に逆流しないように絶縁物のホモジナイザ
（２０）を設けて注意をした。加えて一対の電極（２３
） 、 （２３”）により生じた高周波電界が同時にこ
れら反応性気体に加えられる。
その結果、共鳴空間（２）と反応空間上の間には実質的
にバッファ空間（３０）を有し、反応空間全体に電子お
よび励起気体（２１）が降り注ぐようにして放出させて
いる。
にバッファ空間（３０）を有し、反応空間全体に電子お
よび励起気体（２１）が降り注ぐようにして放出させて
いる。
即ち共鳴空間と被形成面とが十分離れていても（一般的
には２０〜８０ｃｍ）反応性気体の励起状態を持続させ
ることができるように努めた。（サイクロトロン共鳴の
みを用いる場合は基板と共鳴空間端部との距離が５〜１
５ｃｍと短く、被膜の厚さの不均一性を誘発する。） また反応性気体を十分反応空間（１）で広げ、かつサイ
クロトロンをさせるため、反応空間（１）。
には２０〜８０ｃｍ）反応性気体の励起状態を持続させ
ることができるように努めた。（サイクロトロン共鳴の
みを用いる場合は基板と共鳴空間端部との距離が５〜１
５ｃｍと短く、被膜の厚さの不均一性を誘発する。） また反応性気体を十分反応空間（１）で広げ、かつサイ
クロトロンをさせるため、反応空間（１）。
共鳴空間（２）の圧力を１ ｘｔｏ−”〜Ｉ Ｘｌ０−
’ｔｏｒｒ例えば３ Ｘ １０− ’ ｔｏｒｒとした
。この圧力はターボ分子ポンプ（１４）を併用して排気
系（１１）のコントロールパルプ（１５）により真空ポ
ンプ（９）の排気量を調整して行った。
’ｔｏｒｒ例えば３ Ｘ １０− ’ ｔｏｒｒとした
。この圧力はターボ分子ポンプ（１４）を併用して排気
系（１１）のコントロールパルプ（１５）により真空ポ
ンプ（９）の排気量を調整して行った。
以上のような構成を有する電子サイクロトロン共鳴型プ
ラズマＣＶＤ装置により成膜を行った後、本発明の圧力
条件でエツチングを行なう。エツチングに用いたガスは
弗化窒素（ＮＦ、ＮＦ２、ＮＦ３等のエツチング用ガス
、代表的にはＮＦ３）である。まず反応空間の圧力を被
膜形成時の圧力以上の圧力ｌＸｌ０−”〜ｌ ｔｏｒｒ
、本実施例ではＯ、１ｔｏｒｒとした。そして第１図０
８）よりＮＦ、を１００〜４００ｃｃ／分、例えば２０
０ｃｃ／分で供給しマイクロ波は２．４５ＧＨ２の周波
数のものを２００〜８００Ｗ例えば４００Ｗの出力で供
給した。磁場（５）、（５°）の共鳴強度は８７５±１
００ガウスの範囲で共鳴するように調整した。反応室内
および共鳴空間内壁に被着あるいは形成する被膜は、被
膜の種類、成膜速度、成膜温度等によって厚さ、被膜の
程度が異なっており、また反応室内と共鳴空間内とにお
いても差があるため本発明のエツチングは、そのような
被膜の種類や被着の程度に応じて、共鳴空間内に被着し
た被膜に重点を置いて行ったり、反応室内に被着した被
膜に重点を置く等適宜行うのが良い。また共鳴空間内の
みをエツチングすることも可能である。
ラズマＣＶＤ装置により成膜を行った後、本発明の圧力
条件でエツチングを行なう。エツチングに用いたガスは
弗化窒素（ＮＦ、ＮＦ２、ＮＦ３等のエツチング用ガス
、代表的にはＮＦ３）である。まず反応空間の圧力を被
膜形成時の圧力以上の圧力ｌＸｌ０−”〜ｌ ｔｏｒｒ
、本実施例ではＯ、１ｔｏｒｒとした。そして第１図０
８）よりＮＦ、を１００〜４００ｃｃ／分、例えば２０
０ｃｃ／分で供給しマイクロ波は２．４５ＧＨ２の周波
数のものを２００〜８００Ｗ例えば４００Ｗの出力で供
給した。磁場（５）、（５°）の共鳴強度は８７５±１
００ガウスの範囲で共鳴するように調整した。反応室内
および共鳴空間内壁に被着あるいは形成する被膜は、被
膜の種類、成膜速度、成膜温度等によって厚さ、被膜の
程度が異なっており、また反応室内と共鳴空間内とにお
いても差があるため本発明のエツチングは、そのような
被膜の種類や被着の程度に応じて、共鳴空間内に被着し
た被膜に重点を置いて行ったり、反応室内に被着した被
膜に重点を置く等適宜行うのが良い。また共鳴空間内の
みをエツチングすることも可能である。
以上のようなエツチングを被膜形成の前後に行えばよい
。
。
〔実施例２〕
本実施例は、第１図に示した電子サイクロトロン共鳴型
プラズマＣｖＤ装置を複数個接続して一体化し、マルチ
チャンバ方式としたものである。
プラズマＣｖＤ装置を複数個接続して一体化し、マルチ
チャンバ方式としたものである。
このマルチチャンバ方式に関しては、本発明人の出願に
よる特許（ｌｌ５Ｐ ４．５０５．９５０ （１９８
５，３，１９） 。
よる特許（ｌｌ５Ｐ ４．５０５．９５０ （１９８
５，３，１９） 。
ＵＳＰ ４，４９２．７１６ （１９Ｂ５．１．８ ）
’）にすでに明らかである。しかしこの実施例は特に
このマルチチャンバ方式とＥＣＲ法とを一体化せしめ、
従来以上に優れたマルチチャンバ方式を得ることができ
た。
’）にすでに明らかである。しかしこの実施例は特に
このマルチチャンバ方式とＥＣＲ法とを一体化せしめ、
従来以上に優れたマルチチャンバ方式を得ることができ
た。
第２図に従い本発明を記す。
第２図は系Ｉ、■、■、■、■を示す。ここではロード
室（系■、ビ）、第１の被膜例えばＰ型半導体形成用反
応系（系■）、第２の被膜例えばＩ型半導体形成用反応
室（系ＩＩＩ）、第３の被膜例えばＮ型半導体形成用反
応系（系■）、アンロード系（系ｖ、ｖ’ ＞を有し、
複数の被膜の積層構造を有せしめるための被膜の作製例
である。そして例えばＰＩＮ接合を積層体として得るこ
とができる。
室（系■、ビ）、第１の被膜例えばＰ型半導体形成用反
応系（系■）、第２の被膜例えばＩ型半導体形成用反応
室（系ＩＩＩ）、第３の被膜例えばＮ型半導体形成用反
応系（系■）、アンロード系（系ｖ、ｖ’ ＞を有し、
複数の被膜の積層構造を有せしめるための被膜の作製例
である。そして例えばＰＩＮ接合を積層体として得るこ
とができる。
各県の室は（１’−１’）、（１”−１）、（１“−２
）、・・・（ｌｏ−５）、（１’−５”）をそれぞれ有
し、特に（１−２） 、 （１−３） 、 （１−４）
は反応空間を構成している。またロード側の空間として
（１−１’Ｌ （１−１）を有し、またアンロード側の
空間として（１−５） 、 （１−５’ ”）を有する
。ドーピング系（１３−２） 、 （１３−３） 、
（１３−４）を存する。さらに排気系（１１）としてタ
ーボ分子ポンプ（１４−１） 、 （１４−２） 、・
・・（１４−５）、真空ポンプ（９−１） 、 （９−
２） 、・・・（９−５）を有する。系（ビ）、（Ｖ’
）はロード、アンロード室であり、これらの図示は省略
している。
）、・・・（ｌｏ−５）、（１’−５”）をそれぞれ有
し、特に（１−２） 、 （１−３） 、 （１−４）
は反応空間を構成している。またロード側の空間として
（１−１’Ｌ （１−１）を有し、またアンロード側の
空間として（１−５） 、 （１−５’ ”）を有する
。ドーピング系（１３−２） 、 （１３−３） 、
（１３−４）を存する。さらに排気系（１１）としてタ
ーボ分子ポンプ（１４−１） 、 （１４−２） 、・
・・（１４−５）、真空ポンプ（９−１） 、 （９−
２） 、・・・（９−５）を有する。系（ビ）、（Ｖ’
）はロード、アンロード室であり、これらの図示は省略
している。
ＥＣＲ用マイクロ波は系■、■、■の少なくとも１つこ
こではすべてに対しく８−２） 、 （８−３） 、
（８−４） として設けられ、ヘルムボルツコイル（５
−２） 、 （５′−２）。
こではすべてに対しく８−２） 、 （８−３） 、
（８−４） として設けられ、ヘルムボルツコイル（５
−２） 、 （５′−２）。
・・とじて加えられている。そして共鳴空間（２−２）
。
。
（２−３） 、 （２−４）を有し、アルゴンガスまた
はこれと非生成物気体との混合ガス（１８−２） 、
（１８−３） 、 （１Ｂ−４）として加えられている
。
はこれと非生成物気体との混合ガス（１８−２） 、
（１８−３） 、 （１Ｂ−４）として加えられている
。
それぞれのチャンバ（１−１）と（１−２）の間にはバ
ッファ空間（２５−２）が設けられ、また（１−２）と
（１−３）との間にはバッファ空間（２５−３）が、ま
た（１−３）と＜１−４）との間にはバッファ空間（２
５−４）、さらに（１−４）と（１−５）との間にバッ
ファ空間（２５−５）を有する。これらのバッファ空間
は基板（１０）および基板ホルダ（筒状空間を構成する
枠構造体） （３１）が所定のチャンバ（反応容器）に
て被膜形成後隣のチャンバへの移設を容品にし、また被
膜形成中において１つの空間の不純物、反応生成物が隣
の反応空間に混入しないよう気体の平均自由工程より巾
広とし、実質的にそれぞれの反応空間（１−１）、・・
・（１−５）を互いに離間させている。さらにロード室
（１−１”）とロードバッファ室＜１−１）間のゲート
弁（２５−１）、アンロードバッファ室（１−５）とア
ンロード室（１−５’）間のゲート弁（２５−６）は基
板、基板ホルダのロード、アンロードの際、大気が反応
空間（ｌ−２）・・・（１−４）に混入しないようにさ
せた。
ッファ空間（２５−２）が設けられ、また（１−２）と
（１−３）との間にはバッファ空間（２５−３）が、ま
た（１−３）と＜１−４）との間にはバッファ空間（２
５−４）、さらに（１−４）と（１−５）との間にバッ
ファ空間（２５−５）を有する。これらのバッファ空間
は基板（１０）および基板ホルダ（筒状空間を構成する
枠構造体） （３１）が所定のチャンバ（反応容器）に
て被膜形成後隣のチャンバへの移設を容品にし、また被
膜形成中において１つの空間の不純物、反応生成物が隣
の反応空間に混入しないよう気体の平均自由工程より巾
広とし、実質的にそれぞれの反応空間（１−１）、・・
・（１−５）を互いに離間させている。さらにロード室
（１−１”）とロードバッファ室＜１−１）間のゲート
弁（２５−１）、アンロードバッファ室（１−５）とア
ンロード室（１−５’）間のゲート弁（２５−６）は基
板、基板ホルダのロード、アンロードの際、大気が反応
空間（ｌ−２）・・・（１−４）に混入しないようにさ
せた。
以上の装置の各チャンバに対して実施例１と同様にエツ
チングを行った後ＰＩＮ型光電変換装置を作成した。
チングを行った後ＰＩＮ型光電変換装置を作成した。
系■においてＰ型Ｓｉ、ＣＩ−Ｘ （０＜Ｘ＜１）の
非単結晶半導体を形成した。即ち反応空間、高さ３０ｃ
ｍ、巾・奥行き各３５ｃｍを有し、反応容器の内寸法は
高さ４０ｃｍ、巾・奥行き各５０ｃｍ、基板（２０ｃｍ
Ｘ３０ｃｍ、１０枚）を１バッチとする。さらにこの反
応空間の圧力を３×１０−’ｔｏｒｒとし、非生生物気
体として０ωよりアルゴンを２００ｃｃ／分で供給した
。加えてＨｉｓｉ （ＣＨ３）ｚ ／Ｓ ｉ Ｈａ
＝ １／ ７とし、Ｂ、）１．／ＳｉＨ，＝５／１００
０とし、（１３−２）より８０ｃｃ／分で供給した。
非単結晶半導体を形成した。即ち反応空間、高さ３０ｃ
ｍ、巾・奥行き各３５ｃｍを有し、反応容器の内寸法は
高さ４０ｃｍ、巾・奥行き各５０ｃｍ、基板（２０ｃｍ
Ｘ３０ｃｍ、１０枚）を１バッチとする。さらにこの反
応空間の圧力を３×１０−’ｔｏｒｒとし、非生生物気
体として０ωよりアルゴンを２００ｃｃ／分で供給した
。加えてＨｉｓｉ （ＣＨ３）ｚ ／Ｓ ｉ Ｈａ
＝ １／ ７とし、Ｂ、）１．／ＳｉＨ，＝５／１００
０とし、（１３−２）より８０ｃｃ／分で供給した。
初動の高周波エネルギは４０Ｗの出力を用いて供給した
。マイクロ波は２．４５ＧＨｚの周波数を有し、２００
〜８００Ｗの出力例えば３００Ｗで供給した。
。マイクロ波は２．４５ＧＨｚの周波数を有し、２００
〜８００Ｗの出力例えば３００Ｗで供給した。
磁場（５−２）、 （５’−２）の共鳴強度は８７５±
１００ガウスの範囲で共鳴するように調整した。
１００ガウスの範囲で共鳴するように調整した。
基板０ωはガラス基板またはこの基板上に透明導電膜が
形成されたものを用いた。
形成されたものを用いた。
基板温度１８０°Ｃにし、光学的Ｅｇ＝２．４ｅＶ電気
伝導度３ Ｘ １０−” （Ｓ ｃ ｍ−’）を得るこ
とができた。
伝導度３ Ｘ １０−” （Ｓ ｃ ｍ−’）を得るこ
とができた。
系■において、■型の非単結晶半導体を形成した。即ち
アルゴンを共鳴空間に励起しく１３−３）よりモノシラ
ンを８０ｃｃ／分で供給した。マイクロ波出力が４００
Ｗ、圧力３ＸＩＯ−’ｔｏｒｒの条件で実施した。
アルゴンを共鳴空間に励起しく１３−３）よりモノシラ
ンを８０ｃｃ／分で供給した。マイクロ波出力が４００
Ｗ、圧力３ＸＩＯ−’ｔｏｒｒの条件で実施した。
系■において、Ｎ型の微結晶化非単結晶半導体を形成し
た。即ちＳｉＨ４／Ｈｚ ＝ １１５〜１／４０例えば
１／３０、Ｐ１１＋／５ｉ１１４＝１／１００とした。
た。即ちＳｉＨ４／Ｈｚ ＝ １１５〜１／４０例えば
１／３０、Ｐ１１＋／５ｉ１１４＝１／１００とした。
ＥＣＲ出力４００Ｗ、圧力３ Ｘ １０− ’ ｔｏｒ
ｒ、、基板温度２５０℃とした。すると光学的なＥｇ＝
１．６５ｅＶ、電気伝導度５０（Ｓｃｍ−’）を得るこ
とができた。特にＥＣＲ方式においては、マイクロ波出
力を大きくしても基板に対するスパッタ効果がないため
、平均粒径が大きく１００〜３００人を存するより多結
晶化しやすく、結果として結晶化度もグロー放電プラズ
マＣＶＤ法において約５０％であるものを７０％にまで
高めることが可能となった。さらに希釈する水素の輩を
比較すると、グロー放電法とプラズマＣｖＤ法において
は５ｉｌ１４／Ｈ２＝１ノ８０〜１／３００と大きく水
素で希釈したが、ＥＣＲ法においてはＳｉｇｎ／Ｈｚ
＝１１５〜１／４０においても十分な微結晶構造を有す
る半導体を作ることができた。
ｒ、、基板温度２５０℃とした。すると光学的なＥｇ＝
１．６５ｅＶ、電気伝導度５０（Ｓｃｍ−’）を得るこ
とができた。特にＥＣＲ方式においては、マイクロ波出
力を大きくしても基板に対するスパッタ効果がないため
、平均粒径が大きく１００〜３００人を存するより多結
晶化しやすく、結果として結晶化度もグロー放電プラズ
マＣＶＤ法において約５０％であるものを７０％にまで
高めることが可能となった。さらに希釈する水素の輩を
比較すると、グロー放電法とプラズマＣｖＤ法において
は５ｉｌ１４／Ｈ２＝１ノ８０〜１／３００と大きく水
素で希釈したが、ＥＣＲ法においてはＳｉｇｎ／Ｈｚ
＝１１５〜１／４０においても十分な微結晶構造を有す
る半導体を作ることができた。
以上のようにして得られた光電変換装置は被膜にピンホ
ール等がない均一な被膜を有しており。
ール等がない均一な被膜を有しており。
そのため変換効率１２．９％（１，０５ｃＪ） （開
放電圧０．９２Ｖ短絡電流密度１８．４ｍＡ／ｃｄ曲線
因子０．７６）を存していた。
放電圧０．９２Ｖ短絡電流密度１８．４ｍＡ／ｃｄ曲線
因子０．７６）を存していた。
本実施例においては、エツチングを光電変換装置作製前
に行ったが作製後に行っても良い。また被膜作製の都度
行っても良いしある程度反応室内及び共鳴空間内に被膜
が形成されてから行っても良い。
に行ったが作製後に行っても良い。また被膜作製の都度
行っても良いしある程度反応室内及び共鳴空間内に被膜
が形成されてから行っても良い。
以上の如く本発明の被膜作製方法によれば、電子サイク
ロトロン共鳴型プラズマＣＶＤ装置における反応室内及
び共鳴空間内壁に被着した被着物を被膜作製前に取り除
くことができるため、その被着物が粉体の如く大きな表
面積を有し、かつその粒界に界面単位が多数存在する塊
として被膜中に混在することを防ぎ、半導体の如き被膜
をミクロな面においても均質なアモルファス、セミアモ
ルファスまたはセミクリスタル構造を有する被膜とする
ことに有効であった。
ロトロン共鳴型プラズマＣＶＤ装置における反応室内及
び共鳴空間内壁に被着した被着物を被膜作製前に取り除
くことができるため、その被着物が粉体の如く大きな表
面積を有し、かつその粒界に界面単位が多数存在する塊
として被膜中に混在することを防ぎ、半導体の如き被膜
をミクロな面においても均質なアモルファス、セミアモ
ルファスまたはセミクリスタル構造を有する被膜とする
ことに有効であった。
また本発明に用いた弗化窒素は、エツチング終了後も化
学的に安定な気体となるため、外部に放出させても実質
的に無公害である等の利点も有している。
学的に安定な気体となるため、外部に放出させても実質
的に無公害である等の利点も有している。
第１図、第２図は本発明に用いたサイクロトロン共鳴型
プラズマＣＶＤ装置を示す。
プラズマＣＶＤ装置を示す。
Claims (1)
- １、膜形成すべき基板を設けた反応室と活性化すべき気
体を活性化させプラズマ状態にさせる共鳴空間とを有す
る電子サイクロトロン共鳴を用いた被膜形成装置におい
て、被膜の形成前後において、被膜形成圧力以上の圧力
状態で電子サイクロトロン共鳴を用いて、反応室及び共
鳴空間の内壁に付着した被膜または粉体をエッチングす
ることを特徴とする被膜作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260876A JP2662688B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 被膜作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260876A JP2662688B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 被膜作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102921A true JPH01102921A (ja) | 1989-04-20 |
| JP2662688B2 JP2662688B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=17353979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62260876A Expired - Fee Related JP2662688B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 被膜作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2662688B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6125859A (en) * | 1997-03-05 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method for improved cleaning of substrate processing systems |
| US6274058B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5477573A (en) * | 1977-11-10 | 1979-06-21 | Sony Corp | Operating method of plasma treating apparatus |
| JPS57134925A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Kokusai Electric Co Ltd | Plasma cvd film producer |
| JPS59181530A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Komatsu Ltd | 半導体製造装置の洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPS61247031A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置のクリ−ニング方法 |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62260876A patent/JP2662688B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5477573A (en) * | 1977-11-10 | 1979-06-21 | Sony Corp | Operating method of plasma treating apparatus |
| JPS57134925A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Kokusai Electric Co Ltd | Plasma cvd film producer |
| JPS59181530A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Komatsu Ltd | 半導体製造装置の洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPS61247031A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置のクリ−ニング方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6125859A (en) * | 1997-03-05 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method for improved cleaning of substrate processing systems |
| US6274058B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2662688B2 (ja) | 1997-10-15 |
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