JPH01106605A - トランジスタ回路 - Google Patents
トランジスタ回路Info
- Publication number
- JPH01106605A JPH01106605A JP62264437A JP26443787A JPH01106605A JP H01106605 A JPH01106605 A JP H01106605A JP 62264437 A JP62264437 A JP 62264437A JP 26443787 A JP26443787 A JP 26443787A JP H01106605 A JPH01106605 A JP H01106605A
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- Japan
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- transistor
- collector
- current
- emitter
- circuit
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、２個以上のトランジスタをダーリントン接続
したトランジスタ回路に関するものである。
したトランジスタ回路に関するものである。
従来の技術
従来、この種のトランジスタ回路は、第２図に示すよう
な構成であった。第２図において１゜２．３はダーリン
トン接続されたＮＰＮ型トランジスタであり、４は入力
段トランジスタ１のベースに接続された入力端子、５は
最終段トランジスタ３に接続された出力端子、６はすべ
てのトランジスタ１．２．３のコレクタに接続された電
源端子である。・ 発明が解決しようとする問題点 このような従来のトランジスタ回路において、入力端子
４に電流を注入すると、トランジスタ１０ベース電流Ｉ
Ｂの電流増幅率ｈＦＥ倍の電流が前記トランジスタ１の
コレクタに流れ、そのエミッタには、ベース電流１．の
（１＋ｈｐｇ）倍の電流が流れる。トランジスタ１でベ
ース電流１．０（１＋ｈｒｇ）倍に増幅されたエミッタ
電流は、トランジスタ２０ベースに加えられ、トランジ
スタ２のエミッタには、トランジスタ１で増幅されたト
ランジスタ１のエミッタ電流のさらに（１＋ｈｐＥ）倍
に増幅され、この電流がトランジスタ３０ベースに加え
られる。トランジスタ３のエミッタには、トランジスタ
１とトランジスタ２で増幅を重ねたトランジスタ２のエ
ミッタ電流がさらに（１＋ｈｙｇ）倍に増幅されてトラ
ンジスタ３のエミッタに出力される。
な構成であった。第２図において１゜２．３はダーリン
トン接続されたＮＰＮ型トランジスタであり、４は入力
段トランジスタ１のベースに接続された入力端子、５は
最終段トランジスタ３に接続された出力端子、６はすべ
てのトランジスタ１．２．３のコレクタに接続された電
源端子である。・ 発明が解決しようとする問題点 このような従来のトランジスタ回路において、入力端子
４に電流を注入すると、トランジスタ１０ベース電流Ｉ
Ｂの電流増幅率ｈＦＥ倍の電流が前記トランジスタ１の
コレクタに流れ、そのエミッタには、ベース電流１．の
（１＋ｈｐｇ）倍の電流が流れる。トランジスタ１でベ
ース電流１．０（１＋ｈｒｇ）倍に増幅されたエミッタ
電流は、トランジスタ２０ベースに加えられ、トランジ
スタ２のエミッタには、トランジスタ１で増幅されたト
ランジスタ１のエミッタ電流のさらに（１＋ｈｐＥ）倍
に増幅され、この電流がトランジスタ３０ベースに加え
られる。トランジスタ３のエミッタには、トランジスタ
１とトランジスタ２で増幅を重ねたトランジスタ２のエ
ミッタ電流がさらに（１＋ｈｙｇ）倍に増幅されてトラ
ンジスタ３のエミッタに出力される。
一方ＮＰＮ型トランジスタのコレクタとエミッタ間に生
じるリーク電流ｉｃｅと、コレクタ・エミッタ間の電圧
ＶＣＥとの関係は、第３図のようになる。゛第３図にお
けるＶＢは、コレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＥを増加
させていったとき、コレクタ・エミッタ間に生じるリー
ク電流Ｉｃｇが、急激に増加し始める電圧である。
じるリーク電流ｉｃｅと、コレクタ・エミッタ間の電圧
ＶＣＥとの関係は、第３図のようになる。゛第３図にお
けるＶＢは、コレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＥを増加
させていったとき、コレクタ・エミッタ間に生じるリー
ク電流Ｉｃｇが、急激に増加し始める電圧である。
第２図に示す従来の回路構成では、入力端子４に極微小
電流ＩＢを加えて回路を動作させた時にトランジスタ１
のコレクタ・エミッタ間にリーク電流が生じた場合、コ
レクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＥが、第３図に示すＶＢ
を超える電圧であると、第２図の回路において、ｌ Ｉ
ａＸ （１＋ｈｐｇ） ＋Ｉｃｅ） Ｘ（１＋ｈｐｇ）
Ｘ （１＋ｈｐｇ）の電流がトランジスタ３のエミッタ
に流れ、入力１．が極微小電流であるためトランジスタ
１のコレクタ・エミッタ間のリーク電流が無視できず、
出力に影響を与える。
電流ＩＢを加えて回路を動作させた時にトランジスタ１
のコレクタ・エミッタ間にリーク電流が生じた場合、コ
レクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＥが、第３図に示すＶＢ
を超える電圧であると、第２図の回路において、ｌ Ｉ
ａＸ （１＋ｈｐｇ） ＋Ｉｃｅ） Ｘ（１＋ｈｐｇ）
Ｘ （１＋ｈｐｇ）の電流がトランジスタ３のエミッタ
に流れ、入力１．が極微小電流であるためトランジスタ
１のコレクタ・エミッタ間のリーク電流が無視できず、
出力に影響を与える。
本発明は、このような従来の問題点を解決するもので、
トランジスタのコレクタ・エミッタ間に生じるリーク電
流を防ぎ、最終的な出力がリーク電流の影響を受けに＜
＜シたトランジスタ回路を提供するものである。
トランジスタのコレクタ・エミッタ間に生じるリーク電
流を防ぎ、最終的な出力がリーク電流の影響を受けに＜
＜シたトランジスタ回路を提供するものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、２個以上のトラ
ンジスタをダーリントン接続し、そのうちの少なくとも
入力段トランジスタのコレクタと電源間あるいは基準電
圧源間に電圧降下用の素子あるいは回路要素を接続した
ものである。
ンジスタをダーリントン接続し、そのうちの少なくとも
入力段トランジスタのコレクタと電源間あるいは基準電
圧源間に電圧降下用の素子あるいは回路要素を接続した
ものである。
作用
この構成により、入力段トランジスタのコレクタ電圧を
、このトランジスタが飽和しない程度まで下げ、コレク
タ・エミッタ間の電圧ＶＣＥを第３図に示すＶｅよりも
小さ（し、コレクタ・エミッタ間に生じるリーク電流を
極微小電流を入力とした場合においても無視できる程の
電流にすることにより、出力への影響を防ぐことができ
る。
、このトランジスタが飽和しない程度まで下げ、コレク
タ・エミッタ間の電圧ＶＣＥを第３図に示すＶｅよりも
小さ（し、コレクタ・エミッタ間に生じるリーク電流を
極微小電流を入力とした場合においても無視できる程の
電流にすることにより、出力への影響を防ぐことができ
る。
実施例
第１図は、本発明の一実施例によるトランジスタ回路で
あり、第２図と同一機能の部分には同一符号を記してい
る。基本的な増幅動作は第２図に示した従来例と同じで
あり、すなわち入力端子４に電流１Ｂを注入するとトラ
ンジスタ１のベース電流ＩＢに対しエミッタには、ベー
ス電流Ｉｎの（１＋ｈ＋ｙＥ）倍された電流が流れ、ト
ランジスタ２のベースに加えられる。さらにトランジス
タ２のエミッタには、加えられたベース電流の（１十ｈ
ｒＥ）倍の電流が流れ、これがさらにトランジスタ３の
ベース電流となり、トランジスタ３のエミッタには、ト
ランジスタ１のベース電流ＩＢの（１＋ｈｐ［りＸ （
１＋ｈｐｇ） Ｘ （１＋ｈｐｇ）倍の電流が流れる。
あり、第２図と同一機能の部分には同一符号を記してい
る。基本的な増幅動作は第２図に示した従来例と同じで
あり、すなわち入力端子４に電流１Ｂを注入するとトラ
ンジスタ１のベース電流ＩＢに対しエミッタには、ベー
ス電流Ｉｎの（１＋ｈ＋ｙＥ）倍された電流が流れ、ト
ランジスタ２のベースに加えられる。さらにトランジス
タ２のエミッタには、加えられたベース電流の（１十ｈ
ｒＥ）倍の電流が流れ、これがさらにトランジスタ３の
ベース電流となり、トランジスタ３のエミッタには、ト
ランジスタ１のベース電流ＩＢの（１＋ｈｐ［りＸ （
１＋ｈｐｇ） Ｘ （１＋ｈｐｇ）倍の電流が流れる。
第１図に示すように、この実施例においては、トランジ
スタ１，２．３のコレクタと電源端子６０間に、ダイオ
ード７が順方向に接続されている。
スタ１，２．３のコレクタと電源端子６０間に、ダイオ
ード７が順方向に接続されている。
このようにすれば、ダイオード７の電圧降下によってト
ランジスタ１，２．３のコレクタ電位が第２図に示した
従来の回路に比べて低くなる。いいかえれば、トランジ
スタ１，２．３のコレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＥが
従来よりも小さくなり、第３図に示すＶｅより小さくす
ることができ、従来の回路に比ベリーク電流を少なくで
きる。
ランジスタ１，２．３のコレクタ電位が第２図に示した
従来の回路に比べて低くなる。いいかえれば、トランジ
スタ１，２．３のコレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＥが
従来よりも小さくなり、第３図に示すＶｅより小さくす
ることができ、従来の回路に比ベリーク電流を少なくで
きる。
特に、この実施例のようにすべてのトランジスタ１，２
．３のコレクタと電源端子６との間にダイオード７を接
続した場合には、すべてのトランジスタのＶＣＥが小さ
（なり、トランジスタ１のコレクタ・エミッタ間だけで
はなくトランジスタ２．３のコレクタ・エミッタ間に生
°じるリーク電流を少なくすることができるため、いっ
そう出力への影響を防止することができる。
．３のコレクタと電源端子６との間にダイオード７を接
続した場合には、すべてのトランジスタのＶＣＥが小さ
（なり、トランジスタ１のコレクタ・エミッタ間だけで
はなくトランジスタ２．３のコレクタ・エミッタ間に生
°じるリーク電流を少なくすることができるため、いっ
そう出力への影響を防止することができる。
なお、入力段トランジスタ１のコレクタと電源端子６と
の間に電圧降下用の素子あるいは回路を入れるだけでも
よい。入力段トランジスタ１のコレクタ・エミッタ間の
リーク電流を少な（するだけでも最終段トランジスタ３
のエミッタ出力には、ＩＢＸ （１＋ｈｒｇ） Ｘ （
１＋ｈｐｇ）分の電流を防止する効果が得られる。
の間に電圧降下用の素子あるいは回路を入れるだけでも
よい。入力段トランジスタ１のコレクタ・エミッタ間の
リーク電流を少な（するだけでも最終段トランジスタ３
のエミッタ出力には、ＩＢＸ （１＋ｈｒｇ） Ｘ （
１＋ｈｐｇ）分の電流を防止する効果が得られる。
また、第１図の実施例では、電圧降下用の素子としてダ
イオード７を用いたが、この他、抵抗等の素子でもよい
し、さらには、電圧降下をもたらす回路要素でもよい。
イオード７を用いたが、この他、抵抗等の素子でもよい
し、さらには、電圧降下をもたらす回路要素でもよい。
さらに、電源端子６は基準電圧源でもよい。またトラン
ジスタとしてＰＮＰ型トランジスタを用いたときは、電
源端子６を接地とし、ダイオードを逆に、すなわち、ア
ノード側をコレクタ側に接続する。
ジスタとしてＰＮＰ型トランジスタを用いたときは、電
源端子６を接地とし、ダイオードを逆に、すなわち、ア
ノード側をコレクタ側に接続する。
発明の効果
以上のように本発明によれば、入力段のトランジスタの
ベース入力が、極微小電流であり、前記極微小を入力と
した最終段のトランジスタの出力端子から出力を得る場
合、少なくとも入力段のトランジスタのコレクタと電源
または基準電圧源間に接続された電圧降下用の素子ある
いは回路により、前記トランジスタのコレクタ・エミッ
タ間の電圧ＶＣＥをｖＢより小さくシ、前記トランジス
タのコレクタ・エミッタ間に生じるリーク電流を入力電
流に対し無視できる程度におさえ、出力への影響を防ぐ
効果が得られる。
ベース入力が、極微小電流であり、前記極微小を入力と
した最終段のトランジスタの出力端子から出力を得る場
合、少なくとも入力段のトランジスタのコレクタと電源
または基準電圧源間に接続された電圧降下用の素子ある
いは回路により、前記トランジスタのコレクタ・エミッ
タ間の電圧ＶＣＥをｖＢより小さくシ、前記トランジス
タのコレクタ・エミッタ間に生じるリーク電流を入力電
流に対し無視できる程度におさえ、出力への影響を防ぐ
効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例によるトランジスタ回路を示
す回路図、第２図は従来のトランジスタ回路を示す回路
図、第３図はコレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＩＩと前
記コレクタ・エミッタ間に生じるリーク電流Ｉｃｅの関
係を示した特性図である。 １．２．３・・・・・・トランジスタ、４・・・・・・
入力端子、５・・・・・・出力端子、６・・・・・・電
源端子、７・・・・・・ダイオード。
す回路図、第２図は従来のトランジスタ回路を示す回路
図、第３図はコレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＩＩと前
記コレクタ・エミッタ間に生じるリーク電流Ｉｃｅの関
係を示した特性図である。 １．２．３・・・・・・トランジスタ、４・・・・・・
入力端子、５・・・・・・出力端子、６・・・・・・電
源端子、７・・・・・・ダイオード。
Claims (1)
- ２個以上のトランジスタをダーリントン接続し、前記
トランジスタ群の少なくとも入力段トランジスタのコレ
クタと電源あるいは基準電圧源との間に、電圧降下用の
素子または回路要素を接続したことを特徴とするトラン
ジスタ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264437A JPH01106605A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | トランジスタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264437A JPH01106605A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | トランジスタ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106605A true JPH01106605A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17403178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62264437A Pending JPH01106605A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | トランジスタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106605A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7525779B2 (en) * | 2004-08-30 | 2009-04-28 | Zi-Ping Chen | Diode strings and electrostatic discharge protection circuits |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP62264437A patent/JPH01106605A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7525779B2 (en) * | 2004-08-30 | 2009-04-28 | Zi-Ping Chen | Diode strings and electrostatic discharge protection circuits |
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