JPH01105556A - モジューラ・ウェーハ処理装置のためのスパッタ・モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明はモジューラ半導体ウェーハ処理装置において特
に使用に適したスパッタ・モジュールに関する。

背景技術 従来技術において、半導体ウェーハ処理装置は、一般的
に、一つの機能のみ、例えばスパッタ・コーティング、
エツチング、化学蒸着集を、又は限定された多機能を実
行′ｆご。

ウェーハカセットは、操作者により、いろいろな処理の
ため一つの装置から他の装置へと運ばれる。このことは
、ウェーハを移送の間にちりやガスに露出させることに
なり、更に各装置での真空排気のための時間を必要とす
る。

同じ真空環境下で多数の処理を組合せられる処理装置は
、その内部でウェーハを水平にしてワーク・ステーショ
ンの間を移送する機構を有していなければならない。他
方、スパッタ・コーティングは、ちりの付着を避けるた
めにウェーハを垂直にして実行した方が好適である。し
たがって、大きな多機能装置内のスパッタ装置は、ウェ
ーハを処理のため水平位置から垂直位置にそしてもとの
水平位置に移すだめの手段を必要となろう。

一般的に、スパッタ・コーティング装置は、その装置が
ウェーハを保持する支持装置を必要とし、そのため機械
的問題やちり源を生じさせるといった問題を有、してい
る。スパッタ源は、したがって、周期的に掃除をしな＋
（ればならない。多くの従来の装置においては、装置全
体が掃除の間大気にさらされなければならず、そのため
、スパッタ源の汚染という問題が生ずる。

ｌ乳ユｌ蝮 本発明の目的は、いろいろな処理のための多くのモジュ
ーラユニットが一つの真空環境のまわりに組み立てられ
たウェーハ処理装置を提供することである。

本発明の他の目的は、ウェーハを水平にして挿入でき、
垂直にしてコーティングできるスパッタ・モジュールを
提供することである。

更に、本発明の他の目的は、スパッタ・モジュールが、
ウェーハ支持装置を掃除している間に主要システムから
分離できるモジューラ半導体ウェーハ処理装置において
使用に適したスパッタモジュールを提供することである
。

良１Δ肌匹 以下の説明で明らかになる本発明のこれらの目的及び他
の目的、特徴並びに利点は、本発明−を二′」 簡単にいうならば、ウェーハを水平に受けとり、次にス
パッタ源に対面するように垂直に枢動するウェーハ保持
及び加熱装置を有するスパッタ・子ジュールに従うこと
により達成される。スパッタ・モジュールをシステムの
残部から分離ために弁が使用される。ヒータは汚染を避
けるために真空環境の外側に配置される。

本発明のこれら及び他の構成、並びに他の特徴は、以下
の詳細な説明及び本発明を限定するものでない好適実施
例や他の例を図示する添付図面により明らかになるであ
ろう。

好適実施例 各図面の各要素を通して参照符号が付されている。第１
図は本発明のモジューラ半導体ウェーハ移送及び処理シ
ステム１の一実施例の部分略示図である。モジューラ・
ウェーハ処理システムｌは、ウェーハーハンドラー及び
ロードロック・モジュール４００．ゲート弁モジュール
１００ｍ−１００１，移送モジニール２０（ｈ及び２０
０ｂ、処理モジュール３００ａ−３ＯＮ、並びに移送モ
ジュール２０Ｇａ　及Ｕ　２００　ｂを連結するパスス
ルー・モジューノｆ’ＳＯＯを含む。ウェーハ・ハンド
ラー及びロードロック・モジュール４００は一般的にい
っても圃面が矩形で、ロードロック・チェンバ４０Ｇの
外側、モジュール、４０６の内側は大気圧となっている
、制御された低粒子圧の環境はシステムのこの部分内で
与えられる。動作において、処理されるべき選択された
ウェーハが、ウェーハ・ハンドラー及びロードロック・
モジュール４０Ｇの半標準又は同等のウエーハカセッｌ
−４０２−４０３の選択された一つからウェーハ・ハン
ドラー４０５により装填される。そのハンドラー４０５
は選択されたウェーハをそのカセットからウェーハ・ア
ライナ−及びフラット・ファインダー４０１１へ、そし
て、ウェーハ４（Ｈからロードロック・チエ７ｚＱＩ１
６へ移送するものである。ウェーハはまた、処理検定ウ
ェーハのために受は取られたカセットから装填されても
よい。カセット４Ｇ＋は、ウェーハを処理後冷却し、他
のカセットの一つの中に配置できるように、又は薄膜モ
ニター４０９に１置できるようにするための貯蔵カセッ
トである。ウェーハカセット４０１−４０４は水平にた
いして僅かな角度、例えば７度だけ傾けられ、そのため
・カセット４０１−４０４内のウェーハの平坦な表面は
、これと同じ僅かな角度だけ垂直方向からずらされる。

これにより、ウェーハは、ウェーハをそれらカセット内
に収納しその中に保持するスロットに関して既知の方向
だけ傾けられることになる。選択されたウェーハをその
カセットからロードロック・チェンバ４０６の中に移送
する間、ウェーハはまずウェーハ・ハンドラー４０５に
よりウェーハ表面が垂直に保持されながらウェーハ・ア
ライナ−４０，８に移動される。

次に選択されたウェーハは、ウェーハの平坦な表面が水
平となり、その次に大気に開放されるロードロック４０
６の中に配置されるように回転させられる。次に、ウェ
ーハの平坦表面は、移送アーム２０１ｓによりウェーハ
をゲート弁モジュール１００ｓを通って移送モジュール
２００１の中に移送する間、水平に維持される。そのア
ーム２０１ａ’ｂ、＞　”」・− は、ウェーＩ−ｖ−をロードロツタ・チェンバ４０６に
置くため移送モジュール２００ａの入口／出口ポート２
１０及びゲート弁モジュール１００ａを通って伸長する
。移送モジュール２００ａには四つのポート２１０．２
１１．２１２及び２１３がある。ポートＮｏ、　２１１
及び２１２はゲート弁モジュールｆｏｏｌ、１００ｂ及
び１００ｃによってそれぞれ制御される。ポート２１１
及びそれに対応したゲート弁モジュール１００ｂは、移
送モジュール２００ａのチェンバ２１５を処理モジュー
ル３００！のチェンバ３０１！に接続する。同様に、ポ
ート２１２及び対応するゲート弁モジュール＋００１は
、移送モジュール２０Ｇ！のチェンバ２＋５を処理モジ
ュール３００ｂのチェンバ２０１ｂに接続する。移送モ
ジュール２００ａの内部チェンバＵＳは、在来のポンピ
ング機構（第１図に図示せず）により大気圧以下の選択
された圧力に維持される。チェンバ２１５が排気され得
る速度（率）を増加させるため、チェンバ２１５の寸法
は、チェンバ２１５の容積を最小化するため、アーム２
０！１に関して決定される。ウェーハをロードロック・
チェンバ（０６から取り出′テｊ：、°後、移送アーム
２１０！は移送チェンバ２１５から引きもどされ、ゲー
ト弁１００１は閉鎖される。次に、移送アーム２０１ａ
は、ウェーハを選択された処理ポート２＋１あるいは２
１２に、又は移送ポート２１３に与えるため選択された
角度だけ回転する。選択されたウェーハが処理ポート、
例えばポート２１１に与えられたとき、その対応したゲ
ート弁モジュール、例えば１００ｂ（これは、選択され
たウェーハをロードロック４０６から移送モジュール２
００ａのチェンバ２＋５の中に移す間、閉鎖されている
。）は制御システム（図示せず）により開放される。次
にアーム２０１ｇは、処理ポート、例えば、ポート２！
１及びその対応したゲート弁モジュール、例えば、モジ
ュール１００ｂを通って対応した処理チェンバ、例えば
対応した処理モジュール３００ａのチェンバ３０１１の
中に伸長する。次に、ウェーハは、第１図に示されては
いない手段により取り出される。

処理モジュール３００！及び３００ｂは、同様の動作が
その中で達成されるように同じものでもよく、また、こ
れらモジュールはその中で異なる動作が達成されるよう
に異なるものでもよい。いずれの場合においても、二つ
の処理モジュール３００ａ及び３００ｂをポート２１１
及び２１２並びにゲート弁モジュールｔｏｏｂ及び１０
０Ｃの各々を介して移送モジュール２００ａに接続し、
その移送モジュール２００ａを入口／出口ポート２１０
及び弁１００ａによりウェーハ・ハンドラー及びロード
ロック４００に接続することで、ウェーハの非連続処理
が可能となり、その処理量は連続処理システムよりも増
加する。ウェーハをウェーハカセットから移し、選択さ
れた処理モジュール内のウェーハを取り出すのに必要な
時間は、典型的に処理モジュール内でウェーハを処理す
るのに必要な時間よりも短い、したがって、第１のウェ
ーハが入力カセットから処理モジュール３００ａ及び３
００ｂの選択された一つの中に移されたとき、処理チヱ
ンバ３００ａ内の最初の処理期間の間に第２のウェーハ
をロードロック・チェンバ４０６から処理モジュール３
００ｂに移すことができる０次に移送アーム２０１ａは
、ポート２１１へと反転亡；−ウェーハが処理モジュー
ル３００ａ内で処理が完了するまで待機する。したがっ
て、その時間の実施的な部分の間、処理モジュール３０
０ａ及び３００ｈａで同時に処理が行われる。もし望む
ならば、処理モジュール３００ｂが、スパッタエッチの
クリーニングのだめの、又はスパッタリング以芥の処理
、例えば主要処理ステーションがスパッタ付着のために
使用されたとき化学蒸着によって金属膜を付着するため
の、前処理モジュールであってもよい。

次に、ウェーハはシステム１の残部処理チェンバ内で処
理されてもよい。移送モジュール２００！内に入口／出
口ポート２１３を設けることで、付加的な処理モジュー
ル３００ｃ及び３００ｄへの接続が可能となる。移送モ
ジュール２００ａはパススルーモジュール５００を介し
て同等の移送モジュール５Ｏｏｂ　（対応部分は同じ符
号が付されている）に接続されている。パススルーＳＯ
Ｏは移送モジュール２００ｓの入口／出口ポート２１０
に接続され、したがって、一つの真空チェンバが形成さ
れる。

７７＋−一・Ｊ アーム２０１ａにより支持されたウェーハを処理チェン
バ３００ｃ及び３００ｄの一つに移すことを望むときは
、ウェーハはパススルー・モジュール５００内のフラッ
ト・アライナ−５０１へと移される。

次に、ウェーハは移送モジュールＨ１ｌｂのアーム２０
０ｂに置かれ、アーム２０１ｂにより処理モジュール３
００ｃｍ３００ｃの選択された一つの中に対応するゲー
ト弁モジュール１００ｄ−１０Ｏｆを介して移送される
。ウェーハが完全に処理されたとき、それはそれが存在
した処理モジュールからロードロック・チェンバ４０６
へ、したがって選されたカセット（４０１−４０４）へ
移送アーム２０１！を介して、又は移送アーム２０１ｂ
、パススルー・チェンバ５ｔｔｔ及び移送アーム２Ｑｌ
ａを介して戻される。処理モジュール３００ｅは、それ
が任意的であり、モジュールを任意に加えられることを
示すため、破線で示されている。第１図に図示のシステ
ムは、ゲート弁１００【及び処理モジュール３００ｓを
、パススルー・モジュール５００と同等のパススルー・
モジュールで置換し、移送モジュール２０１１ｂを移送
モジュール２００ｂ　（これは対応する複数の処理チェ
ンバに順に接続される）と同等の移送モジュール（図示
せず）に接続することで線形に拡張させてもよい。第１
図に図示のシステム。

はまた、処理モジュール３Ｈａを、パススルー・モジュ
ールＳＯＯと同等のバススルｍ−モジュールにより置換
し、移送モジュール２００ｂを、対応した複数の処理チ
ェンバに接続される移送モジュール２００ｂと同等の移
送モジュール（図示せず）に接続することで非線形に拡
張させてもよい。

もし望むならば、任意の処理モジュール３００ｅはまた
、ウェーハ・ハンドラー及びロードロック・モジュール
４００と同等の第２のウェーハ・ハンドラー及びロード
ロック・モジュールによって置換させてもよい。第１図
の処理システムの形状により非線形処理が可能となる。

例えば、ロードロック４６に入るどのウェーハも、他の
どのような処理チェンバを通過することなく選択された
処理チエ、ンバへ移してもよく、どのウェーハも選択さ
れた処理チェンバから他のどの選択された処理チェンバ
へ又はロードロック・チェンバ４０６へどの中間処理チ
ェンバを通過することなく移してもよい。システム１の
移送アーム、ゲート弁、フラット・アライナ−及びロー
ドロック・チェンバの動作はマスク制御回路（図示せず
）により制御される。そのマスク制御回路は、典型的に
、ゲート弁が順序付けられるように作動され、そのため
、どの処理チェンバも他の処理チェンバと直接に連通す
ることはない。

したがって、そのシステムはダイナミックな完全分離を
達成する。システムｌにより余裕のでた非連続的処理に
より、特定の処理モジュールが非動作のとき、残りの処
理モジュールは連続した動作が可能となる。非連続処理
は、システムの残部が連続して動作している間に、置換
処理モジュール又は指定された処理モジュールの性能を
チエツクすることができる。例えば、モジュール３００
ｃの性能をチエツクすることを望むときは、カセット４
０４内に貯蔵されたモニタ・ウェーハは処理チェンバ３
００ｃの中に送られ、処理ざレコそしてカセット１■こ
戻してもよい。

チェ７ｚ＜３００ｅ内での地理の間、システムの残部は
製品ウェーハの処理を続ける。第２図は、第１図の半導
体ウェーハ移送及び処理システムの部分斜視図である。

特に、移送モジュール２００！のハウジングの形は、典
型的に円筒形で、円形トップ２９８、円形底２９６及び
円形トップ２９８と円形底とを連結する円筒壁を含む。

ハウジングは真空１−適したどの材料（例えばステンレ
ススチール）によって作られてもよい。各移送チェンバ
のポートはハウジングの拡張部により画成される。その
ハウジングは内部チェンバ２１５からハウジングの内部
に伸びる水平スロットを形成するものである。例えばポ
ート２１Ｇ　（第１図）。

は第２図のように、ハウジング２９９１の拡張部により
画成される。

第３図は、本発明のウェーハ移送及び処理の第２の部分
略示図である。ウェーハ移送及び処理システム２は、入
口ウェーハ・ハンドラー及びロードロック・モジュール
４Ｇ為、出口ウエー；；ｌ−タ ハ・ハン下う−及（／１１−１’ロツク・モジュール４
０ｂ、移送モジュール！Ｇａ及び２０ｂ、ゲート弁モジ
ュール１０ｉ−１０１，並びに処理チェンバ３０ｂ。

３０ｃ、　３０ｆ及び３１１ｇを含む。ウェーハ・ハン
ドラー及びロードロック・モジュール４０ｓは、第１図
に図示したウェーハ・ハンドラー及びロードロック・モ
ジュール４１１０と同じものである。移送モジュール２
０ｓは、移送モジュール２０１の内部２３１をモジュー
ル２０ａの外部に連通ずるためのポート２１ｘ−Ｈｄを
有する真空チェンバを含む。ポート２１ｓ−Ｈｄはゲー
ト弁モジュールｌ０ｉ−鳳Ｏｄにより開閉される。移送
モジュール２０ｓは、同等の移送モジュールｆａｌｌに
７ラツト・アライナ−５０ａを介して連結され、したが
って、第３図には示されていない在来のポンピング手段
により排気される一つの真空チェンバを形成する。フラ
ット・アライナ−５Ｏｉは、ウェーハを所望の回転方向
に位置付けする適切な手段で置換されてもよい。移送モ
ジュール２３ｂには四つのポート２１為−２１ｈがあり
、それらは、ゲート弁モジュール１ｅｅ−１０ｈにより
（ＦＬぞれ開閉される。反応イオンエッチ・モジュール
３０ｃの内部３１ｃは、ポートＨｃ及び２１ｈを介して
、移送モジュール２０ｇの内部チェンバ２３ｓ及び移送
モジュール２０ｂの内部チェンバ２３ｂにそれぞれ連結
される。それらポートはゲート弁モジュール１０ｃ及び
ｌＯｂによりそれぞれ制御される。同様に、スパッタ・
モジュール３０ｂの内部チェンバ３１ｂが移送モジュー
ル２０ａ及び２０ｂの内部チェンバ２３ａ及び２３ｂと
ポート２１ｂ及び２１ｅを介してそれぞれ連通する。そ
れらポートはゲート弁モジュールによりそれぞれ制御さ
れる。ゲート弁モジュールｌｅｇにより制御されるポー
ト２１ｇは移送モジュール２０ｂの内部チェンバ２３ｂ
を化学蒸着モジュール３０ｇの内部チェンバ３１ｇに連
結する。ゲート弁モジュール１０【により制御されるポ
ー）　２１ｆは移送モジュール２Ｑｂに内部チェンバ２
３ｂを急速焼戻しモジュール３０ｆの内部チェンバ３目
に連通ずる。マスク制御器６０は、標準通信バス６１を
介して、各処理チェンバ制御器Ｐと通信し、入口モジュ
ール４０ｉ及び出口モジュール４０ｂ並びに操作制御パ
ネルと通信する。

動作において、選択されたウェーハは、ウェーハ・ハン
ドラー（第３図に図示せず）により入口モジュール４Ｏ
ｓ内の選択されたウェーハカセット（第３図に図示せず
）からフラット・ファインダーＳｏｂに移され、したが
って第１図のロードロツタ・チェンバ４０６と同じもの
であるロードロック・チェンバに移される。移送モジュ
ール２０１の移送アーム２１ｃはゲート弁モジュール１
．Ｏｇにより開閉されるポート２１ｄを介してロードロ
ック・チェンバ４６易の中に伸長する。次に選択された
ウェーハは、その次に移送モジュール２０ｓの内部チェ
ンバ１３１の中に引き込む移送アーム２０１ｃ上に装填
される。次に、アーム！Ｏ１ｅは所定に角度だけ回転し
、その選択されたウェーハ、をポートＨｃ若しくは２１
ｂ、又はフラット・ファインダー５０ｓに差し出す。フ
ラット・ファインダー５０ｓから移送アーム２０１ｄへ
装填されたウェーハは次は、移送アーム２０１ｄによっ
てチェンバ２３１１の中に戻され、所定の角度だけ回転
させられ、選択されたポート２１ｇ又は２１ｆへと差し
出される。次に選択されたポートを制御するゲート弁モ
ジュールはそのポートを開放し、移送アーム２０１ｄは
第３図には示されていない手段により取り出されるとこ
ろの選択された処理モジュールの内側チェンバの中に伸
長する。フラットの向きがウェーハ又は円形対称の基板
に対し不要であるとき、ウェーハ又は基板は移送アーム
２０１ｃから処理チェンバ３１ｃ又は処理チェンバ３１
ｂの中にそれぞれゲート弁１０ｃ及びｌｅｅを介して移
送され、そしてそこからそれぞれのゲート弁１０ｋ及び
ｌｅｅを介してフラット・ファインダー５０１を迂回し
て移送アーム２０１ｄへ移送され得る。

ウェーハが完全に処理されたとき、ウェーハはウェーハ
が配置され出口ポート２１！へ戻される処理モジュール
に関して動作する移送アーム上に装填される。処理モジ
ュール内のウェー７１に対しては、このことは移送アー
ムＲｏｌｅを処理チェンバから引き戻し、続けてその次
にゲート弁・モジュール１１０＆によって制御−きｈる
ポート２１ａを通り、ロードロック・チェンバ４１ｉｂ
の中へと伸長する移送アーム２０１ｃを回転させること
により達成される。処理モジュール３０ｇ又は！Ｏｆ内
のウェーハに対しては、ウェーハはまず移送アーム２Ｇ
１ｄへそしてそのアーム２０１ｄからアーム！（ｌｌｃ
ヘフラット・ファインダー５０ｓを介して移される。

半円状アーク２５は、第３図に示されたシステムが移送
モジュール２０ｂと似た第３の移送モジュールを半円状
アーク２５のところに位置したフラット・ファインダー
に隣接させることで拡張し得ることを示す。第３図の実
施例に示されたモジュールは交換性があり、システムは
モジュールを組合せることで所望に構成され得る。第３
図に示されたシステムは第１図に示されたシステムと同
様に非連続処理についての利点を有する。第３図に示さ
れたシステムは、移送アーム２０１ｄが４つの処理ポー
トに対して動作し、移送アーム２１１１ｅが２つの処理
ポート並びに入口及び出口モジュールの両方に対して動
作するというように多少柔軟性がある。もし望゛ｄなら
ば、出口モジュール４’ｌａは入口及び出口モジュール
の両方として動作してもよく、出口モジュール４１ｂは
処理モジュールにより置換されてもよい。

同様に、もし望むならば、どの処理モジュールも出口モ
ジュールにより、又は入口モジュールにより置換されて
もよい。

特に好適なウェーハ・ハンドラー及びロードロック・モ
ジュール４００　（第１図）の実施例において、３又は
それ以上ウェーハのカセットが、高速な処理やウェーハ
ガス抜きを助長するため真空になった個々のロードロッ
クの中に装填される。第４図に示されているように、カ
セット４ｔＢ、４０４及び４０６はロードロック４０１
．４１０及び４Ｂの中にそれぞれ示されている。カセッ
トはクリーンルームからドア４１４．４１１ｉ及び４１
８を通ってロードされる。これらロードロック・チェン
バは適切にポンピング手段（図示せず）により下から排
気される。適切なレベルの真空が達成されたとき、弁Ｎ
ｏ、　４２２又は４２４（暗示的に示されている）は、
ウェーハがカセットからつ工−ハ・ロードロック・ハン
ドリング・チェンバ４１６の中へと移動できるように開
放されてもよい。チェンバ４２６内で、ハンドリング・
アーム駆動機構４２１がトラック４３Ｉｌ上に取り付け
られている。そのハンドリング・アーム駆動機構４２８
は、ロードロック・チェンバ４１Ｈ，４１０，４Ｂの各
々と整合すようにトラック４３１１にそって移動させて
もよい。２片アーム４３２がハンドリングアーム駆動機
構４２３の上に取り付けられ、それにより駆動される。

アーム４３２は、ウェーハをカセットから取り出し又は
ウエーノ翫をカセットに戻すために弁４２０．０２．４
Ｈのいずれか一つを通って到達するように使用される。

カセットが静止するテーブルの下のエレベータ（図示せ
ず）がカセットを上下動させ、アームが各カセット内の
いろいろなウェーハに到達できるように使用されている
。アーム４３２は、ウエーノ１がシステムの他のウェー
ハ・ハンドリング装置によって取り出されるところの静
止テーブル−。

４３４ヘウエーハを移動させるために使用さ泊尋る。ア
ーム４３２により取り出れた熱いウェーハは、そのウェ
ーハがカセットに戻される前に冷却され得るように貯蔵
カセット４３６又は４３８へ移動させ得る。

本発明の重要な特徴は、同心のウェーハ方向付装置がハ
ンドリング・アーム駆動機構４２３の中に組み込まれて
いることである。テーブル４３６は、ハンドリング・ア
ーム駆動機構４２８をハンドリング・アーム４３２に連
結する軸と同心の軸（図示せず）にある。この配置は第
５図に示されている。ウェーハがアーム４３２によりテ
ーブル４３６上に置かれる。テーブル４３６は、ウェー
ハ端が光放出器４３８と光検出器４４Ｇとの間を通過す
るように回転する。ウェーハ端が光ビームを通って回転
すると、中央コンピュータがウェーハのセントロイドや
フラットの位置を計算できるような回転角の関数として
の光強度変化の情報が与えられる。次に、コンピュータ
はフラットと整合し、そして、ウェーハをテーブル４ｈ
上にセットするための真中心についての情報を記憶する
。ウェーハが通過するモジュール５８０はまた、フラッ
ト・アライナ−５０１内で上述したのと同じ回転フラッ
ト整合線を利用できる。

光放出器４３８及び光検出器４４０は前述したようにウ
ェーハを整合できる光強度情報を提供するために使用さ
れる。

上述の説明は説明を簡単化するために四角形に限定しで
ある。しかし、移送モジュールの基本的形は方面形ある
いは方面形、又は必要ならばより複雑な偶数面形とする
ことができる。より複雑な形状に対しては、処理モジュ
ールはより小さくしなければならず、移送モジュールは
より大きくしなければならない。

本発明を実施したスパッタ・モジュールが第６−１０図
に詳細に示されている。そのスパッタモジュール８００
は、真空シーリング手段を有するフランジ及び適切なボ
ルト又はファスナーによりゲート弁６（Ｈに取り付けら
れている。ゲート弁６０２の反対側は同様に移送モジュ
ール２０ｓ又は２００！と同様の移送モジュール６０４
に耐真空シールを使って取り付けられる。スパッタ・モ
ジュール６０Ｇの外側耐真空ハウジング６０６が支持フ
レーム６０８に取り付けられている。真空ハウジング６
０６の内側がクライオポンプ主要部６１Ｇ及びクライオ
ボング膨張器６１２により排気される。

真空ハウジング６０６の内側に開いたクライオポンプ主
要部６１．０の開口は、空気式駆動器６１６又はソレノ
イドのような他の適切な駆動手段により駆動される軸に
取り付けられたシーリング７ランジ６Ｈによって密封さ
れ得る。駆動器６！６はウエストミンスタ（ＮＧ）のＣ
ｏｍｐｘｃｔ　Ａｉｒ　Ｐｒｏｄｕ−ｃＬｓ　Ｉｎｃ、
社製［モデルＡＲ−５Ｘ（７／２）］の直径５インチの
空気シリンダーとすることができる。

米国特許第４，５６９，７４６号、第４，５９５，４８
２号、第４，５９５；４１２号、第４．６Ｎ、８０６号
、第４．６０，９０４号、第４，６５７，６５４号、第
４．６６１，２２８号に示されたＶａｒｉｓｎ　Ｃｏｎ
ｍＢ　（商標）のようなスパッタ源６１８がゲート弁６
０２に取り付けられた真空ハウジング６０６の端の反対
端に取り付けられている。

第７図に示されたシャッタ…は位置Ａで閉じ、位置Ｂで
開く。シャッタ６２０は、ウェーハを交換している間、
装置及びウェーハをスパッタ源からシールドするために
使用するものである。ウェーハ交換動作中にスパッタ源
６１８を完全に停止することは望ましくない。むしろス
パッタ源のパワーは、そのスパッタ源が通常のパワーの
何分の−かで動作し続くとともに、シャッタ６２０が交
換サイクルの間は閉じることで縮小させる。シャッタＨ
Ｄは、ナシュラ・（ＮＨ）のＦｓｒｒｏｆｌｕｉｄｉｃ
ｓ　Ｃｏｒｐｏｒａ目＠ｎ社製のモデル５Ｇ−Ｃ−１０
３−１９１のような回転真空シール（図示せず）を使い
、７オート・ウニイン（ＩＮ）のＰＨＤ１＋ｃ、社製の
モデルトＩｌ１１−ｌ−１０−Ｐ−Ｄ−Ａ−のような空
気式作動器（図示せず）により駆動される軸に取り付け
られている。

本発明の重要な特徴の一つは、ウェーハの装填、処理、
取り出しの取り扱い及び操作である。

処理の間、ウェーハをそのウェーハの背後から最適な平
坦化コーティングを達成するために加熱することが望ま
しい。さらに、ウェーハは、移送モジュール６０４から
ゲート弁６１Ｎを通って受は取られたとこをの水平位置
からスパッタ源６１８の正面の垂直位置に、そしてその
次に移送モジュールへ戻るための水平位置に戻るように
操作されなければならない。加熱及び過熱（ｓｘｃｅｓ
ｓ　ｂｅｓＬ）の複雑な条件、並びにウェーハの取り扱
い操作に必要とされる複雑な運動のため、ウェーハ・タ
ーンテーブル６３０が設けられている。

ウェーハ・ターンテーブル６３０の詳細は第９−１０図
に示されている。ウェーハ６３２は、移送モジュール６
０４の操作アームにより第６及び第８図に示されている
ようにターンテーブル６３０上の水平位置Ｃに置かれる
。ウェーハ６３２は次に、ウェーハ６３２が載ったター
ンテーブルが第６図に示されているようにスパッタ源に
面する垂直位置に至るように、一対のトラニオン６３４
を中心に回転する。ゲート弁６０２は閉じ、シャッタ６
４０はスパッタ動作の開始のため開く。所望の層が付着
された後、シャ゛ツタ６２０は閉じ、スパッタ源６１８
のパワーは縮小され、ターンテーブル６３０はウェーハ
６３２を取り出すための水平位置へと回転する。トラニ
オン６３４は、ナシュラ（ＮＨ）のＦｅｒｒｏｆｌｗｉ
ｄｉｃｓ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製のモデル５ｏ−
ＤＩＤ−３３２０のような市販の回転可能な真空シール
を含む。トラニオン６３４は、その内径が約３７２イン
チの中空で、ワイヤとともにターンテーブルも３６の内
側に乾燥した窒素又は空気のような冷却ガスを送り、ま
た冷却水の管やアルゴンガスの管を備えている。

第９−１０図において、ウェーハ６３２がヒータ要素６
３８によって背後から加熱される金属製のヒータテーブ
ル６３６上に取り付けられているのが示されている。ヒ
ータテーブル及びスパッタ源に面した他の表面の好適な
材料はタイプ３０４ステンレススチールである。スパッ
タリンク処理と適合するアルゴン又は他のガスが、トラ
ニオン６３４を通すヒータテーブル６３６の背後に至る
管により運ばれる。そこで、ガスがヒータテーブル６３
６にある小さな溝を通ってウェーハ６３２とヒータテー
ブル６３６の面との間の小さな空間に注入される。アル
ゴンガスは、ヒータテーブルとウェーハの背面との間で
熱伝導を行うのである（この点については、Ｖｓｒｉｔ
ｎ社に譲渡された米国特許第４，５１２，３９１号に記
載されている。）水冷ライン６４０がヒータテーブル６
３６の外側周囲を支持している支持７ランジ６４２に取
り付けられている。支持フランジ６３６は外側管６４６
に順にシールされる外側絶縁体６４４にシールされてい
る。これ及び説明すべき他の絶縁体の好適な材料は、真
空の環境下で熱及びＲＦに耐えるため、ＡＬ、０．であ
る。外側管６４６はベース・プレート６４８にシールさ
れている。ヒータテーブル６３６、支持７ランジ６４２
、外側絶縁体６４４、外側管６４６及びベース・プレー
ト６４８は一緒になって内部容積６５０を画成するシー
ルされた容器を形成する。内部容積６５Ｑ内で、内側絶
縁体６５２の一端がヒータテーブル６３６の背面にシー
ルされている。内側絶縁体６５２の他端は内側管６５４
の一端にシールされている。内側管ｅ　ｓ′４”Ｅ１ｍ
端はベース・プレート６４８にシールされている。内側
絶縁体６５２及び内側管６５４は部分的にくり抜かれ、
軸線方向の容積６５Ｇのまわりを囲む。

外側絶縁体６４４及び内側絶縁体６Ｎは、ヒータテーブ
ル６３６どスパッタリング・モジュール１１００の残部
との間で電気的及び熱的絶縁を形成する。

これにより、ヒータテーブル６３６を、装置全体を加熱
することなく有効に加熱でき、ウェーハに対してその目
的に適したＤＣ及びＲＦ電圧でバイアスをすることがで
きる。

本発明にしたがった装置が熱の取り扱い及び運動に対す
る“矛盾する要件をどのように解決するかを理解するに
は、ターンテーブル装置内の圧力について説明する必要
がある。ヒータ要素、６３８から逃げる廃熱は水冷ライ
ン６４Ｇにより完全に放散できない。内部容積６５０は
大気圧に維持され、トラニオン６３４の中空の中心を通
って流れる乾燥した窒素又は空気で冷却される。その容
積６５０の形は、内側絶縁体６５２及び内側管６５４が
ヒータテーブル６３６及びベース・プレー１−ａ４ｇに
シールされ、そのため軸線方向の容積６５６が内側容積
６５０から分離されているので、トロイドとなる。軸線
方向の容積６５６は、真空ハウジング６０６の内側の真
空域にいろいろな通路により接続されている。したがっ
て、真空の軸線方向の容積６５６を大気圧の内側容積が
囲み、その内側容積を真空のハウジング６０６が囲みそ
のハウジングのまわりには大気圧がかかっている。

３つ又はそれ以上のウェーハ・ハンドリング・クリップ
６６０が、２つ又はそれ以上のクリップ・ロンドロ６４
に取り付けられたクリップ・リング６６２上に支持され
ている。クリップ・リングはリングシールドロ６６によ
ってスパッタ材料から保護されている。ロッド６６４は
外部の力を必要とせずにウェーハがヒータテーブル６３
６にクリップにより保持されるように、バネ６６８によ
り偏倚されている。外部力がクリップ・ロッド６６４の
外端６７０に印加するとき、クリップ・リング６６２は
上昇し、シｔ；がってクリップ６６Ｇが上がリ、ウェー
ハが解放される。軸方向の容積６０の中心にあるセラミ
ックロッド６７２がヒータテーブル６３６の後にある受
は台６７４に取り付けられている。・少なくとも三つ、
好適には六つのピン６７６が受は台６７４上に取り付け
られ、ヒータテーブル６３６上の穴を電通している。ピ
ン６１６は小さく、ヒータ要素６３８と接することがな
いように間隔があけられている。セラミックロッド６７
２は外部の力が存在しないときに、ピン６７６がヒータ
テーブル６３６の中に完全に引き込まれるように、バネ
６１８により偏倚されている。セラミックロッド６７２
がその外側端６８０から押されると、ピン６７６は、ウ
ェー／１６３２をヒータテーブルから押して離すように
持ち上がり、これにより移送モジュール６０４かもの操
作アームがウェーハの下に滑入できる空間が形成される
。ヒータテーブルの中に、温度をモニターし、制御する
ために熱電対６８２が設けられている。

第６図に示されているように、トラニオン６３４がし／
＜−６９０に取り付けられている。そのレバーはウェー
ハのターンテーブル６３０を回転するために空気式の駆
動１１６Ｈによって駆動される。

空気式駆動器６９２は、例えばフォート・ウニイン（Ｉ
Ｎ）（モデルＴｏｎ　Ｔｈｕｍｂ　ＴＤＫ−［１１／８
］Ｘ　６−ｘ−ｍ）のＰＨＤ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
社製のストロークが６インチの空気シリンダであっても
よい。

作動器６９４は二つの空気式駆動器６９６．６９８を含
む。駆動器の各々は、ウエストミンスク（ＳＣ）にＣ＋
ｍｐｓｃｔ　Ａｉｒ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社製のモデルＡ
Ｓ−［９／８１ｘ　［５／４］である。作動器６９４は
、原則として電磁式でも空気式でもよい。しかし、その
動作はゆっくりで円滑なものが望ましい。したがって、
特に好適例において、作動器は空気式が、又は流体制動
で電気的に駆動されるものである。°駆動器６９６はセ
ラミックロッド６７２の外端６８０を押しつけ、駆動器
６９ｇは、クリップロッド６６４の全ての外端６７０を
順に押しつけるプレートｙｏｏを押しつける。

駆動器６９４は、ターンテーブル６３Ｇの表面が水平値
にある間、操作アームがウェーハを取り除くことができ
′−６ようにウェーハ解放及び上昇を制御する。ターン
テーブルに新しいウェーハが装填された後でターンテー
ブルが回転する前に、作動器６９４の駆動器６９６，６
９１は引き戻り、バネ６６８はウェーハを保持するため
クリップを偏倚する。

アルゴンの不活性ガスが、第１０図に示されているよう
に、ヒータテーブル６３６の背にあるコネクタ７０２に
管により送られる。加熱ガスは内側溝７０４を通ってヒ
ータテーブル６３６の表面の出口穴へ送られる。好適実
施例において、ヒータテーブル６３６の外直径の近傍に
１２個の出口穴７（Ｈがある。出口穴７０６は第９図に
示されているように溝７０８と相互連結されている。

クリップ６６０はセラミックリング７１０に取り付けら
れ、クリップ６６０により偏倚電圧がアースに矩形しな
いようにしている。リングシールドロ６Ｇのようないろ
いろなシールドが、スパッタ源６１にのスパッタ材料が
セラミックリング？１０のようにクリーンにすることが
困難な表面上にスパッタしないように便°用′されてい
る。

不所望のスパッタリングやスパッタエツチングもまた、
電位の違いや高動作温度により内側部分間で生ずる。内
側シールド７１２．１目は支持フランジ６４２とクリッ
プロッド６６４との間における不所望のスパッタリング
衝突を減少させる。

絶縁体シールド７１〜６は内側絶縁体６５２内に納めら
れる。冷却ライン？１１がシールド７１６を冷却するた
めに使用され、これにより、内側絶縁体６５２は適正な
動作温度・に維持され、ヒータ要素６３３からシールド
される。内側絶縁体６５２は二部品から成り、その一部
品はシールド？＋６で覆われ、他の部分は覆われていな
い。それら部品はスナップリングＮＯにより一緒にされ
、０リング７２２により耐真空にされる。リングシール
ドロ６６はネジ１！４により保持され、そのネジはネジ
のスロットをふさぐために曲・かった小さなシールドＨ
ｌｉにより覆われている。

水平位置にあるウェーハ上でウェーハと中心が一致した
ハウジング６０６の上部にウエーハプａ−７’７３０が
取り付げられている。ウェーハプローブ７３０はウェー
ハをスパッタリング後にクリップ６６０から引き離すこ
とを補助する。ストロークが３インチの空気シリンダ７
３２（ウエストミンスターＳＣのＣｏａ＋ｐａｃｔ　Ａ
ｉｒ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社製（モデルＡＲ−（９／８）
ｘ　３　）が１．クリップが持ち上げられる前に、グロ
ーブ７３０の先端をウェーハ６３２の表面から＋１．０
５０インチ以内まで下げるために使用される。

ウェーハ６３２がスパッタ材料によりクリップ６６０に
くっつくと、ウェーハ６３２がプローブ７３０の先端に
ぶつかって離されるまで、クリップ６６０が上昇すると
ウェーハ６３２も上昇する。プローブ７３０の先端は、
伸縮自在で、ウェーハ表面の外周と接する複数のプラン
ト（ｂｌｕｎｔ）　７　インガー７３４の形をなした３
０４ステンレススチール製のものでもよい。

この発明が使用するウェーハ取り扱いターンテーブルの
内部は、前述したように真空となった中心部を除き大気
圧となっている。これにより、ヒータ要素、熱電対、水
冷却Ｊ゛ワイヤびアルゴンガス鉛管をガスクリーニング
を行える大気圧下におくことができる。しかしながら、
ターンテーブルは、持上げピンのための受は台機構をシ
ールするための可動ベローを必要としない。ヒータ要素
は大気圧下にあるので、ヒータ要素は、標準的電気結線
を有する安価電気ストーブタイプのヒータとすることが
できる。ヒータ要素はまた、その要素がヒータテーブル
のところに熱を集中することを助長するために真空下に
なるので、繊維絶縁体でその一面について覆うことがで
きる。ヒータテーブルの背面にある熱電対もまた大気圧
下にある。このことは、ヒータテーブルと熱電対との間
に熱伝導が良好となるので、より正確な温度測定を可能
にする。

本発明は、前述の好適実施により限定されるものではな
く、また特許請求の範囲によりその特徴が要約される本
発明の思想及び範囲から逸脱することなく、機械的及び
電気的に同等な要素を含めて変形、変更することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明にしたがったシステムの一実施例の部
分暗示平面図である。 第２図は、第１図のシステムの部分斜視図である。 第３図は、本発明にしたがったシステムの第２の実施例
の部分暗示平面図である。 第４図は、本発明にしたがったロッドロック・モジュー
ルの好適実施例の暗示平面図である。 第５図は、第４図のウェーハ・ハンドリング及びアライ
ナ−の斜視図である。 第６図は、本発明にしたがったスパッタ・コーティング
・モジュールの側面図である。 第７図は、第６図の線ワークにそった第６図のスパッタ
・コーティング装置（モジュール）の端面図である。 第８図は、第６図の線８−８にそった第６図のスパッタ
・コーティング・モジュールの断面図である。 第９図は、第６図のウェーハ・ターンテーブルの拡大図
である。 第１０図は、第９図の線１０−１０にそった第９図のウ
ェーハ・ターンテーブルの断面図である。 【主要符号の説明］ ｌ　・・・・・・・・・・・・・・・モジューラ処理シ
ステム１０ｘ−ｂ・・・・・・・・弁モジュール２１ｓ
−ｄ・・・・・・・・モジュール２０ｍのポートＨｅ−
ｇ　”・・””モジュール２０ｂのポート２３！・・・
・・・・・・・・・・移送モジュール２０！の内部２３
ｂ・・・・・・・・・・・・・移送モジュール２０ｂの
内部３０ｂ−Ｋ　’・・・・・・・処理チェンバ３１ｂ
・・・・・・・・・曲モジュール３０ｂ等の内部４１ｈ
・・・・・・・・・・・・・入口ウェーハ・ハンドラー
及びロードロック・モジュール ４０ｂ・・・・・・・・・・・・・出口ウェーハ・ハン
ドラー及びロードロック・モジュール ５０ａ・・・・・・・・・・・・・フラット・アライナ
−６１・・・・・・・・・・・・・・・標準通信バス１
００ａ−ｆ・・・・・ゲート弁 ２００ｉ、ｂ・・・・・移送モジュール２０１ｓ、ｂ　
・・・・・移送アーム　　ゝ２１０・・・・・・・・・
・・・・入口／出ロポ７ト２１ｊ、Ｈ２・・・処理ポー
ト ２Ｎ・・・・・・・・・・・・・移送ポート２°１５・
・・・・・・・・・・・・モジュール２００ｓのチェン
バ２９６・・・・・・・・・・・・・モジ、−ルｚ００
ｆ）円形底２９７・・・・・・・・・・・・・モジュー
ル２０．０の円筒壁Ｈ８・・・・・・・・・・・・・モ
ジュール２００の円形トップ２９９ａ・・・・・・・・
・・ハウジング拡張部３００ａ−ｂ　＝・処理モジュー
ル ３０１ａ　−−処理モジュール３００ｓのチェンバ４０
Ｇ・・・・・・・・・・・・・ハンドラー及びロードロ
ック・モジュール 礁０１−４０４−・・ウェーハ・カセット４０５−・・
・・・・・・・・・・ウェーハφハンドラー４０６・・
・・・・・・・・・・・ロードロック・チェンバ４０７
・・・・・・・・・・・・・モジュール４１１０の領域
４ｆｔＢ・・・・・・・・・・・・・ウェーハ・アライ
ナ−及びフラット・ファインダー ４０９・・・・・・・・・・・・・薄膜モニタ５００曲
曲曲：；（ススルー・モジュール５０１・・・・・・・
・・・・・・フラット・アライナ−６０，０・−−−−
−・聞−・スパッタ・モジュール６０２・・・・・・・
・・・・・・ゲート弁６０４−・−−−−−−・・・・
・移送モジュール６０６・・・・・・・・・・・・・真
空気密ハウジング６０８・・・・・・・・・・・・・支
持フレーム６１０・・・・・・・・・・・・・クライオ
ポンプ主要部６１２・・・・・・・・・・・・・クライ
オポンプ膨張器６目・・・・・・・・・・・・・シーリ
ング・７ランジ６１６　・・・・・・・・・・・・・空
気式駆動器６１８・・・・・・・・・・・・・スパッタ
源ＮＯ・・・・・曲・・・・シャッタ ６３Ｇ・・・・・・・・・・・・・ウェーハ・ターンテ
ーブル６３２−−−−・−・・・・−・ウェーハ６３４
・・・・・・・・・・・・・トラニオン６３６・・・・
・・・・・・・・・ヒータテーブル６３８・・・・・・
・・・・・・・ヒータ要素ＮＯ・・・・・・・・・・・
・・水冷ライン６４２・・・・・・・・・・・・・支持
７ランジ６４４・−・・・・・・・・−外側電電体６４
６・・・・・・・・・・・・・外側管６４１１−・・・
・−・・・・・・・ベース・プレート６５０・・・・・
・・・・・・・・内側容積６５２・・・・・・・・・・
・・・内側絶縁体６５４−・・・・・・・・・・・・内
側管６５６・・・・・・・・・・・・・軸線方向容積６
６０・・・・・・・・・・・・・ウェーハ保持クリップ
６６２・・・・・・・・・・・・・クリップリング６６
４・・・・・・・・・・・・・クリップ・ロッド６６６
・・・・・・・・・・・・・リングシールドロ６８・・
・・・・・・・・・・・スプリング６７０・・・・・・
・・・・・・・ロッド６６４の外端６７２・・・・・・
・・・・・・・セラミック・ロッド６７４・・・・・・
・・・・・・・受台６７６・・・・・・・・・・・・・
ピン６７８・・・・・・・・・・・・・バネ６８０・・
・・・・・・・・・・・ロッド６７２の外端６８２・・
・・・・・・・・・・・熱電対８９０・・・・・・・・
・・・・・レバー６！ｚ・・・・・・・・・・・・・空
気式駆動器６９４・・・・・・・・・・・・・作動器６
９６．６９１−・・作動器６９４の駆動器７００　・・
・・−・・・・・・・・プレート７０２・・・・・・・
・・・・・・ガス加熱コネクタ７０４・・・・・・・・
・・・・・ヒータテーブル６３６の内側溝７０６・・・
・・・・・・・・・・ガス出口穴７０８・・・・・・・
・・・・・・ガス出口穴７０６を連結する溝７１２．７
目・・・内側シールド ７１６・・・・・・・・・・・・・絶縁体シールド７１
８・・・・・・・・・・・・・冷却ライン７２０・・・
・・・・・・・・・・スナップリング７２２・・・・・
・・・・・・・・０リング７！４・・・・・・・・・・
・・・ネジ７２６・・・・・・・・・・・・・曲った金
属製小シールド７３０・・・・・・・・・・・・・ウェ
ーハプローブ１Ｎ・・・・・・・・・・・・・空気式シ
リンダー７３４・・・・・・・・・・・・・ウェーハグ
ローブ７３Ｇのフランジ手続補正書 昭和６３年ｌＯ月／上日

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）多機能処理装置に付設するためのポートを有し、
   真空ポンプに接続されたときに真空環境を保持する第１
   の手段と、 該第１の手段内に配置され、ウェーハをス パッタ・コーティングをする第２の手段と、ポートを通
   過して前記第１の手段の中に伸 長するアームから基板を水平にその表面上で受けとるた
   めの第３の手段と、基盤を前記第３の手段に保持させる
   第４の手段と、 前記第３の手段の前記表面を加熱するため の、前記第３の手段内で前記表面の裏面に熱的に接する
   ように配置された第５の手段と、前記ウェーハを実質的
   に垂直に配置して前 記第２の手段に向い合わせるため、前記第３の手段を９
   ０度回転させる第６の手段と、から成る多機能ウェーハ
   処理装置のためのスパッタ付着モジュール。
2. （２）請求項（１）に記載のモジュールであって、前記
   第３の手段が、内部容積を画成する耐真空壁を有し、大
   気圧のガスを前記第３の前記内部容積へと通過させるこ
   とができるトラニオン上に取り付けられる、ところのモ
   ジュール。
3. （３）請求項（２）に記載のモジュールであって、前記
   第４の手段が、ウェーハをそのウェーハの周囲近傍の点
   で保持するクリップ、及び該クリップをウェーハに向か
   って押し付けるためのバネ偏倚機構を有する、ところの
   モジュール。
4. （４）請求項（３）に記載のモジュールであって、前記
   第３の手段が、前記表面からウェーハを持ち上げる第７
   の手段を含み、 該第７の手段が前記第３の手段の中心軸上 に配置される、 ところのモジュール。
5. （５）請求項（４）に記載のモジュールであって、前記
   第３の手段が前記内部容積と前記第７の手段との間に耐
   真空シールを形成する第８の手段を含み、 前記第７の手段が前記真空環境の中にある、ところのモ
   ジュール。
6. （６）請求項（５）の記載のモジュールであって、前記
   第１の手段と多機能ウェーハ処理装置の移送モジュール
   との間に真空シールを形成するために、前記ポートを閉
   じる第９の手段を更に含む、ところのモジュール。
7. （７）多機能処理装置に付設するためのポートを有し、
   真空ポンプに接続されたときに真空環境を保持する真空
   チェンバと、 該真空チェンバ内に配置されるスパッタ・ コーティング源と、 ポートを通過して前記真空チェンバの中に 伸長するアームから基板を水平にその表面上で受けとる
   ためのターンテーブルであって、前記真空チェンバの内
   側に配置され、 内容容積を画成する耐真空壁を有し、 大気圧のガスを前記真空チェンバの外にあ るガス源から前記ターンテーブルの前記内側へと通過さ
   せることができるトラニオン上に取り付けられ、 前記表面からウェーハを持ち上げるための、前記ターン
   テーブルの中心軸上に配置され、前記真空環境内で動作
   するピンを有し、 前記内側容積と前記持ち上げピンとの間に 耐真空シールを形成するシール手段を有する、ところの
   ターンテーブルと、 ウェーハをそのウェーハの周囲近傍の点で 保持するクリップ、及び前記クリップをウェーハに向か
   って押し付けるためのバネ偏倚機構を有する、基板を前
   記ターンテーブルに保持させるクランピング装置と、 前記ターンテーブルの前記表面を加熱する ための、前記ターンテーブル内で前記表面の裏面に熱的
   に接するように配置されたヒータと、 前記ウェーハを実質的に垂直に配置し、前 記スパッタ・コーティング源に向かい合わせるため、前
   記ターンテーブルを９０度回転させる機構と、 前記真空チェンバと多機能ウェーハ処理装 置の移送モジュールとの間に真空シールを形成するため
   、前記ポートを閉鎖する弁と、 から成るモジュール。