JPH0110924Y2 - - Google Patents

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JPH0110924Y2
JPH0110924Y2 JP1981096861U JP9686181U JPH0110924Y2 JP H0110924 Y2 JPH0110924 Y2 JP H0110924Y2 JP 1981096861 U JP1981096861 U JP 1981096861U JP 9686181 U JP9686181 U JP 9686181U JP H0110924 Y2 JPH0110924 Y2 JP H0110924Y2
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JP
Japan
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wafer
processing liquid
supplied
supply port
mounting
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JP1981096861U
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JPS585342U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、ウエハーの一方の面に処理液を供給
してその面を処理すると共に他方の面が該処理液
に侵されないようにした処理装置の新規な構造に
関するものである。
半導体装置は一般に、半導体ウエハーの表面に
種々の処理を施こして回路を形成される。その
際、例えば、ウエハー表面への不純物拡散、絶縁
膜成長、Al配線の形成及びカバー用PSG膜(リ
ン・シリケート・ガラス)の形成等を施こした
後、ウエハーの裏面側にAu蒸着を施こす工程が
ある。その場合、Au蒸着を行なう前の前処理と
して、裏面表面の酸化膜等を取り除くために処理
液を裏面に供給する工程がある。
この工程では処理液をウエハー裏面にのみ供給
し、表面には供給されないようにする必要があ
る。それは、処理液によりウエハー表面に形成し
た前述のAl配線やPSG膜が侵されたりするから
である。
従来そのような処理装置として水槽の表面の台
の上にウエハーを載置し、ウエハー表面は水面下
に裏面は水面上に位置せしめて、処理液を供給す
るものがあつた。しかしながらそのような装置で
は処理液がウエハー表面側に供給されるのを十分
防ぐことができず。また作業性も悪いものであつ
た。
本考案は上記従来の欠点を除去するものでその
特徴は、上面にウエハーの搭載面、斜面に水の流
出口を設けた円すい台形状の搭載部と、該搭載部
の上面周辺に設けられた複数本のウエハー流れ止
めピンと、前記搭載部の上方に設けられた処理液
供給口とを有し、前記供給口からの処理液が、搭
載されるウエハーの一方の面に供給され、同時に
前記流出口から流出する流水が該ウエハーの他方
の面周辺に供給されるようにしてなることにあ
る。
以下本考案の一実施例を図面に従つて詳述す
る。
第1図及び第2図は本実施例の斜視図及び側面
図である。
1が円すい台状の搭載部で、その搭載面2上に
ウエハー8が搭載される。本実施例では搭載面2
の周辺にウエハー8を支持する支持ピン3が設け
られている。5は円すい台状の搭載部1の斜面4
に設けられた流出口で、第2図中の破線Aの如く
流水をウエハー8の表面10の周辺に流出する。
6はウエハー8が流水Aにより流れ出するを止め
るための流れ止めピンである。7は前述した処理
液Bをウエハー8の裏面9に供給する供給口であ
る。
本実施例によるウエハーの処理装置は、ウエハ
ー8の裏面9側にのみ処理液Bが供給される。そ
してウエハー8の表面10側には、中心から周辺
に向つて流れる流水Aが流出口5から供給され、
処理液Bがウエハー8の裏面9側から表面10側
にまわり込むのを十分防止することができる。ま
た液A,B等によりウエハー8が搭載部1から流
れ出ようとするのを流れ止めピン6(本実施例で
は4本)を設けたことにより防止することができ
る。
以上説明したように本考案によれば、ウエハー
の一方の面にのみ処理液を供給することができ、
ウエハーの流れ出し等が防止されているため作業
性の良い処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本考案の一実施例の斜視図、
側面図である。 図中、1は搭載部、2は搭載面、4は斜面、5
は流出口、6はウエハー流れ止めピン、7は供給
口である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 上面にウエハーの搭載面、斜面に水の流出口を
    設けた円すい台形状の搭載部と、該搭載部の上面
    周辺に設けられた複数本のウエハー流れ止めピン
    と、前記搭載部の上方に設けられた処理液供給口
    とを有し、 前記供給口からの処理液が、搭載されるウエハ
    ーの一方の面に供給され、同時に前記流出口から
    流出する流水が該ウエハーの他方の面周辺に供給
    されるようにしてなることを特徴とするウエハー
    表面処理装置。
JP9686181U 1981-06-30 1981-06-30 ウェハ−表面処理装置 Granted JPS585342U (ja)

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JP9686181U JPS585342U (ja) 1981-06-30 1981-06-30 ウェハ−表面処理装置

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JP9686181U JPS585342U (ja) 1981-06-30 1981-06-30 ウェハ−表面処理装置

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Publication Number Publication Date
JPS585342U JPS585342U (ja) 1983-01-13
JPH0110924Y2 true JPH0110924Y2 (ja) 1989-03-29

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JP9686181U Granted JPS585342U (ja) 1981-06-30 1981-06-30 ウェハ−表面処理装置

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61129283U (ja) * 1985-02-01 1986-08-13
JPH0143863Y2 (ja) * 1985-04-24 1989-12-19
JPS63135774U (ja) * 1987-02-26 1988-09-06

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS547115Y2 (ja) * 1973-08-17 1979-04-03
JPS55124232A (en) * 1979-03-20 1980-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Application method of substrate treatment solution and the device therefor
JPS5660021A (en) * 1979-10-19 1981-05-23 Fujitsu Ltd Etching for semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS585342U (ja) 1983-01-13

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