JPH01104786A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH01104786A JPH01104786A JP26082487A JP26082487A JPH01104786A JP H01104786 A JPH01104786 A JP H01104786A JP 26082487 A JP26082487 A JP 26082487A JP 26082487 A JP26082487 A JP 26082487A JP H01104786 A JPH01104786 A JP H01104786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- electrode
- wafer
- lower electrode
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 72
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ドライエツチング装置に関し、特に半導体基
板上に形成された薄膜又は半導体基板を食刻するための
ドライエツチング装置に関する。
板上に形成された薄膜又は半導体基板を食刻するための
ドライエツチング装置に関する。
従来、この種のドライエツチング装置として、枚葉型（
同軸型）エツチャー′がある。枚葉型エツチャーの一例
を第３図に示す。エツチングチャンバー１内は排気ライ
ン７により高真空に引かれている。ガス入力ライン６よ
りエツチングチャンバー１内に入ったエツチングガスが
、外部電極５側に高周波電力をかけることにより、内部
電極４と外部電極５の間にてプラズマ化し、ステージ１
０上のウェハー８を等方性エツチングする。
同軸型）エツチャー′がある。枚葉型エツチャーの一例
を第３図に示す。エツチングチャンバー１内は排気ライ
ン７により高真空に引かれている。ガス入力ライン６よ
りエツチングチャンバー１内に入ったエツチングガスが
、外部電極５側に高周波電力をかけることにより、内部
電極４と外部電極５の間にてプラズマ化し、ステージ１
０上のウェハー８を等方性エツチングする。
エツチングによって発生した反応物は、排気ライン７よ
りエツチングチャンバー１外へ排出される。
りエツチングチャンバー１外へ排出される。
この他に異方性エツチングを行う装置として平行平板型
エツチャーがある。平行平板型エツチャーの一例を第４
図に示す。エツチングチャンバー１は排気ライン７によ
り高真空に引かれている。ガス入力ライン６よりエツチ
ングチャンバー１内に入ったエツチングガスが下部電極
２に高周波電力をかけることにより、上部電極３と下部
電極２の間にてプラズマ化し下部電極２近傍に発生する
セルフバイアスによりイオン化したエツチング種により
、下部電極２上のウェハーを異方性エツチングする。エ
ツチングによって発生した反忘物は排気ラインよりエツ
チングチャンバー外へ排出される。
エツチャーがある。平行平板型エツチャーの一例を第４
図に示す。エツチングチャンバー１は排気ライン７によ
り高真空に引かれている。ガス入力ライン６よりエツチ
ングチャンバー１内に入ったエツチングガスが下部電極
２に高周波電力をかけることにより、上部電極３と下部
電極２の間にてプラズマ化し下部電極２近傍に発生する
セルフバイアスによりイオン化したエツチング種により
、下部電極２上のウェハーを異方性エツチングする。エ
ツチングによって発生した反忘物は排気ラインよりエツ
チングチャンバー外へ排出される。
上述した従来の枚葉型（同軸型）エツチャーは、異方性
エツチングが行えないというという欠点がある。一方、
平行平板型エツチャーは異方性エツチングは可能である
が、等方性エツチングを行うためにはエツチングガス・
圧力・パワーを変更しなければならない欠点がある。さ
らに枚葉型（同軸型）エツチャーと平行平板型エツチャ
ーとでは、パワーと圧力の使用範囲が違っており、平行
平板型エツチャーで枚葉型（同軸型）エツチャーと同じ
エツチングを行うことは難しいという欠点がある。
エツチングが行えないというという欠点がある。一方、
平行平板型エツチャーは異方性エツチングは可能である
が、等方性エツチングを行うためにはエツチングガス・
圧力・パワーを変更しなければならない欠点がある。さ
らに枚葉型（同軸型）エツチャーと平行平板型エツチャ
ーとでは、パワーと圧力の使用範囲が違っており、平行
平板型エツチャーで枚葉型（同軸型）エツチャーと同じ
エツチングを行うことは難しいという欠点がある。
上述した従来の枚葉型（同軸型）エツチャーに対し、本
発明はエツチングチャンバー内に、異方性エツチングを
行うための上部電極３と下部電極２を有し、かつ等方性
エツチングを行うための内部電極４と外部電極５を有す
ることにより、同一装置において枚葉型（同軸型）のエ
ツチング特性と平行平板型のエツチング特性を有するこ
とができる相違点を持つ。
発明はエツチングチャンバー内に、異方性エツチングを
行うための上部電極３と下部電極２を有し、かつ等方性
エツチングを行うための内部電極４と外部電極５を有す
ることにより、同一装置において枚葉型（同軸型）のエ
ツチング特性と平行平板型のエツチング特性を有するこ
とができる相違点を持つ。
本発明のドライエツチング装置は、エツチングチャンバ
ー内に等方性エツチングを行うための内部電極と外部電
極を有し、かつ異方性エツチングを行うための上部電極
と下部電極を有している。
ー内に等方性エツチングを行うための内部電極と外部電
極を有し、かつ異方性エツチングを行うための上部電極
と下部電極を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。エ
ツチングチャンバー１内は排気ライン７によって高真空
（１０”Ｐａ以下）に引かれている。下部電極２上には
、被エツチング半導体基板例えばＰＲバターニングされ
た窒化膜付ウェハー８が乗せられている。ガス入力ライ
ン６より１ｓｔｅｐ目のエツチングガス（ｃ Ｆｓ ＋
ｏ□）ヲエッチングチャンパー１内に流し、エツチン
グチャンバー１内の圧力が１０〜１０２Ｐａ程度の設定
圧力に安定するまで待つ。
ツチングチャンバー１内は排気ライン７によって高真空
（１０”Ｐａ以下）に引かれている。下部電極２上には
、被エツチング半導体基板例えばＰＲバターニングされ
た窒化膜付ウェハー８が乗せられている。ガス入力ライ
ン６より１ｓｔｅｐ目のエツチングガス（ｃ Ｆｓ ＋
ｏ□）ヲエッチングチャンパー１内に流し、エツチン
グチャンバー１内の圧力が１０〜１０２Ｐａ程度の設定
圧力に安定するまで待つ。
エツチングチャンバー１内の圧力が安定した後、陽極側
の外部電極５に高周波電力（１３，５６ＭＨｚ、 １
００〜４００Ｗ）をかけると、内部電極４と外部電極５
の間でプラズマが発生し、このプラズマがウェハー８の
窒化膜を等方エツチングする。適量の等方エツチングが
終了した時間（数十秒）で外部電極５にかけた高周波電
力を切り、エツチングチャンバー１内のエツチングガス
（ＣＦ４＋Ｏ２）の流入をストップし、排気ライン７で
さらに高真空（１０−１Ｐａ以下）まで引く。次に２ｓ
ｔａｐ目のエツチングガス（ＣＦ’４＋Ｈ２）をエツ
チングチャンバーｌ内に流し、エツチングチャンバー１
内が１〜１０Ｐａ程度の設定圧力に安定するまで待つ。
の外部電極５に高周波電力（１３，５６ＭＨｚ、 １
００〜４００Ｗ）をかけると、内部電極４と外部電極５
の間でプラズマが発生し、このプラズマがウェハー８の
窒化膜を等方エツチングする。適量の等方エツチングが
終了した時間（数十秒）で外部電極５にかけた高周波電
力を切り、エツチングチャンバー１内のエツチングガス
（ＣＦ４＋Ｏ２）の流入をストップし、排気ライン７で
さらに高真空（１０−１Ｐａ以下）まで引く。次に２ｓ
ｔａｐ目のエツチングガス（ＣＦ’４＋Ｈ２）をエツ
チングチャンバーｌ内に流し、エツチングチャンバー１
内が１〜１０Ｐａ程度の設定圧力に安定するまで待つ。
エツチングチャンバー１内の圧力が安定した後、陰極側
の下部電極２に高周波電力（１３，５６ＭＨｚ・２００
〜８００Ｗ）をかけると上部電極３と下部電極２の間に
てプラズマ化し下部電極２に発生するセルフバイアスに
よりイオン化したエツチング種がウェハー８の窒化膜を
異方性エツチングする。ウェハー８の窒化膜が抜けきっ
たところで高周波電力を切り、エツチングガス流入をス
トップし、高真空（１０−’Ｐａ以下）に排気ライン７
で引く。その後、排気ライン７を閉じ、ガス入力ライン
６からＮ２を流してエツチングチャンバー１を大気圧に
する。大気圧になった後で下部電極２を下降させ、ウェ
ハー８をとり出す。次のウェハー８を下部電極２上にセ
ットし、下部電極２を上昇させエツチングチャンバー１
内を高真空（１０”Ｐａ以下）に引く。
の下部電極２に高周波電力（１３，５６ＭＨｚ・２００
〜８００Ｗ）をかけると上部電極３と下部電極２の間に
てプラズマ化し下部電極２に発生するセルフバイアスに
よりイオン化したエツチング種がウェハー８の窒化膜を
異方性エツチングする。ウェハー８の窒化膜が抜けきっ
たところで高周波電力を切り、エツチングガス流入をス
トップし、高真空（１０−’Ｐａ以下）に排気ライン７
で引く。その後、排気ライン７を閉じ、ガス入力ライン
６からＮ２を流してエツチングチャンバー１を大気圧に
する。大気圧になった後で下部電極２を下降させ、ウェ
ハー８をとり出す。次のウェハー８を下部電極２上にセ
ットし、下部電極２を上昇させエツチングチャンバー１
内を高真空（１０”Ｐａ以下）に引く。
この作業をくり返すことにより、１台のエツチング装置
で等方性エツチングと異方性エツチングを続けて行うこ
とが可能となる。等方エツチングにより形成されたテー
パー形状が、次にスパッタする配線例えばアルミのカバ
レジを向上し、アルミの断切れを防止する。
で等方性エツチングと異方性エツチングを続けて行うこ
とが可能となる。等方エツチングにより形成されたテー
パー形状が、次にスパッタする配線例えばアルミのカバ
レジを向上し、アルミの断切れを防止する。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。エ
ツチングチャンバー１内は排気ライン７によって高真空
に引かれている。下部電極２上にはエツチング用ウェハ
ー８が１０枚乗せられている。ガス入力ライン６よりエ
ツチングガスが流入し、内部電極４と外部電極５による
組合せで等方性エツチングが可能となり、上部電極３と
下部電極２の組合せで異方性エツチングが可能である。
ツチングチャンバー１内は排気ライン７によって高真空
に引かれている。下部電極２上にはエツチング用ウェハ
ー８が１０枚乗せられている。ガス入力ライン６よりエ
ツチングガスが流入し、内部電極４と外部電極５による
組合せで等方性エツチングが可能となり、上部電極３と
下部電極２の組合せで異方性エツチングが可能である。
エツチング方法については第１図の実施例と同様である
。この実施例では１度に１０枚のウェハーを処理するこ
とができるため、製品処理能力が優れている利点がある
。
。この実施例では１度に１０枚のウェハーを処理するこ
とができるため、製品処理能力が優れている利点がある
。
以上説明したように本発明は、等方性エツチングを行う
ための同軸電極（図番量４，５）と異方性エツチングを
行うための平行平板電極（図番量２．３）の４つの電極
を１つのチャンバー内に持つことにより、一つのエツチ
ング装置で、枚葉型の等方性エツチングと平行平板型の
異方性エツチングを行うことができる効果がある。この
ことにより製品の作業効率がアップし、装置の保有台数
も少なくすることができる効果がある。さらにウェハー
のエツチングチャンバーからの出し入れの回数が減るた
め、ベント時にウェハーに付着するゴミの低減にも効果
があるので、製品製造で歩留向上に寄与する。
ための同軸電極（図番量４，５）と異方性エツチングを
行うための平行平板電極（図番量２．３）の４つの電極
を１つのチャンバー内に持つことにより、一つのエツチ
ング装置で、枚葉型の等方性エツチングと平行平板型の
異方性エツチングを行うことができる効果がある。この
ことにより製品の作業効率がアップし、装置の保有台数
も少なくすることができる効果がある。さらにウェハー
のエツチングチャンバーからの出し入れの回数が減るた
め、ベント時にウェハーに付着するゴミの低減にも効果
があるので、製品製造で歩留向上に寄与する。
第１図は本発明の枚葉処理用ドライエツチング装置の断
面図、第２図は本発明のバッチ処理用のドライエツチン
グ装置の断面図、第３図は従来の枚葉型エツチャーの断
面図、第４図は従来の平行平板型エツチャーの断面図で
ある。 １・・・・・・エツチングチャンバー、２・旧・・下部
電極、３・・・・・・上部電極、４・・・内部電極、訃
・・・・・外部電極、６・・・・・・ガス入力ライン、
７・・・・・・排気ライン、８・・・・・・ウェハー、
９，９ａ、９ｂ・・・・・・高周波電源、１０・・・・
・・ステージ。 代理人 弁理士 内 原 音
面図、第２図は本発明のバッチ処理用のドライエツチン
グ装置の断面図、第３図は従来の枚葉型エツチャーの断
面図、第４図は従来の平行平板型エツチャーの断面図で
ある。 １・・・・・・エツチングチャンバー、２・旧・・下部
電極、３・・・・・・上部電極、４・・・内部電極、訃
・・・・・外部電極、６・・・・・・ガス入力ライン、
７・・・・・・排気ライン、８・・・・・・ウェハー、
９，９ａ、９ｂ・・・・・・高周波電源、１０・・・・
・・ステージ。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 異方性エッチングを行うための平行平板電極と、等方性
エッチングを行うための同軸電極を有することにより、
異方性エッチングと等方性エッチングを同一チャンバー
内で行うことを可能としたことを特徴とするドライエッ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26082487A JPH01104786A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26082487A JPH01104786A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01104786A true JPH01104786A (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=17353268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26082487A Pending JPH01104786A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01104786A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593539A (en) * | 1990-12-14 | 1997-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma source for etching |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP26082487A patent/JPH01104786A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593539A (en) * | 1990-12-14 | 1997-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma source for etching |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5783496A (en) | Methods and apparatus for etching self-aligned contacts | |
| JPH10256232A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0653176A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH07335570A (ja) | プラズマ処理における基板温度制御方法 | |
| JPH09223685A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| CN101300667A (zh) | 蚀刻方法以及蚀刻装置 | |
| JP3362093B2 (ja) | エッチングダメージの除去方法 | |
| JPH04132220A (ja) | プラズマテーパエッチング方法 | |
| JP2001156041A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
| JP3271373B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH09199484A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2900525B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4541193B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JPS584930A (ja) | ホトレジスト剥離方法 | |
| JPH08148468A (ja) | エッチング方法 | |
| KR20000061225A (ko) | 반도체소자의 트렌치 형성방법 | |
| JPH0666294B2 (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPH06181190A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000299306A (ja) | 誘導結合型プラズマエッチング装置 | |
| JP4778715B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
| JP2003519912A (ja) | エッチング及びアッシングフォトレジスト除去プロセス | |
| JPH03129821A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3018345B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0964017A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2003007690A (ja) | エッチング方法及び半導体装置の製造方法 |