JPH0520888B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0520888B2 JPH0520888B2 JP62267303A JP26730387A JPH0520888B2 JP H0520888 B2 JPH0520888 B2 JP H0520888B2 JP 62267303 A JP62267303 A JP 62267303A JP 26730387 A JP26730387 A JP 26730387A JP H0520888 B2 JPH0520888 B2 JP H0520888B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- alignment
- stage
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクとウエハのプリアライメント方
法、特に、X線露光装置に適用しうるマスクとウ
エハのプリアライメント方法に関する。
法、特に、X線露光装置に適用しうるマスクとウ
エハのプリアライメント方法に関する。
近年の半導体はDRAMに代表されるように高
集積化が進む傾向にあり、超LSIのパターンの最
小線幅もミクロンからサブミクロンの領域へ突入
しようとしている。このような状況において、従
来の紫外線のg線、i線を用いた光学式の半導体
露光装置では、光の波長による解像度の限界が
0.5μm程度と言われており、0.5μm以下のパター
ンに対応できる次世代の露光装置が強く望まれて
いる。この次世代の露光装置として、現在、X線
露光装置が有望視されており、研究・開発が進め
られている。
集積化が進む傾向にあり、超LSIのパターンの最
小線幅もミクロンからサブミクロンの領域へ突入
しようとしている。このような状況において、従
来の紫外線のg線、i線を用いた光学式の半導体
露光装置では、光の波長による解像度の限界が
0.5μm程度と言われており、0.5μm以下のパター
ンに対応できる次世代の露光装置が強く望まれて
いる。この次世代の露光装置として、現在、X線
露光装置が有望視されており、研究・開発が進め
られている。
一般に、X線露光装置では発散X線が用いら
れ、投影レンズなどの光学系を構成することがで
きないため、露光方式はプロキシミテイ露光であ
る。マスクとウエハのプロキシミテイギヤツプは
半影ぼけを小さくするために10〜50μmと小さ
く、ランナウト誤差を小さくするためにギヤツプ
設定を厳しく制御する必要がある。したがつて、
X線露光装置におけるアライメントは、マスクと
ウエハの横方向の位置合わせに加え、ギヤツプと
あおりを正確に設定しなければならなず、そのた
めのアライメント方法が各種提案されている。
れ、投影レンズなどの光学系を構成することがで
きないため、露光方式はプロキシミテイ露光であ
る。マスクとウエハのプロキシミテイギヤツプは
半影ぼけを小さくするために10〜50μmと小さ
く、ランナウト誤差を小さくするためにギヤツプ
設定を厳しく制御する必要がある。したがつて、
X線露光装置におけるアライメントは、マスクと
ウエハの横方向の位置合わせに加え、ギヤツプと
あおりを正確に設定しなければならなず、そのた
めのアライメント方法が各種提案されている。
従来の技術としては、例えば、日経マイクロデ
バイス1986年4月号等に紹介されている米マイク
ロニクス社のX線ステツパ「MX−1600」があ
る。「MX−1600」におけるマスクとウエハのア
ライメントは、マスク用マークとしてリニア・フ
レネル・ゾーン・ブレート(LFZP)と呼ばれる
光の回折を利用した集光レンズを用い、ウエハ用
マークとして線状回折格子を用いて行う。このア
ライメント方法についてはB.Fayらにより
Journal of Vacuum Ccience
TechnologyVol.16(6)pp.1954−1958、Nov/
Dec.1979の“Optical Alignment System for
Submicron X−ray Lithography”に報告され
ている。ここでその原理について図面を参照して
説明する。
バイス1986年4月号等に紹介されている米マイク
ロニクス社のX線ステツパ「MX−1600」があ
る。「MX−1600」におけるマスクとウエハのア
ライメントは、マスク用マークとしてリニア・フ
レネル・ゾーン・ブレート(LFZP)と呼ばれる
光の回折を利用した集光レンズを用い、ウエハ用
マークとして線状回折格子を用いて行う。このア
ライメント方法についてはB.Fayらにより
Journal of Vacuum Ccience
TechnologyVol.16(6)pp.1954−1958、Nov/
Dec.1979の“Optical Alignment System for
Submicron X−ray Lithography”に報告され
ている。ここでその原理について図面を参照して
説明する。
第3図はLFZPを用いたアライメント方法を示
す説明図である。ウエハ21には回折格子22が
刻印されており、ウエハ21の上には所定のギヤ
ツプだけ離れてマスク23が対向している。マス
ク23には焦点距離がマスクとウエハのギヤツプ
量に等しいLFZP24が描かれている。第4図は
マスク用マークのLFZPの構造を示す説明図であ
る。LFZPはいろいろな幅や間隔の縞が並んだ構
造になつており、縞はマークの中心からの距離を
rnとするとr2n=nfλ+n2λ2/4で表わされる。ここ では、fは焦点距離、λはアライメントに用いる
レーザの波長である。また、第5図はウエハ用マ
ークの解折格子を示す説明図である。回折格子は
大きさの等しい長方形が等間隔に並んだ構造にな
つており、解折格子のピツチdによつて回折角度
が決まる。
す説明図である。ウエハ21には回折格子22が
刻印されており、ウエハ21の上には所定のギヤ
ツプだけ離れてマスク23が対向している。マス
ク23には焦点距離がマスクとウエハのギヤツプ
量に等しいLFZP24が描かれている。第4図は
マスク用マークのLFZPの構造を示す説明図であ
る。LFZPはいろいろな幅や間隔の縞が並んだ構
造になつており、縞はマークの中心からの距離を
rnとするとr2n=nfλ+n2λ2/4で表わされる。ここ では、fは焦点距離、λはアライメントに用いる
レーザの波長である。また、第5図はウエハ用マ
ークの解折格子を示す説明図である。回折格子は
大きさの等しい長方形が等間隔に並んだ構造にな
つており、解折格子のピツチdによつて回折角度
が決まる。
第3図においてマスク23の上方から入射され
た平行レーザビーム25はLFZP24により集光
され、ウエハ21面上で焦点を結びスリツト状の
像をつくる。この結像したスリツトとウエハ21
面上の回折格子22が一直線上に重なると、レー
ザビームは回折し再びLFZP24を通り平行光と
なつて位置決め信号として検出される。
た平行レーザビーム25はLFZP24により集光
され、ウエハ21面上で焦点を結びスリツト状の
像をつくる。この結像したスリツトとウエハ21
面上の回折格子22が一直線上に重なると、レー
ザビームは回折し再びLFZP24を通り平行光と
なつて位置決め信号として検出される。
前述のX線ステツパ「MX1600」では、閉ルー
プ自動位置合わせを行うために、マスク用マーク
のLFZP24へのレーザビーム25の横方向の入
射角を変化させる。これによつて、結像したスリ
ツトは直線状の回折格子22を走査し、アライメ
ントマークのずれ量を電気的に検出することがで
きる。このとき、ウエハ21面上でのスリツトの
走査範囲は約2μmなので、アライメントマーク
のいずれ量の検出範囲も約2μmである。
プ自動位置合わせを行うために、マスク用マーク
のLFZP24へのレーザビーム25の横方向の入
射角を変化させる。これによつて、結像したスリ
ツトは直線状の回折格子22を走査し、アライメ
ントマークのずれ量を電気的に検出することがで
きる。このとき、ウエハ21面上でのスリツトの
走査範囲は約2μmなので、アライメントマーク
のいずれ量の検出範囲も約2μmである。
上述した従来のアライメント方法は、位置ずれ
の検出範囲が約2μmと狭いため、マスクとウエ
ハをステージに装着する際には、ある程度の重ね
合わせ精度をもつようにプリアライメントを行う
必要がある。従来のマスクとウエハのプリアライ
メントは、それぞれの外形を基準に機械的に突き
当てて位置決めすることによつて行つているの
で、プリアライメントの重ね合わせ精度はマスク
とウエハの外形とパターンの位置精度に大きく左
右される。そのため、マスクの製作にあたり、マ
スクのパターンを外形に対して位置精度を良くし
なければならないので、マスクの製作が困難にな
るといる欠点があつた。
の検出範囲が約2μmと狭いため、マスクとウエ
ハをステージに装着する際には、ある程度の重ね
合わせ精度をもつようにプリアライメントを行う
必要がある。従来のマスクとウエハのプリアライ
メントは、それぞれの外形を基準に機械的に突き
当てて位置決めすることによつて行つているの
で、プリアライメントの重ね合わせ精度はマスク
とウエハの外形とパターンの位置精度に大きく左
右される。そのため、マスクの製作にあたり、マ
スクのパターンを外形に対して位置精度を良くし
なければならないので、マスクの製作が困難にな
るといる欠点があつた。
したがつて、プリアライメントの重ね合わせ精
度が2μm以上になる場合には、位置ずれ信号は
検出できず、位置ずれ信号の検出範囲内にマスク
とウエハを重ね合わせるようにステージを動か
し、位置ずれ信号を探し出す工程が必要になりア
ライメントに長い時間がかかるという欠点があつ
た。
度が2μm以上になる場合には、位置ずれ信号は
検出できず、位置ずれ信号の検出範囲内にマスク
とウエハを重ね合わせるようにステージを動か
し、位置ずれ信号を探し出す工程が必要になりア
ライメントに長い時間がかかるという欠点があつ
た。
本発明のマスクとウエハのプリアライメント方
法は、あおりθステージと、マスクチヤツクから
なるマスクステージにプリアライメントマークを
有するマスクを挿着する第1の挿着工程と、xy
ステージ上に搭載されたマスク用テレビカメラを
マスクの前方に移動する第1の移動工程と、マス
ク用テレビカメラでマスクのプリアライメントマ
ークを観察してxyθ方向の合わせ込みをする第1
の合わせ込み工程と、前記xyステージθステー
ジとウエハチヤツクからなるウエハステージにプ
リアライメントマークを有するウエハを挿着する
第2の挿着工程と、ウエハステージを駆動してウ
エハをウエハ用テレビカメラの前方に移動する第
2移動工程と、ウエハ用テレビカメラでウエハの
プリアライメントマークを観察してxyθ方向の合
わせ込みをする第2の合せ込み工程と、ウエハス
テージを駆動してウエハをマスク前面の露光位置
に移動する第3の移動工程とを含んで構成され
る。
法は、あおりθステージと、マスクチヤツクから
なるマスクステージにプリアライメントマークを
有するマスクを挿着する第1の挿着工程と、xy
ステージ上に搭載されたマスク用テレビカメラを
マスクの前方に移動する第1の移動工程と、マス
ク用テレビカメラでマスクのプリアライメントマ
ークを観察してxyθ方向の合わせ込みをする第1
の合わせ込み工程と、前記xyステージθステー
ジとウエハチヤツクからなるウエハステージにプ
リアライメントマークを有するウエハを挿着する
第2の挿着工程と、ウエハステージを駆動してウ
エハをウエハ用テレビカメラの前方に移動する第
2移動工程と、ウエハ用テレビカメラでウエハの
プリアライメントマークを観察してxyθ方向の合
わせ込みをする第2の合せ込み工程と、ウエハス
テージを駆動してウエハをマスク前面の露光位置
に移動する第3の移動工程とを含んで構成され
る。
次に、本発明の実施例について、図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す斜視図であ
る。
る。
第1図に示すX線露光装置は、ベース1と、ベ
ース1に搭載されX軸方向に移動できるXステー
ジ2と、Xステージ2に搭載されY軸方向に移動
できるYステージ3と、Yステージ3に搭載され
回転運動をするθステージ4と、真空吸着機構を
有するウエハチヤツク5と、ウエハ6とを含んで
いる。ウエハ用テレビカメラ72個はウエハ6の2
個のプリアライメントマークを観察する位置に固
定されている。X線源8の下方にはX線を導くヘ
リウムチヤンバ9とあおりθステージ10とマス
クチヤツク11が取付けられており先端にマスク
12を真空吸着している。2個のマスク用テレビ
カメラ13Yはステージ3の上にあり、マスク1
2のブリアライメントマークを観察できる位置に
固定されている。さらにヘリウムチヤンバ9の側
面に取付けられ最終的なフアインアライメントを
行うためのアライメント光学系14と、Yステー
ジ上に搭載された直角ミラー15と、Xステージ
2とYステージ3の位置を計測するレーザ測長器
16を含んで構成される。
ース1に搭載されX軸方向に移動できるXステー
ジ2と、Xステージ2に搭載されY軸方向に移動
できるYステージ3と、Yステージ3に搭載され
回転運動をするθステージ4と、真空吸着機構を
有するウエハチヤツク5と、ウエハ6とを含んで
いる。ウエハ用テレビカメラ72個はウエハ6の2
個のプリアライメントマークを観察する位置に固
定されている。X線源8の下方にはX線を導くヘ
リウムチヤンバ9とあおりθステージ10とマス
クチヤツク11が取付けられており先端にマスク
12を真空吸着している。2個のマスク用テレビ
カメラ13Yはステージ3の上にあり、マスク1
2のブリアライメントマークを観察できる位置に
固定されている。さらにヘリウムチヤンバ9の側
面に取付けられ最終的なフアインアライメントを
行うためのアライメント光学系14と、Yステー
ジ上に搭載された直角ミラー15と、Xステージ
2とYステージ3の位置を計測するレーザ測長器
16を含んで構成される。
第2図a〜eは第1図に示すX線露光装置にお
けるマスクとウエハのプリアライメント工程を示
す説明図である。
けるマスクとウエハのプリアライメント工程を示
す説明図である。
第2図aはマスク12をマスクチヤツク11で
真空吸着し、マスク用テレビカメラ13をxステ
ージ2とyステージ3を駆動して、マスク12の
プリアライメントマークをマスク用テレビカメラ
13で観察する工程を示している。2個のマスク
用テレビカメラ13の間隔は、プリアライメント
マークの間隔Dに等しい。
真空吸着し、マスク用テレビカメラ13をxステ
ージ2とyステージ3を駆動して、マスク12の
プリアライメントマークをマスク用テレビカメラ
13で観察する工程を示している。2個のマスク
用テレビカメラ13の間隔は、プリアライメント
マークの間隔Dに等しい。
第2図bは、プリアライメントマーク17a,
17bをマスク用テレビカメラ13で観察したと
きのテレビモニタの状態を示している。観察され
たプリアライメントマーク17aとモニタ上の基
準マーク18aとのX方向のずれ量をΔxa、Y方
向のずれ量をΔyaとし、プリアライメントマーク
17bと基準マーク18bとのX方向のずれ量を
Δxb、Y方向のずれ量をΔybとすると、マスク1
2XYθ方向のずれ量Δxm,Δym,ΔθmはΔx=
(Δxa+Δxb)/2、Δy=(Δya+Δyb)/2、
Δθ=(Δya−Δyb)/Dで表わされる。ただし、
Dはプリアライメントマーク17a,17bの間
隔である。このΔx,ΔY,Δθをもとに、Xステ
ージ2、Yステージ3、あおりθステージ10を
動かし、モニタ上でプリアライメントマーク17
a,17bと基準マーク18a,18bを重ね合
わせてマスク12のプリアライメントを行う。
17bをマスク用テレビカメラ13で観察したと
きのテレビモニタの状態を示している。観察され
たプリアライメントマーク17aとモニタ上の基
準マーク18aとのX方向のずれ量をΔxa、Y方
向のずれ量をΔyaとし、プリアライメントマーク
17bと基準マーク18bとのX方向のずれ量を
Δxb、Y方向のずれ量をΔybとすると、マスク1
2XYθ方向のずれ量Δxm,Δym,ΔθmはΔx=
(Δxa+Δxb)/2、Δy=(Δya+Δyb)/2、
Δθ=(Δya−Δyb)/Dで表わされる。ただし、
Dはプリアライメントマーク17a,17bの間
隔である。このΔx,ΔY,Δθをもとに、Xステ
ージ2、Yステージ3、あおりθステージ10を
動かし、モニタ上でプリアライメントマーク17
a,17bと基準マーク18a,18bを重ね合
わせてマスク12のプリアライメントを行う。
第2図cは、ウエハ6をウエハチヤツク5に真
空吸着し、ウエハ用テレビカメラ7で2個のプリ
アライメントマークを観察してプリアライメント
を行う位置にXステージ2とYステージ3を移動
したところを示している。ウエハ6上のプリアラ
イメントマークの間隔もマスク上のプリアライメ
ントマークの間隔Dに等しくしておく。
空吸着し、ウエハ用テレビカメラ7で2個のプリ
アライメントマークを観察してプリアライメント
を行う位置にXステージ2とYステージ3を移動
したところを示している。ウエハ6上のプリアラ
イメントマークの間隔もマスク上のプリアライメ
ントマークの間隔Dに等しくしておく。
第2図dは、プリアライメントマーク19a,
19bをウエハ用テレビカメラ7で観察したとき
のテレビモニタの状態を示している。前述のマス
クの場合と同様に、ウエハ6のXYθ方向のずれ
量Δxw,Δyw,Δθwを求め、Xステージ2、Y
ステージ3、θステージ4を動かし、モニタ上で
プリアライメントマーク19a,19bと基準マ
ーク20a,20bを重ね合わせプリアライメン
トを行う。
19bをウエハ用テレビカメラ7で観察したとき
のテレビモニタの状態を示している。前述のマス
クの場合と同様に、ウエハ6のXYθ方向のずれ
量Δxw,Δyw,Δθwを求め、Xステージ2、Y
ステージ3、θステージ4を動かし、モニタ上で
プリアライメントマーク19a,19bと基準マ
ーク20a,20bを重ね合わせプリアライメン
トを行う。
第2図eは、ウエハ6のプリアライメント完了
後、Xステージ2とYステージ3を最初の露光位
置に移動させたときの状態を示している。ウエハ
用テレビカメラ7に対するウエハ6の位置は、マ
スク12の場合と同様に、レーザ測長器で正確に
計測することができる。マスク12はすでにマス
ク用テレビカメラ13に対して正確に位置決めさ
れているので、マスク12とウエハ6を高い重ね
合わせ精度でプリアライメントすることが可能と
なる。
後、Xステージ2とYステージ3を最初の露光位
置に移動させたときの状態を示している。ウエハ
用テレビカメラ7に対するウエハ6の位置は、マ
スク12の場合と同様に、レーザ測長器で正確に
計測することができる。マスク12はすでにマス
ク用テレビカメラ13に対して正確に位置決めさ
れているので、マスク12とウエハ6を高い重ね
合わせ精度でプリアライメントすることが可能と
なる。
マスクとウエハのプリアライメントが完了した
ら、アライメント光学系14により最終的なフア
インアライメントを行い露光を開始する。
ら、アライメント光学系14により最終的なフア
インアライメントを行い露光を開始する。
本発明のマスクとウエハのプリアライメント方
法は、マスクとウエハに対しそれぞれ独立したテ
レビカメラを用いてプリアライメントできるた
め、誤差要因が少なく重ね合わせ精度の良いプリ
アライメントができるという効果がある。その結
果、最終的なフアインアライメントの負担が軽く
できるという効果がある。
法は、マスクとウエハに対しそれぞれ独立したテ
レビカメラを用いてプリアライメントできるた
め、誤差要因が少なく重ね合わせ精度の良いプリ
アライメントができるという効果がある。その結
果、最終的なフアインアライメントの負担が軽く
できるという効果がある。
また、マスクの外形を基準としてプリアライメ
ントを行うかわりに、ウエハステージを動かして
合わせ込みを行うため、マスクの外形とマスクパ
ターンの位置精度を出す必要がなく、マスクの製
作が比較的容易になるという効果がある。
ントを行うかわりに、ウエハステージを動かして
合わせ込みを行うため、マスクの外形とマスクパ
ターンの位置精度を出す必要がなく、マスクの製
作が比較的容易になるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す斜視図、第2
図a〜eは本発明のマスクとウエハのプリアライ
メントの工程を示す説明図、第3図は従来のアラ
イメント方法を示す説明図、第4図は第3図に示
すアライメント方法におけるマスク用マークであ
るリニア・フレネル・ゾーン・プレートを示す平
面図、第5図は第3図に示すアライメント方法に
おけるウエハ用マークである回折格子を示す平面
図。 1……ベース、2……Xステージ、3……Yス
テージ、4……θステージ、5……ウエハチヤツ
ク、6……ウエハ、7……ウエハ用テレビカメ
ラ、8……X線源、9……ヘリウムチヤンバ、1
0……あおりθステージ、11……マスクチヤツ
ク、12……マスク、13……マスク用テレビカ
メラ、14……アライメント光学系、15……直
角ミラー、16……レーザ測長器、17a,17
b……マスクのプリアライメントマーク、18
a,18b……基準マーク、19a,19b……
ウエハのプリアライメントマーク、20a,20
b……基準マーク、21……ウエハ、22……回
折格子、23……マスク、24……リニア・フレ
ネル・ゾーン・プレート、25……レーザビー
ム、Δxa,Δxb……プリアライメントマークと基
準マークのX方向のずれ量、Δya,Δyb……プリ
アライメントマークと基準マークのY方向のずれ
量、d……回折格子のピツチ。
図a〜eは本発明のマスクとウエハのプリアライ
メントの工程を示す説明図、第3図は従来のアラ
イメント方法を示す説明図、第4図は第3図に示
すアライメント方法におけるマスク用マークであ
るリニア・フレネル・ゾーン・プレートを示す平
面図、第5図は第3図に示すアライメント方法に
おけるウエハ用マークである回折格子を示す平面
図。 1……ベース、2……Xステージ、3……Yス
テージ、4……θステージ、5……ウエハチヤツ
ク、6……ウエハ、7……ウエハ用テレビカメ
ラ、8……X線源、9……ヘリウムチヤンバ、1
0……あおりθステージ、11……マスクチヤツ
ク、12……マスク、13……マスク用テレビカ
メラ、14……アライメント光学系、15……直
角ミラー、16……レーザ測長器、17a,17
b……マスクのプリアライメントマーク、18
a,18b……基準マーク、19a,19b……
ウエハのプリアライメントマーク、20a,20
b……基準マーク、21……ウエハ、22……回
折格子、23……マスク、24……リニア・フレ
ネル・ゾーン・プレート、25……レーザビー
ム、Δxa,Δxb……プリアライメントマークと基
準マークのX方向のずれ量、Δya,Δyb……プリ
アライメントマークと基準マークのY方向のずれ
量、d……回折格子のピツチ。
Claims (1)
- 1 あおりθステージとマスクチヤツクからなる
マスクステージにプリアライメントマークを有す
るマスクを挿着する第1の挿着工程と、xyステ
ージ上に搭載されたマスク用テレビカメラをマス
クの前方に移動する第1の移動工程と、マスク用
テレビカメラでマスクのプリアライメントマーク
を観察してxyθ方向の合わせ込みをする第1の合
わせ込み工程と、前記xyステージとθステージ
とウエハチヤツクからなるウエハステージにプリ
アライメントマークを有するウエハを挿着する第
2の挿着工程と、ウエハステージを駆動してウエ
ハをウエハ用テレビカメラの前方に移動する第2
の移動工程と、ウエハ用テレビカメラでウエハの
プリアライメントマークを観察してxyθ方向の合
わせ込みをする第2の合せ込み工程と、ウエハス
テージを駆動してウエハをマスク前面の露光位置
に移動する第3の移動工程とを含むことを特徴と
するマスクとウエハのプリアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267303A JPH01108741A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | マスクとウェハのプリアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267303A JPH01108741A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | マスクとウェハのプリアライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108741A JPH01108741A (ja) | 1989-04-26 |
| JPH0520888B2 true JPH0520888B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=17442954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62267303A Granted JPH01108741A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | マスクとウェハのプリアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108741A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152186A (ja) * | 1991-05-01 | 1993-06-18 | Canon Inc | 測定装置及び露光装置及び露光装置の位置決め方法 |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62267303A patent/JPH01108741A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01108741A (ja) | 1989-04-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6225012B1 (en) | Method for positioning substrate | |
| JP3074579B2 (ja) | 位置ずれ補正方法 | |
| US4699515A (en) | Process of transfer of mask pattern onto substrate and apparatus for alignment therebetween | |
| US6583430B1 (en) | Electron beam exposure method and apparatus | |
| US4823012A (en) | Step and repeat exposure apparatus having improved system for aligning | |
| JPH0616476B2 (ja) | パターン露光方法 | |
| JP3292022B2 (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JP2646412B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPS61174717A (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JPH0140492B2 (ja) | ||
| JPH09223650A (ja) | 露光装置 | |
| JP3360744B2 (ja) | アライメント方法、及び走査型露光装置 | |
| JP2000012455A (ja) | 荷電粒子線転写露光装置及び荷電粒子線転写露光装置におけるマスクと感応基板の位置合わせ方法 | |
| JPH06232027A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3507205B2 (ja) | 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
| JPH055368B2 (ja) | ||
| JPH0520888B2 (ja) | ||
| JPH055369B2 (ja) | ||
| JP2868548B2 (ja) | アライメント装置 | |
| JPS63128639A (ja) | プリアライメント方法 | |
| JP2860567B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH10125589A (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
| JP3919689B2 (ja) | 露光方法、素子の製造方法および露光装置 | |
| JPS6376425A (ja) | 投影露光装置の位置合せ装置 | |
| JP2882821B2 (ja) | アライメント装置 |