JPH011113A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH011113A JPH011113A JP62-155816A JP15581687A JPH011113A JP H011113 A JPH011113 A JP H011113A JP 15581687 A JP15581687 A JP 15581687A JP H011113 A JPH011113 A JP H011113A
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- JP
- Japan
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- thin film
- insulating layer
- head
- ferromagnetic thin
- manufacturing
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、−軸磁気異方性を有する磁性薄膜に信号磁界
を印加し、それを磁化容易軸方向の電気抵抗変化として
検出する磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という）を
具備して磁気記録媒体に記録された信号の検出を行なう
薄膜磁気ヘッド（以下、薄膜ＭＲヘッドという）に関す
る。
を印加し、それを磁化容易軸方向の電気抵抗変化として
検出する磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という）を
具備して磁気記録媒体に記録された信号の検出を行なう
薄膜磁気ヘッド（以下、薄膜ＭＲヘッドという）に関す
る。
〈従来の技術〉
従来、薄膜ＭＲヘッドは巻線型の磁気ヘッドと比較して
、多くの利点があることが知られている。
、多くの利点があることが知られている。
この薄膜ＭＲヘッドは磁気テープ等の磁気記録媒体に書
キ込まれた信号磁界を受けることにより、ＭＲ素子内部
の磁化方向が変化し、この磁化方向の変化に応じたＭＲ
素子の内部抵抗の変化を外部出力として取り出すもので
ある。従ってＭ１４Ｍ Ｒヘッドは磁束応答型のヘッド
であり、磁気記録媒体の移送速度に依存せずに信号磁界
を再生できる。
キ込まれた信号磁界を受けることにより、ＭＲ素子内部
の磁化方向が変化し、この磁化方向の変化に応じたＭＲ
素子の内部抵抗の変化を外部出力として取り出すもので
ある。従ってＭ１４Ｍ Ｒヘッドは磁束応答型のヘッド
であり、磁気記録媒体の移送速度に依存せずに信号磁界
を再生できる。
又、この薄膜ＭＲヘッドは半導体の微細加工技術を適用
することにより高集積化及び多素子化が容易であるので
、制密度記録が行なわれる固定ヘッド弐ＰＣＭ録音機の
再生用磁気ヘッドとして有望視されている。
することにより高集積化及び多素子化が容易であるので
、制密度記録が行なわれる固定ヘッド弐ＰＣＭ録音機の
再生用磁気ヘッドとして有望視されている。
このようなＭＲ素子は外部磁界に対して２乗変化を示す
感応特性をもつことから、ＭＲ素子を再生ヘッドとして
構成する場合、所定のバイアス磁界が必要となる。この
バイアス磁界を印加する方法には導体に直流電流を流す
ことにより、バイアス磁界を誘起する方法及びＣｏ−Ｐ
層等の高抗磁力薄膜を用いてバイアス磁界を印加する方
法等が知られている。
感応特性をもつことから、ＭＲ素子を再生ヘッドとして
構成する場合、所定のバイアス磁界が必要となる。この
バイアス磁界を印加する方法には導体に直流電流を流す
ことにより、バイアス磁界を誘起する方法及びＣｏ−Ｐ
層等の高抗磁力薄膜を用いてバイアス磁界を印加する方
法等が知られている。
一方、ＭＲ素子単体で構成した薄膜ＭＲヘッドよりもＭ
Ｒ素子をヘッド先端から離して磁気記録媒体に発生した
磁束をＭＲヘッドまで導く磁束導入路（ヨーク）を配置
したヨーク型ＭＲヘッド（以下、ＹＭＲヘッドという）
と呼ばれる薄膜磁気ヘッドの方が信号の分離能の向上や
ＭＲ素子の耐久性の向上に有利であることが知られてい
る。
Ｒ素子をヘッド先端から離して磁気記録媒体に発生した
磁束をＭＲヘッドまで導く磁束導入路（ヨーク）を配置
したヨーク型ＭＲヘッド（以下、ＹＭＲヘッドという）
と呼ばれる薄膜磁気ヘッドの方が信号の分離能の向上や
ＭＲ素子の耐久性の向上に有利であることが知られてい
る。
従来のＹＭＲヘッドになるＭＲ素子部の製造方法を第３
図及び第４図に示す。但し、第４図は第３図のＡ−Ｂ断
面の構造を示す。
図及び第４図に示す。但し、第４図は第３図のＡ−Ｂ断
面の構造を示す。
基板１上にＭＲ素子となる強磁性薄膜５（Ｎ１−Ｆｅ合
金膜）が蒸着法等により形成され、同図（ａｌに示すよ
うに目的の形状に加工される。
金膜）が蒸着法等により形成され、同図（ａｌに示すよ
うに目的の形状に加工される。
ＭＲ素子のトラック幅は多トラツク構成となるため通常
５０〜２００μｍ程度に設定される。
５０〜２００μｍ程度に設定される。
Ｍ Ｒ素子のトラック幅が小さくなると、磁区状態が不
可逆的に変化して、△Ｒ／Ｒ特性にバルクハウゼン・ノ
イズが発生しやすくなる。そこで、上記強磁性薄膜５の
両端部に同図（ｂｌに示す如く高抗磁力薄膜７Ｃｏ−Ｐ
層を備えて、容易軸方向に弱い磁界を印加して磁壁な消
失させバルクハウゼン・ノイズのないＭＲ素子を得る必
要がある。尚、上記、高保磁力薄膜７は無電解メツキに
より作成される。
可逆的に変化して、△Ｒ／Ｒ特性にバルクハウゼン・ノ
イズが発生しやすくなる。そこで、上記強磁性薄膜５の
両端部に同図（ｂｌに示す如く高抗磁力薄膜７Ｃｏ−Ｐ
層を備えて、容易軸方向に弱い磁界を印加して磁壁な消
失させバルクハウゼン・ノイズのないＭＲ素子を得る必
要がある。尚、上記、高保磁力薄膜７は無電解メツキに
より作成される。
また上記強磁性薄膜５が形成された後リード部となる導
電層８がＡｌやＡ６−Ｃｕ等を蒸着或いはＲＦスパッタ
することにより形成され、ケミカルエツチングして同図
（Ｃ１に示すようにヘッド等の所望形状に加工される。
電層８がＡｌやＡ６−Ｃｕ等を蒸着或いはＲＦスパッタ
することにより形成され、ケミカルエツチングして同図
（Ｃ１に示すようにヘッド等の所望形状に加工される。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記ＹＭＲヘッドの製造工程において、高保磁力薄膜７
を作成するための無電解メツキ膜は、メツキされる面積
が小さくなるほどメツキの前処理条件及びメツキ条件が
厳しくなる。従っそ、ＭＲ素子のトラック幅が小さくな
るほど被着面積部分が小さくなり、無電解メツキにより
作成される高抗磁力薄膜の再現性が悪かった。
を作成するための無電解メツキ膜は、メツキされる面積
が小さくなるほどメツキの前処理条件及びメツキ条件が
厳しくなる。従っそ、ＭＲ素子のトラック幅が小さくな
るほど被着面積部分が小さくなり、無電解メツキにより
作成される高抗磁力薄膜の再現性が悪かった。
即ち、メツキ前処理条件を厳しくすると、ＭＲ素子とな
る強磁性薄膜の膜厚が２００〜５００λと非常に薄いた
め前処理液で腐食される。また、メツキがされやすい条
件にすると、高抗磁力薄膜の特性が劣化する問題があっ
た。
る強磁性薄膜の膜厚が２００〜５００λと非常に薄いた
め前処理液で腐食される。また、メツキがされやすい条
件にすると、高抗磁力薄膜の特性が劣化する問題があっ
た。
また強磁性薄膜５Ｃリード部８を接続する工程に於いて
も、ＭＲ素子となる強磁性薄膜の表面はリードのエツチ
ング液及びレジスト剥離液にさらされる。従って、上記
強磁性薄膜は２００〜５００Ａと非常に薄いため、強磁
性薄膜の表面が酸化等されると、薄膜ＭＲ素子の特性が
劣化する問題もあった。
も、ＭＲ素子となる強磁性薄膜の表面はリードのエツチ
ング液及びレジスト剥離液にさらされる。従って、上記
強磁性薄膜は２００〜５００Ａと非常に薄いため、強磁
性薄膜の表面が酸化等されると、薄膜ＭＲ素子の特性が
劣化する問題もあった。
本発明は薄膜磁気ヘッドに使用されるＭＲ素子に係わる
高抗磁力薄膜の無電解メツキの再現性を向上し、かつ強
磁性薄膜の表面を酸化から防止して、薄膜ＭＲ素子の特
性改善を目的とする。
高抗磁力薄膜の無電解メツキの再現性を向上し、かつ強
磁性薄膜の表面を酸化から防止して、薄膜ＭＲ素子の特
性改善を目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉
ＭＲ素子の下地絶縁層ＳｉＯ１ＭＲ素子となる強磁性薄
膜、ＭＲ素子の上部絶縁層ＳｉＯを順次積層し、上記強
磁性薄膜と上部絶縁層ＳｉＯの二層を同時加工後、リー
ド部の強磁性薄膜上を被う上部絶縁層ＳｉＯをエツチン
グし、高抗磁力薄膜、導電層を順次積層したことを特徴
とする。
膜、ＭＲ素子の上部絶縁層ＳｉＯを順次積層し、上記強
磁性薄膜と上部絶縁層ＳｉＯの二層を同時加工後、リー
ド部の強磁性薄膜上を被う上部絶縁層ＳｉＯをエツチン
グし、高抗磁力薄膜、導電層を順次積層したことを特徴
とする。
〈実施例〉
第１図は、本発明に係る実施例のＹＭＲヘッドの平面構
成を示す。第２図（ａｌは第１図のＡ−Ｂ断面の構造を
示し、第２図（ｂｌは第１図のＣ−Ｄｌｒ面の構造を示
す。
成を示す。第２図（ａｌは第１図のＡ−Ｂ断面の構造を
示し、第２図（ｂｌは第１図のＣ−Ｄｌｒ面の構造を示
す。
下部ヨークを形成する基板１１はＮ ｉ −Ｚ ｎフェ
ライト又はＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトから成る。この
基板ｌｌ上に５ｉ０２．Ｓｉ３Ｎ４等から成る第１絶縁
層２がＲＦスパッタ法又はＰ−ＣＶＤ法等により形成さ
れる。次にこの第１絶縁層２上にＭ ｏ ＋Ｃｕ、Ａ＃
或いはＡ １１− Ｃｕ合金膜等からなる導体層３がＲ
Ｆスパッタ法、蒸着法等により形成される。この導体層
３をバイアス層の形状に加工するために、ケミカルエツ
チング法、スパッタエツチング法等が用いられる。具体
例を上げて説明すると、ケミカルエツチング法の場合Ｃ
ｕ膜は硝酸（Ｈ’Ｎ０３）十過硫酸アンモニウム（（Ｎ
Ｈ３）２Ｓ２０８）生水（Ｈ２Ｏ）、Ａ６及びＡｅ−Ｃ
ｕ膜は水酸化カリウム（ＫＯＨ）十過硫酸アンモニウム
（（Ｎ）１３）２Ｓ２０ρ＋水（ＨＯ）又はリン酸（Ｈ
３Ｐ０４）十硝酸（ＨＮＯ３）＋酢酸（ＣＨＣ００Ｈ）
生水（Ｈ２Ｏ）なるエラチンダ液を用いれば良い。スパ
ッタエツチング法の場合１Ｍ ｏ 、 Ａ ｌ 、 Ｃ
ｕ等の膜はＡｒガスを導入すれば公知の手法により加工
することができる。
ライト又はＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトから成る。この
基板ｌｌ上に５ｉ０２．Ｓｉ３Ｎ４等から成る第１絶縁
層２がＲＦスパッタ法又はＰ−ＣＶＤ法等により形成さ
れる。次にこの第１絶縁層２上にＭ ｏ ＋Ｃｕ、Ａ＃
或いはＡ １１− Ｃｕ合金膜等からなる導体層３がＲ
Ｆスパッタ法、蒸着法等により形成される。この導体層
３をバイアス層の形状に加工するために、ケミカルエツ
チング法、スパッタエツチング法等が用いられる。具体
例を上げて説明すると、ケミカルエツチング法の場合Ｃ
ｕ膜は硝酸（Ｈ’Ｎ０３）十過硫酸アンモニウム（（Ｎ
Ｈ３）２Ｓ２０８）生水（Ｈ２Ｏ）、Ａ６及びＡｅ−Ｃ
ｕ膜は水酸化カリウム（ＫＯＨ）十過硫酸アンモニウム
（（Ｎ）１３）２Ｓ２０ρ＋水（ＨＯ）又はリン酸（Ｈ
３Ｐ０４）十硝酸（ＨＮＯ３）＋酢酸（ＣＨＣ００Ｈ）
生水（Ｈ２Ｏ）なるエラチンダ液を用いれば良い。スパ
ッタエツチング法の場合１Ｍ ｏ 、 Ａ ｌ 、 Ｃ
ｕ等の膜はＡｒガスを導入すれば公知の手法により加工
することができる。
上述のよう―形成された導体層３上に蒸着法等によりＳ
ｉＯからなる第２絶縁層４が形成される。
ｉＯからなる第２絶縁層４が形成される。
該ＳｉＯ膜４は表面平滑性、膜質に優れているので、次
に積層するＭＲ素子となる強磁性薄膜１’Ｊｉ−Ｆｅ合
金膜５は良好な磁気特性をもつ。Ｎｉ−Ｆｅ合金膜５上
にＳｉＯからなる第３絶縁層５ｉ０６が形成される。
に積層するＭＲ素子となる強磁性薄膜１’Ｊｉ−Ｆｅ合
金膜５は良好な磁気特性をもつ。Ｎｉ−Ｆｅ合金膜５上
にＳｉＯからなる第３絶縁層５ｉ０６が形成される。
ここで、パーアロイ蒸着膜５の下地層及び上側保護層と
して、Ｓｉ０層４，６を用いた場合のパーアロイ（Ｎｉ
−Ｆｅ合金膜）膜の特性について以下述べる。
して、Ｓｉ０層４，６を用いた場合のパーアロイ（Ｎｉ
−Ｆｅ合金膜）膜の特性について以下述べる。
ガラス基板上に厚さ約４０ＯＡのＳｉ０層を蒸着法で形
成した後、厚さ約３２０λのＮｉ−Ｆｅ合金膜を磁場中
で蒸着法で形成し、該Ｎ ｉ −Ｆ ｅ合金膜上に厚さ
約４０ＯＡのＳｉＯを形成した試料を磁場中で２００℃
２時間真空中アニールし声時の磁気特性の変化を第１表
に示す。尚比較のため、Ｎ ｉ −Ｆ ｅ合金膜の上下
Ｃ３ｉＯ３を形成した場合も示す。磁歪定数λ５はＮｉ
−Ｆｅ合金膜の組成に著しく敏感なので、Ｎｉ−Ｆｅ合
金膜と下地との拡散による組成変化を検出するのに適し
ている。
成した後、厚さ約３２０λのＮｉ−Ｆｅ合金膜を磁場中
で蒸着法で形成し、該Ｎ ｉ −Ｆ ｅ合金膜上に厚さ
約４０ＯＡのＳｉＯを形成した試料を磁場中で２００℃
２時間真空中アニールし声時の磁気特性の変化を第１表
に示す。尚比較のため、Ｎ ｉ −Ｆ ｅ合金膜の上下
Ｃ３ｉＯ３を形成した場合も示す。磁歪定数λ５はＮｉ
−Ｆｅ合金膜の組成に著しく敏感なので、Ｎｉ−Ｆｅ合
金膜と下地との拡散による組成変化を検出するのに適し
ている。
第１表
第１表かられかるように、Ｎ ｉ −Ｆ ｅ合金膜の上
下にＳｉ０層を形成した場合はλ５の変化が小さく、拡
散を防止している。
下にＳｉ０層を形成した場合はλ５の変化が小さく、拡
散を防止している。
上記条件により形成された、強磁性薄膜５と第３絶縁層
Ｓｉ、０６の二層について、第１図に示すＭＲ素子部ａ
及びＭＲ素子のリード部ｂ 、ｃＣ該当する形状にスパ
ッタエツチング法、又はイオン・ミーリング法により加
工する。導入ガスとして、Ａｒガスを用いれば良い。
Ｓｉ、０６の二層について、第１図に示すＭＲ素子部ａ
及びＭＲ素子のリード部ｂ 、ｃＣ該当する形状にスパ
ッタエツチング法、又はイオン・ミーリング法により加
工する。導入ガスとして、Ａｒガスを用いれば良い。
次に、ＭＲ素子ａを被う第３絶縁層６を残し外リードｂ
、ｃに該当する部分を被う絶縁層５ｉ０６をＲＩＥ（リ
アクティブ・イオン・エツチング）法によりエツチング
する。導入ガスとしてＣＦ４（フレオン１４）、ＣＦ４
＋Ｈ２、ＣＦ４＋Ｈ２を用いれば良い。上記ＲＩＥ法に
よりＳｉＯをエツチングしたリードｂ、ｃ部分の強磁性
薄膜上にＣｏ−Ｐ７層を無電解メツキ法により作成する
。
、ｃに該当する部分を被う絶縁層５ｉ０６をＲＩＥ（リ
アクティブ・イオン・エツチング）法によりエツチング
する。導入ガスとしてＣＦ４（フレオン１４）、ＣＦ４
＋Ｈ２、ＣＦ４＋Ｈ２を用いれば良い。上記ＲＩＥ法に
よりＳｉＯをエツチングしたリードｂ、ｃ部分の強磁性
薄膜上にＣｏ−Ｐ７層を無電解メツキ法により作成する
。
無電解メツキ法によりメツキされたＣ ｏ −Ｐ ７層
の面私はリードｂ、ｃのほぼ全域にわたるため従来と比
較して約３００〜１０００倍と大きくでき、再現性良く
作成することができる。
の面私はリードｂ、ｃのほぼ全域にわたるため従来と比
較して約３００〜１０００倍と大きくでき、再現性良く
作成することができる。
次にＭＲ素子のリード部す、ｃ分に導電層Ａｌ又はＡ
１１− Ｃｕ ％ｉｆ等８を蒸着法又はＲＦスパッタ法
により作成し、ケミカルエッチ法又はドライエツチング
法により成形する。
１１− Ｃｕ ％ｉｆ等８を蒸着法又はＲＦスパッタ法
により作成し、ケミカルエッチ法又はドライエツチング
法により成形する。
上記工程を経てＭＲ素子を作成する場合ＭＲ素子ａの本
体部分は第３絶縁層ＳｉＯに被覆されているため、エツ
チング液及びレジスト剥離液にさらされることがないの
で、強磁性薄膜５の表面が酸化されることがなく、磁気
特性の劣化がない。
体部分は第３絶縁層ＳｉＯに被覆されているため、エツ
チング液及びレジスト剥離液にさらされることがないの
で、強磁性薄膜５の表面が酸化されることがなく、磁気
特性の劣化がない。
また、ＭＲ素子ａ部分とリードｂ、ｃの接触面積が大キ
いので、コンタクト抵抗も無視できる。
いので、コンタクト抵抗も無視できる。
次にフロントギツプ部ｄを被う上記第１．第２゜第３絶
縁層をエツチング後、第２図＋ａ＋の如＜ Ｇ ａＰ部
となる絶縁層９を新たにＲＦスパッタ法、Ｐ−ＣＶＤ法
により形成する。従来のＹＭＲヘッドの製造工程と同様
に上部ヨーク部１０と下部ヨーク部１１の接続する部分
の絶縁層をＲＩＥ法によりエツチング後、上部ヨーク↓
０となるＮ ｉ −Ｆ ｅ合金膜を作成してＹＭＲヘッ
ドが完成する。
縁層をエツチング後、第２図＋ａ＋の如＜ Ｇ ａＰ部
となる絶縁層９を新たにＲＦスパッタ法、Ｐ−ＣＶＤ法
により形成する。従来のＹＭＲヘッドの製造工程と同様
に上部ヨーク部１０と下部ヨーク部１１の接続する部分
の絶縁層をＲＩＥ法によりエツチング後、上部ヨーク↓
０となるＮ ｉ −Ｆ ｅ合金膜を作成してＹＭＲヘッ
ドが完成する。
尚上記の実施例ではＹ Ｍ Ｒヘッドについて説明した
が、本発明はノンシールド型ＭＲヘッド、両面シールド
型ＭＲヘッド等の他のＭＲヘッドに応用しても、同様の
効果を有することは明らかである。
が、本発明はノンシールド型ＭＲヘッド、両面シールド
型ＭＲヘッド等の他のＭＲヘッドに応用しても、同様の
効果を有することは明らかである。
〈発明の効果〉
以上詳述したように、本発明を用いれば、ＭＲ素子部を
構成する良好な磁気特性をもつ高抗磁力薄膜が再現良く
形成でき、かつ、強磁性薄膜の表面酸化を生じることな
く加工することができるので、良好な特性をもつＭＲヘ
ッドが得られる。
構成する良好な磁気特性をもつ高抗磁力薄膜が再現良く
形成でき、かつ、強磁性薄膜の表面酸化を生じることな
く加工することができるので、良好な特性をもつＭＲヘ
ッドが得られる。
第１図は本発明に係る一実施例の平面図、第２図（ａｌ
は第１図のＡ−Ｂ断面図、第２図（ｂｌは第１図のＣ−
Ｄ断面図、第３図は従来の薄膜ＭＲヘッドの平面図、第
４図は同ヘッドの断面図である。 ２．９・・・絶縁層、３．８・・・導体層、４，６・・
ＳｉＯ絶縁膜、５・・・強磁性薄膜、７・・・高抗磁力
薄膜、１０・・・上部ヨーク、１１・・・下部ヨーク。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）ユ ｌ ［
・： ／／下鮮３−り ′ス ２ ５コ ｔσ） １／Ｔ印３−り 蕊 ２ 灘 （ｂ） 第３図 第４ 図
は第１図のＡ−Ｂ断面図、第２図（ｂｌは第１図のＣ−
Ｄ断面図、第３図は従来の薄膜ＭＲヘッドの平面図、第
４図は同ヘッドの断面図である。 ２．９・・・絶縁層、３．８・・・導体層、４，６・・
ＳｉＯ絶縁膜、５・・・強磁性薄膜、７・・・高抗磁力
薄膜、１０・・・上部ヨーク、１１・・・下部ヨーク。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）ユ ｌ ［
・： ／／下鮮３−り ′ス ２ ５コ ｔσ） １／Ｔ印３−り 蕊 ２ 灘 （ｂ） 第３図 第４ 図
Claims (1)
- １、印加される信号磁界の変化を一軸磁気異方性を有す
る強磁性薄膜の電気抵抗変化として検出する磁気抵抗効
果型の薄膜磁気ヘッドの製造方法に於いて、絶縁層Ｓｉ
Ｏ、強磁性薄膜、絶縁層ＳｉＯを順次積層し、上記、強
磁性薄膜、絶縁層ＳｉＯの２層を同時加工後に、該強磁
性薄膜上の絶縁層ＳｉＯをエッチングし、高抗磁力薄膜
、導電層を順次積層したことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15581687A JPS641113A (en) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | Production of thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15581687A JPS641113A (en) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | Production of thin film magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH011113A true JPH011113A (ja) | 1989-01-05 |
| JPS641113A JPS641113A (en) | 1989-01-05 |
Family
ID=15614103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15581687A Pending JPS641113A (en) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | Production of thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS641113A (ja) |
-
1987
- 1987-06-22 JP JP15581687A patent/JPS641113A/ja active Pending
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