JPH01106428A - マスクとウエハのプリアライメント方法 - Google Patents
マスクとウエハのプリアライメント方法Info
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- JPH01106428A JPH01106428A JP62264601A JP26460187A JPH01106428A JP H01106428 A JPH01106428 A JP H01106428A JP 62264601 A JP62264601 A JP 62264601A JP 26460187 A JP26460187 A JP 26460187A JP H01106428 A JPH01106428 A JP H01106428A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクとウェハのプリアライメント方法、特に
、ｘｍｍ先光装置適用しうるマスクとウェハのプリアラ
イメント方法に関する。
、ｘｍｍ先光装置適用しうるマスクとウェハのプリアラ
イメント方法に関する。
近年の半導体はＤ ｌ（、Ａ Ｍに代表されるように高
集積化が進む傾向にあり、超ＬＳＩのパターンの最小線
幅もミクロンからサブミクロンの領域へ突入しようとし
ている。こりような状況において。
集積化が進む傾向にあり、超ＬＳＩのパターンの最小線
幅もミクロンからサブミクロンの領域へ突入しようとし
ている。こりような状況において。
従来の紫外線のｇ線ｍｉｐを用いた光学式の牛導体露光
装置では、光の波長による解像度の限界が０．５μｍｓ
度と讐われており、０．５μｍ発下のパターンに対応で
きる次世代の無光装置として、現在、Ｘ線露光装置が有
望視されておシ、研究・開発が進められている。
装置では、光の波長による解像度の限界が０．５μｍｓ
度と讐われており、０．５μｍ発下のパターンに対応で
きる次世代の無光装置として、現在、Ｘ線露光装置が有
望視されておシ、研究・開発が進められている。
一般に、Ｘ＃露光装置では発散Ｘ線が用いられ。
投影レンズなどの光学系を構成することができないため
、−光方式はグロキシミティ露光である。
、−光方式はグロキシミティ露光である。
マスクとウェハのプロキシミティギャップは半影ぼけを
小さくするために１０〜５０μｍと小さく。
小さくするために１０〜５０μｍと小さく。
ランナウト誤差を小さくするためにギヤ、プ設定を厳し
く制御する必要がある。したがりて、Ｘ線露光装置にお
けるアライメントはマスクとウェハの横方向の位置合わ
せに加え、ギャップとあお）を正確に設定しなゆれはな
らず、そのためのアラ７．′ジ・）、 イメント方法が各種提案されている。
く制御する必要がある。したがりて、Ｘ線露光装置にお
けるアライメントはマスクとウェハの横方向の位置合わ
せに加え、ギャップとあお）を正確に設定しなゆれはな
らず、そのためのアラ７．′ジ・）、 イメント方法が各種提案されている。
従来の技術としては１例えば１日経マイクロデバイス１
９８６年４月号等に紹介されている米マイクロニクス社
のＸ線ステ、バ「ＭＸ−１６００Ｊがある。ｒＭＸ−１
６００Ｊにおけるマスクとウェハのアライメントは、マ
スク用マークとしてリニア・フレネル・ゾーン鳴フレー
）（ＬＦＺＰ）と呼ばれる光の回折を利用した集光レン
ズを用い。
９８６年４月号等に紹介されている米マイクロニクス社
のＸ線ステ、バ「ＭＸ−１６００Ｊがある。ｒＭＸ−１
６００Ｊにおけるマスクとウェハのアライメントは、マ
スク用マークとしてリニア・フレネル・ゾーン鳴フレー
）（ＬＦＺＰ）と呼ばれる光の回折を利用した集光レン
ズを用い。
ウェハ用マークとして線状回折格子を用いて行う。
このアライメント方法についてはＢ、ＦａｙらによＪ）
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃ
ｅ ＴｅｈｎｏｌｏｇｙＶＯｌ 、 １６ ［６１ｐｐ
、１９５４−１９５８ 、Ｎｏｗ／Ｄｅｃ 、１９７９
の’０ｐｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ８ｙｓｔｅ
ｍ ｆｏｒ ８ｕｂｍｉｃｒｏｎＸ−ｒａｙ Ｌｉｔｈ
ｏｇｒａｐｈｙ ’ Ｋ報告されている。ここでその原
理について図面を参照して説明する。
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃ
ｅ ＴｅｈｎｏｌｏｇｙＶＯｌ 、 １６ ［６１ｐｐ
、１９５４−１９５８ 、Ｎｏｗ／Ｄｅｃ 、１９７９
の’０ｐｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ８ｙｓｔｅ
ｍ ｆｏｒ ８ｕｂｍｉｃｒｏｎＸ−ｒａｙ Ｌｉｔｈ
ｏｇｒａｐｈｙ ’ Ｋ報告されている。ここでその原
理について図面を参照して説明する。
第４図はＬＦＺＰを用いたアライメント方法を示す説明
図である。ウェハ１９には回折格子Ｚθが刻印されてお
シ、ウェハ１９の上には所定のギャップだけ離れてマス
ク２１が対向している。マスク２１には焦点距離がマス
クとウェハのギヤ。
図である。ウェハ１９には回折格子Ｚθが刻印されてお
シ、ウェハ１９の上には所定のギャップだけ離れてマス
ク２１が対向している。マスク２１には焦点距離がマス
クとウェハのギヤ。
グ量に等しいＬＦＺＰ２２が描かれている。
第５図はマスク用マークのＬＦ’ＺＰの構造を示す説明
図である。ＬＦＺＰはいろいろな幅や間隔メントに用い
るレーザの波長である。
図である。ＬＦＺＰはいろいろな幅や間隔メントに用い
るレーザの波長である。
また、ｌ／４６図はウェハ用マークの回折格子を示す説
明図である。回折格子は大きさの等しい長方形が等間隔
に並んだ構造になっておシ１回折格子のど、チｄによっ
て回折角度が決まる。
明図である。回折格子は大きさの等しい長方形が等間隔
に並んだ構造になっておシ１回折格子のど、チｄによっ
て回折角度が決まる。
第４１においてマスク２１の上方から入射された平行レ
ーザビーム２３はＬＦＺＰ２２によシ集光され、ウェハ
１９面上で焦点を結びスリ、ト状の像をりくる。この結
像したスリットとウェハ１９面上の回折路’ｔ２ｏが一
直線上に重なると、レーザビームは回折し再びＬＦＺＰ
２２を通）平行光となりて位置決め信号として検出され
る。
ーザビーム２３はＬＦＺＰ２２によシ集光され、ウェハ
１９面上で焦点を結びスリ、ト状の像をりくる。この結
像したスリットとウェハ１９面上の回折路’ｔ２ｏが一
直線上に重なると、レーザビームは回折し再びＬＦＺＰ
２２を通）平行光となりて位置決め信号として検出され
る。
前述のＸ線ステ、パｒ、、−ＷＸ １６００ Ｊでは、
閉ループ自動位置合わせを行うために、マスク用マーク
のＬＦＺＰ２２へのレーザビーム２３の横方向の入射角
を変化させる。これによって、結像したスリットは直線
状の回折格子２ｏを走査し、アライメントマークのすれ
量を電気的に検出することができる。このと齢、ウェハ
１９面上でのスリ、トの走査範囲は約２μｍなので、ア
ライメントマークのずれ量の検出範囲も約２μｍである
。
閉ループ自動位置合わせを行うために、マスク用マーク
のＬＦＺＰ２２へのレーザビーム２３の横方向の入射角
を変化させる。これによって、結像したスリットは直線
状の回折格子２ｏを走査し、アライメントマークのすれ
量を電気的に検出することができる。このと齢、ウェハ
１９面上でのスリ、トの走査範囲は約２μｍなので、ア
ライメントマークのずれ量の検出範囲も約２μｍである
。
上述した従来のアライメント方法は１位置ずれの検出範
囲が約２μｍと狭いため、マスクとウェハをステージに
装着する際には、ある程度の重ね合わせ精度をもつよう
にプリアライメントを行う必要がある。従来のマスクと
ウェハのプリアライメントは、それぞれの外形を基準に
機械的に突き当てて位置決めすることＫよって行ってい
るので。
囲が約２μｍと狭いため、マスクとウェハをステージに
装着する際には、ある程度の重ね合わせ精度をもつよう
にプリアライメントを行う必要がある。従来のマスクと
ウェハのプリアライメントは、それぞれの外形を基準に
機械的に突き当てて位置決めすることＫよって行ってい
るので。
プリアライメントの重ね合わせ精度はマスクとウェハの
外形とパターンの位置精度に大きく左右される。
外形とパターンの位置精度に大きく左右される。
そのため、マスクの製作にあたシ、マスクのパターンを
外形に対して位置精度を良くしなければならないので、
マスクの製作が困難になるという欠点があった。
外形に対して位置精度を良くしなければならないので、
マスクの製作が困難になるという欠点があった。
したがって、プリアライメントの重ね合わせ精度が２μ
ｍ以上になる場合には１位置ずれ信号は検出できず１位
置ずれ信号の検出範囲内にマスクとウェハを重ね合わせ
るようにステージを動かし。
ｍ以上になる場合には１位置ずれ信号は検出できず１位
置ずれ信号の検出範囲内にマスクとウェハを重ね合わせ
るようにステージを動かし。
位置ずれ信号を探し出す工程が必要になシアライメント
に長い時間がかかるという欠点があった。
に長い時間がかかるという欠点があった。
本発明のマスクとウェハのダリアライメント方法は、ｘ
ｙステージとＺθ微動ステージからなるウェハステージ
にマスク移替えチャックを取付ける第１の取付は工程と
、マスク移替えチャ、りにプリアライメントマークを有
するマスクを装着するマスク装着工程と、ウェハステー
ジをテレビカメラの前に移動する第１の移動工程と、テ
レビカメラでマスクのプリアライメントマークを観察し
てウェハステージを駆動してｘｙθ方向の合わせ込みを
行う第１の合たせ込み工程と、あおりと高さを調整でき
る２１２．２３微動ステージとマスクを真空吸着できる
マスクチャックからなるマスクステージの前にウェハス
テージを移動する第２の移動工程と、ウェハステージの
Ｚステージとマスク移替えチャ、りとマスクチャックの
真空状態を制御してマスクをウェハステージからマスク
ステージへ移し替える移し替え工程と、マスク移替えチ
ャックを取シはずしてウェハチャックを取付ける第２の
取付は工程と、ウェハチャ、りにプリアライメントマー
クを有するウェハを装着する装着工程と、ウェハステー
ジをテレビカメラの前に移動する第３の移動工程と、テ
レビカメラでウェハのプリアライメントマークを観察し
てｘｙθ方向の合わせ込みを行う第２の合わせ込み工程
と、マスクステージにウェハステージを移動する第４の
移動工程とを含んで構成される。
ｙステージとＺθ微動ステージからなるウェハステージ
にマスク移替えチャックを取付ける第１の取付は工程と
、マスク移替えチャ、りにプリアライメントマークを有
するマスクを装着するマスク装着工程と、ウェハステー
ジをテレビカメラの前に移動する第１の移動工程と、テ
レビカメラでマスクのプリアライメントマークを観察し
てウェハステージを駆動してｘｙθ方向の合わせ込みを
行う第１の合たせ込み工程と、あおりと高さを調整でき
る２１２．２３微動ステージとマスクを真空吸着できる
マスクチャックからなるマスクステージの前にウェハス
テージを移動する第２の移動工程と、ウェハステージの
Ｚステージとマスク移替えチャ、りとマスクチャックの
真空状態を制御してマスクをウェハステージからマスク
ステージへ移し替える移し替え工程と、マスク移替えチ
ャックを取シはずしてウェハチャックを取付ける第２の
取付は工程と、ウェハチャ、りにプリアライメントマー
クを有するウェハを装着する装着工程と、ウェハステー
ジをテレビカメラの前に移動する第３の移動工程と、テ
レビカメラでウェハのプリアライメントマークを観察し
てｘｙθ方向の合わせ込みを行う第２の合わせ込み工程
と、マスクステージにウェハステージを移動する第４の
移動工程とを含んで構成される。
次に１本発明の実施例について１図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明のτ実施例を示す斜視図であム第１図に
示すＸ線露光装置は、ベース１と、ペース１に搭載され
Ｘ軸方向に移動できるＸステージ２と、Ｘステージ２に
搭載されＹ軸方向に移動できるＸステージ３と、Ｘステ
ージ３に搭載されＺ軸方向の移動と２軸を中心とした回
転ができるＺθステージ４と、ｚ０ステージ４に搭載さ
れマスク５を真空吸着できるマスク移替えチャック７ａ
と、Ｘ線源８の下方に取シ付けられＸ線源８からのＸ線
を導くヘリウムチャンバ９と、ヘリウムチャンバ９の下
方に取シ付けられあおりと高さを調整できる２、２．２
３微動ステージ１０と、Ｚ１２２２３微動ステージ１０
に取シ付けられたマスクチャック１１と、ヘリウムチャ
ンバ９の側面に取シ付けられ最終的なファインラインメ
イトを行うためのアジイメント光学系１２とマスクチャ
ック１１の近傍にあシマスフ５のプリアライメントマー
クを観察できる２個のテレビカメラ１３と。
示すＸ線露光装置は、ベース１と、ペース１に搭載され
Ｘ軸方向に移動できるＸステージ２と、Ｘステージ２に
搭載されＹ軸方向に移動できるＸステージ３と、Ｘステ
ージ３に搭載されＺ軸方向の移動と２軸を中心とした回
転ができるＺθステージ４と、ｚ０ステージ４に搭載さ
れマスク５を真空吸着できるマスク移替えチャック７ａ
と、Ｘ線源８の下方に取シ付けられＸ線源８からのＸ線
を導くヘリウムチャンバ９と、ヘリウムチャンバ９の下
方に取シ付けられあおりと高さを調整できる２、２．２
３微動ステージ１０と、Ｚ１２２２３微動ステージ１０
に取シ付けられたマスクチャック１１と、ヘリウムチャ
ンバ９の側面に取シ付けられ最終的なファインラインメ
イトを行うためのアジイメント光学系１２とマスクチャ
ック１１の近傍にあシマスフ５のプリアライメントマー
クを観察できる２個のテレビカメラ１３と。
Ｘステージ３に搭載された直角ミラー１４と、Ｘステー
ジ３の位置を計測するレーザ測長器１５とを含んで構成
される。
ジ３の位置を計測するレーザ測長器１５とを含んで構成
される。
第２図（ａｌ〜（ｈ）は第１図に示すＸａ露光装置にお
ケルマスクとウェハのプリアライメントの工程を示す説
明図である。
ケルマスクとウェハのプリアライメントの工程を示す説
明図である。
第２図ｔａ＋ｔｉ、マスク５をマスク移替えチャ、り７
ａに真空吸着し、テレビカメラ１２で２個のプリアライ
メントマーク１６ａ 、１６ｂを観察してプリアライメ
ントを行う位置にＸステージ２とＸステージ３を移動し
たところを示している。２個のテレビカメラ１３の間隔
は、プリアライメントマーク１６ａ、１６ｂの間隔りに
等しい。
ａに真空吸着し、テレビカメラ１２で２個のプリアライ
メントマーク１６ａ 、１６ｂを観察してプリアライメ
ントを行う位置にＸステージ２とＸステージ３を移動し
たところを示している。２個のテレビカメラ１３の間隔
は、プリアライメントマーク１６ａ、１６ｂの間隔りに
等しい。
第２図（ｂｌは、プリアライメントマーク１６ａ。
１６ｂをテレビカメラ１３で観察したときのテレビモニ
タの状態を示している。観察されたプリアライメントマ
ーク１６ａとモニタ上の基準マーク１７ａとのＸ方向の
ずれ量をΔｘｊ、Ｙ方向のずれ量をΔｙｊとし、プリア
ライメントマーク１６ｂと基準マーク１７ｂとのＸ方向
のずれ量をΔｘｂ、Ｙ方向のずれＪｉヲΔｙｂとすると
、マスク５のＸＹθ方向のずれ量ΔＸｍ、Δｙｍ、Δθ
ｍはΔｘ＝（Δｘ１十Δｘｂ ） ／ ２．Δｙ＝＜Δ
ｙ麿十Δｙｂ）／２゜Δθ＝（Δ）Ｆａ−Δｙｂ）／Ｄ
で表わされる。ただし、Ｄはプリアライメントマーク１
６ａ、１６ｂの間隔である。このΔＸ、Δｙ、Δθをも
とに、Ｘステージ２．Ｘステージ３．ｚθステージ４を
動かし、モニタ上でプリアライメントマーク１６ａ。
タの状態を示している。観察されたプリアライメントマ
ーク１６ａとモニタ上の基準マーク１７ａとのＸ方向の
ずれ量をΔｘｊ、Ｙ方向のずれ量をΔｙｊとし、プリア
ライメントマーク１６ｂと基準マーク１７ｂとのＸ方向
のずれ量をΔｘｂ、Ｙ方向のずれＪｉヲΔｙｂとすると
、マスク５のＸＹθ方向のずれ量ΔＸｍ、Δｙｍ、Δθ
ｍはΔｘ＝（Δｘ１十Δｘｂ ） ／ ２．Δｙ＝＜Δ
ｙ麿十Δｙｂ）／２゜Δθ＝（Δ）Ｆａ−Δｙｂ）／Ｄ
で表わされる。ただし、Ｄはプリアライメントマーク１
６ａ、１６ｂの間隔である。このΔＸ、Δｙ、Δθをも
とに、Ｘステージ２．Ｘステージ３．ｚθステージ４を
動かし、モニタ上でプリアライメントマーク１６ａ。
１６ｂと基準マーク１７ａ、１７ｂを重ね合わせてマス
クのプリアライメントを行う。
クのプリアライメントを行う。
第２図［Ｃ）は、マスクのプリアライメント完了後。
Ｘステージ２とＸステージ３をマスクチャック１１の下
方に移動させたときの状態を示している。ステージの位
置の計測は、プリアライメント完了した位置を原点とし
、その位置からの変位をレーザ測長器１５で計測するこ
とによって行う。
方に移動させたときの状態を示している。ステージの位
置の計測は、プリアライメント完了した位置を原点とし
、その位置からの変位をレーザ測長器１５で計測するこ
とによって行う。
第２図（ｄ）は、マスク５をマスク移替えチャック７ａ
からマスクチャック１１に移し替えるときの状態を示し
ている。Ｚθステージ４がマスク５を装着したマスク移
替えチャック７ａを２方向に押シ上ケマスク５をマスク
チャック１１に密着させると、マスクチャック１１は、
アスク５を真空吸着する。マスク５がマスクチャ、゛り
ＩＩＫＸ空吸着されたのち、マスク移替えチャック７ａ
の真空を切シ、マスク５の移し替えを行う。
からマスクチャック１１に移し替えるときの状態を示し
ている。Ｚθステージ４がマスク５を装着したマスク移
替えチャック７ａを２方向に押シ上ケマスク５をマスク
チャック１１に密着させると、マスクチャック１１は、
アスク５を真空吸着する。マスク５がマスクチャ、゛り
ＩＩＫＸ空吸着されたのち、マスク移替えチャック７ａ
の真空を切シ、マスク５の移し替えを行う。
第２図ｔｅｌは、マスク５の移し替えが完了し、Ｚθス
テージ４が通常の位置にもどったときの状態を示してい
る。このとき、マスク５はテレビカメラ１２に対して正
確に位置決めされた状態でマスクチャック１１に真空吸
着されている。
テージ４が通常の位置にもどったときの状態を示してい
る。このとき、マスク５はテレビカメラ１２に対して正
確に位置決めされた状態でマスクチャック１１に真空吸
着されている。
ここで第１図のマスク移替えチャック７ａを取シはすす
。第３図は取シはずした部分にウェハチャ、り７ａを取
付けた状態を示している。
。第３図は取シはずした部分にウェハチャ、り７ａを取
付けた状態を示している。
第２図（ｆ）は、ウェハ６をウェハチャック７ｂに真空
吸着し、テレビカメラ１３で２個のプリアライメントマ
ーク１８ａ、１８ｂを観察してプリアライメントを行う
位置にＸステージ２とＸステージ３を移動したところを
示している。ウェハ６上のプリアライメントマーク１８
ａ、１８ｂの間隔もマスク５上のプリアライメントマー
ク１６ａ。
吸着し、テレビカメラ１３で２個のプリアライメントマ
ーク１８ａ、１８ｂを観察してプリアライメントを行う
位置にＸステージ２とＸステージ３を移動したところを
示している。ウェハ６上のプリアライメントマーク１８
ａ、１８ｂの間隔もマスク５上のプリアライメントマー
ク１６ａ。
１６ｂの間隔に等しくしておく。
第２図（ｇ）は、プリアライメントマーク１８ａ。
１８ｂをテレビカメラ１３で観察したときのテレビモニ
タの状態を示している。前述のマスクの場合と同様に、
ウェハ６のＸＹθ方向のずれ量Δｘｖ。
タの状態を示している。前述のマスクの場合と同様に、
ウェハ６のＸＹθ方向のずれ量Δｘｖ。
Δｙｗ、ΔθＷを求め、Ｘステージ２．Ｘステージ３、
Ｚθステージ４を動かし、モニタ上でプリアライメント
マーク１８ａ、１８ｂと基準マーク１７ａ、１’ｙｂを
重ね合わせクリアライメントを行う。
Ｚθステージ４を動かし、モニタ上でプリアライメント
マーク１８ａ、１８ｂと基準マーク１７ａ、１’ｙｂを
重ね合わせクリアライメントを行う。
第２図（ｈ）は、ウェハ６のダリアライメント完了後、
Ｘステージ２とＸステージ３を最初の露光位置に移動さ
せたときの状態を示している。テレビカメラ１２に対す
るウェハ６の位置は、マスク５の場合と同様に、レーザ
測長器で正確に計測することができる。マスク５はすで
にテレビカメラ１３に対して正確に位置決めされている
ので、マスク５とウェハ６を高い重ね合わせ精度でダリ
ア２イメントすることが可能となる。
Ｘステージ２とＸステージ３を最初の露光位置に移動さ
せたときの状態を示している。テレビカメラ１２に対す
るウェハ６の位置は、マスク５の場合と同様に、レーザ
測長器で正確に計測することができる。マスク５はすで
にテレビカメラ１３に対して正確に位置決めされている
ので、マスク５とウェハ６を高い重ね合わせ精度でダリ
ア２イメントすることが可能となる。
マスクとウェハのプリアライメントが完了したら、アラ
イメント光学系１２により最終的なファインアライメン
トを行い露光を開始する。
イメント光学系１２により最終的なファインアライメン
トを行い露光を開始する。
本発明のマスクとウェハのグリア２イメント方法は、真
空吸着したマスクをマスクステージに移し替えることの
できるウェハステージを設けることによシ、マスクとウ
ェハをウェハステージ上でプリアライメントできるため
１重ね合わせ精度の良いプリアライメントができるとい
う効果がある。
空吸着したマスクをマスクステージに移し替えることの
できるウェハステージを設けることによシ、マスクとウ
ェハをウェハステージ上でプリアライメントできるため
１重ね合わせ精度の良いプリアライメントができるとい
う効果がある。
その結果、最終的なファインアライメントの負担が軽く
なるという効果がある。
なるという効果がある。
また、マスクの外形を基準としてプリアライメントを行
うかわりに、マスクをウェハステージに装着しウェハス
テージを動かして合わせ込みを行うため、マスクの外形
とマスクパターンの位置精度を出す必要がなく、マスク
の製作が比較的容易になるという効果がある。
うかわりに、マスクをウェハステージに装着しウェハス
テージを動かして合わせ込みを行うため、マスクの外形
とマスクパターンの位置精度を出す必要がなく、マスク
の製作が比較的容易になるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図（ａｌ
〜（ｈｌＦｉ本発明のマスクとウニへのプリアライメン
トの工程を示す説明図、第３図はチャ、り交換の状態の
説明図、第４図は従来のアライメント方法を示す説明図
、第５図Ｉｒｉ第４図に示すアライメント方法における
マスク用マークであるリニアフレネル・ゾーン・プレー
トを示す平面図、第６図は第４図に示すアライメント方
法におけるウェハ用マークである回折格子を示す平面図
。 ｌ・・・・・・ベース、２・・・・・・Ｘステージ、３
・・・・・・Ｘステージ、４・・・・・・２θステージ
、５・・・・・・マスク、６・・・・・・ウェハ、７ａ
・・・・・・マスク移替チャック、７ｂ・−・・・・ウ
ェハチャ、り、８・・・・・・Ｘ線源、９・・・・・・
ヘリウムチャンバ、１０・・・・・・Ｚｓ Ｚｘ Ｚ
ｓｌ＆動ステージ、１１・・・・・・マスクチャック、
ス２・・・・・・アライメント光学系、１３・・・・・
・テレビカメラ、１４・・・・・・直角ミラー、１５・
・・・・・レーザ測長器、１６ａ、１６ｂ・・・・・・
マスクのプリアライメントマーク、１７ａ。 １７ｂ・・・・−・基準マーク＊ ｉｓａ、１８ｂ・
・・・・・ウェハのプリアライメントマーク、１９・・
・・−・ウェハ、Ｚθ・・・・・・回折格子、２１−・
・・・・マスク％２２・・・・・・リニアフレネル・ゾ
ーン・プレート、２３・・・・・・レーザビーム。 ΔＸａ、Δｘｂ・・・・・・プリアライメントマークと
基準マークのＸ方向のす江員、ΔＹａｍΔｙｂ・・・・
・・プλ、− リアライメントマークと基準マークのＹ方向のずれ量、
ｄ・・・・・・回折格子のピッチ。 代理人 弁理士 内 原 音 生２図 ／６ｂ
〜（ｈｌＦｉ本発明のマスクとウニへのプリアライメン
トの工程を示す説明図、第３図はチャ、り交換の状態の
説明図、第４図は従来のアライメント方法を示す説明図
、第５図Ｉｒｉ第４図に示すアライメント方法における
マスク用マークであるリニアフレネル・ゾーン・プレー
トを示す平面図、第６図は第４図に示すアライメント方
法におけるウェハ用マークである回折格子を示す平面図
。 ｌ・・・・・・ベース、２・・・・・・Ｘステージ、３
・・・・・・Ｘステージ、４・・・・・・２θステージ
、５・・・・・・マスク、６・・・・・・ウェハ、７ａ
・・・・・・マスク移替チャック、７ｂ・−・・・・ウ
ェハチャ、り、８・・・・・・Ｘ線源、９・・・・・・
ヘリウムチャンバ、１０・・・・・・Ｚｓ Ｚｘ Ｚ
ｓｌ＆動ステージ、１１・・・・・・マスクチャック、
ス２・・・・・・アライメント光学系、１３・・・・・
・テレビカメラ、１４・・・・・・直角ミラー、１５・
・・・・・レーザ測長器、１６ａ、１６ｂ・・・・・・
マスクのプリアライメントマーク、１７ａ。 １７ｂ・・・・−・基準マーク＊ ｉｓａ、１８ｂ・
・・・・・ウェハのプリアライメントマーク、１９・・
・・−・ウェハ、Ｚθ・・・・・・回折格子、２１−・
・・・・マスク％２２・・・・・・リニアフレネル・ゾ
ーン・プレート、２３・・・・・・レーザビーム。 ΔＸａ、Δｘｂ・・・・・・プリアライメントマークと
基準マークのＸ方向のす江員、ΔＹａｍΔｙｂ・・・・
・・プλ、− リアライメントマークと基準マークのＹ方向のずれ量、
ｄ・・・・・・回折格子のピッチ。 代理人 弁理士 内 原 音 生２図 ／６ｂ
Claims (1)
- ｘｙステージとＺθ微動ステージからなるウェハステ
ージにマスク移替えチャックを取付ける第１の取付け工
程と、マスク移替えチャックにプリアライメントマーク
を有するマスクを装着するマスク装着工程と、ウェハス
テージをテレビカメラの前に移動する第１の移動工程と
、テレビカメラでマスクのプリアライメントマークを観
察してウェハステージを駆動してｘｙθ方向の合わせ込
みを行う第１の合わせ込み工程と、あおりと高さを調整
できるＺ＿１Ｚ＿２Ｚ＿３微動ステージとマスクを真空
吸着できるマスクチャックからなるマスクステージの前
にウェハステージを移動する第２の移動工程と、ウェハ
ステージのＺステージとマスク移替えチャックとマスク
チャックの真空状態を制御してマスクをウェハステージ
からマスクステージへ移し替える移し替え工程と、マス
ク移替えチャックを取はずしてウェハチャックを取付け
る第２の取付け工程と、ウェハチャックにプリアライメ
ントマークを有するウェハを装着する装着工程と、ウェ
ハステージをテレビカメラの前に移動する第３の移動工
程と、テレビカメラでウェハのプリアライメントマーク
を観察してｘｙθ方向の合わせ込みを行う第２の合わせ
込み工程と、マスクステージにウェハステージを移動す
る第４の移動工程とを含むことを特徴とするマスクとウ
ェハのプリアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264601A JPH01106428A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マスクとウエハのプリアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264601A JPH01106428A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マスクとウエハのプリアライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106428A true JPH01106428A (ja) | 1989-04-24 |
| JPH055369B2 JPH055369B2 (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=17405581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62264601A Granted JPH01106428A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マスクとウエハのプリアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007225727A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Orc Mfg Co Ltd | 基板露光装置および基板露光方法 |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP62264601A patent/JPH01106428A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007225727A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Orc Mfg Co Ltd | 基板露光装置および基板露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH055369B2 (ja) | 1993-01-22 |
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