JPH01108723A - 金属の選択堆積方法及びその装置 - Google Patents
金属の選択堆積方法及びその装置Info
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- JPH01108723A JPH01108723A JP62266787A JP26678787A JPH01108723A JP H01108723 A JPH01108723 A JP H01108723A JP 62266787 A JP62266787 A JP 62266787A JP 26678787 A JP26678787 A JP 26678787A JP H01108723 A JPH01108723 A JP H01108723A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は化学的気相成長法（以下、ＣＶＤ法と記す）に
より金属を非酸化物表面に選択的に堆積する方法及びそ
の装置に関するものである。
より金属を非酸化物表面に選択的に堆積する方法及びそ
の装置に関するものである。
従来の技術
ＣＶＤ法によってタングステン（以下、Ｗと記す）やモ
リブデン（以下、Ｍｏと記す）などの高融点金属を、シ
リコン（以下、Ｓｉと記す）の非酸化表面などのある種
の膜上にのみ選択的に堆積させる方法は既に知られでお
り、ＶＬＳＩデバイスの製造等においてますます重要な
役割を果たしつつある。
リブデン（以下、Ｍｏと記す）などの高融点金属を、シ
リコン（以下、Ｓｉと記す）の非酸化表面などのある種
の膜上にのみ選択的に堆積させる方法は既に知られでお
り、ＶＬＳＩデバイスの製造等においてますます重要な
役割を果たしつつある。
例えば、Ｓｉ層の上のコンタクトホールにＷを充填する
場合についで説明すると、予めＳｉ層の表面を熱酸化さ
せてＳ ｒ Ｏｚ腹を形成し、このＳｉＯ＊ＷＩｔをド
ライエツチングしてコンタクトホールを形成し、さらに
希釈ＨＦ中でウェットエツチングにで前処理洗浄したウ
ェハを予め用意し、このウェハ５を、第５図及び第６図
に示すように、真空排気可能な予備室Ｐに移載し、予備
室Ｐを減圧した後減圧状態の反応室Ｒと連通させてウェ
ハＷを反応室４Ｒに移載し、ウェハＷの温度を３００〜
５００℃に加熱制御しつつ、ＷＦ、とＨｌの混合ガスを
導入することによって、Ｓｉの露出表面上、′即ちコン
タクトホール内に選択的にＷを堆積させている。
場合についで説明すると、予めＳｉ層の表面を熱酸化さ
せてＳ ｒ Ｏｚ腹を形成し、このＳｉＯ＊ＷＩｔをド
ライエツチングしてコンタクトホールを形成し、さらに
希釈ＨＦ中でウェットエツチングにで前処理洗浄したウ
ェハを予め用意し、このウェハ５を、第５図及び第６図
に示すように、真空排気可能な予備室Ｐに移載し、予備
室Ｐを減圧した後減圧状態の反応室Ｒと連通させてウェ
ハＷを反応室４Ｒに移載し、ウェハＷの温度を３００〜
５００℃に加熱制御しつつ、ＷＦ、とＨｌの混合ガスを
導入することによって、Ｓｉの露出表面上、′即ちコン
タクトホール内に選択的にＷを堆積させている。
発明が解決しようとする問題点
ところが、Ｓｉ Ｏ□膜をドライエツチングしてＳｉ層
を露出させた後、Ｓｉ表面を前処理洗浄しても、洗浄後
ウェハＷを予備室Ｐ内に搬送する間にＳｉ表面が外気に
晒されるため、２０〜３０Ａ程度の自然酸化膜が形成さ
れるのは避けられず、かつその酸化膜は不均一に形成さ
れることが多いため、Ｗ層の成長が均一にならず、いび
つに形成されて選択性が悪くなったり、ＷＦ、の還元に
よる８７表面の浸食が横方向に広がっでウオームホール
を形成してしまい、デバイス構造自体を８Ｌす虞れがあ
る等の問題があった。
を露出させた後、Ｓｉ表面を前処理洗浄しても、洗浄後
ウェハＷを予備室Ｐ内に搬送する間にＳｉ表面が外気に
晒されるため、２０〜３０Ａ程度の自然酸化膜が形成さ
れるのは避けられず、かつその酸化膜は不均一に形成さ
れることが多いため、Ｗ層の成長が均一にならず、いび
つに形成されて選択性が悪くなったり、ＷＦ、の還元に
よる８７表面の浸食が横方向に広がっでウオームホール
を形成してしまい、デバイス構造自体を８Ｌす虞れがあ
る等の問題があった。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、金属膜の成長に伴
う非酸化物表面の浸食が均一でつオームホール等が形成
され難（、均一な厚みの金属膜を形成できる金属の選択
堆積方法及びその装置を提供することを目的とする。
う非酸化物表面の浸食が均一でつオームホール等が形成
され難（、均一な厚みの金属膜を形成できる金属の選択
堆積方法及びその装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するため、本発明の第１発明の金属の選
択堆積方法は、化学的気相成長法により非酸化物表面に
、金属を選択的に堆積する方法において、金属の気相成
長による堆積前にウェハ表面をプラズマエツチングして
非酸化物表面の自然酸化膜を除去し、その後ウェハを外
気に晒すことなく金属を選択的に堆積することを特徴と
する。
択堆積方法は、化学的気相成長法により非酸化物表面に
、金属を選択的に堆積する方法において、金属の気相成
長による堆積前にウェハ表面をプラズマエツチングして
非酸化物表面の自然酸化膜を除去し、その後ウェハを外
気に晒すことなく金属を選択的に堆積することを特徴と
する。
又、本発明の第２発明の選択堆積装置は、ウェハの載置
手段と、真空排気手段と、金属を含有しかつプロセス温
度以下で気相として存在する分子のガスを導入するガス
導入手段と、温度制御可能な加熱手段とを有する反応室
を備えた化学的気相成長装置において、前記載置手段の
上方位置と貴方の待機位置との間で移動可能な高周波電
極と、プラズマエツチング用のフッ素を含んだへロデン
ガスの供給手段とを設けたことを特徴とする。
手段と、真空排気手段と、金属を含有しかつプロセス温
度以下で気相として存在する分子のガスを導入するガス
導入手段と、温度制御可能な加熱手段とを有する反応室
を備えた化学的気相成長装置において、前記載置手段の
上方位置と貴方の待機位置との間で移動可能な高周波電
極と、プラズマエツチング用のフッ素を含んだへロデン
ガスの供給手段とを設けたことを特徴とする。
さらに、本発明の第３発明の選択堆積装置は、上記反応
室に対して開閉可能に接続されるとともに、ウェハの載
置手段と真空排気手段とを備えた予備室と、予備室と反
応室の載置手段の間でウェハを移送する移載装置とを備
えた化学的気相！＆長装置において、前記予備室に、載
置手段の上方に位置する高周波電極と、プラズマエツチ
ング用のフッ素を含んだハロゲンガスの供給手段とを設
けたことを特徴とする。
室に対して開閉可能に接続されるとともに、ウェハの載
置手段と真空排気手段とを備えた予備室と、予備室と反
応室の載置手段の間でウェハを移送する移載装置とを備
えた化学的気相！＆長装置において、前記予備室に、載
置手段の上方に位置する高周波電極と、プラズマエツチ
ング用のフッ素を含んだハロゲンガスの供給手段とを設
けたことを特徴とする。
作用
本発明方法は上記構成を有するので、非酸化物表面に形
成された自然酸化膜をプラズマエツチングにて完全に除
去した後、その＊まの状態で非酸化物表面に金属を選択
堆積するので、金属膜が均一に成長するとともに非酸化
物表面が局部的に着しく浸食されるということもなく、
選択性が向上するとともにデバイス構造に欠陥を生ずる
虞れもなくなる。
成された自然酸化膜をプラズマエツチングにて完全に除
去した後、その＊まの状態で非酸化物表面に金属を選択
堆積するので、金属膜が均一に成長するとともに非酸化
物表面が局部的に着しく浸食されるということもなく、
選択性が向上するとともにデバイス構造に欠陥を生ずる
虞れもなくなる。
又、本発明の第２発明の装置によれば、反応室内で高周
波電極からウェハに放電しながらフッ素を含んだハロゲ
ンスを供給することによ、す、上記プラズマエツチング
により自然酸化膜の除去を行うことができるとともに、
除去握直ちに金属の堆積を行うことができ、高い選択性
が得られる。
波電極からウェハに放電しながらフッ素を含んだハロゲ
ンスを供給することによ、す、上記プラズマエツチング
により自然酸化膜の除去を行うことができるとともに、
除去握直ちに金属の堆積を行うことができ、高い選択性
が得られる。
さらに、フッ素を含んだハロゲンガスが有毒で腐食性が
あっても反応室は元々それに対応でさるように構成され
ているので、装置が複雑になるということもない。
あっても反応室は元々それに対応でさるように構成され
ているので、装置が複雑になるということもない。
また、本発明の第３発明の装置によれば、予備室内、で
、反応室で金属の選択堆積を行っている間に自然酸化膜
の除去を行うことができ、除去処理のために処理時間が
長くなるということがない。
、反応室で金属の選択堆積を行っている間に自然酸化膜
の除去を行うことができ、除去処理のために処理時間が
長くなるということがない。
実施例
以下、本発明のｔＡ１実施例を第１図及び第２図を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
第１図及Ｖ第２図においで、１は減圧気相成長装置で、
密閉状態を保持可能な反応室２と予備室３を備えている
。４は、前記予備室３との間で受は渡しするウェハ５を
載置するためのウェハテーブルであり、このウェハテー
ブル４上にローダ６にて未処理のウェハ５を供給し、ウ
ェハテーブル４上の処理済みのウェハ５をアンローグア
にで取り出すように構成されている。
密閉状態を保持可能な反応室２と予備室３を備えている
。４は、前記予備室３との間で受は渡しするウェハ５を
載置するためのウェハテーブルであり、このウェハテー
ブル４上にローダ６にて未処理のウェハ５を供給し、ウ
ェハテーブル４上の処理済みのウェハ５をアンローグア
にで取り出すように構成されている。
前記反応室２の一側に、この反応室２内を減圧状態に排
気する排気手段８が接続されるとともに、反応室２の他
側に反応室２内にＷＦ、とＨ２の混合ガスまたはＣＦ、
ｗスを導入するガス導入手段９が接続されている。又、
反応室２の中央部にはウェハ５を載置する回松駆動可能
な支持台１０が設けられるとともに、支持台１０の下部
に配設されたシーズヒータ１１と上方に配設されたラン
プヒータ１２にて支持台１０上のウェハ５を３００〜５
００℃に加熱制御可能に構成されている。
気する排気手段８が接続されるとともに、反応室２の他
側に反応室２内にＷＦ、とＨ２の混合ガスまたはＣＦ、
ｗスを導入するガス導入手段９が接続されている。又、
反応室２の中央部にはウェハ５を載置する回松駆動可能
な支持台１０が設けられるとともに、支持台１０の下部
に配設されたシーズヒータ１１と上方に配設されたラン
プヒータ１２にて支持台１０上のウェハ５を３００〜５
００℃に加熱制御可能に構成されている。
前記予備室３には、この予備室３内を減圧状態とするた
めの排気手段１３が接続されている。又、予備室３内に
は、ウェハ５を支持するとともに、予備室３とウェハテ
ーブル４の間、及び予備室３と支持台１０の閏でウェハ
５を移載する移載手段１４が配設され、かつこの予備室
３と反応室２の閏の壁面及び予備室３のウェハテーブル
４に対向する壁面にはデートパルプ１５．１６が配設さ
れている。この移載手段１４の詳細についでは説明を省
略するが、任意の構成のものを適用することができ、共
体何としでは特開昭６０−９８６２８号公報に開示され
たものを好適に適用することができる。
めの排気手段１３が接続されている。又、予備室３内に
は、ウェハ５を支持するとともに、予備室３とウェハテ
ーブル４の間、及び予備室３と支持台１０の閏でウェハ
５を移載する移載手段１４が配設され、かつこの予備室
３と反応室２の閏の壁面及び予備室３のウェハテーブル
４に対向する壁面にはデートパルプ１５．１６が配設さ
れている。この移載手段１４の詳細についでは説明を省
略するが、任意の構成のものを適用することができ、共
体何としでは特開昭６０−９８６２８号公報に開示され
たものを好適に適用することができる。
そして、前記反応室２の支持台１０の上部には、支持台
１０の直上位置とその側方の待機位置との間で移動可能
に揺動杆１８に取付けられた高周波電極１７が設けられ
でいる。この高周波電極１７にはマツチングボックスを
備えた高周波電源１９が接続されている。
１０の直上位置とその側方の待機位置との間で移動可能
に揺動杆１８に取付けられた高周波電極１７が設けられ
でいる。この高周波電極１７にはマツチングボックスを
備えた高周波電源１９が接続されている。
次に、動作を説明する。４＃気手段８．１３を作動させ
、反応室２と予備室３を共に減圧状態に維持しながら、
デートパルプ１５をＩｌｌ！！、移載手段１４にて未処
理のウェハ５を予備室３から反応室２の支持台１０上に
、又それと同時に処理済みのウェハ５を予備室３に移載
した後、デートパルプ１５を閏じる。
、反応室２と予備室３を共に減圧状態に維持しながら、
デートパルプ１５をＩｌｌ！！、移載手段１４にて未処
理のウェハ５を予備室３から反応室２の支持台１０上に
、又それと同時に処理済みのウェハ５を予備室３に移載
した後、デートパルプ１５を閏じる。
次に、反応室２内では、シーズヒータ１１をオンして支
持台１０の下面からウェハ５に対する加熱を開始する一
方で、高周波電極１７を支持台１０の直上位置に移動さ
せて高周波電源１９から高周波電圧を印加するとともに
、ガス導入手段９カ・らＣＦ、ガスを導入することによ
りて、ウェハ５の表面をプラズマエツチングし、ウェハ
５のＳｉ露出部であるコンタクトホールに生じた自然酸
化膜を除去する。このプラズマエツチングにおいでは、
例えば１３．５ＭＨｚの高周波電圧を実効値で５０〜５
００Ｗ印加し、ＣＦ、ガスを０．３Ｔｏｒｒの圧力状態
となるように導入することにより、１０〜３０ｓｅｃ程
度で酸化膜を除去できる。
持台１０の下面からウェハ５に対する加熱を開始する一
方で、高周波電極１７を支持台１０の直上位置に移動さ
せて高周波電源１９から高周波電圧を印加するとともに
、ガス導入手段９カ・らＣＦ、ガスを導入することによ
りて、ウェハ５の表面をプラズマエツチングし、ウェハ
５のＳｉ露出部であるコンタクトホールに生じた自然酸
化膜を除去する。このプラズマエツチングにおいでは、
例えば１３．５ＭＨｚの高周波電圧を実効値で５０〜５
００Ｗ印加し、ＣＦ、ガスを０．３Ｔｏｒｒの圧力状態
となるように導入することにより、１０〜３０ｓｅｃ程
度で酸化膜を除去できる。
その後、高周波電極１７を待機位置に移動させるととも
に、ランプヒータ１２をオンしてウェハ５をその表面か
らも加熱し、ウェハ５の温度を３００〜５００℃の範囲
の所定の温度に制御し、ガス導入手段９からＷＦ、とＨ
２の混合ガスを０゜５〜５Ｔｏｒｒの圧力状態となるよ
うに導入する。
に、ランプヒータ１２をオンしてウェハ５をその表面か
らも加熱し、ウェハ５の温度を３００〜５００℃の範囲
の所定の温度に制御し、ガス導入手段９からＷＦ、とＨ
２の混合ガスを０゜５〜５Ｔｏｒｒの圧力状態となるよ
うに導入する。
すると、まずＷＦ、が次式に従ってＳｉにて急速に還元
され、Ｓｉ上にＷが選択的に形成される。
され、Ｓｉ上にＷが選択的に形成される。
２ＷＦ４ ＋３８ｉ ＝２Ｗ＋３ＳｉＦ４↑こうして限
定された薄いＷ層がＳｉ表面を覆うと、このＷ層によっ
てＷＦ、のＳｉへの輸送が減少し、上記度応は阻止され
る。そして、Ｓｉ表面にＷ層が形成されると、次式のＷ
Ｆ、の水素還元反応が始＊９、ある一定の成長速度でＷ
が堆積される。
定された薄いＷ層がＳｉ表面を覆うと、このＷ層によっ
てＷＦ、のＳｉへの輸送が減少し、上記度応は阻止され
る。そして、Ｓｉ表面にＷ層が形成されると、次式のＷ
Ｆ、の水素還元反応が始＊９、ある一定の成長速度でＷ
が堆積される。
ＷＦ、 ＋３Ｈ，＝Ｗ＋６ＨＦ↑
このＷ層上での水素還元には、選択成長を継続させる駆
動力が存在し、Ｗがそのまま選択的に堆積される。この
堆積速度は、５００〜１ｏｏｏＸ／ｓｉｎ程度であり、
１０〜２０分の反応によって５０００λ〜１μｍ程度の
Ｗ層がウェハ５のコンタクトホールに充填される。
動力が存在し、Ｗがそのまま選択的に堆積される。この
堆積速度は、５００〜１ｏｏｏＸ／ｓｉｎ程度であり、
１０〜２０分の反応によって５０００λ〜１μｍ程度の
Ｗ層がウェハ５のコンタクトホールに充填される。
一方、この反応中、予備室３内にＮｚ、Ｉｙスを導入し
て大気圧とした後、デートパルプ１６を１ｉＦｌき、移
載手段１４にて予備室３内に取り出した処理済みのウェ
ハ５をウェハテーブル４上に送り出すと同時にウェハテ
ーブル４上の未処理のウェハ５を予備室３内に挿入し、
その後デートパルプ１６を閉じで排気手段１３にで減圧
状態とする。
て大気圧とした後、デートパルプ１６を１ｉＦｌき、移
載手段１４にて予備室３内に取り出した処理済みのウェ
ハ５をウェハテーブル４上に送り出すと同時にウェハテ
ーブル４上の未処理のウェハ５を予備室３内に挿入し、
その後デートパルプ１６を閉じで排気手段１３にで減圧
状態とする。
さらに、ウェハテーブル４上の処理済みのウェハ５をア
ンローダ７にで取り出すとともに、ローダ６にて未処理
のウェハ５をウェハテーブル４上に供給する。
ンローダ７にで取り出すとともに、ローダ６にて未処理
のウェハ５をウェハテーブル４上に供給する。
その後、反応室２内での処理が終了すると、上記動作を
繰り返すことによっでウェハ５を順次処理することがで
きる。
繰り返すことによっでウェハ５を順次処理することがで
きる。
以上の第１実施例では、自然酸化膜を除去するプラズマ
エツチングを反応室２内でＷ層の堆積の前に行うように
したものを―示したが、第３図及び第４図に示す第２実
施例の如く、予備室３内で行うようにすることもできる
。
エツチングを反応室２内でＷ層の堆積の前に行うように
したものを―示したが、第３図及び第４図に示す第２実
施例の如く、予備室３内で行うようにすることもできる
。
第３図及び第４図において、予備室３の移載手段１４の
直上位置に高周波電極２０が配設されるとともに、マツ
チングボックスを備えた高周波電源１９が接続され、さ
らにウェハ５の上面に均一にＣＦ、ｔｔスを供給するた
めに、前記高周波電極２０内に形成されたガス供給通路
２１を含むが大供給手段２２が設けられている。
直上位置に高周波電極２０が配設されるとともに、マツ
チングボックスを備えた高周波電源１９が接続され、さ
らにウェハ５の上面に均一にＣＦ、ｔｔスを供給するた
めに、前記高周波電極２０内に形成されたガス供給通路
２１を含むが大供給手段２２が設けられている。
この実施例においては、反応室２内でＷＮの選択堆積を
行っている待ち時間の間に、予備室３内に未処理のウェ
ハ５を挿入して真空排気した後、高周波電極２０に高周
波電圧を印加するとともにガス供給手段２２にでＣＦ
４ Ｗスをウェハ５に供給し、プラズマエツチングにて
自然酸化膜の除去を行うことによって、自然酸化膜の除
去工程のために処理時間が長くなるのを防止できる。
行っている待ち時間の間に、予備室３内に未処理のウェ
ハ５を挿入して真空排気した後、高周波電極２０に高周
波電圧を印加するとともにガス供給手段２２にでＣＦ
４ Ｗスをウェハ５に供給し、プラズマエツチングにて
自然酸化膜の除去を行うことによって、自然酸化膜の除
去工程のために処理時間が長くなるのを防止できる。
本発明は、以上の実施例に限定されるものではない０例
えば、プラズマエツチングの際に用いるガスとしてＣＦ
４ ｗスを例示したが、一般にフッ素を含むハロゲンガ
スを用いればよい。又、Ｗの選択堆積に適用した例を説
明したが、Ｍｏ等の他の高融点金属のハロゲン化物の還
元反応による選択堆積にも同様に適用できる。さらに、
コンタクトホールの埋込みに限らず、デート電極上への
選択堆積、コンタクトバリアの形成等にも適用すること
ができる。
えば、プラズマエツチングの際に用いるガスとしてＣＦ
４ ｗスを例示したが、一般にフッ素を含むハロゲンガ
スを用いればよい。又、Ｗの選択堆積に適用した例を説
明したが、Ｍｏ等の他の高融点金属のハロゲン化物の還
元反応による選択堆積にも同様に適用できる。さらに、
コンタクトホールの埋込みに限らず、デート電極上への
選択堆積、コンタクトバリアの形成等にも適用すること
ができる。
発明の効果
本発明の第１発明の金属の選択堆積方法によれば、非酸
化物表面に形成された自然酸化膜をプラズマエツチング
にて完全に除去した後、そのままの状態で非酸化物表面
に金属を選択堆積するので、金属膜が均一に成長すると
ともに非酸化物表面が局部的に着しく浸食されるという
こともなく、選択性が向上するととらにデバイス構造に
欠陥を生ずる虞れもなくなるという大なる効果を発揮す
る。
化物表面に形成された自然酸化膜をプラズマエツチング
にて完全に除去した後、そのままの状態で非酸化物表面
に金属を選択堆積するので、金属膜が均一に成長すると
ともに非酸化物表面が局部的に着しく浸食されるという
こともなく、選択性が向上するととらにデバイス構造に
欠陥を生ずる虞れもなくなるという大なる効果を発揮す
る。
又、＃Ｉ２発明の金属の選択堆積装置によれば、反応室
内で高周波電極からウェハに放電しながらフッ素を含ん
だハロゲンスを供給することにより、上記プラズマエツ
チングにより自然酸化膜の除去を行うことができるとと
もに、除去後直ちに金属の堆積を行うことができ、高い
選択性が得られる。さらに、フッ素を含んだハロゲンス
が有毒で腐食性があっても反応室は元々それに対応でさ
るように構成されているので、装置が複雑になるという
こともない。
内で高周波電極からウェハに放電しながらフッ素を含ん
だハロゲンスを供給することにより、上記プラズマエツ
チングにより自然酸化膜の除去を行うことができるとと
もに、除去後直ちに金属の堆積を行うことができ、高い
選択性が得られる。さらに、フッ素を含んだハロゲンス
が有毒で腐食性があっても反応室は元々それに対応でさ
るように構成されているので、装置が複雑になるという
こともない。
さらに、第３発明の装置によれば、予備室内で、反応室
で金属の選択堆積を行っている間に自然酸化膜の除去を
行うことができ、除去処理のために処理時間が長くなる
ということがないという効果がある。
で金属の選択堆積を行っている間に自然酸化膜の除去を
行うことができ、除去処理のために処理時間が長くなる
ということがないという効果がある。
第１図は本発明の第１実施例の概略構成を示す平面図、
第２図は同正面図、第３図は本発明の第２実施例の概略
構成を示す平面図、第４図は同正面図、第５図は従来例
の概略構成を示す平面図、第６図は同正面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・減圧気相成長装置２
・・・・・・・・・・・・・・・反応室３・・・・・・
・・・・・・・・・予備室５・・・・・・・・・・・・
・・・ウェハ８．１３・・・・・・排気手段 ９・・・・・・・・・・・・・・・ガス導入手段１０・
・・・・・・・・・・・・・・支持台１３・・・・・・
・・・・・・・・・排気手段１４・・・・・・・・・・
・・・・・移載手段１７．２１・・・・・・高周波電極 １９・・・・・・・・・・・・・・・為周波電源２２・
・・・・・・・・・・・・・・〃大供給手段。 代理Ａ４弁理士 中尾敏男 はか１名 第１図 第３図 刀−ＪＪＩ表を捲 第４図 第５図 第６図
第２図は同正面図、第３図は本発明の第２実施例の概略
構成を示す平面図、第４図は同正面図、第５図は従来例
の概略構成を示す平面図、第６図は同正面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・減圧気相成長装置２
・・・・・・・・・・・・・・・反応室３・・・・・・
・・・・・・・・・予備室５・・・・・・・・・・・・
・・・ウェハ８．１３・・・・・・排気手段 ９・・・・・・・・・・・・・・・ガス導入手段１０・
・・・・・・・・・・・・・・支持台１３・・・・・・
・・・・・・・・・排気手段１４・・・・・・・・・・
・・・・・移載手段１７．２１・・・・・・高周波電極 １９・・・・・・・・・・・・・・・為周波電源２２・
・・・・・・・・・・・・・・〃大供給手段。 代理Ａ４弁理士 中尾敏男 はか１名 第１図 第３図 刀−ＪＪＩ表を捲 第４図 第５図 第６図
Claims (3)
- （１）化学的気相成長法により金属を非酸化物表面に選
択的に堆積する方法において、金属の気相成長による堆
積前にウェハ表面をプラズマエッチングして非酸化物表
面の自然酸化膜を除去し、その後ウェハを外気に晒すこ
となく金属を選択的に堆積することを特徴とする金属の
選択堆積方法。 - （２）ウェハの載置手段と、真空排気手段と、金属を含
有しかつプロセス温度以下で気相として存在する分子の
ガスを導入するガス導入手段と、温度制御可能な加熱手
段とを有する反応室を備え、金属を非酸化物表面に選択
的に堆積する化学的気相成長装置において、前記載置手
段の上方位置と側方の待機位置との間で移動可能な高周
波電極と、プラズマエッチング用のフッ素を含んだハロ
ゲンスの供給手段とを設けたことを特徴とする金属の選
択堆積装置。 - （３）ウェハの載置手段と、真空排気手段と、金属を含
有しかつプロセス温度以下で気相としで存在する分子の
ガスを導入するガス導入手段と、温度制御可能な加熱手
段とを有する反応室と、ウェハの載置手段と、真空排気
手段とを有するとともに前記反応室に対して開閉可能に
接続された予備室と、予備室と反応室の載置手段の間で
ウェハを移送する移載装置とを備えた金属を非酸化物表
面に選択的に堆積する化学的気相成長装置において、前
記予備室に、載置手段の上方に位置する高周波電極と、
プラズマエッチング用のフッ素を含んだハロゲンガスの
供給手段とを設けたことを特徴とする金属の選択堆積装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62266787A JP2553590B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 金属の選択堆積方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62266787A JP2553590B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 金属の選択堆積方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108723A true JPH01108723A (ja) | 1989-04-26 |
| JP2553590B2 JP2553590B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=17435685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62266787A Expired - Fee Related JP2553590B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 金属の選択堆積方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2553590B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02298270A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
| JPH0355838A (ja) * | 1989-07-25 | 1991-03-11 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 縦型処理装置 |
| JPH03230522A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-10-14 | Applied Materials Inc | タングステンの選択的付着方法 |
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| JPS6053013A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62266787A patent/JP2553590B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2553590B2 (ja) | 1996-11-13 |
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