JPH01105272A - プリンタの半導体レーザーの出力制御装置 - Google Patents
プリンタの半導体レーザーの出力制御装置Info
- Publication number
- JPH01105272A JPH01105272A JP26165787A JP26165787A JPH01105272A JP H01105272 A JPH01105272 A JP H01105272A JP 26165787 A JP26165787 A JP 26165787A JP 26165787 A JP26165787 A JP 26165787A JP H01105272 A JPH01105272 A JP H01105272A
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- Japan
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- semiconductor laser
- laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
狭五分立
本発明は半導体レーザービームプリンタ、例えばデジタ
ルコピー、レーザープリンタ、ファクシミリ等に関する
ものである。
ルコピー、レーザープリンタ、ファクシミリ等に関する
ものである。
l米狭歪
半導体レーザーと、該半導体レーザーの出力強度を検出
するフォトダイオード等の光検出手段と、該光検出手段
の出力信号を基準信号と比較する比較手段と、該比較手
段からの出力信号に応じて半導体レーザーの出力強度を
制御する制御装置とを有し、半導体レーザーの出力強度
を一定とするように制御する半導体ビームプリンタは知
られている。
するフォトダイオード等の光検出手段と、該光検出手段
の出力信号を基準信号と比較する比較手段と、該比較手
段からの出力信号に応じて半導体レーザーの出力強度を
制御する制御装置とを有し、半導体レーザーの出力強度
を一定とするように制御する半導体ビームプリンタは知
られている。
光検出手段からの出力に応じてレーザーに注入する電流
値を変えてレーザビームのパワーを一定にすることをパ
ワーチエツクと呼ぶ。
値を変えてレーザビームのパワーを一定にすることをパ
ワーチエツクと呼ぶ。
パワーチエツクは感光体に画像を形成しないときに、あ
る短い時間、レーザーを点灯した状態で行うのが普通で
あるがミ回路の構成や光学系のを効走査期間率によって
はレーザーを点灯した状態が画像形成のために感光体上
を走査する期間にまで及ぶことがある。パワーチエツク
が感光体が停止した状態で行われると、感光体の同一場
所に光が照−寸されることになり、感光体はレーザービ
ームが照射される場所において劣化現象を生じ、画像形
成時に白すじ或いは黒すじを発生するという悪影響を生
じる。
る短い時間、レーザーを点灯した状態で行うのが普通で
あるがミ回路の構成や光学系のを効走査期間率によって
はレーザーを点灯した状態が画像形成のために感光体上
を走査する期間にまで及ぶことがある。パワーチエツク
が感光体が停止した状態で行われると、感光体の同一場
所に光が照−寸されることになり、感光体はレーザービ
ームが照射される場所において劣化現象を生じ、画像形
成時に白すじ或いは黒すじを発生するという悪影響を生
じる。
亘負
本発明は上記の従来の問題点を解消し、半導体レーザー
ビームプリンタにおけるパワーチエツク。
ビームプリンタにおけるパワーチエツク。
による感光体劣化を解消する半導体レーザーの出力制御
装置を提供することを目的とする。
装置を提供することを目的とする。
構成
本発明は上記の目的を達成するために、光検出手段の出
力信号と基準信号とを比較する比較手段とは別に上限値
と下限値とを設定可能であり、前記光検出手段に接続さ
れ、該光検出手段からの出力が設定範囲内であるか否か
を示す信号を出力する第2比較手段を設け、該第2比較
手段の出力を制御装置に入力して第2比較手段の出力信
号に応じて半導体レーザーの出力強度を制御することを
特徴とする。
力信号と基準信号とを比較する比較手段とは別に上限値
と下限値とを設定可能であり、前記光検出手段に接続さ
れ、該光検出手段からの出力が設定範囲内であるか否か
を示す信号を出力する第2比較手段を設け、該第2比較
手段の出力を制御装置に入力して第2比較手段の出力信
号に応じて半導体レーザーの出力強度を制御することを
特徴とする。
本発明の構成及び作用の詳細を図に示す実施例に基づい
て説明する。
て説明する。
本発明の説明に先立ち従来の例を説明する。
第10図に示すレーザープリンタの例において、半導体
レーザー1より発生したレーザービームはコリメータレ
ンズ2により平行ビームにされ、回転多面鏡よりなる光
走査装置if3で偏向され、fθレンズ4により感光体
5の帯電された表面に結像され、その結像スポットが回
転多面鏡3の回転にしたがい矢印X方向に反復移動する
と同時に感光体5が回転する。
レーザー1より発生したレーザービームはコリメータレ
ンズ2により平行ビームにされ、回転多面鏡よりなる光
走査装置if3で偏向され、fθレンズ4により感光体
5の帯電された表面に結像され、その結像スポットが回
転多面鏡3の回転にしたがい矢印X方向に反復移動する
と同時に感光体5が回転する。
第1光検出手段6は情報書込領域外に設けられ、回転多
面鏡3で偏向されたレーザービームを検出して同期信号
を発生する。信号処理回路7は情報信号(ビデオデータ
)をレーザー駆動回路8に印加するが、そのタイミング
を第1光検出手段6からの同期信号により制御する。
面鏡3で偏向されたレーザービームを検出して同期信号
を発生する。信号処理回路7は情報信号(ビデオデータ
)をレーザー駆動回路8に印加するが、そのタイミング
を第1光検出手段6からの同期信号により制御する。
レーザー駆動回路8は信号処理回路7からの情報信号に
応じて半導体レーザー1を駆動し、情報信号で変調され
たレーザービームが感光体5に照射されて静電潜像が形
成される。この静電潜像は現像器で現像されて転写器で
記録紙等に転写される。
応じて半導体レーザー1を駆動し、情報信号で変調され
たレーザービームが感光体5に照射されて静電潜像が形
成される。この静電潜像は現像器で現像されて転写器で
記録紙等に転写される。
半導体レーザー1から後方に出射されるレーザービーム
は第2光検出手段9に入射して光強度が検出され、制御
回路10が第2光検出手段9の出力信号に応じてレーザ
ー駆動回路8を制御して半導体レーザー1の出力光量を
一定に制御する。半導体レーザー1より後方に出射され
るレーザービームを第2光検出手段9に入射して光強度
を検出する例を説明したが、この場合前記の通り、半導
体レーザー1のパッケージ内に封入された第2光検出手
段9を利用した場合に相当する。この方法では前方に出
射されるレーザービームの一部を第2光検出手段9に導
(方法のように、実際に利用できるレーザービームの光
強度を低下させることがないので有利である。
は第2光検出手段9に入射して光強度が検出され、制御
回路10が第2光検出手段9の出力信号に応じてレーザ
ー駆動回路8を制御して半導体レーザー1の出力光量を
一定に制御する。半導体レーザー1より後方に出射され
るレーザービームを第2光検出手段9に入射して光強度
を検出する例を説明したが、この場合前記の通り、半導
体レーザー1のパッケージ内に封入された第2光検出手
段9を利用した場合に相当する。この方法では前方に出
射されるレーザービームの一部を第2光検出手段9に導
(方法のように、実際に利用できるレーザービームの光
強度を低下させることがないので有利である。
前記レーザープリンタのレーザー駆動回路8と制御回路
10の詳細を示す第11図において、第2光検出手段9
により検出され、増幅器11により増幅されたレーザー
ビームの強度に比例した出力Vpdは比較手段12にお
いて基準電圧Vrefと比較され、その結果に応じて高
レベル又は低レベルの信号出力をする。Vpd<Vre
fのとき低レベル、Vpd≧Vrefのとき高レベルで
ある。
10の詳細を示す第11図において、第2光検出手段9
により検出され、増幅器11により増幅されたレーザー
ビームの強度に比例した出力Vpdは比較手段12にお
いて基準電圧Vrefと比較され、その結果に応じて高
レベル又は低レベルの信号出力をする。Vpd<Vre
fのとき低レベル、Vpd≧Vrefのとき高レベルで
ある。
比較手段12の出力が高レベルである場合、すなわち半
導体レーザーlの光出力Vpdが基準電圧V refよ
り大きい場合には、タイミング信号PCHKによりアッ
プダウンカウンタ14のカウント動作が許可されると、
アップダウンカウンタ14はダウンカウンタとして動作
する。
導体レーザーlの光出力Vpdが基準電圧V refよ
り大きい場合には、タイミング信号PCHKによりアッ
プダウンカウンタ14のカウント動作が許可されると、
アップダウンカウンタ14はダウンカウンタとして動作
する。
アップダウンカウンタ14の出力はデジタルアナログ変
換器15によりアナログ出力に変換され、その出力に応
じてレーザー駆動回路8から半導体レーザー1への電流
が変えられる。この場合半導体レーザー1の駆動電流が
減少し、増幅器11の出力電圧が低下する。
換器15によりアナログ出力に変換され、その出力に応
じてレーザー駆動回路8から半導体レーザー1への電流
が変えられる。この場合半導体レーザー1の駆動電流が
減少し、増幅器11の出力電圧が低下する。
比較手段12の出力が高レベルから低レベルに反転する
と、アップダウンカウンタ14のカウント動作を禁止す
る。
と、アップダウンカウンタ14のカウント動作を禁止す
る。
比較手段12の出力が低レベルである場合、すなわち半
導体レーザー1の光出力Vpdが基準電圧Vrefより
小さい場合には、タイミング信号PCHKによりアップ
ダウンカウンタ14のカウント動作が許可されると、ア
ップダウンカウンタ14はカウンタとして動作し、半導
体レーザーlの駆動電流が増加し、増幅器11の出力電
圧が上昇する。
導体レーザー1の光出力Vpdが基準電圧Vrefより
小さい場合には、タイミング信号PCHKによりアップ
ダウンカウンタ14のカウント動作が許可されると、ア
ップダウンカウンタ14はカウンタとして動作し、半導
体レーザーlの駆動電流が増加し、増幅器11の出力電
圧が上昇する。
光検出手段9の出力を基準電圧と比較し、比較手段12
の出力が高レベルと低レベルの間で反転した時点で光出
力を保持することにより、半導体レーザー1の保持電流
は常に一定となる。
の出力が高レベルと低レベルの間で反転した時点で光出
力を保持することにより、半導体レーザー1の保持電流
は常に一定となる。
比較手段11からの出力の高レベルと低レベルとの間の
変わり目を検出し、アップダウンカウンタ14のカウン
ト動作の許可或いは禁止する回路としてエツジ検出回路
15が設けである。アップダウンカウンタ14の出力信
号はD/Aコンバータ13を介してレーザー駆動回路8
に送られる。
変わり目を検出し、アップダウンカウンタ14のカウン
ト動作の許可或いは禁止する回路としてエツジ検出回路
15が設けである。アップダウンカウンタ14の出力信
号はD/Aコンバータ13を介してレーザー駆動回路8
に送られる。
前記の従来の装置ではパワーチエツク時にレーザーが感
光体上にまで及んで感光体を劣化させることは回避でき
ない。これはコピー動作をしない期間であるコピー待機
時にもコピー動作時と同じ頻度でパワーチエツクを行う
ことになるからである。又そのために半導体レーザーの
点灯時間が長くなり半導体レーザー自体の劣化にもつな
がる。
光体上にまで及んで感光体を劣化させることは回避でき
ない。これはコピー動作をしない期間であるコピー待機
時にもコピー動作時と同じ頻度でパワーチエツクを行う
ことになるからである。又そのために半導体レーザーの
点灯時間が長くなり半導体レーザー自体の劣化にもつな
がる。
本発明の半導体レーザー出力制御装置は第1図において
、半導体レーザー1のレーザービームは光検出手段9(
従来の第10図の第2光検出手段に対応する)により検
出され、増幅器11により増幅される。増幅器11によ
り増幅されたレーザービームの強度に比例した出力は第
1比較手段12とサンプルホールド回路16に入力され
る。
、半導体レーザー1のレーザービームは光検出手段9(
従来の第10図の第2光検出手段に対応する)により検
出され、増幅器11により増幅される。増幅器11によ
り増幅されたレーザービームの強度に比例した出力は第
1比較手段12とサンプルホールド回路16に入力され
る。
第1比較手段12の出力はレーザーパワーフィードバッ
ク回路18に入力され、サンプルホールド回路16の出
力は第2比較手段17において基準値Vrefを基に予
め設定された上限値及び下限値と比較され、第2比較手
段17の出力はパワーチエツク起動回路19に入力され
る。
ク回路18に入力され、サンプルホールド回路16の出
力は第2比較手段17において基準値Vrefを基に予
め設定された上限値及び下限値と比較され、第2比較手
段17の出力はパワーチエツク起動回路19に入力され
る。
パワーチエツク起動回路19の出力信号はレーザーパワ
ーフィードバック回路に入力される。
ーフィードバック回路に入力される。
レーザーパワーフィードバンク回路18はパワーチエツ
ク起動回路よりの起動信号に応じてレーザー駆動回路8
に制御信号を送る。パワーチエツク駆動回路にはコピー
動作/待機検知信号であるCGATE信号と画像形成期
間を示す信号であるFGATE信号が入力される。
ク起動回路よりの起動信号に応じてレーザー駆動回路8
に制御信号を送る。パワーチエツク駆動回路にはコピー
動作/待機検知信号であるCGATE信号と画像形成期
間を示す信号であるFGATE信号が入力される。
第2図には第1図の装置における各信号の関係を示す。
感光体ドラムが回転する間、例えば複写機ではスタート
ボタンを押してから次の複写が可能になるまでの期間を
CGATE信号のHレベルが示し、例えば3頁分の画像
形成を連続動作で行う場合には、 CGATE信号のH
レベルの間に特定サイズの画像形成期間を示すFGAT
E信号のHレベルが3回繰り返される。
ボタンを押してから次の複写が可能になるまでの期間を
CGATE信号のHレベルが示し、例えば3頁分の画像
形成を連続動作で行う場合には、 CGATE信号のH
レベルの間に特定サイズの画像形成期間を示すFGAT
E信号のHレベルが3回繰り返される。
パワーチエツク起動信号であるPCHK信号は1枚のコ
ピーが終わり、次のコピーを開始する間に出されてパワ
ーチエツクが行われる。
ピーが終わり、次のコピーを開始する間に出されてパワ
ーチエツクが行われる。
コピー動作時は半導体レーザー1の出力は光検出手段9
で光強度を検出され、増幅器11で増幅され、第1比較
手段12で基準電圧信号Vrefと比較され、レーザー
パワーフィードバック回if8により基準電圧信号V
refに近ずく方向に更生する信号がレーザー駆動回路
8に送られる。
で光強度を検出され、増幅器11で増幅され、第1比較
手段12で基準電圧信号Vrefと比較され、レーザー
パワーフィードバック回if8により基準電圧信号V
refに近ずく方向に更生する信号がレーザー駆動回路
8に送られる。
コピー待機時は各信号の関係は第3図に示す如くである
。第3図においてLSYNC信号はライン同期信号で、
第11図の第1光検出手段6に対応する光検出手段の出
力で回転多面鏡に同期する信号であり、BMI−信号は
半導体レーザー1の駆動信号であり、BMO信号は半導
体レーザー1の出力を検出する光検出手段9の出力信号
であり、RESET信号はサンプルホールド回路16の
サンプル期間を示す信号であり、5110信号はサンプ
ルホールド回路出力信号であり、ERR信号は第2比較
手段17の出力信号である。
。第3図においてLSYNC信号はライン同期信号で、
第11図の第1光検出手段6に対応する光検出手段の出
力で回転多面鏡に同期する信号であり、BMI−信号は
半導体レーザー1の駆動信号であり、BMO信号は半導
体レーザー1の出力を検出する光検出手段9の出力信号
であり、RESET信号はサンプルホールド回路16の
サンプル期間を示す信号であり、5110信号はサンプ
ルホールド回路出力信号であり、ERR信号は第2比較
手段17の出力信号である。
待機時にも常に第11図め第1光検出手段6にレーザー
ビームを当ててLSYNC信号を出力すると、BMI信
号は第1光検出手段6に当たる時点より少し前に点灯し
、検出後OFFになるような信号である。このBMI信
号により半導体レーザーがレーザービームを発し、光検
出手段9で検出される。
ビームを当ててLSYNC信号を出力すると、BMI信
号は第1光検出手段6に当たる時点より少し前に点灯し
、検出後OFFになるような信号である。このBMI信
号により半導体レーザーがレーザービームを発し、光検
出手段9で検出される。
サンプルホールド回路16ではBMI信号がHの期間に
各ライン毎に又は予め設定した複数ライン毎にBMO信
号をサンプルするようにRESET信号が入力されてい
る。サンプルホールド回路16の出力のSHO信号は第
2比較手段17において上限値と下限値の範囲内である
許容範囲を越えたか否かを判断され、越えたときはFR
R信号が出される。
各ライン毎に又は予め設定した複数ライン毎にBMO信
号をサンプルするようにRESET信号が入力されてい
る。サンプルホールド回路16の出力のSHO信号は第
2比較手段17において上限値と下限値の範囲内である
許容範囲を越えたか否かを判断され、越えたときはFR
R信号が出される。
このERR信号によりパワーチエツク起動回路19は待
機時におけるパワーチエツクを開始する。
機時におけるパワーチエツクを開始する。
待機状態では第2比較手段17の許容値を越えない限り
パワーチエツクは行われず、感光体及び半導体レーザー
の劣化が抑制される。
パワーチエツクは行われず、感光体及び半導体レーザー
の劣化が抑制される。
前記の待機状態のパワーチエツクによりレーザーパワー
は許容範囲内に保持され、コピー動作に入ったとき、す
ぐに安定した状態に移行することができる。
は許容範囲内に保持され、コピー動作に入ったとき、す
ぐに安定した状態に移行することができる。
第2比較手段17の具体的な構成は例えば第4図に示す
如(にすることができる。
如(にすることができる。
基準信号Vrefは第1加算器20により電圧上限値十
V、。と加算され、第1コンパレータ22に入力される
。基準信号Vrefは一方では第2加算器21で電圧下
限値−V8−と加算され、第2コンパレータ23に入力
される。サンプルボールド回路16の出力のSHO信号
はコンパレータ22.23に入力され、SHO信号がV
ref +V、、とV ref−V、の範囲内にあると
き、コンパレータ22.23は第5図に示すように高レ
ベルの出力をし、範囲外にあるときは低レベルの出力を
する。
V、。と加算され、第1コンパレータ22に入力される
。基準信号Vrefは一方では第2加算器21で電圧下
限値−V8−と加算され、第2コンパレータ23に入力
される。サンプルボールド回路16の出力のSHO信号
はコンパレータ22.23に入力され、SHO信号がV
ref +V、、とV ref−V、の範囲内にあると
き、コンパレータ22.23は第5図に示すように高レ
ベルの出力をし、範囲外にあるときは低レベルの出力を
する。
パワーチエツク起動回路19としては例えば第6図に示
すような回路が使用される。第7図は第6図における各
信号の関係を示すものである。第6図において、FGA
TE信号とクロック信号であるPCCLK信号とCGA
TE信号のAND出力としてPCHK 2信号が得られ
、PCCLK信号とCGATE信号とERR信号のAN
D出力としてPct(K 3信号が得られ、PC)IK
2信号とPCHK 3信号のOR信号としてパワーチ
エツクを一定間隔で行うためのクロック信号としてのP
CHK信号が得られる。
すような回路が使用される。第7図は第6図における各
信号の関係を示すものである。第6図において、FGA
TE信号とクロック信号であるPCCLK信号とCGA
TE信号のAND出力としてPCHK 2信号が得られ
、PCCLK信号とCGATE信号とERR信号のAN
D出力としてPct(K 3信号が得られ、PC)IK
2信号とPCHK 3信号のOR信号としてパワーチ
エツクを一定間隔で行うためのクロック信号としてのP
CHK信号が得られる。
待機時には第2比較手段17で定めた許容範囲を越えた
レーザー出力の場合にはERR信号がHになりPCHK
信号がレーザーパワーフィードバック回路18に入力さ
れ、パワーチエツクが起動し、レーザー信号を安定の方
向に修正する。レーザー出力が許容範囲内の場合はER
R信号はLになりPCHK信号は出されず、レーザーパ
ワーフィードバック回路ではそのときの出力をラッチし
て次のPCHに信号を待つ。
レーザー出力の場合にはERR信号がHになりPCHK
信号がレーザーパワーフィードバック回路18に入力さ
れ、パワーチエツクが起動し、レーザー信号を安定の方
向に修正する。レーザー出力が許容範囲内の場合はER
R信号はLになりPCHK信号は出されず、レーザーパ
ワーフィードバック回路ではそのときの出力をラッチし
て次のPCHに信号を待つ。
画像形成状態のときは画像形成領域外、つまりFGAT
E信号がH(FGATE信号がL)でありPCCLK信
号がHのときに出されるPCHに2信号がPCHK信号
としレーザーパワーチエツク回路18に送られパワーチ
エツクが起動する。これにより画像形成領域においては
パワーチエツクが起動することはない。
E信号がH(FGATE信号がL)でありPCCLK信
号がHのときに出されるPCHに2信号がPCHK信号
としレーザーパワーチエツク回路18に送られパワーチ
エツクが起動する。これにより画像形成領域においては
パワーチエツクが起動することはない。
第1図の変形として第8図に示すようにサンプルホール
ド回路16を省略し、BMI信号がHの期間のみ第2比
較手段17を働かせるようにすることもできる。第9図
は第8図の例における各信号の関係の一例を示すもので
ある。待機状態でもパワーチエツクの期間だけはレーザ
ーを点灯した状態に保っている。
ド回路16を省略し、BMI信号がHの期間のみ第2比
較手段17を働かせるようにすることもできる。第9図
は第8図の例における各信号の関係の一例を示すもので
ある。待機状態でもパワーチエツクの期間だけはレーザ
ーを点灯した状態に保っている。
四果
本発明によりレーザー光出力の許容範囲を設定し、その
範囲を越えた場合にのみパワーチエツクが行われるので
、待機状態で感光体が停止している際のレーザー点灯時
間を極力少なくすることができ、感光体及び半導体レー
ザーの劣化を抑制することができた。
範囲を越えた場合にのみパワーチエツクが行われるので
、待機状態で感光体が停止している際のレーザー点灯時
間を極力少なくすることができ、感光体及び半導体レー
ザーの劣化を抑制することができた。
第1図は本発明に係る半導体レーザー出力制御装置のブ
ロック図、第2図は第1図の装置による画像形成作動時
の各出力のタイムチャートの一例を示す図、第3図は第
1図の装置による待機状態における各信号のタイムチャ
ートの一例を示す図、第4図は第2比較手段の一例の回
路図、第5図は第4図の回路における入力と出力の関係
を示す図、第6図はパワーチエツク起動回路の一例の回
路図、第7図は第6図による各信号のタイムチャートの
一例を示す図、第8図は半導体レーザー出力制御装置の
変形例のブロック図、第9図は第8図による各信号のタ
イムチャートの一例を示す図、第10図は従来のレーザ
ープリンタの書込系のブロック図、第11図は従来の半
導体レーザー出力制御装置のブロック図である。 1・・・半導体レーザー 8・・・レーザー駆動回路9
・・・光検出手段 12・・・第1比較手段17・
・・第2比較手段 18・・・レーザーパワーフィードバック回路19・・
・パワーチエツク起動回路 第4図
ロック図、第2図は第1図の装置による画像形成作動時
の各出力のタイムチャートの一例を示す図、第3図は第
1図の装置による待機状態における各信号のタイムチャ
ートの一例を示す図、第4図は第2比較手段の一例の回
路図、第5図は第4図の回路における入力と出力の関係
を示す図、第6図はパワーチエツク起動回路の一例の回
路図、第7図は第6図による各信号のタイムチャートの
一例を示す図、第8図は半導体レーザー出力制御装置の
変形例のブロック図、第9図は第8図による各信号のタ
イムチャートの一例を示す図、第10図は従来のレーザ
ープリンタの書込系のブロック図、第11図は従来の半
導体レーザー出力制御装置のブロック図である。 1・・・半導体レーザー 8・・・レーザー駆動回路9
・・・光検出手段 12・・・第1比較手段17・
・・第2比較手段 18・・・レーザーパワーフィードバック回路19・・
・パワーチエツク起動回路 第4図
Claims (1)
- (1)半導体レーザーと、該半導体レーザーの出力強度
を検出する光検出手段と、該光検出手段からの出力信号
と基準信号とを比較する比較手段と、該比較手段の出力
信号に応じて前記半導体レーザーの出力強度を制御する
制御装置とを有するプリンタの半導体レーザー出力制御
装置において、前記比較手段とは別に、上限値と下限値
とを設定可能であり、前記光検出手段に接続され、該光
検出手段からの出力が設定範囲内であるか否かを示す信
号を出力する第2比較手段を設け、該第2比較手段の出
力が前記制御装置に入力され、該第2比較手段の出力信
号に応じて半導体レーザー出力強度を制御することを特
徴とするプリンタの半導体レーザー出力制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26165787A JPH01105272A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | プリンタの半導体レーザーの出力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26165787A JPH01105272A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | プリンタの半導体レーザーの出力制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105272A true JPH01105272A (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=17364952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26165787A Pending JPH01105272A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | プリンタの半導体レーザーの出力制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01105272A (ja) |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26165787A patent/JPH01105272A/ja active Pending
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