JPH01108364A - 蒸発源の蒸着材料供給方法 - Google Patents

蒸発源の蒸着材料供給方法

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JPH01108364A
JPH01108364A JP26350687A JP26350687A JPH01108364A JP H01108364 A JPH01108364 A JP H01108364A JP 26350687 A JP26350687 A JP 26350687A JP 26350687 A JP26350687 A JP 26350687A JP H01108364 A JPH01108364 A JP H01108364A
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JP
Japan
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vapor deposition
deposition material
evaporation
melting part
crucible
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Pending
Application number
JP26350687A
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English (en)
Inventor
Kiyoshi Nehashi
清 根橋
Shuichi Okabe
修一 岡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IHI Corp
Original Assignee
Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd
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Publication date
Application filed by Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd filed Critical Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd
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Publication of JPH01108364A publication Critical patent/JPH01108364A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/246Replenishment of source material

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は、めっき用の蒸着材料の溶解部を所定の軌跡
に沿って連続的にずらしつつ、その溶解部から蒸着材料
を蒸発させる蒸発源を対象として、その蒸発源にて消費
される蒸着材料を供給する方[従来の技術] この種の蒸発源は、イオンブレーティング装置や真空蒸
着装置などの蒸着めっき装置に備えられている。
まず、蒸発源を備えた蒸着めっき装置として、イオンブ
レーティング装置の構成例を第7図により説明する。
チャンバI内には、真空状態のところに、例えば、窒素
や炭素等の反応ガス2が供給される。この反応ガス2に
は、放電を生じさせるためのアルゴン等の不活性ガスが
混合されている。
チャンバ1内の底部には、蒸着材料3を所定の蒸気圧(
10−” 〜l 0−3Torr)が得られるまで、温
度でいえば、融点よりも少し高い温度まで加熱して蒸発
させ、蒸発物質4にするための蒸発源5が設けである。
蒸発源5は、電子ビーム6を利用した、いわゆる電子ビ
ーム蒸発源であり、水冷されたルツボ7に蒸着材料3を
入れ、これに電子ビーム6を直接チャンバlの側壁には
、ルツボ7より電位が高い直流放電電極板8が設けであ
る。
該直流放電電極板8は、モリブデン(Mo )、タンタ
ル(Ta)、タングステン(W)等で形成され、蒸発源
5から熱電子(c”)9を放出させて、萌記反応ガス2
や、蒸発物質4に衝突させ、該反応ガス2や蒸発物質4
をイオン化し、あるいは励起する6のである。
チャンバI内の上方には、めっきされる被蒸着基板10
が配置されている。被蒸着基板IOは、ルツボ7より電
位が低く、ヒータ11によって加熱されるようになって
いる。
なお、蒸発源5と被蒸着基板10との間には、開閉可能
なシャッタ12が設けられている。また、ルツボ7と直
流放電電極板8との間、およびルツボ7と被蒸着基板I
Oとの間の各々に、直流電源13.14が接続されてい
る。また、図中、15は真空排気である。
以上の構成において、電子ビーム6によって加熱された
蒸着材料は、蒸発物質4となってチャンバ1内に蒸発す
る。このとき、蒸発源5から直流放電it電極板へ向け
て放出される熱電子(eつ9が、蒸発物質4に衝突して
、電子を弾き出し、正イオン化する。また、反応ガス2
も同様に熱電子9の衝突により正イオン化する。
これら正イオン化された蒸発物質4と反応ガス2は、電
位の低い被蒸着基板10に引かれて衝突する。そして、
蒸発物質4と反応ガス2が化合して蒸着膜を形成する。
このように、イオンブレーティング装置は、蒸発物質4
をイオン化するので、被蒸着基板10に確実に付着し、
長期間使用しても剥離しない強固なめっきか得られる。
ところで、このようなイオンブレーティング装置におい
ては、蒸着面積が小さくて操業時間が例えば1〜2時間
時間色短い場合は、蒸着材料3が小さく、ルツボ7は単
に定位置に固定するだけでよかった。つまり、電子ビー
ム6が当たって蒸着材料3が溶解する蒸発位置は一定で
よかった。しかし、蒸着面積が大きくて操業時間が例え
ば10時間以上と長い場合は、蒸着材料3を大きくし、
そして時間の経過とともに蒸着材料3の蒸発位置を連続
的にずらす必要がある。
蒸着材料3の蒸発位置をずらす方法としては、第3図お
よび第4図に表すように、ルツボ7を回転させる方法が
一般的である。
すなわち、ドーナツ状に形成した蒸着材料3(通称「ル
ツボまんじゅう」)をルツボ7に載せ、そして操業中に
、軸線0を中心としてルツボ7を繰り返し回転させるこ
とにより、電子ビーム6の当たる位置、つまり蒸発する
溶解部Aの位置を連続的にずらすようになっている。結
局、溶解部Aの位置は、蒸着材料3の形状に沿うリング
状の軌跡を描くようにしてずれていく。そして、その軌
跡はルツボ7の繰り返しの回転によって順次重なってい
き、蒸着材料3は除々に消費されて、その状態が第5図
(a)、(b)、(c)に表すようにしだいに変化する
ことになる。
第5図(a)は当初の状態であり、ルツボ7が回転して
蒸着材料3が消費されるにつれて、同図(b)、(c)
のように除々に薄くなっていく。
特に、蒸着材料3のリング状の中央付近Pが凹状となっ
て、薄くなる。
[発明が解決しようとする問題点] 上述したように、従来の場合は、操業の進行にともなっ
て蒸着材料3がしたいに薄くなる。そのため、電子ビー
ム6のパワーが一定であっても蒸着材料3が過熱されて
溶解し過ぎたり、また蒸着材料3の熱変形によってルツ
ボ7からの冷却の程度が変化してしまう。
その結果、蒸着材料3の溶解部が変動して、熱電子量の
変動(イオン化電流の変動)と、蒸着物質4の量の変動
を招き、結局、被蒸着基板10への膜の生成変動を起こ
して、均一で良好な膜の生成を妨げるという問題があっ
た。
このような問題を対策案としては、電子ビーム6のパワ
ーを調整したり、直流放電電極板8にかかる電源13の
電圧を調整したりする等の方法がある。しかし、これら
の方法のためには複雑な補正操業が必要となって、操業
上の新たな問題を招く結果となる。
また、他の対策案としては、第6図に表すように、操業
中において、投入シュート17から蒸着材料3を補給す
る方法が考えられる。この場合、蒸着材料3をチップ材
とすることが考えられる。
それは、普通、蒸着材料3を形成する際には、ルツボ7
にチップ材を入れ、そしてチャンバー1内を真空状態に
して、チップ材をドーナツ状に連続して溶着させる方法
を採っているからである。チップ材は、例えば厚さ2n
+m、1辺20mm程度である。なお、蒸着材料3はイ
ンゴットから削り出してつくるのが理想的ではある。し
かし、コストが極めて高くなるため現実的ではない。こ
のようなことから、蒸着材料3を補給する場合には、チ
ップ材として補給することが考えられる。
ところが、蒸着材料3をチップ材として補給した場合に
は、第6図に表すように、チップ材がルツボ7の縁や中
心部などの電子ビーム6の当たらない部分に投入された
り、電子ビーム6の溶解可能量以上に投入されることが
ある。そして、このような場合には、チップ材が蒸着材
料3内に溶けずに残り、蒸着材料3の形状が不均一なも
のとなって、安定操業ができない。結局、蒸着材料3が
使い物とならなくなる。
この発明は、これらの事情を考慮してなされたものであ
り、蒸着材料の当初の形状を維持するように、蒸着材料
を供給することによって、安定操業を実現し、均一で良
好な膜を生成することかできる蒸発源の蒸着材料供給方
法を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] この発明の蒸発源の蒸着材料供給方法は、めっき用の蒸
着材料の溶解部を所定の軌跡に沿って連続的にずらしつ
つ、その溶解部から蒸着材料を蒸発させる蒸発源におい
て、 蒸着材料の溶解部がずれる軌跡上でかつ現時点の溶解部
を避けた蒸着材料の位置に、蒸着材料の蒸発による消費
量分ずつ、蒸着材料の粒状体を連続的に供給することを
特徴とする。
[作用] この発明の蒸発源の蒸着材料供給方法は、蒸着材料の消
費量分ずつ、蒸着材料の上に粒状体の蒸着材料を安定し
た形で供給することにより、蒸着材料の断面積および形
状を当初のままに維持して、膜の生成条件を一定に保っ
て均一で良好な膜をつくると共に、長期間の安定操業を
実現する。
[実施例コ 以下、この発明の一実施例を第1図および第2図に基づ
いて説明する。なお、図中において、前述した従来例と
同様の部分には向−符号を付してその説明を省略する。
本実施例は、前述した従来例の場合と同様のイオンブレ
ーティング装置の蒸発源5を対象として、その蒸発源5
のルツボ7の上に蒸着材料3を供給する方法の一例であ
る。
図において、21は供給用の粒状蒸着材料であり、貯蔵
ホッパー22内に貯蔵されている。粒状蒸着材料21は
、粒状である以外はその形状は特定されず、例えば球、
四角などの粒状であってもよい。貯蔵ホッパー22の下
端には、粒状蒸着材料21を切り出して排出する切り出
し装置23が備えられており、切り出された粒状蒸着材
料21は、投入シュート24内を滑ってルツボ7上に投
入される。粒状蒸着材料21の投入位置は、ルツボ7の
回転にともなってずれる蒸着材料3の溶解部Aの軌跡上
、つまりドーナツ状の蒸着材料3に沿うリング状の軌跡
上であって、かつ現時点の溶解部Aを避けた位置となっ
ている。本実施例の場合は、現時点の溶解部Aの位置、
つまり電子ビーム6の照射位置から、ルツボ7の回転方
向に180°ずれた位置が粒状蒸着材料21の投入位置
となっている。また、投入シュート24は、第2図中の
矢印方向に角度が調整できるようになっており、これに
より投入角度可変式となっている。
実際の操業に際しては、ルツボ7を回転させ、かつ電子
ビーム6を当てて蒸着材料3を蒸発させつつ、粒状蒸着
材料21を投入する。その投入量は、蒸着材料3の消費
量分となるように切り出し装置23を制御する。そのた
めに、予め単位時間当たりの蒸着材料3の消費量を経験
的に求めておき、その消費1分だけ粒状蒸着材料21を
連続的に供給する。
供給される粒状蒸着材料21は、それ自体が粒状である
ため、ルツボ7の上に一定の形を成すように落ちる。し
かも、粒状蒸着材料2Iの供給量が蒸着材料3の消費量
と同量であるため、操業の経過に拘わらず、蒸着材料3
の断面積および形状は当初のままとなる。したがって、
蒸着材料3とルツボ7との関係が常に一定となり、蒸着
材料3が電子ビーム6から受ける熱と、ルツボ7によっ
て冷却される熱は、常に一定の熱平衡状態を維持するこ
とになる。結局、イオン化電流の安定、蒸発物質の質量
の安定、非蒸着基板lOへの膜の生成安定となり、均一
で良好な膜ができることになる。
また、蒸着材料3の消費量に見合った分だけ蒸着材料2
1を補給するため、長時間の安定操業が可能となる。し
たがって、蒸着材料3の容量の変化に対応する複雑な補
正操業が不要となり、粒状蒸着材料21の供給装置の構
造や運転がシンプルな6のとなる。
ちなみに、粉の蒸着材料を供給した場合には、電子ビー
ム6によってほぼ瞬時に溶解したり飛び散ったりしてイ
オン化電流を乱したり、また投入シュート24からの投
入時に舞い上がったり、飛び散ったりしてしまう。また
チップや塊の蒸着材料を供給した場合には、溶は残った
り、不均一に投入されて、蒸着材料3の形状を不均一な
ものとし、イオン化電流を変動させることになる。した
がって、蒸着材料が粉、チップ、および塊の場合は、い
ずれも均一で良好な膜を生成することができない。
[効果] 以上説明したように、この発明の蒸発源の蒸着材料供給
方法は、蒸着材料の粒状体を補給するから、蒸着材料の
上に粒状体の蒸着材料を安定した形で供給することがで
きる。したがって、蒸着材料の断面積゛および形状を当
初のままに維持し、膜の生成条件を一定に保って均一で
良好な膜をつくることができる。
また、蒸着材料の消費量分ずつ蒸着材料の粒状体を補給
するから、長期間の操業が可能となり、しかし当初の蒸
着材料の容量を特に大きくする必要かなく、経済的であ
る。
また、蒸着材料の断面積および形状を当初のまま推持し
て、安定した操業ができるため、蒸着材料の減少に対応
するような複雑な補正操業が不要となり、操業が極めて
容易となる。また、粒状体の蒸着材料の供給量を一定に
して、供給装置の構造および運転をシンプルなしのとす
ることもできる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はこの発明の一実施例を説明するた
めの図であり、第1図は要部の平面図、第2図は第1図
の■−■線に沿う断面図である。 第3図ないし第6図は従来例を説明するための図であり
、第3図は要部の平面図、第4図は第3図のIV−IV
線に沿う断面図、第5図(a)、(b)、(C)は操業
の進行にともなう蒸着材料の消費情況の説明図、第6図
はチップ状の蒸着材料の供給情況の説明図である。 第7図は一般的なイオンブレーティング装置の概略構成
図である。 l・・・・・・チャンバー、  3・・・・・・蒸着材
料、6・・・・・・電子ビーム、  7・・・・・・ル
ツボ、IO・・・・・・被蒸着基板、 21・・・・・・蒸着材料の粒状体、 22・・・・・・貯蔵ホッパー、 23・・・・・・切り出し装置、 24・・・・・・投入シュート、 A・・・・・・溶解
部。 出願人 石川島播磨重工業株式会社 第1図 Lや 第5図 ♀ 第6図 第7図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 めっき用の蒸着材料の溶解部を所定の軌跡に沿って連続
    的にずらしつつ、その溶解部から蒸着材料を蒸発させる
    蒸発源において、 蒸着材料の溶解部がずれる軌跡上でかつ現時点の溶解部
    を避けた蒸着材料の位置に、蒸着材料の蒸発による消費
    量分ずつ、蒸着材料の粒状体を連続的に供給することを
    特徴とする蒸発源の蒸着材料供給方法。
JP26350687A 1987-10-19 1987-10-19 蒸発源の蒸着材料供給方法 Pending JPH01108364A (ja)

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