JPH06108252A - 選択的な金の低温化学蒸着 - Google Patents

選択的な金の低温化学蒸着

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 表面の上の触媒的に不活性な領域の存在下に
ワークピース表面の触媒的に活性化された領域上に、化
学蒸着法により金を選択的に蒸着する方法の提供。 【構成】 真空室内にワークピースを入れ、真空室を触
媒活性を維持する上限圧力と同じかそれ以下の基礎圧力
にまで排気し、触媒除活性化する気体状の汚染物質を排
除し、目標表面の組成をこの目標表面上に触媒的に活性
化された領域を生成するようにし、気体状のアルキル化
金化合物を真空室に導入し、ワークピースの目標表面に
当て、その間中、真空室は連続排気し、気体状の反応生
成物をとり出し、表面上に触媒的に不活性な領域の存在
下にワークピースの表面の触媒的に活性化された領域上
に選択的に金を蒸着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】本発明は金属金の化学蒸着に関し、さらに
詳しくは、異なる組成の領域の存在下に、基体上のある
組成の領域上に金を選択的に化学蒸着することに関す
る。
【０００２】
【背景技術】電気伝導性金属の特定の領域の選択的蒸着
は広範な電気的利用、とくに半導体集積回路およびその
他のマイクロ電子デバイスの製造の際に重要である。マ
イクロ電子デバイスの製造において、金属蒸着は接点、
相互接続、および多層回路における層間配線などのよう
な金属部材を製造するのに用いられている。
【０００３】最近、半導体集積回路中の金属部材の寸法
はどんどん小さくなり、そして将来さらに寸法は小さく
なることが予想される。その上、マイクロ電子デバイス
中の金属部材はますます複雑化している。たとえば、あ
る種の多層回路においては高いアスペクト比をもつ金属
の結線が各層の回路間に必要となっている。一般に、マ
イクロ電子デバイスにおける複雑化の増大と金属部材の
寸法の減少化により、このような部材をつくるための慣
用の方法の能力は限界またはこれを超えるものになって
いる。
【０００４】金属部材の寸法の減少化に加えて、今日の
半導体集積回路は短距離間に急激に変化するドーピング
面をしばしば有している。集積回路の製作に必要な処理
中にこのような急激なドーピング面を維持するために、
集積回路をさらすことのできる最高温度はドープ剤の熱
拡散限度に制限しなければならない。これに加えて、半
導体集積回路上の金属部材の金属とこの部材に接続する
半導体材料との間の内部拡散が、集積回路の製作中に極
端に高い温度に加熱されるならば問題となろう。ある半
導体集積回路技術の場合、集積回路が処理中さらされる
温度を３５０℃またはこの程度以下の温度に制限するこ
とが必要である。将来より低い最高温度の限度が望まれ
ることになろう。
【０００５】金はその高い電気伝導性、すぐれた化学的
安定性、および電気移動の傾向が低いことなどのため
に、半導体集積回路中の金属部材の製作に用いられてい
る。金はシリコン中に拡散する傾向をもつから、金の金
属部材とこれが配置されているシリコン基板との間の拡
散バリアーとして、タングステンまたは類似の耐熱性金
属の中間層がしばしば用いられている。
【０００６】マイクロ電子デバイス用の金のフィルムと
ワイヤとは各種の方法によりつくられている。普通の金
の真空蒸着とスパッタリングも、マイクロ電子デバイス
に金の金属部剤をつくるために用いられている。真空蒸
着とスパッタリングとは本来ライン−オブ−サイト物理
方法であり、特定領域の蒸着を達成するにはマスクを必
要とする。一般に、ライン−オブ−サイト蒸着法によっ
ては良好に適合する被覆は得られない。さらに、金の価
格のためマスク上に蒸着した金は通常回収され、これは
余分な処理工程を必要としまたマスクの寿命を限定する
ことになる。
【０００７】金の蒸着のためのある種の慣用の化学的方
法は適合した被覆とマスクを使用しない領域の選択とが
可能である。たとえば、金の湿式無電解蒸着の化学的方
法においては、場合により領域選択性は異なる基体材料
に特定的な反応により得ることができる。一般には、Ma
lloryとHajdu両氏編、（アメリカ電気メッキおよび表面
処理協会、１９９０）Y.Okinaka氏のElectroless Plati
ng、第４０１〜４２０頁、参照。しかしながら、選択し
た領域の金蒸着のための通常の無電解蒸着液は多成分溶
液であり、これは普通溶剤、還元剤およびその他の所望
の各種成分、ならびに、除去するのが困難か、または不
可能な望ましくない不純物などを含んでいる。デバイス
の金の蒸着の工程でマイクロ電子デバイスをこのような
多成分溶液で処理すると、汚染の問題を生じよう。
【０００８】PuddephattとTreuruicht両氏の米国特許第
４,７１４,６２７号では、メチル（トリメチルホスフィ
ン）金（Ｉ）、トリメチル（トリメチルホスフィン）金
（III）、およびある種の他の揮発性オルガノ金（Ｉ）
とオルガノ金（III）コンプレックスを使用する、目標
表面に金を蒸着する化学蒸着（ＣＶＤ）法を開示してい
る。この特許の方法は真空下にオルガノ金コンプレック
スを気化し、この気化したコンプレックスを導いて、コ
ンプレックスの分解温度またはそれ以上の温度に加熱し
た目標表面に接触させることを含んでいる。オルガノ金
コンプレックスは加熱された表面に接触すると分解して
金を蒸着する。この特許の第７欄、第２９〜第４６行に
よれば、目標ディスクを含むガラス管を特定のイソシア
ノ−金コンプレックスの分解温度以上にディスクととも
に加熱すると、金属の金はディスクと管壁上の両方に蒸
着した。目標ディスクの選択的なメッキは、目標ディス
クだけを選択的に加熱することにより達成できると示さ
れている。
【０００９】Thowas H.Baum氏のJournal of the Electr
ochemical Society, Vol. 134, 第2616〜2619頁（1987
年）の論文は、金の区域選択蒸着を達成するレーザーで
誘起する化学蒸着法を開示している。レーザービームは
基体上に集光されて局部的な熱源として作用する。表面
上に吸着しているかまたは表面に接触しているジメチル
金アセチルアセトネートは、揮発性の反応生成物を遊離
するとともに金属金に熱分解する。この論文によれば、
基体のレーザー加熱により生ずる表面温度で蒸着はコン
トロールされる。
【００１０】一般に、レーザー誘起化学蒸着はビームの
幅よりも小さくない金部材を書込むには十分なものであ
るが、複雑な規模の回路にはレーザービームにより所望
の回路を描き出すために要する時間のため実際的ではな
い。その上、通常のレーザー誘起化学蒸着法によって
は、所望されるような出来るだけ細かい寸法をもつ、ま
たは今日のマイクロ電子デバイスで所望されるようなで
きるだけ高い断面アスペクト比をもつ、金の構造物は普
通つくり得ない。さらに、通常のレーザー誘起化学蒸着
によると、蒸着した金の中に好ましくない高濃度のカー
ボンまたはその他の不純物が残留する。
【００１１】AwayaとArita両氏の米国特許第５,０１９,
５３１号は、金の各種オルガノ金属コンプレックスによ
る化学蒸着により金が蒸着される方法を開示している。
オルガノ金属コンプレックスを水素のような還元剤とと
もに加熱されている基体上に導入する。この特許によれ
ば、金属または金属のシリサイド面および酸化物または
ナイトライド面の両方をもつ基板に対し、金は金属また
は金属のシリサイド面上にのみ蒸着する。しかしなが
ら、オルガノ金複塩と気体状の還元剤とを同時に存在さ
せると蒸着法のコントロールを複雑なものにする。さら
にある場合には、還元性ガスは基板上に存在する構成体
に悪い作用をすることがある。
【００１２】Colgate氏その他はJournal of Vacume Sci
ence and Technology, Vol. 48, 第1411〜1412頁で、ト
リエチルホスフィン金クロライド（ＣＨ3ＣＨ2)3ＰＡｕ
Ｃｌを使用し、シリコーン上のパターン化したタングス
テンについての金の領域−選択化学蒸着を開示してい
る。多結晶性のタングステンパターンを担持するｎ−型
にドープされたシリコーンウエハーはイソプロピルアル
コールで脱脂され、ついで化学蒸着反応器で５００℃に
加熱しながら水素プラズマに当てられる。５００°加熱
／水素プラズマの前処理後に、反応器の圧力を１×-6ト
ルに減圧しそして反応器のウエハーは温度を５００℃に
維持してトリエチルホスフィン金クロライド蒸気に当て
る。
【００１３】これによれば、トリエチルホスフィン金ク
ロライドは分解してタングステン上に金を蒸着するが、
この分解はシリコーン上では抑制される。金のフィルム
は蒸着に先立って水性のフッ化水素酸処理したシリコー
ンの表面上では生長すると報じている。シリコーン上の
本来的な酸化物は水素プラズマの存在下にも安定であろ
うが、タングステン酸化物の除去がタングステン上のフ
ィルム生長を助ける一方で、蒸着を阻む一つのファクタ
ーになると思われると説明している。タングステン上お
よびガラス上の両方での２００℃以下の温度での金フィ
ルムの生長は、ガラス上での生長がタングステン上での
生長よりもずっとおそいのが特徴であると報告してい
る。
【００１４】一般に、トリエチルホスフィン金クロライ
ドの分解は気体状の塩素−含有分解生成物を生じること
が予想され、これは腐食性、とくにその中で発表されて
いるシリコーン上のパターン化したタングステンに選択
的金の蒸着をする５００℃の温度において腐食性である
と予想される。
【００１５】
【発明の要点】本発明者らは前記従来技術の諸問題を回
避する選択的な金の低温化学蒸着法を発明した。本発明
の方法によれば、金は表面上の触媒的に不活性な領域の
存在下にワークピース表面上の触媒的に活性化された領
域上に、気体状のアルキル化トリアルキルホスフィン金
化合物から選択的に蒸着される。
【００１６】表面域に対して与えられるこの「触媒的に
活性化された」と「触媒的に不活性」の用語は、アルキ
ル化トリアルキルホスフィン金化合物がその表面域上で
分解反応をして金を蒸着する能力を説明するものであ
る。本発明の好ましい態様例では、金は触媒的に不活性
な表面上に蒸着する最低温度に比べると、相対的に低い
温度で触媒的に活性化された領域上に蒸着することがで
きる。
【００１７】本発明の方法は真空室内にワークピースを
置く工程を含んでいる。このワークピースは目標表面を
画定する面を有している。さらにこの方法は、真空室を
触媒活性維持の上限圧力と同じかまたはそれ以下の基礎
圧力にまで排気し、真空室から酸素、水蒸気、およびそ
の他の気体状の触媒除活性化汚染物質を効果的に排除す
る工程を含んでいる。
【００１８】本発明の方法は、目標表面の少なくとも一
つの領域の表面組成を変えて、目標表面上に触媒的に活
性化された領域を生成させる工程をさらに含んでいる。
この領域の表面組成は、適当な触媒的に活性な金属をこ
の領域上に蒸気させることにより、または適当なプラズ
マ、イオン衝突、あるいはその他のクリーニング処理を
この領域に施すことにより（これらの例に限らないが）
変化させることができる。この触媒的に活性化された領
域から離れた目標表面の少なくとも一つの領域は触媒的
に不活性領域である。
【００１９】本発明の方法は真空室に気体状のアルキル
化トリアルキルホスフィン金化合物を導入して、ワーク
ピースの目標表面をこの化合物に当てる工程を含んでい
る。本発明の方法は、目標表面をアルキル化トリアルキ
ルホスフィン金化合物に当てている間、真空室を実質的
に連続して排気し、真空室を触媒除活性化汚染物質が効
果的に無い状態に維持し、かつ気体状の反応生成物を真
空室から取り出す工程をさらに含んでいる。真空室は目
標表面をアルキル化トリアルキルホスフィン金化合物に
当てている間気体状の還元剤が効果的に無い状態に維持
される。
【００２０】本発明の方法はワークピースの目標表面を
効果的な選択的蒸着温度に維持し、目標表面の触媒的に
活性化した領域上に気体状のアルキル化トリアルキルホ
スフィン金化合物からの金の蒸着を誘起し、かつ目標表
面の触媒的に不活性な領域上の化合物からの金蒸着を抑
制する工程をさらに含んでいる。
【００２１】好ましいアルキル化トリアルキルホスフィ
ン金化合物はＲＡｕＰＲ′3またはＲ′3ＡｕＰＲ″3の
式をもち、ここでＲはメチル、エチル、ｎ−プロピル、
ｉ−プロピル、またはｔ−ブチル基；Ｒ′はメチルまた
はエチル基；そしてＲ″はメチルまたはエチル基であ
る。好ましいアルキル化トリアルキルホスフィン金化合
物はトリメチル（トリメチルホスフィン）金（III）で
ある。特に好ましいアルキル化トリアルキルホスフィン
金化合物にはメチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）
とエチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）とが含まれ
る。
【００２２】好ましくは、目標表面の触媒的に活性化さ
れた領域は触媒活性化状態の触媒的に活性化しうる金属
から構成されている。本発明の半導体集積回路のある種
の好ましい応用において、この金属は目標表面上に所望
の回路パターンの形にパターン化される。コバルト、
金、銅、およびクロムのような遷移金属が、本発明によ
る金を蒸着させるのに好ましい金属であり、多くの半導
体集積回路用の応用にはクロムが特に好ましい。
【００２３】好ましくは、目標表面の触媒的に不活性な
領域は二酸化シリコーンかまたはポリイミドポリマーの
ような重合体材料から構成される。ポリイミドポリマー
の中、ピロメリトジアンヒドライドオキシジアニリン
（ＰＭＤＡ−ＯＤＡ）ポリイミドが特に好ましい。
【００２４】本発明の方法は化学蒸着用に準備された反
応室を含む高真空系中で行われる。本発明の好ましい実
施態様では、反応室の壁は室温に維持することができ
る。好ましくは、反応室の内壁面は本来的な酸化物で覆
われているステンレススチールのような、アルキル化ト
リアルキルホスフィン金化合物の分解を抑制し金によっ
て内壁面が被覆されるのを防ぐような材料で構成され
る。
【００２５】本発明の化学蒸着法を実施する好ましい反
応室の基礎圧力は約１×１０-6トルより低くあるべきで
ある。本発明を実施するための別の好ましい反応室の基
礎圧力は約１×１０-8トルまたはこれ以下である。ある
場合には、約１×１０-9トルまたはこれ以下の基礎圧力
をもつ反応室が最も好ましい。
【００２６】目標表面の触媒的に活性化された領域と金
の蒸着反応に適当な、触媒活性維持の上限圧力と同じか
またはこれ以下の基礎圧力をもつ高真空状態にワークピ
ースの目標表面をすることにより、目標表面の触媒的に
活性化された領域を活性状態に保持することができる。
たとえば、真空下に目標表面上にクロムを蒸着しそして
この蒸着したクロムを約２５℃でエチル（トリメチルホ
スフィン）金（Ｉ）に当てることを含む本発明の好まし
い１実施態様において、金は真空の基礎圧力が約１×１
０-9トルの場合十分に蒸着するのが認められたが、これ
に反して約１×１０-9トルの基礎圧力とした以外実質的
に同じ条件下で微量の金の蒸着のみが認められた。真空
下に目標表面上に銅を蒸着しそしてこのように蒸着した
銅を約２５℃でエチル（トリメチルホスフィン）金
（Ｉ）に当てることを含む本発明の好ましい別の実施態
様において、金は真空の基礎圧力が約１×１０-6トルの
とき十分に蒸着するのが認められた。
【００２７】本発明の好ましいある実施態様において、
目標表面の特定領域の表面組成は、クロムまたはその他
の触媒的に活性化可能な金属のパターン化したフィルム
を適当な超高真空条件下にマスクを通じて蒸発させて付
着させることにより変化させる。超高真空条件下に最初
蒸着した金属フィルムの表面は、この表面に金を蒸着す
るアルキル化トリアルキルホスフィン金の分解を妨げる
傾向のある、酸化物と炭素の汚染を無くすことができ
る。この最初に蒸着した金属フィルムは触媒的に活性化
した状態にある。超高真空下に目標表面を維持すること
が金属フィルムの表面を触媒的に活性化された状態に保
持することとなる。
【００２８】本発明の好ましい具体化例に従って、目標
表面を適切に精製した気体状のアルキル化トリアルキル
ホスフィン金化合物にさらすとともに、気体状の金化合
物が存在しない超高真空状態を達成するのに充分な真空
ポンプの速度を維持する、すなわち超高真空ポンピング
能力条件下にすると、金は表面の触媒的に活性化された
状態の比較的低い温度特性でこの金属フィルムの面上に
蒸着される。
【００２９】本発明の別の好ましい態様例において、触
媒的に活性化しうる金属から構成されるワークピースの
目標表面域の表面組成が、酸素および水蒸気にさらされ
ている場合には、適当な表面組成変更のクリーニング法
でこの領域を処理することにより、触媒的に活性化され
た状態の領域に変化させることができる。このような表
面組成変更のクリーニング法の例には、ある種のプラズ
マ処理、イオン衝撃処理、および化学的処理などの各ク
リーニング法が含まれる。
【００３０】たとえば、電子サイクロトロン共鳴源によ
り発生させたアルゴンまたは水素プラズマが、酸素と水
蒸気に前もって当ったコバルト、金、クロム、および銅
を触媒的に活性化された状態にクリーニングするのに適
当であることが認められた。別の例として、アルゴンイ
オンビームによるイオン衝撃が酸素と水蒸気に当った銅
とクロムを触媒的に活性化された状態にクリーニングす
るのに効果のあることが認められた。さらに別の例で、
酸素と水蒸気に前もって当てた銅から構成される領域の
表面組成は、水素の存在下に表面を加熱する化学的なク
リーニング法により触媒的に活性化された状態の領域に
変化させた。
【００３１】空気に当たると、本来的な酸化物で被覆さ
れるタンタルとモリブデンのようなある種の金属は、超
高真空条件下に加熱すると電気伝導性の亜酸化物を形成
することが知られている。このような金属から構成さ
れ、前もって大気にさらされた面の表面組成は、この面
を超高真空条件下で加熱することにより触媒的に活性化
された状態の表面に変化させ得ると考えられる。前もっ
て大気にさらされたタンタルまたはモリブデン金属の表
面を触媒的に活性化状態とするために、プラズマ処理、
イオン衝撃処理、または化学処理クリーニング法などで
処理するのは不必要であると思われる。
【００３２】本発明方法の選択的蒸着の温度は好ましく
は約３５０℃以下である。最適の選択的蒸着温度は目標
表面の触媒的に活性化された領域の性質、目標表面の触
媒的に不活性な領域の性質、およびアルキル化トリアル
キルホスフィン金化合物の性質に依存する。エチル（ト
リメチルホフスィン）金（Ｉ）から二酸化シリコーンの
存在下に、クロム上に選択的に金を蒸着するためには、
約２５℃〜約１００℃の範囲の選択的蒸着温度が好まし
い。エチル（トリメチルホフスィン）金（Ｉ）からピロ
メリトジアンヒドライドオキシジアニリンポリイミドポ
リマーの存在下に、クロム上に金を選択的に蒸着するた
めには、約２５℃〜約２３０℃までの範囲の選択的蒸着
温度が好ましい。
【００３３】本発明の選択的な金の化学蒸着法の好まし
い態様例で、アルキル化トリアルキルホフスィン金化合
物が金を蒸着するための分解反応をする期間中補助的な
還元剤を必要としないことが１つの利点である。本発明
の好ましい態様例で、アルキル化トリアルキルホフスィ
ン金化合物が金を蒸着するための分解反応をする期間中
補助的なエッチング剤を必要としないことがさらなる利
点である。
【００３４】本発明の好ましい態様例で、ワークピース
の目標表面上の金の蒸着は、金蒸着失活性化剤に目標表
面を当てることにより可逆的に抑制することができる。
好ましい金蒸着可逆性失活性化剤にはルイス酸ボロント
リフルオライドＢＦ3とトリエチルボロン（Ｂ(Ｃ2Ｈ5)3
およびルイス塩基トリメチルホフスィンＰ(ＣＨ3)3が含
まれる。ボロントリフルオライドが特に好ましい。金蒸
着失活性化剤の使用で金蒸着が抑制された面は、緩和に
加熱することにより触媒的に活性化された状態に再活性
化することができる。
【００３５】
【実施例】以下の各実施例においては、下に述べるよう
な各種組成の目標表面を有するテスト試料の基板を、エ
チル（トリメチルホフスィン）金（Ｉ）Ｃ2Ｈ5ＡｕＰ
(ＣＨ3)3またはメチル（トリメチルホフスィン）金
（Ｉ）ＣＨ3ＡｕＰ(ＣＨ3)3のいずれかの蒸気に下記の
条件下に当てた。各実験条件下に目標表面上に金が蒸着
するかしないかを調べた。
【００３６】〔装置〕以下に示す各例は、主真空系と補
助真空系と呼ばれる二つの超高真空系の一つで行った。
主真空系と補助真空系の両方とも反応室を備えている。
主真空系はこの他に移動室により反応室と連結された分
析室を有している。
【００３７】各真空系の反応室を約６０Ｌ／ｓのポンプ
能力をもつターボ分子ポンプとチタンサブリメーターに
より排気する。反応室は約１×１０-9トル以下の基礎圧
力に排気することができる。一般に、揮発性の有機金属
蒸着剤に当てた後、基礎圧力は約５×１０-9トルであっ
た。反応室の壁は蒸着実験中室温に維持した。反応室中
の熱フィラメントゲージとその他の熱フィラメントデバ
イスは蒸着中はどれも停止した。反応室の壁はステンレ
ススチール製である。
【００３８】蒸着剤のアンプルを１回分の揮発性蒸着剤
をたくわえるために、反応室の蒸着剤注入口にとりつけ
る。蒸着剤注入バルブが蒸着剤アンプルと蒸着剤注入口
との間に介在している。蒸着剤アンプルを適当な温度に
保持することにより、アンプル中の蒸着剤を蒸発または
昇華により気体状に揮発させることができる。蒸着剤注
入バルブを開くと、気体状の蒸着剤は蒸着剤アンプルか
ら反応室の内部に流入する。
【００３９】主真空系における反応室と分析室間の試料
の移動は移動室内で「真空中」で行われる。分析室と移
動室にはそれぞれイオンポンプとチタンサブリメーター
がとり付けられ、両室は約２×１０-10トルの基礎圧力
にまで排気することができる。
【００４０】試料表面の特性化は、Rueil-Malmaison社
からＥＳ １５０ ＭＡＣ２の商品名で入手できる。Ｘ線
光電子分光（ＸＰＳ）スペクトロメーターを使用し主真
空系の分析室中で行った。このＸＰＳ系は約１２５３.
６eVのエネルギーをもつＭｇＫαのＸ線を用いている。
試料はスペクトロメーターの軸に対してほぼ直角に位置
させ、そして電子はこの直角面に関して約４５°の角度
で約４×１０mmの像域をもつように集めた。解析器をそ
の角度調整により試料角度に対して不感受性となるよう
にした。結合エネルギーは分析室中に入れた別の金箔試
料を用いて補正し、Ａｕ４ｆ7/2に対する参照結合エネ
ルギーについて約８３.８eVとした。このＸＰＳスペク
トロメーターはＡｕ４ｆ7/2のピークに関してほぼ±の
０.１eVの再現性を示した。
【００４１】いくつかの試料を超高真空システムからと
り出し空気にあてる必要のある追加的の特性値を測っ
た。金のフィルム厚さはTencar Instruments社から「ア
ルファ−ステップ２００の商品名で入手することのでき
る断面計により測定した。抵抗値測定は、Shiell Assoc
iates社から「Ｍ−７００型」の商品名で入手し得る、
四点プローブを用いるデジタル抵抗計によって行った。
Eden Pirarie社から「６００型」の商品名で入手できる
走査オーガーマイクロプローブを、深度断面と領域選定
のオーガースペクトロスコピーに使用した。パターン化
した基体はSurface Science Instruments社から「ＳＳＸ
３０１ ＸＰＳシステム」の商品名で入手し得る、Ｘ線
光電スペクトロメーターでほぼ１５０μｍのサイズの表
面スポットの解析をし得るものを用いて検査した。ラザ
フォードの後方散乱スペクトルは、約２.３MeVのエネル
ギーでヘリウムイオンを使用したラザフォード後方散乱
スペクトロメーターを用いて得ることができる。
【００４２】〔テスト試料基体の調製〕蒸着反応は、ほ
ぼ７×２０mmの横方向寸法と約０.３８mmの厚さとをも
つ、ほぼ矩形のテスト試料の基体上で行った。各テスト
試料の基体のほぼ矩形面の大きい方の一方を目標表面と
した。以下に述べる大部分の実験のため、テスト試料の
基体は本質的に単結晶シリコーンで構成される。このシ
リコーンテスト試料の基体は一般に被覆されるが、ある
場合には未被覆シリコーンの目標表面を使用した。ｐ型
とｎ型シリコーンの両方のテスト試料の基体が用いら
れ、いずれの場合も本質的に同一の結果が得られた。
【００４３】直径ほぼ７６mm（３インチ）で大体〔11
1〕（±０.２５％）の結晶配列をもつシリコーンウエハ
ーをVirginia Semiconductor社から入手した。入手した
ウエハーはＲＣＡ法を用いて前もって洗浄した。テスト
試料の基体をシリコーンウエハーから剥離して無水エタ
ノールで洗浄した。未被覆で用いるかまたは反応室で
「真空下」に被覆されるテスト試料の基体を反応室中に
入れ反応室を超高真空に排気する。ついでテスト試料の
基体を「真空下」に約１０００℃に抵抗加熱をして目標
表面を清浄にする。この方法で清浄にした表面上に炭素
または酸素は、約１原子％以下の検出感度をもつＸ線光
電子スペクトロスコピーによっても検出し得なかった。
【００４４】二酸化シリコーンの薄層によって被覆した
目標表面を有するシリコーンのテスト試料の基体は二つ
の厚さ：ほぼ４０Åとほぼ５０００Åの二酸化シリコー
ン層で調製された。ほぼ４０Åの二酸化シリコーンで被
覆した目標表面をもつテスト試料の基体をつくるため
に、清浄なＳｉ（111）基体を約９５０℃で約９９.９９
９５％以上の純度の酸素（Ｏ2）のほぼ０.１トルに約２
０分間当てた。二酸化シリコーンフィルムの被覆が目標
表面を含めて、本質的にテスト試料の基体の全外面上に
生成した。基体を酸素中で周囲温度に冷却させ、二酸化
シリコーン被覆中にピンホールが生じるのを予防した。
得られる二酸化シリコーンのフィルムはほぼ４０Åの厚
さを有していた。約５０００Åの厚さの二酸化シリコー
ンで被覆された目標表面をもつシリコーンのテスト試料
の基体は、Virginia Semiconductor社から入手できる二
酸化シリコーンをその厚さに被覆したシリコーンウエハ
ーから得られた。所望の寸法に剥離した後、この二酸化
シリコーン被覆テスト試料の基体は使用する前に無水エ
タノールで洗浄した。
【００４５】ほぼ２０００Åの厚さのピロメリトジアン
ヒドライドオキシジアニリン（ＰＭＤＡ−ＯＤＡ）ポリ
イミドフィルムで被覆した目標表面をもつシリコーンの
テスト試料の基体を、目標表面上にｎ−メチルピロリド
ン中のポリアミン酸溶液をスピンキャストし、窒素（Ｎ
2）下に約４００℃で硬化することにより調製する。こ
のようにして作ったポリイミドフィルムはさらに処理を
しないでも使用することができる。使用前に「真空中」
約３５０℃でほぼ１０分間ガス抜きをしたポリイミドフ
ィルムは、このようなガス抜き法を施さなかったフィル
ムと同じであった。
【００４６】クロムの層で被覆した目標表面をもつシリ
コーンのテスト試料の基体は、反応室中で基体上にクロ
ムを昇華により蒸着さして調製する。クロムの昇華は、
反応室を約２×１０-10トルの基礎圧力にまで排気した
後、抵抗加熱したタングステンバスケット中でアーク溶
融したクロムのインゴットを加熱することにより行われ
る。銅で被覆した目標表面をもつシリコーンのテスト試
料の基体は、反応室中で銅のインゴットを蒸発させる類
似の方法で調製する。
【００４７】パターン化した基体面は、二酸化シリコー
ンまたはＰＭＤＡ−ＯＤＡポリイミドのいずれかを被覆
した、シリコーンのテスト試料の基体の目標表面上にマ
スクを通して金属を蒸着することにより生成される。特
に、パターン化した目標表面をもつテスト試料の基体を
生成するには、直径でほぼ１００μｍに至るまでの各種
直径の開口をもつステンレススチールのマスクを目標表
面上に裁置する。ついでこの目標表面を覆うマスクをも
つテスト試料の基体を反応室中に入れる。クロムまたは
銅のインゴットを前述のようにして蒸発させる。マスク
を通してクロムまたは銅の蒸発は所望の厚さ、たとえば
３０Åの厚さの金属ドットが蒸着するまで行われる。
【００４８】〔出発材料〕約９９.５％の純度をもつボ
ロントリフルオライドをMatheson Gas Products社から
入手し、ステンレススチールのアンプルに真空移送し
た。クロムで被覆したテスト試料の基体は、さらに精製
をしないこのボロントリフルオライドに当てると酸化さ
れることが認められた。このボロントリフルオライドを
約２×１０-9トルの基礎圧力をもつ超高真空マニホール
ド上で凍結−ポンプ吸引−解凍サイクルを４回行うと、
ボロントリフルオライドは充分に精製されて、クロムを
この精製された材料に実質的に酸化されることなく当て
ることができた。
【００４９】約９７％の純度をもつトリメチルホスフィ
ンはAldrich Chemical社から得た。このトリメチルホス
フィンは約１×１０-5トルの基礎圧力をもつ真空マニホ
ールド上で冷凍−解凍サイクルを３回行うことにより精
製する。ついでトリメチルホスフィンはナトリウム鏡か
らステンレススチールのアンプル中に真空蒸留した。つ
ぎにトリメチルホスフィンは約２×１０-9トルの基礎圧
力をもつ超高真空マニホールド上で冷凍−解凍のサイク
ルを４回行った。
【００５０】ハイドロジエンテトラクロロアウレートハ
イドレートＨＡｕＣｌ4・３Ｈ2Ｏは以下の方法により合
成することができる。磁気撹拌バーを備えた容量約２５
０mlの丸底フラスコ中に、約７５.８ミリモルの金に相
当する約１４.９ｇの金を入れ、これに約７５.０mlの濃
塩酸ＨＣｌと約２５.０mlの濃硝酸ＨＮＯ3とを混合し
た。約２０.５時間の撹拌後に金は完全に溶解してオレ
ンジ色の溶液を形成した。揮発物を真空移送により溶液
からとり除いて湿った残留物とした。約４０℃〜約７０
℃の範囲の温度の温水浴を急速蒸発に用いることができ
る。生成物からＨＮＯ3を発散させるために、湿った残
留物は少量の濃塩酸ＨＣｌ中に再溶解し、ついで揮発物
を減圧下にまた同時に温水浴で加熱して再度追い出し
た。濃塩酸によるこのフラッシングを２回くり返しオレ
ンジ色の固体残渣を得た。固体残留物は真空下に１晩乾
燥させて、約７５.４ミリモルに相当するＨＡｕＣｌ4・
３Ｈ2Ｏとしこれは金の出発材料を基準に約９９.５％の
収量を示している。ＨＡｕＣｌ4・３Ｈ2Ｏは強い酸化剤
であるのでステンレススチールのスパチュラのような金
属物体との接触は生成物の汚染を防ぐために最小にしな
ければならない。
【００５１】トリメチルホスフィン金塩化物(ＣＨ3)3Ｐ
ＡｕＣｌは以下の方法に従って調製することができる。
ほぼ５００mlの容量をもつ三つ首丸底反応フラスコに磁
気撹拌バー、ガス導入管、およびスバシール（Suba-sea
l）で封をした容量ほぼ２５０mlの圧力平衡添加ロート
をとり付けた。この反応フラスコに約７５.４ミリモル
の金化合物に相当するハイドロジエンテトラクロロアウ
レートハイドレートＨＡｕＣｌ4・３Ｈ2Ｏ約２９.７ｇ
と新しいびんからの無水エタノールＥｔＯＨの約１００
mlとを入れる。圧力平衡添加ロートには無水ＥｔＯＨ約
１７５mlを入れた。空気はアルゴンで約３０分間フラッ
シングすることにより、ＥｔＯＨ中のアルゴンのバブリ
ングを含めて、装置からとり除いた。得られたほぼ２
０.０mlのトリメチルホスフィン、（これは約１８７ミ
リモルである）を注入器により添加ロートに加えその中
にあるＥｔＯＨと良く混合した。
【００５２】この得られたトリメチルホスフィン溶液を
反応フラスコ中のＨＡｕＣｌ4・３Ｈ2Ｏ溶液に撹拌しつ
つ滴加し、この間フラスコを氷水浴中で冷却した。直ち
にかさばった白色の沈殿が生成した。室温で約１時間撹
拌後、揮発物を真空移送によりとり除いた。得られた生
成混合物を冷水で４回洗った。沸騰アセトンから再結晶
して最終生成化合物(ＣＨ3)3ＰＡｕＣｌ約２１.８ｇが
得られ、これはこの化合物の約７０.５ミリモルに相当
し、ＨＡｕＣｌ4・３Ｈ2Ｏを基準に約９３.５％の収率
である。重水素クロロホルム中での生成物のプロトン核
磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルは以下のスペクトルパラ
メーターを示した：δ １.６１０（ｄ,Ｊ＝１１.３
Ｈ2）ppm。
【００５３】〔エチル（トリメチルホスフィン）金
（Ｉ）の合成〕 オルガノ金化合物エチル（トリメチルホスフィン）金
（Ｉ） Ｃ2Ｈ5ＡｕＰ(ＣＨ3)3は以下のようにして調製すること
ができる：Ｃ2Ｈ5ＡｕＰ(ＣＨ3)3の調製に特別なフィル
ターチューブ装置を用いることができる。このフィルタ
ーチューブ装置は、そのいずれかの端部に標準の１４／
２０ジョイントをもつ内径ほぼ２cmのガラス管からなっ
ていて、そのほぼ中央点で中程度の溶融ガラスのフィル
ターディスクで区切られている、フィルターチューブを
含んでいる。「テフロン」のバルブを含む小径の圧力平
衡チューブがこのフィルターチューブの両端間に延長し
ており、必要なときはフィルターディスクをはさむ圧力
の平衡化をする。その端部に標準の１４／２０ジョイン
トをもつサイドアームが、フィルターチューブの一端付
近のフィルターチューブから突出している。このサイド
アームはフィルターチューブ装置を真空ラインに連結す
るのに用いられ、また装置がその回りで回転することの
できる軸受けとしての役目もする。
【００５４】磁気撹拌バーをもつ容量ほぼ２５０mlの丸
底反応フラスコに、トリメチルホスフィン金塩化物(Ｃ
Ｈ3)3ＰＡｕＣｌ約９.２６ｇ、（約３０.０ミリモルに
相当）を入れた。この反応フラスコをフィルターチュー
ブ装置にサイドアームの最も近い末端で連結した。フィ
ルターチューブの他端は磁気撹拌バーを含む容量ほぼ１
００mlの丸底の生成物受けフラスコに連結する。このフ
ィルターチューブ装置全体を「テフロン」の真空管路ニ
ードル弁を経由して真空管路に連結した。
【００５５】ナトリウム／ベンゾフェノン上で前もって
乾燥したジエチルエーテルのほぼ１００mlを、(ＣＨ3)3
ＰＡｕＣｌを入れた反応フラスコ中真空移送した。得ら
れる(ＣＨ3)3ＰＡｕＣｌのスラリーを食塩／氷浴中で約
−１０℃に冷却した。アルゴンの強い通気下に、真空管
路のニードル弁本体から「テフロン」のプラグをとり外
し、そしてジエチルエーテル中のエチルマグネシウムク
ロライドＣ2Ｈ5ＭｇＣｌのほぼ２.０Ｍ液約１６.５ml、
（約３３ミリモル相当）を(ＣＨ3)3ＰＡｕＣｌスラリー
にニードル弁本体を通じて注入器により添加した。約−
１３℃〜約−７℃の範囲の温度で約３０分間撹拌した
後、反応混合物を室温まで昇温させた。ついで反応混合
物をさらにほぼ７０分間撹拌する。つぎに溶剤を真空移
送により除去し、反応フラスコ中にゴム状の生成物を得
た。
【００５６】このゴム状の生成物からジエチルエーテル
を除去するため、ナトリウム／ベンゾフェノンで乾燥し
たペンタン約５０mlを反応フラスコに真空移送した。ペ
ンタンを残留生成物と良く混合してスラリーにし、そし
て揮発分を真空移送で除去した。このペンタンフラッシ
ングをさらに２回繰り返した。
【００５７】室温でペンタン可溶性の粘着性液体である
生成化合物は、固体のペンタン不活性の反応副生成物か
ら、ペンタンで洗いかつ濾過する方法を繰り返すことに
より分離される。特定的には、約４０mlのペンタンを液
体生成物を溶解するため反応フラスコに入れ、フィルタ
ー装置を反応フラスコが逆転するようにサイドアームの
まわりで回転させ、そして不溶解の固体材料をフィルタ
ーチューブ中の燃結ガラスフィルターディスクにより液
体材料から濾別する。真空下でかつ圧力平衡チューブ中
の弁が開いたままの装置により、濾液からペンタンを逆
さにした反応フラスコ中でくり返し再凝縮してフィルタ
ーディスクの上に残留する固体を洗浄する。各ペンタン
洗液は燃結ガラスフィルターディスクを通って濾過さ
れ、そして生成物受けフラスコ中の濾液と合体する。洗
浄はフィルターディスクを通じて洗浄される逆さにした
反応フラスコ中に残る粘着性生成物が、ほとんどまたは
全く無くなるまで継続する。
【００５８】ついでペンタンを生成物受けフラスコ中の
濾液から長い真空移送により除去し、生成化合物Ｃ2Ｈ5
ＡｕＰ(ＣＨ3)3約７.６６ｇ（約２５.３ミリモルに相
当）が得られそして(ＣＨ3)3ＰＡｕＣｌを基準に約８
４.４％の収量となる。生成物は透明な、淡い褐色の粘
着性液体である。
【００５９】エチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）
生成物の重水素化ベンゼン中のプロトンＮＭＲスペクト
ルは以下のＮＭＲスペクトルパラメーターを示した：δ
２.０３（コンプレックスマルチプレット５Ｈ）、０.
５５（ｄ，Ｊ＝８.５ Ｈｚ，９Ｈ）ppm。
【００６０】エチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）
生成物のＸ線光電放出分光（ＸＰＳ）スペクトルは、約
１３３°Ｋでシリコーンの(III)配列面上に生成物の一
定量を凝縮させて測定した。観察されたＡｕ ４ｆ7/2、
Ｐ ２ｐおよびＣ １ｓの各コアレベルは、それぞれ８
６.２、１３２.６および２８６.２eVの結合エネルギー
を有していた。この結合エネルギーの測定値は、金ホス
フィンコンプレックスのこれまでのＸＰＳ測定をもとに
推定したものよりも一様に大きかった。たとえば、トリ
メチルホスフィンＣ １ｓ結合エネルギーはほぼ２８５.
３eVであると予想されていた。前に報告されていたもの
と観察値との間の差は凝縮した皮膜中のチャージ効果に
よるものかもわからない。結合エネルギーの観察値を
０.９eV差し引く補正で、Ａｕ ４ｆ7/2ＳＰ ２ｐの両ピ
ークはそれぞれ８５.３eVと１３１.７eVとなる。これら
の値は類似のＡｕ（Ｉ）についての前の報告と全く一致
する。
【００６１】メチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）
の合成 オルガノ金化合物メチル（トリメチルホスフィン）金
（Ｉ）を以下のように、エチル（トリメチルホスフィ
ン）金（Ｉ）の調製に用いたのと同じフィルターチュー
ブ装置を使用して調製することができる。
【００６２】磁気撹拌バーをもつ容量ほぼ１００mlの丸
底反応フラスコに、トリメチルホスフィン金塩化物約
０.６１４ｇ（約１.９９ミリモルに相当）を入れた。こ
の反応フラスコをフィルターチューブ装置に最も近い末
端で連結した。フィルターチューブの他端は磁気撹拌バ
ーを含む容量ほぼ５０mlの丸底の生成物受取りフラスコ
に連結する。この装置全体を「テフロン」の真空管路ニ
ードル弁経由で真空管路に連結した。ナトリウム／ベン
ゾフェノンで前もって乾燥したジエチルエーテルのほぼ
３０mlを反応フラスコに真空移送し、トリメチルホスフ
ィン金塩化物のスラリーを形成させた。このスラリーを
食塩／氷浴中で約−１０℃に冷却した。アルゴンの強い
通気下に、真空管路のニードル弁本体から「テフロン」
プラグをとり外し、そしてジエチルエーテル中のメチル
リチウムＣＨ3Ｌｉのほぼ１.４Ｍの約１.７０ml（約２.
４ミリモル相当）を反応フラスコ中の（ＣＨ3)3ＰＡｕ
Ｃｌスラリーにニードル弁で本体を通じ注入器により添
加した。約−１２℃〜約−５℃の範囲の温度でほぼ３０
分間撹拌後、反応混合物を室温に昇温させさらにほぼ２
時間撹拌した。ついで溶剤を真空移送により除去した。
【００６３】反応フラスコにペンタン約３０mlを入れて
ペンタン不溶性の副生物からの分離のための生成物を溶
解した。フィルターチューブ装置をついで反応フラスコ
が逆さになるようにサイドアームのまわりで回転させ、
そして半融ガラスフィルターディスクにより内容物を濾
過する。真空下でかつ圧力平衡チューブ中の弁が開いた
ままの装置により、生成物受取りフラスコ中の濾液から
のペンタンは逆さになっている反応フラスコ中に凝縮液
化され、半融ガラスフィルターディスク上に残留する固
体を洗浄する。ペンタン洗液はフィルターディスクを通
じて濾過され、生成物受取りフラスコ中の濾液に合体す
る。この洗浄工程を２回くり返す。
【００６４】ペンタンは生成物受取りフラスコ中の濾液
から長い真空移送により除去し、最終生成物メチル（ト
リメチルホスフィン）金（Ｉ）ＣＨ3ＡｕＰ（ＣＨ3)3ほ
ぼ０.５１７ｇ（約１.７９ミリモルに相当）が得られ、
そして（ＣＨ3)3ＰＡｕＣｌを基準に約９０.２％の収量
である。生成物は白色の結晶性固体である。
【００６５】重水素化ベンゼン中の最終生成物のプロト
ンＮＭＲスペクトルは以下のスペクトルパラメーターを
与えた：δ１.２４（ｄ，Ｊ＝８.５，３Ｈ）、０.５７
（ｄ，Ｊ＝８.７Ｈｚ，９Ｈ）ppm。
【００６６】各オルガノ金化合物はステンレススチール
のアンプル中室温で保存した。開放弁流の状態下で主真
空系の反応室中に導入するとき、反応室の圧力は、エチ
ル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）に対しては水冷イ
オンゲージを用いて約４.２×１０-6トルが測定され、
またメチル（トルメチルホスフィン）金（Ｉ）について
は約１.２×１０-6トルの圧力が測定された。補助的な
真空系の反応室にエチル（トリメチルホスフィン）金
（Ｉ）を導入するとき、圧力は約１.３×１０-4トルま
たは約０.８×１０-4トルのいずれかに蒸着剤注入弁を
調整することにより調節する。
【００６７】実施例１ 種々の材料で構成された目標表面をもつ一連のテスト試
料の基体を前記の方法に従って調製した。
【００６８】テスト試料の基体の第１のグループは、超
高真空下の主真空系の反応室中の蒸着により新しく蒸着
した金属からなる目標表面を有している。以下の次のよ
うな金属：クロムと銅とが用いられた。この第１グルー
プの各テスト試料の基体は超高真空下の反応室中に保持
され、新しく蒸着した金属が酸化もしくは汚染されるこ
とを防止した。
【００６９】酸化銅、酸化クロム、酸化コバルトまたは
大気に当てた金などで構成される目標表面をもつテスト
試料の基体が第２グループである。酸化銅と酸化クロム
の目標表面は、それぞれ新しく蒸着した銅とクロムから
なる目標表面をもつテスト試料基体を、室温において反
応室中に導入した空気で酸化することによって調製され
る。さらに酸化クロムと酸化銅の目標表面、同じく酸化
コバルトの目標表面および大気に当てた金の目標表面
は、新しく蒸着したクロム、銅、コバルトまたは金の目
標表面をもつテスト試料の基体を、この金属を蒸着させ
た反応室から適宜とり出しそして周囲大気に表面を当て
ることにより調製される。
【００７０】テスト試料基体の第３グループは、約４０
Åの厚さまたは約５０００Åの厚さのいずれかの二酸化
シリコーンからなる目標表面を有している。
【００７１】主真空系の反応室中のテスト試料の基体用
の取付け金具はテスト試料の材料の第四のグループを構
成する。この取付け金具はシリコーンのテスト試料の基
体を取付け、また抵抗加熱のため基体に電気的連結をす
るために用いられる。取付け金具はタンタルとモリブデ
ンで作られ、また使用中周囲の空気にさらされる。シリ
コーンのテスト試料基体に接しているタンタルまたはモ
リブデンの取付け金具の部分は、基体がクリーニングの
ため約１０００℃に加熱されるとき超高真空下に加熱さ
れる。タンタルまたはモリブデン金具の加熱された面は
目標表面として作用する。この目標表面は分析してなく
表面の正確な組成はわかっていないが、これらは本来の
酸化物被覆が超真空の条件下の加熱の結果として、それ
ぞれタンタルまたはモリブデンのサブ酸化物であると予
想される。
【００７２】ピロメリトジアンヒドライドオキシジアニ
リン（ＰＭＤＡ−ＯＤＡ）ポリイミドからなる目標表面
をもつテスト試料の基体はテスト試料の基体の第５グル
ープを構成する。
【００７３】最後に、実質的に（111）配向のシリコー
ンまたは（100）配向のゲルマニウムの目標表面をもつ
テスト試料の基体はテスト試料の基体の第６グループを
構成している。
【００７４】最初の実験に際して、各組成の目標表面は
主または補助真空系のいずれかの反応室中で、化合物エ
チル（トルメチルホスフィン）金（Ｉ）Ｃ2Ｈ5ＡｕＰ
（ＣＨ 3）3に順次当てた。反応室は約１×１０-9トル以
下の基礎圧力に排気し、またその壁は室温とした。出発
材料のＣ2Ｈ5ＡｕＰ（ＣＨ3）3は、室温に保持した蒸着
剤アンプルと反応室間の弁を開くことにより反応室中に
供給し、この間反応室はターボ分子ポンプにより継続的
に排気した。主真空系の反応室は弁開放状態下に約４.
２×１０-6トルの圧力が達成された。補助真空系の反応
室においては約１.３×１０-4または約０.８×１０-4ト
ルのいずれかの圧力が使用された。
【００７５】主真空系の反応室中で目標表面を露出させ
る場合、蒸着ずみの基体は分析室に真空下に移され、こ
こは蒸着が終了した後もほぼ２×１０-10トルの基礎圧
力に排気されている。補助真空系の反応室中でエチル
（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）に露出した目標表面
の場合、蒸着ずみのテスト試料の基体は反応室からとり
出され、分析室に移すために大気にさらされる。一般
に、各基体面の組成は分析室中でＸ線光電子スペクトロ
スコピーにより分析する。
【００７６】ほぼ２５℃の基体でＣ2Ｈ5ＡｕＰ（Ｃ
Ｈ3）3による反応は、目標表面が清浄な汚染されていな
い金、クロム、コバルト、または銅であったとき、テス
ト試料基体上に純金フィルムの蒸着が生成した。クロム
の塊りの蒸着により形成したＳｉ（111)上のクロムフィ
ルムは、Ｓｉ ２ｐコアレベルのピークの減衰をもとに
約３０〜約４０Åの厚さの範囲であると推定される。さ
らに厚いクロムフィルムの使用は金のフィルム形成に関
し本質的に何の効果もない。
【００７７】新しく調製されたクロム面上にざっと２.
５×１０-4トル秒の露出で得られる、エチル（トリメチ
ルホスフィン）金（Ｉ）からの金のサブ単層被覆をＸＰ
Ｓスペクトロスコピーにより特性化した。金の４ｆ7/2
の結合エネルギー約８４.４eVはクロム表面上に金の小
さな隆起を形成させたものと一致する。３.０×１０-2
トル秒より大きな露出は、本質的に純粋な金の塊りのも
のと同一である約８３.８eVのＡｕ ４ｆ7/2の結合エネ
ルギーをもつ連続的金フィルムを生成した。エチル（ト
リメチルホスフィン）金（Ｉ）の０.２４トル秒の露出
はほぼ５００Å厚さのフィルムを生成し、ほぼ２５℃に
おいて約２.１×１０3Åトル-1秒-1の平均蒸着速度を与
える。ほぼ８５０Å厚さのフィルムが、基体を約２３０
℃に加熱しそして約４.５×１０-2トル秒でエチル（ト
リメチルホスフィン）金（Ｉ）に露光させることにより
成長し、ほぼ１.９×１０4Åトル-1秒-1の平均蒸着速度
を得た。
【００７８】微量の炭素と、以下で述べるように銅の表
面上に蒸着した場合の、蒸着したフィルムの隣接面での
銅とを別にした、銅、コバルト、クロムまたは金の目標
表面上に蒸着したフィルム全体は、純粋な元素状の金で
あったことがＸＰＳの結果から認められる。オージェ(A
uger)スペクトロスコピーの深さ断面による分析は金全
体に炭素またはリンを検出しなかった。このフィルムの
純度は、銅、コバルトおよび金により被覆した大きな３
インチのシリコーンウエハーについて、銅、コバルトま
たは金の上に蒸着した金のフィルムが塊状金に近い電気
抵抗値を有しているという実験に合致するものである。
特に、銅、コバルトまたは金の上にほぼ１１０℃におい
て成長させた鏡状に平滑な金のフィルムについて、その
電気抵抗値はほぼ２.６±０.６μΩcmであることが認め
られた。比較すると、大きな金属の金は約２.２０μΩc
mの抵抗値を有している。
【００７９】二酸化シリコーンで被覆したシリコーンウ
エハー上に新しく蒸着した銅から構成される表面に、ほ
ぼ２５℃でエチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）を
約３.０×１０-2トル秒で当てると、この銅の上に金フ
ィルムの蒸着を生じる。ＸＰＳスペクトルは約８３.８e
Vの結合エネルギーをもつＡｕ ４ｆ7/2レベルを示し
た。約９３２.６eVの結合エネルギーをもつＣｕ ２ｐ
3/2コアレベルに小さなピークが残留し、銅の薄い層が
表面に存在することを示している。この層は金のフィル
ムが約３６００Åの厚さになっても存続している。深さ
断面オージェスペクトロスコピーはこの表面に銅の薄い
フィルムの存在することを確証した。金と銅との相互拡
散は良く知られた現象である。銅の上の金の蒸着につい
ての観察速度は約２５℃で約１.０×１０3Åトル-1秒-1
であった。この観察された速度はクロム上の金の生長に
ついて認められた速度より２倍おそい。このおそい速度
の説明は銅のオーバー層の存在である。
【００８０】金の蒸着はまた超高真空条件下に加熱され
ていたタンタルおよびモリブデンの取付け金具の目標表
面上にほぼ２５℃においても認められた。
【００８１】目標表面が二酸化シリコーン、酸化クロ
ム、酸化コバルト、酸化銅またはピロメリトジアンヒド
ライドオキシジアニリン（ＰＭＤＡ−ＯＤＡ）ポリイミ
ドであるとき、約２５℃においてエチル（トリメチルホ
スフィン）金（Ｉ）からの金の蒸着は実質的に抑制され
る。
【００８２】５０００Å厚みの二酸化シリコーンおよび
ＰＭＤＡ−ＯＤＡポリイミドの両フィルムは、エチル
（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）と２５℃において全
く反応しない。微量の金もまたリンの含有のどのような
物質も、０.３トル秒までの露光後に検出されなかっ
た。ほぼ４０Å厚さの薄い二酸化シリコーンフィルム
は、その表面上にかろうじて検出しうる量の金を与える
程度にエチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）と反応
した。このような試料についてＸＰＳスペクトルのＡｕ
４ｆ7/2ピークは約８５.７eVであった。微量の金の蒸
着が、ほぼ４０Å厚さの二酸化シリコーンフィルム中の
欠陥個所において生じたが、これら個所の性質は測定し
なかった。
【００８３】ほぼ１５０℃の加熱は、ほぼ４０Åおよび
ほぼ５０００Å厚みの両方の二酸化シリコーンフィルム
上にフィルムの生長を開始させる。ＰＭＤＡ−ＯＤＡポ
リイミドフィルムは、エチル（トリメチルホスフィン）
金（Ｉ）からの金蒸着を開始させるのに、約４００℃以
上に加熱しなければならない。ＰＭＤＡ−ＯＤＡポリイ
ミドはほぼ４００℃で分解するが、このポリイミドフィ
ルムの分解が金の蒸着開始に関与することは明らかでは
ない。アルゴンイオンビームによるポリイミドの衝撃
は、それを電気伝導性とするのに充分なほどポリイミド
を損傷することが知られている。約２０００Å厚みのＰ
ＭＤＡ−ＯＤＡポリイミドフィルムを集束したアルゴン
イオンビームに約５分間当てる。このイオンビーム装置
中のアルゴンの圧力は１.１×１０-4トル、イオン電流
約２５mAそして電圧は２０００Ｖである。約２５℃でエ
チル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）のほぼ０.２７
トル秒の引続いて露出は、イオンビームを当てたと当て
なかったの両方に痕跡量の金を生じただけである。約４
００℃を超す温度で、エチル（トリメチルホスフィン）
金（Ｉ）は熱分解をするものと思われる。エチル（トリ
メチルホスフィン）金（Ｉ）からの金の蒸着は約１５０
℃で始まるから、二酸化シリコーン上では別のメカニズ
ムが働いているものと思われる。
【００８４】ほぼ２５℃においてシリコーン表面上で、
反応は最初金／シリコーン合金の形成を生じついでより
長い蒸着時間において元素状金の蒸着を生じる。さらに
特定的に、清浄なＳｉ(111)面をＣ2Ｈ5ＡｕＰ（ＣＨ3）
3に約４.２×１０-6トルでほぼ５分間当てると、これは
ほぼ１.３×１０-3トル秒の露光に相当する、シリコー
ン基体上に金の蒸着が生じる。Ａｕ ４ｆ7/2レベルにつ
いてＸ線光電子スペクトロスコピーにより測定した結合
エネルギーは約８４.９eVであることが認められた。ほ
ぼ８４.９eVのこの初期の結合エネルギーは、Ａｕ／Ｓ
ｉ合金形成と島形成との結合的効果に帰せられる。Ｐ
（ＣＨ3）3もまたその他のリン含有のどのようなものも
ＸＰＳにより検出することができず、わずかに微量の炭
素が表面上に存在するだけであった。より長期間の露出
は、Ａｕ ４ｆレベルの結合エネルギーの単調な低下で
示されるように、Ａｕ／Ｓｉフィルムの組成の変化を生
じる。結果的に、約１.５×１０-2トル秒より大きな露
光で、元素状の金の特性が有力なスペクトル：Ｓｉ ２
ｐとＳｉ ２ｓのコアレベルの残留小ピークをもつ約８
３.８eVのＡｕ ４ｆ7/2レベルが得られる。このシリコ
ーンのピークは表面凝離した金／シリコーン合金に帰せ
られるものである。この試料を約７００℃に加熱する
と、Ａｕ ４ｆ7/2ピークがほぼ８４.８eVに移動するこ
とにより証明させるように、金属状の金が残ることなく
金／シリコーン合金の形成を生じる。エチル（トリメチ
ルホスフィン）金（Ｉ）から蒸着した金に対して観察さ
れたこの性質は、シリコーン基体上に高純度の金属状金
を直接蒸着したものについて以前の報告されていたもの
と一致する。この表面または研究したその他のどの面に
ついても、エチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）の
室温の分子吸着は見られなかった。
【００８５】ほぼ２５℃において、ゲルマニウム表面で
は金／ゲルマニウム合金が最初に形成され、さらに長い
蒸着時間で元素状金の蒸着に継続する。
【００８６】実施例２ 新しく蒸着させたクロムの目標表面をもつテスト試料の
基体について、反応室を約１×１０-8トルの基礎圧力に
排気したこと以外は実施例１を繰り返した。約２５℃に
おいてこのテスト試料の基体について金の蒸着は全く認
められなかった。新しく蒸着したクロムのような高反応
性の表面はかなり高い速度で酸化物に酸化される傾向が
あり、目標表面はエチル（トリメチルホスフィン）金
（Ｉ）の分解に関して触媒的に不活性となるものと考え
られる。
【００８７】実施例３ 二酸化シリコーンまたはＰＭＤＡ−ＯＤＡポリイミド上
に新しく蒸着させた、クロムもしくは銅のドットパター
ンを保持する目標表面をもつ、テスト試料の基体を使用
して実施例１を繰り返した。
【００８８】ほぼ５０００Åの厚さの二酸化シリコーン
上のパターン化されたクロムドット表面を、約２５℃〜
約１００℃までの範囲の基体温度で、前記実施例１中で
述べた方法でエチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）
Ｃ2Ｈ5ＡｕＰ（ＣＨ3）3に当てると、クロムドット上だ
けに金の選択的蒸着が生じ、そして隣接の二酸化シリコ
ーン面上には金の蒸着は実質的に生じなかった。金の蒸
着以外に、クロムまたは二酸化シリコーンの表面域のエ
ッチングあるいはその他の化学的または物理的変化は認
められなかった。約１２０℃より高い温度で、選択性は
失われ金はクロムドットと同様に二酸化シリコーン表面
域上にも蒸着した。温度の調整により、この方法は効果
的な金の選択蒸着法から全面金蒸着法に変えることがで
きる。
【００８９】隣接ＰＭＤＡ−ＯＤＡポリイミド面が存在
するとき、クロムドット上のみの金の選択的蒸着は約２
５℃〜約２３０℃の範囲内の基体温度において実行でき
る。ほぼ３０Åの厚さで直径約１００μのクロムドット
を含む目標表面のＸＰＳスペクトルが図１（ａ）に示さ
れている。ポリイミド基体とクロムドットの両方に対す
るコアレベルの特色がこのスペクトル中に示されてい
る。この複合表面は約２５℃でほぼ１５時間エチル（ト
リメチルホスフィン）金（Ｉ）に当てられ、これは約
０.２３トル秒の蒸着に相当する。約５００Å厚さの金
のドットが形成された。蒸着後の目標表面のＸＰＳスペ
クトルを図１（ｂ）に示す。ポリイミド基体に起因する
特色は図１（ｂ）のスペクトルで明らかである。しか
し、図１（ａ）のクロムのピークは金のピークにより置
き換えられており、金のフィルムがドットをいまや被覆
したのを示している。この蒸着速度は約２３０℃に加熱
することにより選択性を損なうことなしに強化できる。
領域特定オージェスペクトロスコピーと小スポットＸＰ
Ｓとが反応の選択性を定量化するために用いられる。こ
れら二つの方法の約０.０１原子％であると推定される
感度の限界内で、金は約２５℃〜約２３０℃の温度範囲
でポリイミドの領域中に検知されなかった。
【００９０】ポリイミド上の銅ドットで作られる複合面
のスペクトルを図２（ａ）に示す。約２５℃でエチル
（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）のほぼ８.１×１０
-2トル秒の露出は、図２（ｂ）で示すように、銅の上に
だけ蒸着した約３００Å厚さの実質的に完全な選択的金
のフィルムを生じた。Ｃｕ ２ｐコアレベルは蒸着した
金の上の銅表面層の存在を示している。約０.０１原子
％以内で、金はパターンのポリイミド領域上に認められ
なかった。
【００９１】実施例４ 金の選択的蒸着を、出発材料としてメチル（トリメチル
ホスフィン）金（Ｉ）ＣＨ3ＡｕＰ（ＣＨ3）3を使用
し、実施例１と類似の方法で行った。ＣＨ3ＡｕＰ（Ｃ
Ｈ3）3を蒸着剤アンプルから反応室に供給するとき、全
開弁流の条件下に主真空システムの反応室中にほぼ１.
２×１０-6トルの圧力が確立される。約２５℃の基体に
ついて、エチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）に対
するのと本質的に同じ基体選択性が認められた。
【００９２】メチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）
に対するクロム面の露出により、ほぼ７.８×１０-2ト
ル秒に対し約１５０Å厚さのフィルムが生じ、約２５℃
でほぼ１.９×１０3Åトル-1秒-1の平均速度を得た。ク
ロムによりパターン化したポリイミド基体に対し約２５
℃でメチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）は、エチ
ル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）について得られた
ものと実質的に同一の結果が得られ：メチル（トリメチ
ルホスフィン）金（Ｉ）の約７.８×１０-2トル秒の露
出はほぼ１５０Å厚さの金ドットを生成する。ほぼ４０
およびほぼ５０００Åの厚さの二酸化シリコーンで被覆
されている目標表面の場合、メチル（トリメチルホスフ
ィン）金（Ｉ）に対しては、実施例１中のエチル（トリ
メチルホスフィン）金（Ｉ）について認められたのと実
質的に同一の結果が再び得られた。
【００９３】実施例５ クロム、銅、コバルトおよび金の各目標表面をもつ基体
を蒸着により調製し、そして空気に当てて、クロム、
銅、コバルトの場合は表面上に本来の酸化物を、そして
金の場合は空気で汚染した面を作った。ついでこの目標
表面を超高真空の条件下に電子サイクロトロン共鳴源で
発生させた水素プラズマに当てた。
【００９４】プラズマはASTex Applied Science and Te
chnology社から「コンパクトＥＣＲプラズマソース、モ
デルＣＥＣＲ ０.２５」の商品名で入手できるプラズマ
発生機を用いて発生させた。水素プラズマは電力約２６
０ワット、電流約２０Åそして約１０ミリトルの水素圧
により発生させた。
【００９５】酸化した銅とコバルトおよび空気汚染した
金の各目標表面を、約１５秒〜約１５分の期間水素プラ
ズマに当てた。酸化したクロムの目標表面は約４５分間
プラズマに当てた。基体はついで超高真空下に反応室中
に移した。エチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）か
らの金の蒸着は、このプラズマで清浄化した目標表面に
ついて本質的に通常通りに行うことができる。酸化した
クロムの目標表面を水素プラズマに対して約１５分だけ
当てたとき、エチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）
からの金蒸着はうまくいかなかった。
【００９６】銅と金の空気に当てた目標表面を水素プラ
ズマと同じように、実質的に同じ電力、電流およびガス
圧力のアルゴンプラズマで処理したとき、実質的に同一
の結果が得られた
【００９７】実施例６ クロムと銅の目標表面をもつ基体を蒸着により調製し、
ついで表面上に本来の酸化物を形成するため空気に当て
た。各目標表面はつぎに表面の領域をスパッタ清浄化す
るためアルゴンのイオンビーム衝撃に当てた。この目標
表面の約２５℃でのエチル（トリメチルホスフィン）金
（Ｉ）に対する蒸着で、スパッタ清浄化した領域中の金
の蒸着が生じた。金の蒸着は同条件下に隣接した清浄化
していない表面上で本質的に開始されなかった。
【００９８】実施例７ 銅の目標表面をもつ２個のテスト試料の基体を蒸着によ
り調製し、ついで表面上に本来の酸化物を形成するため
空気に当てた。つぎにテスト試料の基体の１個を、約１
０トルの圧力の水素の存在下に約２００℃に加熱した。
この目標表面を約２５℃でエチル（トリメチルホスフィ
ン）金（Ｉ）に対して引き続き露出すると金の蒸着を生
じた。他のテスト試料の基体の清浄化されなかった銅の
目標表面上には、実質的に同じ条件下でエチル（トリメ
チルホスフィン）金（Ｉ）に対して露出しても金の蒸着
は実際には開始されなかった。
【００９９】実施例８ 以下の例においては、触媒的に活性化された目標表面は
ルイス塩基およびルイス酸によって処理され、そしてエ
チル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）からの金の蒸着
に関するその効果を測定した。
【０１００】新しく蒸着させたクロムの目標表面を各種
の量のルイス塩基トリメチルホスフィンＰ（ＣＨ3）3で
前処理した。図３で見られるように、エチル（トリメチ
ルホスフィン）金（Ｉ）の約２.５×１０-3トル秒に対
する露出後の金被覆は、Ｐ（ＣＨ3）3により前もって飽
和されたクロム表面ではわずかにサブ単層である。Ｐ
（ＣＨ3）3にクロム表面を当てると著しく抑制するが、
飽和でさえこの表面は連続的金フィルムの形成を停止す
ることはない。約２時間、約３.０×１０-2トル秒の露
出後、すべての試料は約４０Åより厚い金のフィルムを
形成した。
【０１０１】Ｘ線光電スペクシロスコピーと深さ断面オ
ージェスペクシロスコピーにより、クロム上にエチル
（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）から生長した金フィ
ルムの本体中には、クロムがＰ（ＣＨ3）3により前処理
されていてもいなくても、トリメチルホスフィンは本質
的に取り込まれていないことが測定された。さらに、Ｐ
（ＣＨ3)3による前処理なしで生長した金フィルムはク
ロム／金の界面において、リンと炭素に対する検知可能
なシグナルを本質的に有しないことが深さ断面オージェ
スペクトルロスコピーにより認められた。しかしなが
ら、深さ断面オージェスペクトロスコピーは、クロム表
面がエチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）による反
応の前にトリメチルホスフィンにより飽和されているな
らば、著しい分量の炭素とリンがクロム／金の界面に埋
っていることが示された。リン／炭素比は１／３.４±
０.３で、これはトリメチルホスフィンに対して予想さ
れる１：３の比より炭素がいくらか高いものである。
【０１０２】新しく蒸着させたクロムからなる目標表面
を、ルイス酸ボロントリフルオライドＢＦ3に約１×１
０-4トルの圧力で大体１００秒間当てた。この圧力での
ＢＦ3露出は約３０秒で表面を飽和するのに充分であっ
た。エチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）により対
する２.５×１０-3トル秒の引き続いての蒸着は、図４
中に見られるように表面上に少量の金の蒸着を生じた。
ボロントリフルオライドで飽和した表面上には、トリメ
チルホスフィンで飽和した表面上にエチル（トリメチル
ホスフィン）金（Ｉ）を同じに当てて蒸着したもののほ
ぼ半分の量の金が蒸着された。ボロントリフルオライド
で飽和したクロム表面のエチル（トリメチルホスフィ
ン）金（Ｉ）へのほぼ３×１０-2トル秒の露出は、この
面のＸＰＳスペクトルにより示されたように、クロム表
面のサブ単層の被覆が生成する。
【０１０３】約８４.０eVのＡｕ ４ｆ7/2に対する結合
エネルギーは塊状金の値からほぼ０.２eVずれており、
金の隆起が存在することを示している。比較すると、ト
リメチルホスフィンで飽和した表面はエチル（トリメチ
ルホスフィン）金（Ｉ）と反応し、ほぼ３×１０-2トル
秒の露出でＡｕ ４ｆ7/2に対しほぼ８３.８eVのコアレ
ベルシフトをもつ約４０Å以上の厚さの金フィルムを与
える。表面に何の前処理もない場合には、これらの条件
ではほぼ６０Å厚さの連続金フィルムを形成させるかも
分からない。
【０１０４】ルイス酸ＢＦ3の抑制効果は、約３５０℃
にＢＦ3で覆われた表面を加熱することにより一部反転
させることができる。このような加熱はＸＰＳスペクト
ルにも変化を生じる。特に、Ｂ １ｓレベルの結合エネ
ルギーは約＋０.４eV移動し、また第２の非常に広いＢ
１ｓピークは約１９０eVで生長を開始する。Ｆ １ｓピ
ークはほぼ係数２で強度が低下し約＋１.２eV移動す
る。１９０eV領域におけるＢ１ｓピークの生長はクロミ
ウムボライドおよび／または元素状ボロンの生成を示唆
している。エチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）に
対する引き続いての露出は、清浄なクロム表面とボロン
トリクロライドで飽和させた表面との間の中間速度で金
フィルムの生長を生じる。
【０１０５】ルイス塩基トリメチルホスフィンＰ（ＣＨ
3）3およびルイス酸ボロントリフルオライドＢＦ3は、
約２５℃において金の表面上に検知し得る量で吸収しな
い。この両方は銅に結合するが、金フィルム生成の速度
で著しく遅くすることはない。従って、これら両方の抑
制的性質はいくらか選択的なもので、銅または存在する
金の表面上では引き続いて成長させるが、クロム上の金
の蒸着速度は大きく低下させる。
【０１０６】本発明は前述の特定の具体的例に限定され
るものではない。ここに特定的に記述されている材料と
方法は、本発明の範囲と精神から逸脱することなく変更
を行うことができるものであり、そして本発明に矛盾し
ないすべての他の態様、変更、および改変などを包含す
るものである。
【０１０７】以上、本発明を詳細に説明したが、本発明
はさらに次の実施態様によってこれを要約して示すこと
ができる。 １．(ａ) 真空室内にワークピースを設置し、その表面
に目標表面を画定し; (ｂ) 真空室を触媒除活性維持の上限圧力と同じかまた
はそれ以下の基礎圧力まで排気して、真空室から触媒活
性化する気体状の汚染物質を効果的に排除し; (ｃ) 目標表面の少なくとも一つの領域の表面組成を変
えて、目標表面上に触媒的に活性化された領域を形成さ
せ、その触媒的に活性化された領域から離れた目標表面
の少なくとも一つの領域は触媒的に不活性な領域である
ものとし； (ｄ) 真空室中に気体状の金−含有化合物を導入してワ
ークピースの目標表面をこの化合物に当て、ここでこの
化合物はアルキル化（トリアルキルホスフィン）金化合
物であるものとし； (ｅ) 金−含有化合物に目標表面を当てている間、真空
室を本質的に連続排気して触媒失活性化の気体状汚染物
が実質的に無い状態に維持し、かつ真空室から気体状の
反応生成物をとり出し、金−含有化合物に対し目標表面
を当てている間真空室は気体状還元剤が実質的に無い状
態に維持されるものとし；そして (ｆ) ワークピースの目標表面を、目標表面の触媒的に
活性化された領域上に気体状の金−含有化合物からの金
の蒸着を誘起し、また目標表面の触媒的に不活性な領域
上の化合物からの金の蒸着を抑制するのに有効な選択蒸
着温度に維持する 各工程からなる、表面上に触媒的に不活性な領域の存在
下にワークピースの表面の触媒的に活性化された領域上
に選択的に金を蒸着する方法。 ２．アルキル化（トリアルキルホスフィン）金化合物が
ＲＡｕＰＲ′3の式を有し、ここでＲはメチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、イソプロピルまたはｔ−ブチル基で
あり、またＲ′はメチルまたエチル基である、前項１に
記載の方法。 ３．アルキル化（トリアルキルホスフィン）金化合物が
メチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）およびエチル
（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）からなる群より選ば
れる、前項２に記載の方法。 ４． アルキル化（トリアルキルホスフィン）金化合物
がＲ3ＡｕＰＲ′3の式を有し、ここでＲはメチルまたは
エチル基で、またＲ′はメチルまたはエチル基である、
前項１に記載の方法。
【０１０８】５．アルキル化（トリアルキルホスフィ
ン）金化合物がトリメチル（トリメチルホスフィン）金
(III)である、前項４に記載の方法。 ６．ワークピースの目標表面の触媒的に活性化された領
域が金、クロム、コバルトおよび銅からなる群より選ば
れた金属から構成される、前項１に記載の方法。 ７．ワークピースの目標表面の触媒的に不活性な領域が
酸化シリコーンから構成される、前項６に記載の方法。 ８． ワークピースの目標表面の触媒的に活性化された
領域がクロムで構成され、アルキル化（トリアルキルホ
スフィン）金化合物がメチル（トリメチルホスフィン）
金（Ｉ）およびエチル（トリメチルホスフィン）金
（Ｉ）からなる群より選ばれ、そしてワークピースの目
標表面が約２５℃〜約１００℃の範囲内の選択的蒸着温
度に維持される、前項７に記載の方法。 ９．ワークピースの目標表面の触媒的に不活性な領域が
ポリイミドポリマーから構成される、前項１に記載の方
法。 １０．ポリイミドポリマーがピロメリトジアンヒドライ
ドオキシジアニリンポリイミドポリマーである、前項９
に記載の方法。 １１．ワークピースの目標表面の触媒的に活性化された
領域がクロムから構成され、アルキル化（トリアルキル
ホスフィン）金化合物がメチル（トリメチルホスフィ
ン）金（Ｉ）およびエチル（トリメチルホスフィン）金
（Ｉ）からなる群より選ばれ、そしてワークピースの目
標表面が約２５℃〜約２３０℃の範囲内の選択的蒸着温
度に維持される、前項１０に記載の方法。
【０１０９】１２．目標表面の少なくとも一つの領域の
表面組成を変えて触媒的に活性化された領域を形成させ
る工程（ｃ）が（Ｃ.１) 真空室中の目標表面と金属蒸
気供給源の間の位置で目標表面に近接かつ整合させてシ
ャドウマスクを配置し、このシャドウマスクは目標表面
上の所望の金−蒸着パターンに対応するマスクを貫通す
る開口を有している；そして（Ｃ.２) 金属蒸気供給源
中の金属を加熱して金属を気化し、気化した金属をシャ
ドウマスク中の開口を通って目標表面上に所望の金−蒸
着パターンの形状に金属触媒の層として蒸着させ、この
金−蒸着パターンの形状の金属触媒層は目標表面の触媒
的に活性化された領域を画定する各工程を含む、請求項
１に記載の方法。 １３．ワークピースの目標表面が所望の金−蒸着パター
ンの形状にパターン化されている触媒的に活性化可能な
金属層を含み、このパターン化されている金属層が本来
的な酸化物の皮膜または真空室中にワークピース設置後
の触媒失活性なその他の汚染物質を有しており、そして
目標表面の少なくとも一つの領域の表面組成を変えてそ
の目標表面上に触媒的に活性化された領域を形成させる
工程（ｃ）が（Ｃ.１) 真空室内にプラズマを発生さ
せ；そして（Ｃ.２) ワークピースの目標表面を充分な
時間このプラズマに当てて、パターン化された金属層か
ら本来的な酸化物またはその他の汚染物を充分に除去し
金属層を触媒的に活性化する、このプラズマに当てたパ
ターン化金属層はワークピース上の目標表面の触媒的に
活性化された領域を画定する各工程を含む、請求項１に
記載の方法。 １４．触媒的に活性化可能な金属が金、銅、コバルトお
よびクロムからなる群より選ばれ、またプラズマが電子
サイクロトン共鳴源により発生させた水素プラズマまた
はアルゴンプラズマである、前項１３に記載の方法。
【０１１０】１５．ワークピースの目標表面が所望の金
−蒸着パターンの形状にパターン化されている触媒活性
化可能な金属層を含み、このパターン化されている金属
層が本来的な酸化物の皮膜または真空室中にワークピー
ス設置後の触媒失活性なその他の汚染物質を有してお
り、そして目標表面の少なくとも一つの領域の表面組成
を変えてその目標表面上に触媒的に活性化された領域を
形成させる工程(ｃ)が（Ｃ.１) イオンビームを発生さ
せてこれを真空室中に導入し；そして（Ｃ.２) ワーク
ピースの目標表面を充分な時間このイオンビームによる
衝撃に当てて、パターン化された金属層から本来的な酸
化物またはその他の汚染物を充分に除去して金属層を触
媒的に活性化する、このイオンビーム衝撃にあてたパタ
ーン化金属層がワークピース上の目標表面の触媒的に活
性化された領域を画定する各工程を含む、前項１に記載
の方法。 １６．触媒活性化可能な金属が金、銅、コバルトおよび
クロムからなる群より選ばれ、またイオンビームがアル
ゴンビームである、前項１５に記載の方法。 １７．ワークピースの目標表面が所望の金−蒸着パター
ンの形状にパターン化されている触媒的に活性化可能な
金属層を含み、このパターン化されている金属層が本来
的な酸化物の皮膜または真空室中にワークピース設置後
の触媒失活性なその他の汚染物質を有しており、そして
目標表面の少なくとも、一つの領域の表面組成を変えて
その目標表面上に触媒的に活性化された領域を形成させ
る工程（ｃ）が：（Ｃ.１) 真空室中に化学的に活性な
クリーニング剤を導入し；そして（Ｃ.２) ワークピー
スの目標表面を充分な時間この化学的に活性なクリーニ
ング剤に当てて、パターン化された金属層から本来的な
酸化物またはその他の汚染物を充分に除去して金属層を
触媒的に活性化する、このクリーニング剤に当てたパタ
ーン化金属層がワークピース上の目標表面の触媒的に活
性化された領域を画定する各工程を含む前項１に記載の
方法。
【０１１１】１８．触媒活性化可能な金属が銅でありま
た化学的に活性なクリーニング剤が水素である。前項１
７に記載の方法。 １９．目標表面の少なくとも一つの領域の表面組成を変
えて触媒的に活性化された領域を形成する工程（ｃ）に
引き続いて、かつ真空室中に気体状の金−含有化合物を
導入する工程(ｄ)の前に、真空室中に気体状の可逆的触
媒抑制剤を導入してワークピースの目標表面をこれに当
てて、触媒的に活性化された領域の少なくとも一部の触
媒活性を抑制する工程をさらに含む、請求項１に記載の
方法。 ２０．可逆的触媒抑制剤がルイス酸またはルイス塩基で
ある、前項１９に記載の方法。 ２１．可逆的触媒抑制剤がルイス酸ボロントリフルオラ
イドＢＦ3とトリエチルボロンＢ（ＣＨ2ＣＨ3）3および
ルイス塩基トリメチルホスフィンＰ（ＣＨ3） 3からなる
群より選ばれる、前項２０に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＰＭＤＡ−ＯＤＡポリイミド層上に配置された
クロムのドットをもつパターン化目標表面のＸ線光電子
スペクトルを示す図。
【図２】ＰＭＤＡ−ＯＤＡポリイミド層上に配置された
銅のドットをもつパターン化目標表面のＸ線光電子スペ
クトルを示す図。
【図３】エチル（トリメチルホスフィン）金（Ｉ）への
露光に先立って各種適用量のトリメチルホスフィンに露
光しまたはしなかった新しく蒸着されたクロムの目標表
面のＸ線光電子スペクトルを示している。
【図４】蒸着されたクロムの目標表面またはこの表面面
を処理したもののＸ線光電子スペクトルを示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ステイーブン・ポール・コヴアルツイク アメリカ合衆国ニユーヨーク州10562．オ シニング．スノウデンアベニユー63 (72)発明者 フエントン・リード・マクフイーリー アメリカ合衆国ニユーヨーク州10562．オ シニング．ドナルドレイン25 (72)発明者 ポール・フレドリツク・サイドラー アメリカ合衆国コネチカツト州06877．リ ツジフイールド．シールズレイン42

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 (ａ) 真空室内にワークピースを設置
    し、その表面に目標表面を画定し； (ｂ) 真空室を触媒活性維持の上限圧力と同じかまたは
    それ以下の基礎圧力まで排気して、真空室から触媒除活
    性化する気体状の汚染物質を効果的に排除し; (ｃ) 目標表面の少なくとも一つの領域の表面組成を変
    えて、目標表面上に触媒的に活性化された領域を形成さ
    せ、その触媒的に活性化された領域から離れた目標表面
    の少なくとも一つの領域は触媒的に不活性な領域である
    ものとし； (ｄ) 真空室中に気体状の金−含有化合物を導入してワ
    ークピースの目標表面をこの化合物に当て、ここでこの
    化合物はアルキル化（トリアルキルホスフィン）金化合
    物であるものとし； (ｅ) 金−含有化合物に目標表面を当てている間、真空
    室を本質的に連続排気して触媒失活性化の気体状汚染物
    が実質的に無い状態に維持し、かつ真空室から気体状の
    反応生成物をとり出し、金−含有化合物に対し目標表面
    を当てている間真空室は気体状還元剤が実質的に無い状
    態に維持されるものとし；そして (ｆ) ワークピースの目標表面を、目標表面の触媒的に
    活性化された領域上に気体状の金−含有化合物からの金
    の蒸着を誘起し、また目標表面の触媒的に不活性な領域
    上の化合物からの金の蒸着を抑制するのに有効な選択蒸
    着温度に維持する 各工程からなる、表面上に触媒的に不活性な領域の存在
    下にワークピースの表面の触媒的に活性化された領域上
    に選択的に金を蒸着する方法。
  2. 【請求項２】 目標表面の少なくとも一つの領域の表面
    組成を変えて触媒的に活性化された領域を形成させる工
    程（ｃ）が（Ｃ.１) 真空室中の目標表面と金属蒸気供
    給源の間の位置で目標表面に近接かつ整合させてシャド
    ウマスクを配置し、このシャドウマスクは目標表面上の
    所望の金−蒸着パターンに対応するマスクを貫通する開
    口を有している；そして（Ｃ.２) 金属蒸気供給源中の
    金属を加熱して金属を気化し、気化した金属をシャドウ
    マスク中の開口を通って目標表面上に所望の金−蒸着パ
    ターンの形状に金属触媒の層として蒸着させ、この金−
    蒸着パターンの形状の金属触媒層は目標表面の触媒的に
    活性化された領域を画定する各工程を含む、請求項１に
    記載の方法。
  3. 【請求項３】 ワークピースの目標表面が所望の金−蒸
    着パターンの形状にパターン化されている触媒的に活性
    化可能な金属層を含み、このパターン化されている金属
    層が本来的な酸化物の皮膜または真空室中にワークピー
    ス設置後の触媒失活性なその他の汚染物質を有してお
    り、そして目標表面の少なくとも一つの領域の表面組成
    を変えてその目標表面上に触媒的に活性化された領域を
    形成させる工程（ｃ）が（Ｃ.１) 真空室内にプラズマ
    を発生させ；そして（Ｃ.２) ワークピースの目標表面
    を充分な時間このプラズマに当てて、パターン化された
    金属層から本来的な酸化物またはその他の汚染物を充分
    に除去し金属層を触媒的に活性化する、このプラズマに
    当てたパターン化金属層はワークピース上の目標表面の
    触媒的に活性化された領域を画定する各工程を含む、請
    求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 ワークピースの目標表面が所望の金−蒸
    着パターンの形状にパターン化されている触媒活性化可
    能な金属層を含み、このパターン化されている金属層が
    本来的な酸化物の皮膜または真空室中にワークピース設
    置後の触媒失活性なその他の汚染物質を有しており、そ
    して目標表面の少なくとも一つの領域の表面組成を変え
    てその目標表面上に触媒的に活性化された領域を形成さ
    せる工程（ｃ）が（Ｃ.１) イオンビームを発生させて
    これを真空室中に導入し；そして（Ｃ.２) ワークピー
    スの目標表面を充分な時間このイオンビームによる衝撃
    に当てて、パターン化された金属層から本来的な酸化物
    またはその他の汚染物を充分に除去して金属層を触媒的
    に活性化する、このイオンビーム衝撃にあてたパターン
    化金属層がワークピース上の目標表面の触媒的に活性化
    された領域を画定する、各工程を含む、請求項１に記載
    の方法。
  5. 【請求項５】 ワークピースの目標表面が所望の金−蒸
    着パターンの形状にパターン化されている触媒的に活性
    化可能な金属層を含み、このパターン化されている金属
    層が本来的な酸化物の皮膜または真空室中にワークピー
    ス設置後の触媒失活性なその他の汚染物質を有してお
    り、そして目標表面の少なくとも、一つの領域の表面組
    成を変えてその目標表面上に触媒的に活性化された領域
    を形成させる工程（ｃ）が：（Ｃ.１) 真空室中に化学
    的に活性なクリーニング剤を導入し；そして（Ｃ.２)
    ワークピースの目標表面を充分な時間この化学的に活性
    なクリーニング剤に当てて、パターン化された金属層か
    ら本来的な酸化物またはその他の汚染物を充分に除去し
    て金属層を触媒的に活性化する、このクリーニング剤に
    当てたパターン化金属層がワークピース上の目標表面の
    触媒的に活性化された領域を画定する各工程を含む請求
    項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 目標表面の少なくとも一つの領域の表面
    組成を変えて触媒的に活性化された領域を形成する工程
    （ｃ）に引き続いて、かつ真空室中に気体状の金−含有
    化合物を導入する工程（ｄ）の前に、真空室中に気体状
    の可逆的触媒抑制剤を導入してワークピースの目標表面
    をこれに当てて、触媒的に活性化された領域の少なくと
    も一部の触媒活性を抑制する工程をさらに含む、請求項
    １に記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010447A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの電極形成方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07221174A (ja) * 1993-12-10 1995-08-18 Canon Inc 半導体装置及びその製造方法
US5575955A (en) * 1994-07-22 1996-11-19 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Electrically conductive polyimide film containing gold (III) ions, composition, and process of making
US6071813A (en) * 1997-10-20 2000-06-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for electrical coupling to copper interconnects
DE19827844A1 (de) * 1998-06-23 1999-12-30 Aventis Res & Tech Gmbh & Co Verfahren zur Herstellung von Schalenkatalysatoren durch CVD-Beschichtung
US6225210B1 (en) * 1998-12-09 2001-05-01 Advanced Micro Devices, Inc. High density capping layers with improved adhesion to copper interconnects
US6406777B1 (en) 2000-06-14 2002-06-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Metal and glass structure for use in surface enhanced Raman spectroscopy and method for fabricating same
US6602653B1 (en) * 2000-08-25 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Conductive material patterning methods
US6451685B1 (en) 2001-02-05 2002-09-17 Micron Technology, Inc. Method for multilevel copper interconnects for ultra large scale integration
TW533188B (en) 2001-07-20 2003-05-21 Getters Spa Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
US20030224620A1 (en) * 2002-05-31 2003-12-04 Kools Jacques C.S. Method and apparatus for smoothing surfaces on an atomic scale
KR20040026733A (ko) * 2002-09-25 2004-04-01 주식회사 피앤아이 표면개질된 모재와의 접착력이 향상된 후막 형성 방법 및그의 장치
US7029591B2 (en) * 2003-04-23 2006-04-18 Lsi Logic Corporation Planarization with reduced dishing
US7713907B2 (en) * 2006-03-06 2010-05-11 Uchicago Argonne, Llc Method of preparing size-selected metal clusters
US20090139264A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Rachel Brown Antique jewelry articles and methods of making same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6091631A (ja) * 1983-10-25 1985-05-23 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4714627A (en) * 1984-11-29 1987-12-22 Ontario Development Corp. Method of gold deposition using volatile organogold complexes
JPH01108723A (ja) * 1987-10-21 1989-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属の選択堆積方法及びその装置
JPH01180970A (ja) * 1988-01-13 1989-07-18 Tadahiro Omi 減圧表面処理装置
JPH0238568A (ja) * 1988-07-28 1990-02-07 Toshiba Corp 薄膜形成装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5019531A (en) * 1988-05-23 1991-05-28 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Process for selectively growing thin metallic film of copper or gold
JPH0360112A (ja) * 1989-07-28 1991-03-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｘ線マスクの製造法
JPH0360111A (ja) * 1989-07-28 1991-03-15 Sony Corp 密着式露光法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6091631A (ja) * 1983-10-25 1985-05-23 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4714627A (en) * 1984-11-29 1987-12-22 Ontario Development Corp. Method of gold deposition using volatile organogold complexes
JPH01108723A (ja) * 1987-10-21 1989-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属の選択堆積方法及びその装置
JPH01180970A (ja) * 1988-01-13 1989-07-18 Tadahiro Omi 減圧表面処理装置
JPH0238568A (ja) * 1988-07-28 1990-02-07 Toshiba Corp 薄膜形成装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010447A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの電極形成方法

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