JPH01110832U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01110832U JPH01110832U JP377088U JP377088U JPH01110832U JP H01110832 U JPH01110832 U JP H01110832U JP 377088 U JP377088 U JP 377088U JP 377088 U JP377088 U JP 377088U JP H01110832 U JPH01110832 U JP H01110832U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- area
- plasma
- discharge
- feeding
- Prior art date
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- Granted
Links
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案装置の一実施例を示し、同図ａ
はその断面図、同図ｂは接地電極の外観図、第２
図は従来装置を示す断面図、第３図及び第４図は
本考案装置の他の実施例を示す断面図、第５図は
本考案装置を膜形成装置に用いる場合の他の実施
例を示す断面図である。 １…給電電極、２…接地電極、３…壁面、４…
容量負荷、５…高周波電源、６…試料。
はその断面図、同図ｂは接地電極の外観図、第２
図は従来装置を示す断面図、第３図及び第４図は
本考案装置の他の実施例を示す断面図、第５図は
本考案装置を膜形成装置に用いる場合の他の実施
例を示す断面図である。 １…給電電極、２…接地電極、３…壁面、４…
容量負荷、５…高周波電源、６…試料。
補正 昭６３．３．２４
図面の簡単な説明を次のように補正する。
明細書第１０頁第６行乃至同頁第９行記載の「
第３図及び……断面図である。」を、「第３図乃
至第５図は本考案装置の異なる実施例をそれぞれ
示す断面図である。」に補正する。
第３図及び……断面図である。」を、「第３図乃
至第５図は本考案装置の異なる実施例をそれぞれ
示す断面図である。」に補正する。
Claims (1)
- 互いに対向して配置され、プラズマ放電を誘起
する給電電極及び接地電極と、該電極間に誘起さ
れたプラズマを閉じ込めるべく設けられた絶縁性
の壁面と、上記給電電極に接続された容量負荷及
び高周波電源と、を備え、上記接地電極の面積が
上記給電電極の面積より大きいことを特徴とした
高周波放電プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988003770U JPH0449174Y2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988003770U JPH0449174Y2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01110832U true JPH01110832U (ja) | 1989-07-26 |
| JPH0449174Y2 JPH0449174Y2 (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=31205703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988003770U Expired JPH0449174Y2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0449174Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006038730A1 (ja) | 2004-10-08 | 2006-04-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 過給機付内燃機関 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55151328A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-25 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for fabricating hydrogen-containing amorphous semiconductor film |
-
1988
- 1988-01-14 JP JP1988003770U patent/JPH0449174Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55151328A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-25 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for fabricating hydrogen-containing amorphous semiconductor film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006038730A1 (ja) | 2004-10-08 | 2006-04-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 過給機付内燃機関 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0449174Y2 (ja) | 1992-11-19 |