JPH01104025U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH01104025U JPH01104025U JP19764287U JP19764287U JPH01104025U JP H01104025 U JPH01104025 U JP H01104025U JP 19764287 U JP19764287 U JP 19764287U JP 19764287 U JP19764287 U JP 19764287U JP H01104025 U JPH01104025 U JP H01104025U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- electrode
- silicon substrate
- small chamber
- etching device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例図である。
〈符号の説明〉、1……シリコンウエハ、2…
…対電極、3……直流電源、4……溶液、5,6
……不活性電極、7……直流電源、8……カチオ
ン性交換膜、9……アニオン性交換膜、10……
ポンプ、11……加工槽、12……接続パイプ、
13……再生槽、14……小室。
…対電極、3……直流電源、4……溶液、5,6
……不活性電極、7……直流電源、8……カチオ
ン性交換膜、9……アニオン性交換膜、10……
ポンプ、11……加工槽、12……接続パイプ、
13……再生槽、14……小室。
Claims (1)
- 溶液を満たした加工槽中にシリコン基板と対電
極とを浸漬し、両者に直流電圧を印加することに
より、上記シリコン基板をエツチングする電解エ
ツチング装置において、溶液中のカチオンイオン
を透過するカチオン性交換膜で溶液通路から隔て
られた小室中に設けられた第1電極と、溶液通路
に設けられた溶液中のアニオンイオンを透過する
アニオン性交換膜の上記小室と反対側に設けられ
た第2電極とを有する再生槽を備え、更に、上記
再生槽と上記加工槽との間で上記溶液を循環する
手段と、上記第1電極に正極を、上記第2電極に
負極を接続された直流電源とを備えたことを特徴
する電解エツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19764287U JPH0727623Y2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 電解エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19764287U JPH0727623Y2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 電解エッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01104025U true JPH01104025U (ja) | 1989-07-13 |
| JPH0727623Y2 JPH0727623Y2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=31488186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19764287U Expired - Lifetime JPH0727623Y2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 電解エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727623Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023044128A (ja) * | 2021-09-17 | 2023-03-30 | 株式会社東芝 | エッチング装置及びエッチング方法 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP19764287U patent/JPH0727623Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023044128A (ja) * | 2021-09-17 | 2023-03-30 | 株式会社東芝 | エッチング装置及びエッチング方法 |
| US12278109B2 (en) | 2021-09-17 | 2025-04-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching apparatus and etching method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0727623Y2 (ja) | 1995-06-21 |