JPH083146B2 - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH083146B2 JPH083146B2 JP1268375A JP26837589A JPH083146B2 JP H083146 B2 JPH083146 B2 JP H083146B2 JP 1268375 A JP1268375 A JP 1268375A JP 26837589 A JP26837589 A JP 26837589A JP H083146 B2 JPH083146 B2 JP H083146B2
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- film forming
- thin film
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 情報処理装置の外部記憶装置として用いられるディス
ク型記憶装置のディスク状記憶媒体を、真空室内におい
て形成する際に用いるに好適な薄膜形成方法及び装置に
関し、 媒体特性の相違が生じることのない薄膜形成方法及び
装置の提供を目的とし、 略真空状態の真空室内に置かれた基板を待機位置で所
要の温度に加熱し、加熱された基板を成膜位置に移動し
て薄膜形成を行うようにした薄膜形成方法であって、待
機位置における基板からの熱放射線を受けて当該基板の
温度を検出し、検出された基板温度に応じて当該基板の
温度が前記所要の温度となるように加熱手段により加熱
し、前記所要の温度に加熱された当該基板を待機位置か
ら成膜位置に移動し、成膜位置に移動した当該基板に対
して薄膜形成を行うことを特徴とする薄膜形成方法、ま
たは、略真空状態にされた真空室と、前記真空室内の待
機位置に基板を保持する手段と、待機位置に保持される
基板に対して加熱を行う加熱手段と、待機位置に保持さ
れる基板から放射される熱放射線を受け、当該基板の温
度を測定する温度測定手段と、前記温度測定手段の測定
値に応じて前記基板が所定の温度となるように前記加熱
手段を制御する制御手段と、加熱された基板を待機位置
から前記真空室内の成膜位置に移動する手段と、前記真
空室内の成膜位置に基板を保持する手段と、成膜位置に
保持される基板に対して薄膜成形を行う薄膜成形手段と
を具備してなる薄膜成形装置を構成する。
ク型記憶装置のディスク状記憶媒体を、真空室内におい
て形成する際に用いるに好適な薄膜形成方法及び装置に
関し、 媒体特性の相違が生じることのない薄膜形成方法及び
装置の提供を目的とし、 略真空状態の真空室内に置かれた基板を待機位置で所
要の温度に加熱し、加熱された基板を成膜位置に移動し
て薄膜形成を行うようにした薄膜形成方法であって、待
機位置における基板からの熱放射線を受けて当該基板の
温度を検出し、検出された基板温度に応じて当該基板の
温度が前記所要の温度となるように加熱手段により加熱
し、前記所要の温度に加熱された当該基板を待機位置か
ら成膜位置に移動し、成膜位置に移動した当該基板に対
して薄膜形成を行うことを特徴とする薄膜形成方法、ま
たは、略真空状態にされた真空室と、前記真空室内の待
機位置に基板を保持する手段と、待機位置に保持される
基板に対して加熱を行う加熱手段と、待機位置に保持さ
れる基板から放射される熱放射線を受け、当該基板の温
度を測定する温度測定手段と、前記温度測定手段の測定
値に応じて前記基板が所定の温度となるように前記加熱
手段を制御する制御手段と、加熱された基板を待機位置
から前記真空室内の成膜位置に移動する手段と、前記真
空室内の成膜位置に基板を保持する手段と、成膜位置に
保持される基板に対して薄膜成形を行う薄膜成形手段と
を具備してなる薄膜成形装置を構成する。
本発明は、特に、情報処理装置の外部記憶装置として
用いられるディスク型記憶装置のディスク状記憶媒体
を、真空室内において形成する際に用いるに好適な薄膜
形成方法及び装置に関する。
用いられるディスク型記憶装置のディスク状記憶媒体
を、真空室内において形成する際に用いるに好適な薄膜
形成方法及び装置に関する。
近年、ディスク型う憶装置は、情報量の増大に伴な
い、記録密度の向上が図られているが、同時にコストパ
フォーマンスの向上も強く要求されている。
い、記録密度の向上が図られているが、同時にコストパ
フォーマンスの向上も強く要求されている。
このため、ディスク状記憶媒体の製造においても品質
および量産の安定化が必要である。
および量産の安定化が必要である。
真空装置を用いての媒体成膜条件のうち、基板温度、
成膜ガス圧、ガス流量、到達真空度等の条件により、作
成された媒体の特性は大きく変化する。
成膜ガス圧、ガス流量、到達真空度等の条件により、作
成された媒体の特性は大きく変化する。
特に、その基板温度の相違は、媒体特性に知命的な特
性の差が現れる。
性の差が現れる。
このため、従来は、薄膜形成装置にランプヒータ等の
加熱手段により表面温度が所定の値となるように基板を
加熱していた。
加熱手段により表面温度が所定の値となるように基板を
加熱していた。
しかし、複数枚のディスク基板をホルダに搭載して同
時に真空室に供給した場合、各基板毎に媒体特性が相違
するという問題があった。
時に真空室に供給した場合、各基板毎に媒体特性が相違
するという問題があった。
本発明の目的は、前述した従来の問題に鑑み、媒体特
性の相違が生じることのない薄膜形成方法及び装置を提
供することにある。
性の相違が生じることのない薄膜形成方法及び装置を提
供することにある。
そして、この目的は、略真空状態の真空室内に置かれ
た基板を待機位置で所要の温度に加熱し、加熱された基
板を成膜位置に移動して薄膜形成を行うようにした薄膜
形成方法であって、待機位置における基板からの熱放射
線を受けて当該基板の温度を検出し、検出された基板温
度に応じて当該基板の温度が前記所要の温度となるよう
に加熱手段により加熱し、前記所要の温度に加熱された
当該基板を待機位置から成膜位置に移動し、成膜位置に
移動した当該基板に対して薄膜形成を行うことを特徴と
する薄膜形成方法、または、略真空状態にされた真空室
と、前記真空室内の待機位置に基板を保持する手段と、
待機位置に保持される基板に対して加熱を行う加熱手段
と、待機位置に保持される基板から放射される熱放射線
を受け、当該基板の温度を測定する温度測定手段と、前
記温度測定手段の測定値に応じて前記基板が所要の温度
となるように前記加熱手段を制御する制御手段と、加熱
された基板を待機位置から前記真空室内の成膜位置に移
動する手段と、前記真空室内の成膜位置に基板を保持す
る手段と、成膜位置に保持される基板に対して薄膜形成
を行う薄摩形成手段とを具備してなる薄膜形成装置によ
り達成される。
た基板を待機位置で所要の温度に加熱し、加熱された基
板を成膜位置に移動して薄膜形成を行うようにした薄膜
形成方法であって、待機位置における基板からの熱放射
線を受けて当該基板の温度を検出し、検出された基板温
度に応じて当該基板の温度が前記所要の温度となるよう
に加熱手段により加熱し、前記所要の温度に加熱された
当該基板を待機位置から成膜位置に移動し、成膜位置に
移動した当該基板に対して薄膜形成を行うことを特徴と
する薄膜形成方法、または、略真空状態にされた真空室
と、前記真空室内の待機位置に基板を保持する手段と、
待機位置に保持される基板に対して加熱を行う加熱手段
と、待機位置に保持される基板から放射される熱放射線
を受け、当該基板の温度を測定する温度測定手段と、前
記温度測定手段の測定値に応じて前記基板が所要の温度
となるように前記加熱手段を制御する制御手段と、加熱
された基板を待機位置から前記真空室内の成膜位置に移
動する手段と、前記真空室内の成膜位置に基板を保持す
る手段と、成膜位置に保持される基板に対して薄膜形成
を行う薄摩形成手段とを具備してなる薄膜形成装置によ
り達成される。
すなわち、本発明においては、基板表面の温度を直接
測定することが可能となるので、各基板毎に常に同じ表
面温度で薄膜形成を行なうことが可能となり、各媒体間
に特性の相違を生じることがない。
測定することが可能となるので、各基板毎に常に同じ表
面温度で薄膜形成を行なうことが可能となり、各媒体間
に特性の相違を生じることがない。
第１図は本発明が適用される両面連続スパッタ装置の
全体構成図である。
全体構成図である。
図に示されるように、この両面連続スパッタ装置はス
パッタにより薄膜が形成されるディスク基板を、例え
ば、20枚搭載することが可能なホルダ20が投入されるロ
ーディングチャンバ100と、このローディングチャンバ1
00と遮断可能な開閉扉を介して区切られるスパッタチャ
ンバ200とこのスパッタチャンバと遮断可能な開閉扉を
介して区切られるアンローディングチャンバ300とから
構成される。このような装置は日電アネルバ製の量産用
両面連続スパッタ装置として市販されている。
パッタにより薄膜が形成されるディスク基板を、例え
ば、20枚搭載することが可能なホルダ20が投入されるロ
ーディングチャンバ100と、このローディングチャンバ1
00と遮断可能な開閉扉を介して区切られるスパッタチャ
ンバ200とこのスパッタチャンバと遮断可能な開閉扉を
介して区切られるアンローディングチャンバ300とから
構成される。このような装置は日電アネルバ製の量産用
両面連続スパッタ装置として市販されている。
このローディングチャンバ100には、ランプヒータ110
a,110bが設けられており、このランプヒータ110a,110b
は投入されたホルダ20中のディスク基板１の表面温度が
所要の温度、例えば210℃となるようにディスク基板１
を加熱する。このランプヒータ110a,110bはディスク基
板１から発生する不純ガスや水分を除去させることがで
きる。
a,110bが設けられており、このランプヒータ110a,110b
は投入されたホルダ20中のディスク基板１の表面温度が
所要の温度、例えば210℃となるようにディスク基板１
を加熱する。このランプヒータ110a,110bはディスク基
板１から発生する不純ガスや水分を除去させることがで
きる。
また、ローディングチャンバ100には、投入されたホ
ルダ20全体をスパッタチャンバ200に搬送するための図
示しない搬送コンベアが設けられている。
ルダ20全体をスパッタチャンバ200に搬送するための図
示しない搬送コンベアが設けられている。
そして、ローディングチャンバ100は、図示しない投
入口からホルダ20が投入され、この搬送コンベア上に載
置される。
入口からホルダ20が投入され、この搬送コンベア上に載
置される。
そして、投入口を閉成した後、スパッタチャンバ200
と同じ真空度となるように図示しない真空吸引線（例え
ば、メカニカルブースタ・ポンプ及び／又はロータリポ
ンプにより空気が排気される。
と同じ真空度となるように図示しない真空吸引線（例え
ば、メカニカルブースタ・ポンプ及び／又はロータリポ
ンプにより空気が排気される。
この状態で、ローディングチャンバ100とスパッタチ
ャンバ200との間を区切る開閉扉を開放する。次いで、
搬送コンベアを動作させ、ホルダ20をスパッタチャンバ
200内に搬入する。
ャンバ200との間を区切る開閉扉を開放する。次いで、
搬送コンベアを動作させ、ホルダ20をスパッタチャンバ
200内に搬入する。
この後、開閉扉が閉じられると、ローディングチャン
バ100内は図示しない開放弁により、大気圧状態に戻さ
れるので、前述と同様にして投入口を開放し、ホルダ20
を投入し、次の順番に具える。
バ100内は図示しない開放弁により、大気圧状態に戻さ
れるので、前述と同様にして投入口を開放し、ホルダ20
を投入し、次の順番に具える。
一方、スパッタチャンバ200には、同様に、ホルダ20
をアンローディングチャンバ300に搬送するための図示
しない搬送コンベア、ディスク基板１を所要の温度に保
つための保温用ランプヒータ210a〜210dが設けられてい
る。
をアンローディングチャンバ300に搬送するための図示
しない搬送コンベア、ディスク基板１を所要の温度に保
つための保温用ランプヒータ210a〜210dが設けられてい
る。
この保温用ランプヒータ210a〜210dの加熱作用により
ディスク基板１から発生する不純ガスや水分を除去する
ことができる。
ディスク基板１から発生する不純ガスや水分を除去する
ことができる。
尚、ローディングチャンバ100とスパッタチャンバ200
内に設けられる各ヒータは、ヒータの近傍に設けられた
図示しない熱電対等の測定手段によりヒータ近傍の温度
の測定が行なわれ、所要の温度となるように制御手段40
0により制御される。
内に設けられる各ヒータは、ヒータの近傍に設けられた
図示しない熱電対等の測定手段によりヒータ近傍の温度
の測定が行なわれ、所要の温度となるように制御手段40
0により制御される。
更に、第２図のスパッタチャンバの構成説明図に示さ
れるように、ホルダ20には、その周囲にネジ溝が形成さ
れた３本の軸21,22,23が設けられており、この軸21〜23
上にディスク基板１が搭載されている。
れるように、ホルダ20には、その周囲にネジ溝が形成さ
れた３本の軸21,22,23が設けられており、この軸21〜23
上にディスク基板１が搭載されている。
そして、このスパッタチャンバ200はホルダ20を搬送
するための搬送室201とディスク基板１に対してα−Fe2
O3磁性薄膜を形成するためのスパッタ室202が設けられ
ている。
するための搬送室201とディスク基板１に対してα−Fe2
O3磁性薄膜を形成するためのスパッタ室202が設けられ
ている。
このスパッタ室202には、周知構成のターゲット203a,
203bがディスク基板１の両面に位置するように配置され
たおり、このターゲット203a,203bをスパッタリングす
ることによってディスク基板１上にα−Fe2O3の磁性薄
膜を形成する。
203bがディスク基板１の両面に位置するように配置され
たおり、このターゲット203a,203bをスパッタリングす
ることによってディスク基板１上にα−Fe2O3の磁性薄
膜を形成する。
また、搬送室201には、ホルダ20上に搭載されたディ
スク基板１を取り出すハンドリングアーム220が設けら
れており、このハンドリングアーム220は中心軸220aを
中心に回動自在に設けられており、ディスク基板１の外
周面を保持して取り出す取出位置（実線位置）とスパッ
タ待機位置（二点鎖線）とにディスク基板１を位置付け
可能に設けられている。ハンドリングアーム220がスパ
ッタ待機位置にあるときに、中心軸230a回りに回動自在
なスパッタアーム230によりディスク基板１の内周を保
持することで、ディスク基板１の受け渡しを行なう。
スク基板１を取り出すハンドリングアーム220が設けら
れており、このハンドリングアーム220は中心軸220aを
中心に回動自在に設けられており、ディスク基板１の外
周面を保持して取り出す取出位置（実線位置）とスパッ
タ待機位置（二点鎖線）とにディスク基板１を位置付け
可能に設けられている。ハンドリングアーム220がスパ
ッタ待機位置にあるときに、中心軸230a回りに回動自在
なスパッタアーム230によりディスク基板１の内周を保
持することで、ディスク基板１の受け渡しを行なう。
このスパッタアーム230には、その両端にそれぞれデ
ィスク基板１を保持するチャック機構を備えているの
で、一方のチャック機構により保持しているディスク基
板１を回転駆動させながらスパッタ室202内でスパッタ
を行なうと同時に他方のチャック機構によりハンドリン
グアーム220からディスク基板２の受け渡し動作を行な
うことができる。
ィスク基板１を保持するチャック機構を備えているの
で、一方のチャック機構により保持しているディスク基
板１を回転駆動させながらスパッタ室202内でスパッタ
を行なうと同時に他方のチャック機構によりハンドリン
グアーム220からディスク基板２の受け渡し動作を行な
うことができる。
このように、スパッタアーム230には、その両端にチ
ャック機構が設けられているので、連続的にスパッタ動
作を行なうことができる。
ャック機構が設けられているので、連続的にスパッタ動
作を行なうことができる。
すなわち、ハンドリングアーム220は、ホルダ20から
ディスク基板１を取り出して、スパッタ待機位置に位置
付ける。
ディスク基板１を取り出して、スパッタ待機位置に位置
付ける。
すると、スパッタアーム230は一方のチャック機構に
よりディスク基板１を保持する。
よりディスク基板１を保持する。
そして、スパッタアーム230が中心軸230aを中心に180
度回転されることでディスク基板１がスパッタ室202に
搬入させられ、ディスク基板１に対するスパッタ動作を
行なう。
度回転されることでディスク基板１がスパッタ室202に
搬入させられ、ディスク基板１に対するスパッタ動作を
行なう。
この時、ホルダ20は、各部の動作を全て制御する制御
手段400の制御動作の元に搬送コンベアによりディスク
基板１の１枚分の距離だけ前進させられているので、ハ
ンドリングアーム220は次のディスク基板１を取り出し
てスパッタ待機位置に位置付けることができ、スパッタ
アーム230は他方のチャック機構によってこのディスク
基板１を保持する。
手段400の制御動作の元に搬送コンベアによりディスク
基板１の１枚分の距離だけ前進させられているので、ハ
ンドリングアーム220は次のディスク基板１を取り出し
てスパッタ待機位置に位置付けることができ、スパッタ
アーム230は他方のチャック機構によってこのディスク
基板１を保持する。
一方のチャック機構により保持されたディスク基板１
に対するスパッタ動作が終了すると、スパッタアーム23
0は再度180度回転され、他方のチャック機構により保持
されているディスク基板１がスパッタ室202内に搬入さ
れる一方、一方のチャック機構により保持されているス
パッタの行なわれたディスク基板１はハンドリングアー
ム220に受け渡される。
に対するスパッタ動作が終了すると、スパッタアーム23
0は再度180度回転され、他方のチャック機構により保持
されているディスク基板１がスパッタ室202内に搬入さ
れる一方、一方のチャック機構により保持されているス
パッタの行なわれたディスク基板１はハンドリングアー
ム220に受け渡される。
これと同時に、ホルダ20はディスク基板１の１枚分後
方に戻されているので、ハンドリングアーム220はホル
ダ20の元の位置にディスク基板１を搭載する。
方に戻されているので、ハンドリングアーム220はホル
ダ20の元の位置にディスク基板１を搭載する。
そして、ハンドリングアーム220を上方位置に持ち上
げた状態で、ホルダ20が搬送コンベアによってディスク
基板１の２枚分の距離だけ前進させられるので、ハンド
リングアーム220は次のディスク基板２を取り出してス
パッタ待機位置に位置付け、スパッタアーム230との受
け渡しを行なう。
げた状態で、ホルダ20が搬送コンベアによってディスク
基板１の２枚分の距離だけ前進させられるので、ハンド
リングアーム220は次のディスク基板２を取り出してス
パッタ待機位置に位置付け、スパッタアーム230との受
け渡しを行なう。
以上の動作を順次繰り返すことによってホルダ20に搭
載されている20枚のディスク基板１に対するスパッタ動
作が行なわれる。
載されている20枚のディスク基板１に対するスパッタ動
作が行なわれる。
更に、スパッタチャンバ200にはハンドリングアーム2
20に保持されたディスク基板１から放射される熱放射線
を反射する反射ミラー250とこの熱放射線をスパッタチ
ャンバ200の外部に導くためのガラス基板から成るビュ
ーポート260が設けられている。
20に保持されたディスク基板１から放射される熱放射線
を反射する反射ミラー250とこの熱放射線をスパッタチ
ャンバ200の外部に導くためのガラス基板から成るビュ
ーポート260が設けられている。
そして、このビューポートを介して導かれる熱放射線
は、（株）千野製作所製の熱放射線温度計を用いた温度
検出器270により検出され、温度変換器280により可視情
報に変換されて図示しない表示部に出力される。
は、（株）千野製作所製の熱放射線温度計を用いた温度
検出器270により検出され、温度変換器280により可視情
報に変換されて図示しない表示部に出力される。
尚、熱放射線の波長は遠赤外域が望ましく、これは測
定物の材質（ディスク基板はアルミ）とヒータの波長と
の関係で決定できる。
定物の材質（ディスク基板はアルミ）とヒータの波長と
の関係で決定できる。
アンローディングチャンバ300には、ローディングチ
ャンバ100と同様に搬送コンベアと排出口とが設けられ
ている。
ャンバ100と同様に搬送コンベアと排出口とが設けられ
ている。
そして、まず、このアンローディングチャンバ300内
を図示しない真空吸引源（前述と同様）により略真空状
態に維持した状態で、スパッタチャンバ200とアンロー
ディングチャンバ300との間を遮断している開閉扉を開
放する。
を図示しない真空吸引源（前述と同様）により略真空状
態に維持した状態で、スパッタチャンバ200とアンロー
ディングチャンバ300との間を遮断している開閉扉を開
放する。
次いで、スパッタチャンバ200及びアンローディング
チャンバ300内の搬送コンベアによりホルダ20が搬入さ
れた後、前述した図示しない開閉扉によりスパッタチャ
ンバ200との間が遮断され、その後、大気開放弁の作用
により大気圧に戻される。
チャンバ300内の搬送コンベアによりホルダ20が搬入さ
れた後、前述した図示しない開閉扉によりスパッタチャ
ンバ200との間が遮断され、その後、大気開放弁の作用
により大気圧に戻される。
この状態で、図示しない排出口を開放することで、ホ
ルダ20をアンローディングチャンバ300から取り出し、
次いで、前述と同様に真空状態に排気することで、次の
ホルダ20の到来に備える。
ルダ20をアンローディングチャンバ300から取り出し、
次いで、前述と同様に真空状態に排気することで、次の
ホルダ20の到来に備える。
このように、本実施例では、スパッタ室202内に搬入
される直前の基板１の表面温度を測定することができ
る。
される直前の基板１の表面温度を測定することができ
る。
第３図はディスク基板の表面温度制御を行なう実施例
の説明図であり、第１図、第２図と同一部分には同一番
号を付し、その説明を省略する。
の説明図であり、第１図、第２図と同一部分には同一番
号を付し、その説明を省略する。
第３図において、温度調整用ランプヒータ500がハン
ドリングアーム220によりスパッタ待機位置に保持され
るディスク基板１の近傍に設けられている。
ドリングアーム220によりスパッタ待機位置に保持され
るディスク基板１の近傍に設けられている。
この温度調整用ランプヒータ500はディスク基板１の
全周を覆うように円弧状に形成され、ディスク基板１の
両面に配置されている。
全周を覆うように円弧状に形成され、ディスク基板１の
両面に配置されている。
この温度調整用ランプヒータ500は、温度検出器270の
検出出力に応じて、所要の温度となるように温度制御装
置600の制御の元に駆動制御される。
検出出力に応じて、所要の温度となるように温度制御装
置600の制御の元に駆動制御される。
本実施例の構成によれば、従来、ホルダ20からハンド
リングアーム220により取り出され、スパッタアーム230
のチャック機構に保持された状態のディスク基板１がス
パッタが行なわれる迄の待機状態において放熱してしま
い、スパッタ直前の基板表面温度の把握をすることがで
きず、各基板毎に媒体特性が相違しているという問題を
解決できる。
リングアーム220により取り出され、スパッタアーム230
のチャック機構に保持された状態のディスク基板１がス
パッタが行なわれる迄の待機状態において放熱してしま
い、スパッタ直前の基板表面温度の把握をすることがで
きず、各基板毎に媒体特性が相違しているという問題を
解決できる。
つまり、スパッタ直前の基板表面温度を測定でき、そ
して、温度調整用ランプヒータ500により所要の温度に
保持されるので、ディスク基板１間に特性の相違が生じ
ない。
して、温度調整用ランプヒータ500により所要の温度に
保持されるので、ディスク基板１間に特性の相違が生じ
ない。
また、ローディングチャンバ100内では、ホルダ20単
位で加熱されており、その構造上どうしても両端近傍に
おけるディスク基板１（特に最初にスパッタされる基
板）が放熱しやすく、特に真空中の加熱であるため、全
基板の温度を均一に保つことができず、この影響がスパ
ッタチャンバ200での成膜に影響を及ぼしていたが、こ
れも解決される。
位で加熱されており、その構造上どうしても両端近傍に
おけるディスク基板１（特に最初にスパッタされる基
板）が放熱しやすく、特に真空中の加熱であるため、全
基板の温度を均一に保つことができず、この影響がスパ
ッタチャンバ200での成膜に影響を及ぼしていたが、こ
れも解決される。
第４図は基板表面温度を示す図であり、図に示される
ように、従来の温度制御を行なわないものにおいては、
その両端のディスク基板の表面温度は目標温度200℃に
対して大幅に低下しているが、本実施例のように温度制
御を行なうものにおいては、ほぼ均一な温度分布を保っ
ている。
ように、従来の温度制御を行なわないものにおいては、
その両端のディスク基板の表面温度は目標温度200℃に
対して大幅に低下しているが、本実施例のように温度制
御を行なうものにおいては、ほぼ均一な温度分布を保っ
ている。
従って、従来では、先端側にダミー基板を搭載する必
要もなく、また、ホルダ20全体に搭載されるディスク基
板に対して均一の特性の媒体を得ることができるので、
量産性を大幅に向上させることができる。
要もなく、また、ホルダ20全体に搭載されるディスク基
板に対して均一の特性の媒体を得ることができるので、
量産性を大幅に向上させることができる。
以上説明したように、本発明によれば、成膜直前の基
板表面温度を測定することが可能となり、また、成膜直
前の基板の表面温度を自動的に調整することが可能とな
るので、各基板毎の表面温度を同一にすることが可能と
なる。
板表面温度を測定することが可能となり、また、成膜直
前の基板の表面温度を自動的に調整することが可能とな
るので、各基板毎の表面温度を同一にすることが可能と
なる。
さらに、本発明によれば、基板の成膜と、次に成膜を
行う基板の加熱を同時に行うように構成して処理速度を
速くすることが可能であり、また、温度測定手段が非接
触式であるため、基板を加熱位置から成膜位置に移動す
る際、基板と温度測定手段が接触して傷つくことを防止
できる、という効果を奏するものである。
行う基板の加熱を同時に行うように構成して処理速度を
速くすることが可能であり、また、温度測定手段が非接
触式であるため、基板を加熱位置から成膜位置に移動す
る際、基板と温度測定手段が接触して傷つくことを防止
できる、という効果を奏するものである。
第１図は本発明が適用される両面連続スパッタ装置の全
体構成図、 第２図はスパッタチャンバの構成説明図、 第３図はディスク基板の表面温度制御を行なう実施例の
説明図、 第４図は基板表面温度を示す図である。 図において、 １……ディスク基板 100……ローディングチャンバ 200……スパッタチャンバ 300……アンローディングチャンバ 270……温度検出器 500……温度調整用ランプヒータ である。
体構成図、 第２図はスパッタチャンバの構成説明図、 第３図はディスク基板の表面温度制御を行なう実施例の
説明図、 第４図は基板表面温度を示す図である。 図において、 １……ディスク基板 100……ローディングチャンバ 200……スパッタチャンバ 300……アンローディングチャンバ 270……温度検出器 500……温度調整用ランプヒータ である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 玄一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 石田 祥二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 豊福 正剛 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 深澤 文雄 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】略真空状態の真空室内に置かれた基板を待
機位置で所要の温度に加熱し、加熱された基板を成膜位
置に移動して薄膜形成を行うようにした薄膜形成方法で
あって、 待機位置における基板からの熱放射線を受けて当該基板
の温度を検出し、 検出された基板温度に応じて当該基板の温度が前記所要
の温度となるように加熱手段により加熱し、 前記所要の温度に加熱された当該基板を待機位置から成
膜位置に移動し、 成膜位置に移動した当該基板に対して薄膜形成を行うこ
と、 を特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】略真空状態にされた真空室と、 前記真空室内の待機位置に基板を保持する手段と、 待機位置に保持される基板に対して加熱を行う加熱手段
と、 待機位置に保持される基板から放射される熱放射線を受
け、当該基板の温度を測定する温度測定手段と、 前記温度測定手段の測定値に応じて前記基板が所要の温
度となるように前記加熱手段を制御する制御手段と、 加熱された基板を待機位置から前記真空室内の成膜位置
に移動する手段と、 前記真空室内の成膜位置に基板を保持する手段と、 成膜位置に保持される基板に対して薄膜形成を行う薄膜
形成手段と、 を具備してなる薄膜形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268375A JPH083146B2 (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | 薄膜形成方法 |
| US07/596,826 US5126027A (en) | 1989-10-16 | 1990-10-12 | Thin film forming method and system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268375A JPH083146B2 (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03130926A JPH03130926A (ja) | 1991-06-04 |
| JPH083146B2 true JPH083146B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=17457621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1268375A Expired - Lifetime JPH083146B2 (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | 薄膜形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5126027A (ja) |
| JP (1) | JPH083146B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992017621A1 (en) * | 1991-04-04 | 1992-10-15 | Conner Peripherals, Inc. | Apparatus and method for high throughput sputtering |
| US5516732A (en) * | 1992-12-04 | 1996-05-14 | Sony Corporation | Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus |
| WO1994019508A1 (en) * | 1993-02-19 | 1994-09-01 | Conner Peripherals, Inc. | System for sputtering compositions onto a substrate |
| US5705044A (en) * | 1995-08-07 | 1998-01-06 | Akashic Memories Corporation | Modular sputtering machine having batch processing and serial thin film sputtering |
| US5830272A (en) * | 1995-11-07 | 1998-11-03 | Sputtered Films, Inc. | System for and method of providing a controlled deposition on wafers |
| IT1290911B1 (it) * | 1997-02-03 | 1998-12-14 | Siv Soc Italiana Vetro | Procedimento e dispositivo per l'alimentazione di impianti da vuoto atti al deposito di rivestimenti superficiali su substrati. |
| US6838678B1 (en) | 2002-04-10 | 2005-01-04 | Seagate Technology Llc | Apparatus for inline continuous and uniform ultraviolet irradiation of recording media |
| EP1507883A2 (en) * | 2002-05-06 | 2005-02-23 | Guardian Industries Corp. | Sputter coating apparatus including ion beam source(s), and corresponding method |
| JP2008176847A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Showa Denko Kk | 薄膜積層体の製造方法、及び薄膜積層体製造装置と磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
| US20090047417A1 (en) * | 2007-03-30 | 2009-02-19 | Barnes Michael S | Method and system for vapor phase application of lubricant in disk media manufacturing process |
| US20080257264A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-23 | Intevac Corporation | Facility for depositing lubricant coating on hard magnetic disks |
| US8697189B2 (en) * | 2008-10-21 | 2014-04-15 | Intevac, Inc. | Method and apparatus for precision surface modification in nano-imprint lithography |
| KR101452828B1 (ko) * | 2012-08-28 | 2014-10-23 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5928627A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-15 | Kohjin Co Ltd | 着色積層板原紙の色合わせ法 |
| US4582720A (en) * | 1982-09-20 | 1986-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and apparatus for forming non-single-crystal layer |
| JPS59112611A (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS61105853A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-23 | Anelva Corp | オ−トロ−ダ− |
| JPH07105345B2 (ja) * | 1985-08-08 | 1995-11-13 | 日電アネルバ株式会社 | 基体処理装置 |
| JPS6250462A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
| US4851101A (en) * | 1987-09-18 | 1989-07-25 | Varian Associates, Inc. | Sputter module for modular wafer processing machine |
| US4913790A (en) * | 1988-03-25 | 1990-04-03 | Tokyo Electron Limited | Treating method |
| JPH01268859A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Casio Comput Co Ltd | 透明導電膜の形成方法および形成装置 |
| US4952299A (en) * | 1988-10-31 | 1990-08-28 | Eaton Corporation | Wafer handling apparatus |
| JPH0315134A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | 注入液の注入量調整装置 |
-
1989
- 1989-10-16 JP JP1268375A patent/JPH083146B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-10-12 US US07/596,826 patent/US5126027A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5126027A (en) | 1992-06-30 |
| JPH03130926A (ja) | 1991-06-04 |
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