JPH01103833A - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
- Publication number
- JPH01103833A JPH01103833A JP62261435A JP26143587A JPH01103833A JP H01103833 A JPH01103833 A JP H01103833A JP 62261435 A JP62261435 A JP 62261435A JP 26143587 A JP26143587 A JP 26143587A JP H01103833 A JPH01103833 A JP H01103833A
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- JP
- Japan
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- wafer
- port
- heat treatment
- vertical heat
- treatment apparatus
- Prior art date
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、縦型熱処理装置用ポートに関する。
本発明では、被熱処理物を支持するために用いる縦型熱
処理装置用ポートにおいて、この縦型熱処理装置用ポー
トが複数のポートにより構成され、これによって縦型熱
処理装置の高さを小さくすることができる。
処理装置用ポートにおいて、この縦型熱処理装置用ポー
トが複数のポートにより構成され、これによって縦型熱
処理装置の高さを小さくすることができる。
近年、半導体製造装置として、縦型拡散炉や縦型低圧Ｃ
ＶＤ装置（ＬＰＣＶＤ装置）が用いられるようになった
。これらの縦型拡散炉及び縦型ＬＰＧＶＤ装置は、半導
体ウェハの出し入れを炉口の上側から行う下部ヒータ方
式と、半導体ウェハの出し入れを炉口の下側から行う上
部ヒータ方式とに大別される。
ＶＤ装置（ＬＰＣＶＤ装置）が用いられるようになった
。これらの縦型拡散炉及び縦型ＬＰＧＶＤ装置は、半導
体ウェハの出し入れを炉口の上側から行う下部ヒータ方
式と、半導体ウェハの出し入れを炉口の下側から行う上
部ヒータ方式とに大別される。
第６図は、従来の上部ヒータ方式の縦型熱処理装置を示
す。この第６図に示すように、従来の上部ヒータ方式の
縦型熱処理装置は、ヒータ１１によって加熱された石英
管１２の中に、下側から、多数の半導体ウェハ１３が支
持されたウェハポート１４を上記石英管１２の蓋１５と
ともにボー、ト搬送機構１６によって上昇させることに
より収容し、不純物拡散、ＣＶＤ等を行うようになって
いる。上記蓋１５は、上記ポート搬送機構１６の軸１６
ａの回りに回転可能かつこの軸１６ａに沿って昇降可能
に設けられているポート搬送板１６ｂの上に載置されて
いる。
す。この第６図に示すように、従来の上部ヒータ方式の
縦型熱処理装置は、ヒータ１１によって加熱された石英
管１２の中に、下側から、多数の半導体ウェハ１３が支
持されたウェハポート１４を上記石英管１２の蓋１５と
ともにボー、ト搬送機構１６によって上昇させることに
より収容し、不純物拡散、ＣＶＤ等を行うようになって
いる。上記蓋１５は、上記ポート搬送機構１６の軸１６
ａの回りに回転可能かつこの軸１６ａに沿って昇降可能
に設けられているポート搬送板１６ｂの上に載置されて
いる。
上述の従来の上部ヒータ方式の縦型熱処理装置は、半導
体ウェハ１３のローディング／アンローディングのため
の高さ方向のスペースを少なくともウェハポート長以上
取らなければならないので、装置全体の高さは最低でも
ヒータ長＋ウェハポート長となり、例えば２．５〜３ｍ
と高くなってしまうという問題があった。この問題は、
下部ヒータ方式の縦型熱処理装置でも同様である。
体ウェハ１３のローディング／アンローディングのため
の高さ方向のスペースを少なくともウェハポート長以上
取らなければならないので、装置全体の高さは最低でも
ヒータ長＋ウェハポート長となり、例えば２．５〜３ｍ
と高くなってしまうという問題があった。この問題は、
下部ヒータ方式の縦型熱処理装置でも同様である。
従って本発明の目的は、縦型熱処理装置の高さを小さく
することができる縦型熱処理装置用ポートを提供するこ
とにある。
することができる縦型熱処理装置用ポートを提供するこ
とにある。
本発明は、被熱処理物を支持するために用いる縦型熱処
理装置用ポートにおいて、この縦型熱処理装置用ポート
が複数のポートにより構成されている。
理装置用ポートにおいて、この縦型熱処理装置用ポート
が複数のポートにより構成されている。
上記した手段によれば、半導体ウェハのローディング／
アンローディングのための高さ方向のスペースとしては
、複数のポートを構成する各ポートのローディング／ア
ンローディングに必要なスペースを取ればよいので、半
導体ウェハのローディング／アンローディングのための
高さ方向のスペースを小さくすることができ、従って縦
型熱処理装置の高さを小さくすることができる。
アンローディングのための高さ方向のスペースとしては
、複数のポートを構成する各ポートのローディング／ア
ンローディングに必要なスペースを取ればよいので、半
導体ウェハのローディング／アンローディングのための
高さ方向のスペースを小さくすることができ、従って縦
型熱処理装置の高さを小さくすることができる。
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例によるウェハポートを用い
た上部ヒータ方式の縦型熱処理装置を示す断面図であり
、第２図は、本発明の一実施例によるウェハポートを示
す斜視図である。
た上部ヒータ方式の縦型熱処理装置を示す断面図であり
、第２図は、本発明の一実施例によるウェハポートを示
す斜視図である。
第１図に示すように、本実施例による縦型熱処理装置は
、石英管１と、ヒータ２と、石英管１のための例えばス
テンレス鋼製の蓋３と、ポート搬送機構４と、補助アー
ム機構５とにより主として構成されている。
、石英管１と、ヒータ２と、石英管１のための例えばス
テンレス鋼製の蓋３と、ポート搬送機構４と、補助アー
ム機構５とにより主として構成されている。
上記Ｍ３の上には例えば石英製の台６が取り付けられて
いる。そして、この台６の上に、半導体ウェハ７が支持
された例えば石英製のウェハポート８が複数個（本実施
例においては６個）積み重ねられている。このように台
６の上にこれらのウェハポート８を載せたのは、これら
のウェハポート８をヒータ２の均熱域に入れるためであ
る。これらのウェハポート８の全長は、例えば、従来用
いられている単一の長いウェハポートの全長と同程度で
ある。また、これらのウェハポート８のうち上下の２個
のウェハポートは、ダミーの半導体ウェハ７を収納する
ためのものであり、その他のウェハポート８は、製品の
半導体ウェハ７を収納するためのものである。なお、こ
のようにダミーの半導体ウェハ７を設けるのは、石英管
１内に配列される半導体ウェハ７のうち両端の半導体ウ
ェハは、熱放射の影響で温度が不均一となること等によ
り、不純物拡散やＣＶＤが均一に行われないためである
。製品の半導体ウェハ７を収納するためのウェハポート
８は、半導体製造ラインでは通常１キャリア２５枚単位
で取り扱われるので、半導体ウェハ７を例えば２５枚収
納することができる長さとする。また、ダミーの半導体
ウェハ７を収納するためのウェハポート８は、例えば１
０枚程度の半導体ウェハを収納することができる長さと
する。
いる。そして、この台６の上に、半導体ウェハ７が支持
された例えば石英製のウェハポート８が複数個（本実施
例においては６個）積み重ねられている。このように台
６の上にこれらのウェハポート８を載せたのは、これら
のウェハポート８をヒータ２の均熱域に入れるためであ
る。これらのウェハポート８の全長は、例えば、従来用
いられている単一の長いウェハポートの全長と同程度で
ある。また、これらのウェハポート８のうち上下の２個
のウェハポートは、ダミーの半導体ウェハ７を収納する
ためのものであり、その他のウェハポート８は、製品の
半導体ウェハ７を収納するためのものである。なお、こ
のようにダミーの半導体ウェハ７を設けるのは、石英管
１内に配列される半導体ウェハ７のうち両端の半導体ウ
ェハは、熱放射の影響で温度が不均一となること等によ
り、不純物拡散やＣＶＤが均一に行われないためである
。製品の半導体ウェハ７を収納するためのウェハポート
８は、半導体製造ラインでは通常１キャリア２５枚単位
で取り扱われるので、半導体ウェハ７を例えば２５枚収
納することができる長さとする。また、ダミーの半導体
ウェハ７を収納するためのウェハポート８は、例えば１
０枚程度の半導体ウェハを収納することができる長さと
する。
第２図に示すように、上記ウェハポート８は、例えば４
本の支持棒８ａと、これらの支持棒８ａを連結するため
の連結棒８ｂとから成る。各支持棒８ａの一端部（下端
部）８ｃはその他の部分に比べて径が大きくなっており
、この一端部８Ｃにこの支持棒８ａの径よりも少し大き
い径の穴８ｄが設けられている。そして、これらの穴８
ｄを他のウェハポートの支持棒の先端にはめることによ
り、第１図に示すようにウェハポート８を積み重ねるこ
とができるようになっている。また、各支持棒８ａには
、半導体ウェハ８を収容するための溝８ｅが設けられて
いる。
本の支持棒８ａと、これらの支持棒８ａを連結するため
の連結棒８ｂとから成る。各支持棒８ａの一端部（下端
部）８ｃはその他の部分に比べて径が大きくなっており
、この一端部８Ｃにこの支持棒８ａの径よりも少し大き
い径の穴８ｄが設けられている。そして、これらの穴８
ｄを他のウェハポートの支持棒の先端にはめることによ
り、第１図に示すようにウェハポート８を積み重ねるこ
とができるようになっている。また、各支持棒８ａには
、半導体ウェハ８を収容するための溝８ｅが設けられて
いる。
第１図に示すように、上記蓋３は、ポート搬送機構４の
軸４ａの回りに回転可能かつこの軸４ａに沿って昇降可
能に設けられているポート搬送板４ｂの上に載置されて
いる。また、補助アーム機構５の補助アーム５ａば、フ
レーム５ｂに対して水平方向に移動可能かつ上下方向に
昇降可能に設けられている。
軸４ａの回りに回転可能かつこの軸４ａに沿って昇降可
能に設けられているポート搬送板４ｂの上に載置されて
いる。また、補助アーム機構５の補助アーム５ａば、フ
レーム５ｂに対して水平方向に移動可能かつ上下方向に
昇降可能に設けられている。
次に、上述のように構成された本実施例による縦型熱処
理装置に半導体ウェハ７をローディングする方法につい
て説明する。
理装置に半導体ウェハ７をローディングする方法につい
て説明する。
第３図に示すように、まずポート搬送板４ｂを石英管１
から十分に離れた位置に下降及び回転させ、その位置で
台６の上に１番目のウェハポート８を図示省略したロー
ディング機構により載置した後、このポート搬送板４ｂ
を軸４ａの回りに回転させてこのウェハポート８を石英
管１の真下に位置させる。なお、ポート搬送板４ｂを石
英管１の真下に位置させた状態で台６の上にウェハポー
ト８を直接載置するようにしてもよい。
から十分に離れた位置に下降及び回転させ、その位置で
台６の上に１番目のウェハポート８を図示省略したロー
ディング機構により載置した後、このポート搬送板４ｂ
を軸４ａの回りに回転させてこのウェハポート８を石英
管１の真下に位置させる。なお、ポート搬送板４ｂを石
英管１の真下に位置させた状態で台６の上にウェハポー
ト８を直接載置するようにしてもよい。
次に第４図に示すように、補助アーム機構５の補助アー
ム５ａを上記ウェハポート８側に移動させてその先端部
をこのウェハポート８の下方に差し込んだ後、この補助
アーム５ａを上昇させてウェハポート８を持ち上げる。
ム５ａを上記ウェハポート８側に移動させてその先端部
をこのウェハポート８の下方に差し込んだ後、この補助
アーム５ａを上昇させてウェハポート８を持ち上げる。
次に、この状態で１番目のウェハポート８と同様にして
２番目のウェハポート８を石英管１から離れた位置で台
６の上に載置した後、ポート搬送板４ｂを回転させてこ
の２番目のウェハポート８を１番目のウェハポート８の
真下に位置させる。
２番目のウェハポート８を石英管１から離れた位置で台
６の上に載置した後、ポート搬送板４ｂを回転させてこ
の２番目のウェハポート８を１番目のウェハポート８の
真下に位置させる。
次に、補助アーム５ａを下降させることにより、第５図
に示すように、この補助アーム５ａにより持ち上げられ
ている１番目のウェハポート８を２番目のウェハポート
８の上に積み重ねる。その後、補助アーム５ａをウェハ
ポート８と反対側に移動させて最初の位置に戻す。
に示すように、この補助アーム５ａにより持ち上げられ
ている１番目のウェハポート８を２番目のウェハポート
８の上に積み重ねる。その後、補助アーム５ａをウェハ
ポート８と反対側に移動させて最初の位置に戻す。
このように、台６の上に載置したウェハポート８を補助
アーム５ａにより持ち上げては次のウェハポート８を台
６の上に載置するという一連の動作を繰り返すことによ
り全てのウェハポート８を積み重ねた後、ポート搬送板
４ｂを蓋３が石英管１の下部に当たるまで上昇させる。
アーム５ａにより持ち上げては次のウェハポート８を台
６の上に載置するという一連の動作を繰り返すことによ
り全てのウェハポート８を積み重ねた後、ポート搬送板
４ｂを蓋３が石英管１の下部に当たるまで上昇させる。
これによって、第１図に示すように、全てのウェハポー
ト８が石英管１の中に収納される。その後、不純物拡散
、ＣＶＤ等を行う。
ト８が石英管１の中に収納される。その後、不純物拡散
、ＣＶＤ等を行う。
半導体ウェハ７のアンローディングは、上述のローディ
ングと逆の手順で行うことができる。すなわち、積み重
ねられたウェハポート８を下から順次アンローディング
すればよい。
ングと逆の手順で行うことができる。すなわち、積み重
ねられたウェハポート８を下から順次アンローディング
すればよい。
上述のように、本実施例によれば、ウェハポートがポー
ト長の小さい複数のウェハポート８により構成されてい
るので、半導体ウェハ７のローディング／アンローディ
ングのために必要な高さ方向のスペースは各ウェハポー
ト８のローディング／アンローディングに必要なスペー
スだけでよい。
ト長の小さい複数のウェハポート８により構成されてい
るので、半導体ウェハ７のローディング／アンローディ
ングのために必要な高さ方向のスペースは各ウェハポー
ト８のローディング／アンローディングに必要なスペー
スだけでよい。
従って、縦型熱処理装置全体の高さを、従来の一体型の
ウェハポートを用いた縦型熱処理装置に比べて極めて小
さくすることができる。
ウェハポートを用いた縦型熱処理装置に比べて極めて小
さくすることができる。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、ウェハポート８０個数は必要に応じて適宜選定
することができる。また、上述の実施例においては、半
導体ウェハ７を収納するためのウェハポート８について
説明したが、本発明は半導体ウェハ以外の被熱処理物を
収納する各種のポートに適用することができる。さらに
、本発明は、下部ヒータ方式の縦型熱処理装置に適用す
ることもできる。なお、この下部ヒータ方式の縦型熱処
理装置においては、補助アーム機構５は省略することが
できる。
することができる。また、上述の実施例においては、半
導体ウェハ７を収納するためのウェハポート８について
説明したが、本発明は半導体ウェハ以外の被熱処理物を
収納する各種のポートに適用することができる。さらに
、本発明は、下部ヒータ方式の縦型熱処理装置に適用す
ることもできる。なお、この下部ヒータ方式の縦型熱処
理装置においては、補助アーム機構５は省略することが
できる。
本発明によれば、縦型熱処理装置用ポートが複数のポー
トにより構成されているので、被熱処理物のローディン
グ／アンローディングのための高さ方向のスペースを小
さくすることでき、従って縦型熱処理装置の高さを小さ
くすることができる。
トにより構成されているので、被熱処理物のローディン
グ／アンローディングのための高さ方向のスペースを小
さくすることでき、従って縦型熱処理装置の高さを小さ
くすることができる。
第１図は本発明の一実施例によるウェハポートを用いた
上部ヒータ方式の縦型熱処理装置を示す断面図、第２図
は本発明の一実施例によるウェハポートを示す斜視図、
第３図〜第５図は第１図に示す縦型熱処理装置に半導体
ウェハをローディングする方法を説明するための断面図
、第６図は従来のウェハポートを用いた上部ヒータ方式
の縦型熱処理装置を示す断面図である。 図面における主要な符号の説明 １：石英管、 ２：ヒータ、 ４：ポート搬送機構、
５：補助アーム機構、 ７：半導体ウェハ（被熱処理物
）、 ８：ウェハポート。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知 ふを明の−Ｖ蔚例にょ５ウエハボー）２ＷＪ−１よ部Ｌ
−９７式の縦型部β理装置 第１図
上部ヒータ方式の縦型熱処理装置を示す断面図、第２図
は本発明の一実施例によるウェハポートを示す斜視図、
第３図〜第５図は第１図に示す縦型熱処理装置に半導体
ウェハをローディングする方法を説明するための断面図
、第６図は従来のウェハポートを用いた上部ヒータ方式
の縦型熱処理装置を示す断面図である。 図面における主要な符号の説明 １：石英管、 ２：ヒータ、 ４：ポート搬送機構、
５：補助アーム機構、 ７：半導体ウェハ（被熱処理物
）、 ８：ウェハポート。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知 ふを明の−Ｖ蔚例にょ５ウエハボー）２ＷＪ−１よ部Ｌ
−９７式の縦型部β理装置 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被熱処理物を支持するために用いる縦型熱処理装置用
ポートにおいて、 複数のポートにより構成されていることを特徴とする縦
型熱処理装置用ポート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62261435A JP2600206B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 縦型熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62261435A JP2600206B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 縦型熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01103833A true JPH01103833A (ja) | 1989-04-20 |
| JP2600206B2 JP2600206B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=17361846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62261435A Expired - Fee Related JP2600206B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2600206B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6326006B1 (en) * | 1988-09-02 | 2001-12-04 | Kao Corporation | Bathing preparation |
| WO2006044021A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier for parallel wafer processing reactor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60249335A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-10 | Fujitsu Ltd | 縦型加熱炉 |
| JPS6112025A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Fujitsu Ltd | 縦型加熱炉 |
| JPS63161610A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウエ−ハボ−ト |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62261435A patent/JP2600206B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60249335A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-10 | Fujitsu Ltd | 縦型加熱炉 |
| JPS6112025A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Fujitsu Ltd | 縦型加熱炉 |
| JPS63161610A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウエ−ハボ−ト |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6326006B1 (en) * | 1988-09-02 | 2001-12-04 | Kao Corporation | Bathing preparation |
| WO2006044021A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier for parallel wafer processing reactor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2600206B2 (ja) | 1997-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |