JPH01111735A - ガラス成形体の成形型 - Google Patents
ガラス成形体の成形型Info
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- JPH01111735A JPH01111735A JP27090387A JP27090387A JPH01111735A JP H01111735 A JPH01111735 A JP H01111735A JP 27090387 A JP27090387 A JP 27090387A JP 27090387 A JP27090387 A JP 27090387A JP H01111735 A JPH01111735 A JP H01111735A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
- C03B11/084—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
- C03B11/086—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/14—Die top coat materials, e.g. materials for the glass-contacting layers
- C03B2215/26—Mixtures of materials covered by more than one of the groups C03B2215/16 - C03B2215/24, e.g. C-SiC, Cr-Cr2O3, SIALON
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ガラスをプレス成形するための成形型に関し
、特に、プレス成形後に研磨を必要としない高精度のガ
ラス成形体に成形するための成形型に関する。
、特に、プレス成形後に研磨を必要としない高精度のガ
ラス成形体に成形するための成形型に関する。
（従来の技術）
一般に、プレス成形によるガラスの成形では、所定の表
面形状（例えば球面または非球面）に仕上げた表面層を
有する成形型内に、予め軟化させた被成形ガラスを入れ
（または被成形ガラスを成形型に入れてから加熱・軟化
させ）、この成形型に所定の圧力を加えることによって
、成形型の表面層が被成形ガラスに転写される。したが
って、成形型は、その表面層の形状がガラス成形体の表
面形状としてそのまま転写されることから、その表面層
に気孔等の欠陥がなく、緻密で鏡面状に精密加工するこ
とができ、かつ高温において十分な硬度および強度を保
てる等の要件を満たすことが求められる。
面形状（例えば球面または非球面）に仕上げた表面層を
有する成形型内に、予め軟化させた被成形ガラスを入れ
（または被成形ガラスを成形型に入れてから加熱・軟化
させ）、この成形型に所定の圧力を加えることによって
、成形型の表面層が被成形ガラスに転写される。したが
って、成形型は、その表面層の形状がガラス成形体の表
面形状としてそのまま転写されることから、その表面層
に気孔等の欠陥がなく、緻密で鏡面状に精密加工するこ
とができ、かつ高温において十分な硬度および強度を保
てる等の要件を満たすことが求められる。
このような成形型の材料としては、従来、シリコンカー
バイド（Ｓ ｉ Ｃ）やシリコンナイトライド（Ｓ ｉ
ｚＮａ）Ｃ特開昭５２−４５６１３号公報）、タング
ステンカーバイド（特開昭５６−５９６４１号公報）、
ジルコニウムオキサイド（ＺｒＯ，）を基盤材料とし、
その上に白金−ロジウム（Ｐｔ−Ｒｈ）合金または白金
−イリジウム（Ｐｔ−１ｒ）合金のコーテイング膜を形
成したもの（特開昭６０−１７６９３０号公報）が提案
されている。
バイド（Ｓ ｉ Ｃ）やシリコンナイトライド（Ｓ ｉ
ｚＮａ）Ｃ特開昭５２−４５６１３号公報）、タング
ステンカーバイド（特開昭５６−５９６４１号公報）、
ジルコニウムオキサイド（ＺｒＯ，）を基盤材料とし、
その上に白金−ロジウム（Ｐｔ−Ｒｈ）合金または白金
−イリジウム（Ｐｔ−１ｒ）合金のコーテイング膜を形
成したもの（特開昭６０−１７６９３０号公報）が提案
されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、シリコンカーバイドやシリコンナイトライドを
表面層とする成形型は、緻密で、かつ硬度および強度の
点ですぐれているものの、被成形ガラスに鉛を多量に含
有する重フリント系光学ガラスを使用した場合、鉛との
化学反応性が高く、高精度のガラス成形体に成形するこ
とが困難となる。
表面層とする成形型は、緻密で、かつ硬度および強度の
点ですぐれているものの、被成形ガラスに鉛を多量に含
有する重フリント系光学ガラスを使用した場合、鉛との
化学反応性が高く、高精度のガラス成形体に成形するこ
とが困難となる。
次に、タングステンカーバイドの成形型は、加工性にす
ぐれるが、高温下で酸化しやすく、型表面が肌荒れを起
こし、光学表面を保持することができない。また、被成
形ガラスと反応しやすい問題もあった。
ぐれるが、高温下で酸化しやすく、型表面が肌荒れを起
こし、光学表面を保持することができない。また、被成
形ガラスと反応しやすい問題もあった。
また、白金−ロジウムまたは白金−イリジウムの合金の
コーテイング膜を形成したものは、被成形ガラスとの化
学作用を起こさないことが利点として挙げられているが
、本発明者らの実験によれば、ガラス成形体との離型性
がプレス成形開始当初から悪いという問題があった。
コーテイング膜を形成したものは、被成形ガラスとの化
学作用を起こさないことが利点として挙げられているが
、本発明者らの実験によれば、ガラス成形体との離型性
がプレス成形開始当初から悪いという問題があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明によるガラス成形体の成形型は、成形型の表面層
を白金（Ｐｔ）とニッケル（Ｎｉ）の少なくとも２成分
からなる物質にホウ素化合物が分散されて形成されてい
るものである。
を白金（Ｐｔ）とニッケル（Ｎｉ）の少なくとも２成分
からなる物質にホウ素化合物が分散されて形成されてい
るものである。
なお、好ましくは白金（Ｐｔ）とニッケル（Ｎｔ）の少
なくとも２成分から成る前記物質がニッケル（Ｎｉ）を
５〜４５ｗｔ％含み、前記ホウ素化合物がＴｉＢｔ、Ｚ
ｒＢｚ、Ｖ ＢｔｌＮ ｂ ＢｔＳＴ ａ Ｂｔ、Ｍｎ
Ｂ、ＮｉＢ、ＦｅＢ、ＣｒＢｚ、ＣｏＢから選ばれた少
なくとも一つからなり、その分散量が０．０２〜３０ｖ
ｏｌ％であり、さらに前記表面層と下地の基盤との間に
、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）
、モリブデン（Ｍｏ）、コバルト（ＣＯ）、チタンナイ
トライド（ＴｉＮ）、チタンカーバイド（ＴｉＣ）、シ
リコンカーバイド（ＳｉＣ）およびこれらの混合物のう
ちから選択された少なくとも１つを含む中間層を介在さ
せたものである。
なくとも２成分から成る前記物質がニッケル（Ｎｉ）を
５〜４５ｗｔ％含み、前記ホウ素化合物がＴｉＢｔ、Ｚ
ｒＢｚ、Ｖ ＢｔｌＮ ｂ ＢｔＳＴ ａ Ｂｔ、Ｍｎ
Ｂ、ＮｉＢ、ＦｅＢ、ＣｒＢｚ、ＣｏＢから選ばれた少
なくとも一つからなり、その分散量が０．０２〜３０ｖ
ｏｌ％であり、さらに前記表面層と下地の基盤との間に
、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）
、モリブデン（Ｍｏ）、コバルト（ＣＯ）、チタンナイ
トライド（ＴｉＮ）、チタンカーバイド（ＴｉＣ）、シ
リコンカーバイド（ＳｉＣ）およびこれらの混合物のう
ちから選択された少なくとも１つを含む中間層を介在さ
せたものである。
これらの表面層や中間層は、所定形状に加工された基盤
上にスパッタリング法、イオンブレーティング法などに
より形成される。膜厚は０．０５〜１０μｍ程度が好ま
しい。薄すぎると均一な膜が得に 、＜＜、厚すぎると
成膜時間を長（するのみならず、膜の表面状態が荒れて
くる。
上にスパッタリング法、イオンブレーティング法などに
より形成される。膜厚は０．０５〜１０μｍ程度が好ま
しい。薄すぎると均一な膜が得に 、＜＜、厚すぎると
成膜時間を長（するのみならず、膜の表面状態が荒れて
くる。
なお、表面層材料として、ニッケルの他に、イリジウム
（Ｉ ｒ） 、ロジウム（Ｒｈ）、および金（Ａｕ）な
どを加えた白金合金にホウ素化合物を分散させれば、−
層高基のプレスでの使用に耐えるようになる。
（Ｉ ｒ） 、ロジウム（Ｒｈ）、および金（Ａｕ）な
どを加えた白金合金にホウ素化合物を分散させれば、−
層高基のプレスでの使用に耐えるようになる。
成形型の基盤材料については、基盤として一般に要求さ
れる硬度、強度および耐熱性等を満足するものであれば
特に限定されず、ステンレス鋼、タングステンカーバイ
ド（ＷＣ）、ジルコニウムオキサイド（ｚｒＯｔ）、サ
ーメット、シリコンカーバイド（Ｓ ｉ Ｃ）およびシ
リコンナイトライド（ＳｉｚＮａ）などが使用可能であ
る。また、プレス成形時の圧力が基盤の変形に問題にな
らない程度であれば、この基盤材料は、上述した表面層
や中間層の各物質と同一の合金等を用いてもよい。
れる硬度、強度および耐熱性等を満足するものであれば
特に限定されず、ステンレス鋼、タングステンカーバイ
ド（ＷＣ）、ジルコニウムオキサイド（ｚｒＯｔ）、サ
ーメット、シリコンカーバイド（Ｓ ｉ Ｃ）およびシ
リコンナイトライド（ＳｉｚＮａ）などが使用可能であ
る。また、プレス成形時の圧力が基盤の変形に問題にな
らない程度であれば、この基盤材料は、上述した表面層
や中間層の各物質と同一の合金等を用いてもよい。
（作用）
本発明の成形型の表面層は、緻密性、硬度、強度、加工
性および耐化学反応性のそれぞれにおいて良好であるば
かりでなく、プレス成形されたガラス成形体との離型性
も良好になり、さらに結晶成長を抑え膜の荒れを抑える
。すなわち、百合−ニッケル合金（白金５０ｗｔ％以上
、ニッケル５〜４５ｗｔ％）中にホウ素化合物、具体的
にはＴｉＢ２、ＺｒＢ、、Ｖ Ｂ ｚ、ＮｂＢ、、Ｔ
ａ Ｂ ｔ、ＭｎＢ。
性および耐化学反応性のそれぞれにおいて良好であるば
かりでなく、プレス成形されたガラス成形体との離型性
も良好になり、さらに結晶成長を抑え膜の荒れを抑える
。すなわち、百合−ニッケル合金（白金５０ｗｔ％以上
、ニッケル５〜４５ｗｔ％）中にホウ素化合物、具体的
にはＴｉＢ２、ＺｒＢ、、Ｖ Ｂ ｚ、ＮｂＢ、、Ｔ
ａ Ｂ ｔ、ＭｎＢ。
ＮｉＢ、ＦｅＢ、ＣｒＢｚ、ＣｏＢなどを分散させるこ
とにより、特にガラス成形体との離型性を向上させると
ともに、面精度を保持することができる。その分散を０
．０２〜３０ｖｏｌ％としたのは、ホウ素化合物が０．
０２ｖｏｌ％未満では硬度が低くなり傷が発生しやすく
、また分散効果により結晶成長を抑え、膜の荒れを抑え
る効果が十分に得られに＜＜、一方、３０ｖｏｌ％を越
えると、ガラス成形体との離型性が悪くなるためである
。
とにより、特にガラス成形体との離型性を向上させると
ともに、面精度を保持することができる。その分散を０
．０２〜３０ｖｏｌ％としたのは、ホウ素化合物が０．
０２ｖｏｌ％未満では硬度が低くなり傷が発生しやすく
、また分散効果により結晶成長を抑え、膜の荒れを抑え
る効果が十分に得られに＜＜、一方、３０ｖｏｌ％を越
えると、ガラス成形体との離型性が悪くなるためである
。
また、中間層は基盤と表面層との親和性を高め、型寿命
を長くする作用を有する。
を長くする作用を有する。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示す成形型の断面図である
。成形型は、上型１と下型２とから構成される。上型１
と下型２とは、それぞれその外周面が案内型３の内周面
上を滑動するように、案内型３の内部に配置されている
。これらの上型１および下型２は、それぞれ基１１ａと
表面層１ｂおよび基盤２ａと表面層２ｂからなり、表面
Ｎｌｂ。
。成形型は、上型１と下型２とから構成される。上型１
と下型２とは、それぞれその外周面が案内型３の内周面
上を滑動するように、案内型３の内部に配置されている
。これらの上型１および下型２は、それぞれ基１１ａと
表面層１ｂおよび基盤２ａと表面層２ｂからなり、表面
Ｎｌｂ。
２ｂを相互に対向させて配置しである。
基盤１ａ、２ａは、焼結時にＨＩ Ｐ処理を施して緻密
にしたタングステンカーバイドを用い、これを円柱状（
直径１８龍、高さ２８＋ｎ）に加工し、その一端面を凹
球面伏に研削し、最終仕上げとしてダイヤモンド砥石に
より高精度の光学鏡面に研摩し、それぞれ所定の曲率半
径（３２ｍｍ）の凹球面に加工した。この凹球面の面粗
さは１００Å以下であった。
にしたタングステンカーバイドを用い、これを円柱状（
直径１８龍、高さ２８＋ｎ）に加工し、その一端面を凹
球面伏に研削し、最終仕上げとしてダイヤモンド砥石に
より高精度の光学鏡面に研摩し、それぞれ所定の曲率半
径（３２ｍｍ）の凹球面に加工した。この凹球面の面粗
さは１００Å以下であった。
この基盤１ａ、２ａの凹球面に対し、スパッタリング装
置を用い、表に示した実施例１〜２１の物質組成のター
ゲットを使用し、所定の成膜条件で所定の厚さの表面層
１ｂ、２ｂを形成した。なお、その際、基盤１ａ、２ａ
と表面層１ｂ、２ｂとの密着性を一層強固にするために
、表面層１ｂ、２ｂの成膜に先立って、逆スパツタリン
グにより基盤１ａ、２ａの各表面を清浄化することは有
効である。
置を用い、表に示した実施例１〜２１の物質組成のター
ゲットを使用し、所定の成膜条件で所定の厚さの表面層
１ｂ、２ｂを形成した。なお、その際、基盤１ａ、２ａ
と表面層１ｂ、２ｂとの密着性を一層強固にするために
、表面層１ｂ、２ｂの成膜に先立って、逆スパツタリン
グにより基盤１ａ、２ａの各表面を清浄化することは有
効である。
例えば、実施例１ではアルゴンガス圧ｌＸｌ０−’Ｔｏ
ｒｒ、白金−−１−７ケル５ｗｔ％、ＤＣＩＫＩ（，５
００人／ｌｌｌ１ｎ、チタンボーライド、ＲＦ ４００
Ｗ、５人／ｍｉｎ （分散１ｖｏｌ％）、電極間距離
１００ｍ、回転数２Ｏｒｐｍで行い、膜厚は０．５μｍ
であった。
ｒｒ、白金−−１−７ケル５ｗｔ％、ＤＣＩＫＩ（，５
００人／ｌｌｌ１ｎ、チタンボーライド、ＲＦ ４００
Ｗ、５人／ｍｉｎ （分散１ｖｏｌ％）、電極間距離
１００ｍ、回転数２Ｏｒｐｍで行い、膜厚は０．５μｍ
であった。
また、本実施例では白金−ニッケル、チタンボーライド
別々のターゲットを同時にスパッタを行う二元スパッタ
リングについて述べた２種のターゲットをモザイク状に
配置してその面積比で分散を調整する複合ターゲットを
使用しても良いものである。またターゲットそのものが
分散型になっているものでもかまわない。いずれにして
も各々のスパッタ率を考慮して組合わせる。
別々のターゲットを同時にスパッタを行う二元スパッタ
リングについて述べた２種のターゲットをモザイク状に
配置してその面積比で分散を調整する複合ターゲットを
使用しても良いものである。またターゲットそのものが
分散型になっているものでもかまわない。いずれにして
も各々のスパッタ率を考慮して組合わせる。
なお、案内型３は本実施例では上型・下型の基盤１ａ、
２ａと同様のタングステンカーバイドで構成されている
。
２ａと同様のタングステンカーバイドで構成されている
。
第２図は、本発明の他の実施例を示す成形型の断面図で
ある。本実施例の上型１′および下型２′は、それぞれ
基盤１ａと表面ｊｔｉｌｂとの間および基盤２ａと表面
層２ｂとの間に、第１中間層ＩＣと第２中間層１ｄおよ
び第１中間層２Ｃと第２中間層２ｄが介在させである点
で、第１図の上型１および下型２と相違するが、その他
は構造上同一である。中間層は、２層図示したが、１１
のみまたは３層以上にしてもよい。表に、中間層を１層
のみとした例を実施例１１〜１３．１６〜１９および２
１として示し、中間層を２層とした例を実施例１４．１
５および２０として示した。
ある。本実施例の上型１′および下型２′は、それぞれ
基盤１ａと表面ｊｔｉｌｂとの間および基盤２ａと表面
層２ｂとの間に、第１中間層ＩＣと第２中間層１ｄおよ
び第１中間層２Ｃと第２中間層２ｄが介在させである点
で、第１図の上型１および下型２と相違するが、その他
は構造上同一である。中間層は、２層図示したが、１１
のみまたは３層以上にしてもよい。表に、中間層を１層
のみとした例を実施例１１〜１３．１６〜１９および２
１として示し、中間層を２層とした例を実施例１４．１
５および２０として示した。
これらの中間層および表面層は、例えば実施例１１では
、基盤１ａ、２ａをイオンエツチングした後、イオンブ
レーティング法により、所定の成膜条件（真空度５ Ｘ
ＩＯ”’Ｔ ｏ ｒ ｒ、成膜速度３００人／ｍｉｎ、
基盤電圧−３００Ｖ ）でチタンからなる第１中間層１
ｃ、２ｃ（膜厚０．０５μｍ）を成膜した後、その上に
スパッタリング法により白金（９５ｗｔ％）−ニッケル
５ｗｔ％とチタンボーライドをターゲットとし、所定の
成膜条件（前記）で表面１ｍ１１ｂ。
、基盤１ａ、２ａをイオンエツチングした後、イオンブ
レーティング法により、所定の成膜条件（真空度５ Ｘ
ＩＯ”’Ｔ ｏ ｒ ｒ、成膜速度３００人／ｍｉｎ、
基盤電圧−３００Ｖ ）でチタンからなる第１中間層１
ｃ、２ｃ（膜厚０．０５μｍ）を成膜した後、その上に
スパッタリング法により白金（９５ｗｔ％）−ニッケル
５ｗｔ％とチタンボーライドをターゲットとし、所定の
成膜条件（前記）で表面１ｍ１１ｂ。
２ ｂ （ｎｌｆｆ−３，０μｍ）を成膜することによ
り形成した。
り形成した。
また、実施例２０においては、基盤１ａ、２ａをイオン
エツチングした後、その凹球面上にイオンブレーティン
グ法により、所定の成膜条件（チッ素ガス圧５ ｘｔｏ
−”ｒ ｏ ｒ ｒ 、成膜速度３００人／ｒａｉｎ、
基盤電圧−３００Ｖ ）でチタンナイトライドからなる
第２中間層１ｄ、２ｄ（膜厚０．３μｍ）を成膜した。
エツチングした後、その凹球面上にイオンブレーティン
グ法により、所定の成膜条件（チッ素ガス圧５ ｘｔｏ
−”ｒ ｏ ｒ ｒ 、成膜速度３００人／ｒａｉｎ、
基盤電圧−３００Ｖ ）でチタンナイトライドからなる
第２中間層１ｄ、２ｄ（膜厚０．３μｍ）を成膜した。
次いで、スパッタリング法により所定の成膜条件（アル
ゴンガス圧１ ｘｔｏ−”ｒ Ｏｒ ｒ 、成膜速度４
００人／ｗｉｎ）でニッケルからなる第１中間層ｌｃ、
２ｃ（膜厚０．０５μｍ）を成膜し、引続き同様の方法
により、白金（８０％１ｔ％）−ニッケル（１０ｗｔ％
）−イリジウム（１０ｗｔ％）合金とチタンボーライド
をターゲットとし、所定の成膜条件（前記）で表面１１
ｂ、２ｂ （膜厚１．０μｍ）を成膜シタ。
ゴンガス圧１ ｘｔｏ−”ｒ Ｏｒ ｒ 、成膜速度４
００人／ｗｉｎ）でニッケルからなる第１中間層ｌｃ、
２ｃ（膜厚０．０５μｍ）を成膜し、引続き同様の方法
により、白金（８０％１ｔ％）−ニッケル（１０ｗｔ％
）−イリジウム（１０ｗｔ％）合金とチタンボーライド
をターゲットとし、所定の成膜条件（前記）で表面１１
ｂ、２ｂ （膜厚１．０μｍ）を成膜シタ。
その他の実施例もこれらとほぼ同様の方法により中間層
および表面層を形成した。
および表面層を形成した。
次にこのような成形型の使用方法を、第１図の成形型を
例に説明する。
例に説明する。
第３図は、プレス成形機の主要部を示す断面図である。
このプレス成形機は上述した上型１．下型２および案内
型３を備え、下型２の上に被成形ガラス４が置かれる。
型３を備え、下型２の上に被成形ガラス４が置かれる。
これらの型１．２．３は、断面Ｈ字状のステンレス鋼か
らなる保持具５を介して、同じくステンレス鋼からなる
支持台６で支持されている。７はステンレス鋼からなる
押し棒で、これらを石英管８の内部に収容し、外周に配
置した誘導加熱コイル９により型１，２．３および被成
形ガラス４を加熱し、押し捧７を上型１の頭部に下降さ
せて、被成形ガラス４をプレス成形する。温度制御は、
下型２の内部に配設した熱電対１０により型温度を測定
して行なう。次に、その具体例を説明する。
らなる保持具５を介して、同じくステンレス鋼からなる
支持台６で支持されている。７はステンレス鋼からなる
押し棒で、これらを石英管８の内部に収容し、外周に配
置した誘導加熱コイル９により型１，２．３および被成
形ガラス４を加熱し、押し捧７を上型１の頭部に下降さ
せて、被成形ガラス４をプレス成形する。温度制御は、
下型２の内部に配設した熱電対１０により型温度を測定
して行なう。次に、その具体例を説明する。
被成形ガラス４として、ガラス組成がｗｔ％でｓ ｉ
０２：２７．８． Ａ ＩＩ ｚｏｉ：２．Ｏ＋ Ｎ
ａ ｚｏ：１．８． ＫｚＯ：１．２． Ｐ ｂ Ｏ：
６５．２． Ｔ ｉ Ｏ□：２．０である重フリント系
光学ガラス（転移温度４３５℃）を直径１０ｍ５の球状
のガラス塊に加工したものを使用し、Ｎ２ガス雰囲気中
、型温度５００℃で圧力４０ｋｇ／ｃｄを３０秒間加え
た。その後、圧力を解き、プレス成形されたガラス成形
体を、上型ｌおよび下型２と接触させた状態のまま上記
転移温度まで徐冷し、次いで室温まで急冷して、両凸球
面レンズに成形されたガラス成形体を成形型から取出す
。
０２：２７．８． Ａ ＩＩ ｚｏｉ：２．Ｏ＋ Ｎ
ａ ｚｏ：１．８． ＫｚＯ：１．２． Ｐ ｂ Ｏ：
６５．２． Ｔ ｉ Ｏ□：２．０である重フリント系
光学ガラス（転移温度４３５℃）を直径１０ｍ５の球状
のガラス塊に加工したものを使用し、Ｎ２ガス雰囲気中
、型温度５００℃で圧力４０ｋｇ／ｃｄを３０秒間加え
た。その後、圧力を解き、プレス成形されたガラス成形
体を、上型ｌおよび下型２と接触させた状態のまま上記
転移温度まで徐冷し、次いで室温まで急冷して、両凸球
面レンズに成形されたガラス成形体を成形型から取出す
。
以上のプレス成形法は、第２図に示した成形型でも同様
に行なわれる。そして、第３図のプレス成形機において
、実施例１〜２１の表面層ないし中間層を有する上・下
型を用いて、上述したと同様の条件で上記重フリント系
ガラスの成形をそれぞれ１０００回ずつ繰り返して行な
った。その結果、いずれの実施例の型についても、ガラ
ス成形体は型との離型性が良好で、型との接触面におい
て化学反応した様子が認められず、ガラス成形体と上・
下型表面層の面精度および鏡面は当初の状態が維持され
、ガラス成形体の面精度は１００Å以下であり、透明度
も良好であった。
に行なわれる。そして、第３図のプレス成形機において
、実施例１〜２１の表面層ないし中間層を有する上・下
型を用いて、上述したと同様の条件で上記重フリント系
ガラスの成形をそれぞれ１０００回ずつ繰り返して行な
った。その結果、いずれの実施例の型についても、ガラ
ス成形体は型との離型性が良好で、型との接触面におい
て化学反応した様子が認められず、ガラス成形体と上・
下型表面層の面精度および鏡面は当初の状態が維持され
、ガラス成形体の面精度は１００Å以下であり、透明度
も良好であった。
比較のため、表面層として白金−ロジウムおよび白金−
イリジウムの各合金のコーテイング膜をそれぞれ形成し
た成形型を使用し、上述した実施例と同様にプレス成形
を行なったところ、最初のプレス成形時からガラス成形
体と成形型との離型性が悪く、相互の接触面において化
学反応した様子が認められた。
イリジウムの各合金のコーテイング膜をそれぞれ形成し
た成形型を使用し、上述した実施例と同様にプレス成形
を行なったところ、最初のプレス成形時からガラス成形
体と成形型との離型性が悪く、相互の接触面において化
学反応した様子が認められた。
以上、成形型の表面層形状が凹球面のものについて示し
たが、本発明はこのような形状に制限を加えるものでは
なく、凸球面、非球面、平面等、何でもよい。
たが、本発明はこのような形状に制限を加えるものでは
なく、凸球面、非球面、平面等、何でもよい。
また、中間層は、上述した各実施例において用いた物質
を主成分とするものであれば、その効果を奏し、他の物
質として例えば白金、イリジウム、ロジウム、金、モリ
ブデンもしくはニッケル等を含有したものであってもよ
い。
を主成分とするものであれば、その効果を奏し、他の物
質として例えば白金、イリジウム、ロジウム、金、モリ
ブデンもしくはニッケル等を含有したものであってもよ
い。
さらに、被成形ガラスとしては、比較的化学反応を起こ
しやすい重フリント系光学ガラスを使用して良好な結果
が得られたことから、他の光学ガラスについても、本発
明の型を用いた成形が行なえることはいうまでもない。
しやすい重フリント系光学ガラスを使用して良好な結果
が得られたことから、他の光学ガラスについても、本発
明の型を用いた成形が行なえることはいうまでもない。
なお、本発明の型の表面層は成膜およびプレス成形時に
おいて酸化されることがあるが、酸化されても使用に支
障はない。
おいて酸化されることがあるが、酸化されても使用に支
障はない。
また、表面層上にさらに何らかの被覆層を形成し、表面
層と被成形ガラスとの間に被覆層を介在させるようにし
てもよい。
層と被成形ガラスとの間に被覆層を介在させるようにし
てもよい。
（発明の効果）
本発明によれば、成形型の表面層を、白金とニッケルの
少なくとも２成分からなる物質にホウ素化合物が分散さ
れて形成されていることにより、緻密性、硬度および強
度、耐化学反応性ならびに、結晶成長を抑える事による
面精度の保持性のそれぞれにおいて良好な結果が得られ
るとともに、ガラス成形体との離型性も向上する。
少なくとも２成分からなる物質にホウ素化合物が分散さ
れて形成されていることにより、緻密性、硬度および強
度、耐化学反応性ならびに、結晶成長を抑える事による
面精度の保持性のそれぞれにおいて良好な結果が得られ
るとともに、ガラス成形体との離型性も向上する。
第１図は本発明の一実施例を示す成形型の断面図、第２
図は本発明の他の実施例を示す断面図、第３図はプレス
成形機の構成例を示す断面図である。 １．１’＝＝上型、ｌａ、２ａ−基盤、１ｂ、２ｂ −
表面層、Ｉ Ｃ，１ａ％ ２Ｃ，２ｄ−中間層、２．２
’−ｍ−下型。 出願人 田中貴金属工業株式会社 ホーヤ株式会社 第１１ 第２図 第３図
図は本発明の他の実施例を示す断面図、第３図はプレス
成形機の構成例を示す断面図である。 １．１’＝＝上型、ｌａ、２ａ−基盤、１ｂ、２ｂ −
表面層、Ｉ Ｃ，１ａ％ ２Ｃ，２ｄ−中間層、２．２
’−ｍ−下型。 出願人 田中貴金属工業株式会社 ホーヤ株式会社 第１１ 第２図 第３図
Claims (4)
- （１）基盤および表面層を備え、表面層の形状がプレス
成形により被成形ガラスに転写されてガラス成形体を成
形する成形型において、表面層が、白金（Ｐｔ）とニッ
ケル（Ｎｉ）の少なくとも２成分からなる物質にホウ素
化合物が分散されて形成されていることを特徴とするガ
ラス成形体の成形型。 - （２）表面層が白金（Ｐｔ）を主成分とし、ニッケル（
Ｎｉ）を５〜４５ｗｔ％含有する少なくとも２成分から
なる物質にホウ素化合物が分散されて形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の成形型。 - （３）ホウ素化合物がＴｉＢ＿２、ＺｒＢ＿２、ＶＢ＿
２、ＮｂＢ＿２、ＴａＢ＿２、ＭｎＢ、ＮｉＢ、ＦｅＢ
、ＣｒＢ＿２、ＣｏＢより選ばれた少なくとも一つから
なるもので、０．０２〜３０ｖｏｌ％分散されて形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項に記載の成形型。 - （４）基盤と表面層との間に中間層を備え、その中間層
が、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ
）、モリブデン（Ｍｏ）、コバルト（Ｃｏ）、チタンナ
イトライド（ＴｉＮ）、チタンカーバイド（ＴｉＣ）、
シリコンカーバイド（ＳｉＣ）およびこれらの混合物か
ら選ばれた少なくとも一つを含む物質で形成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項に記載
の成形型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27090387A JPH01111735A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | ガラス成形体の成形型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27090387A JPH01111735A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | ガラス成形体の成形型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01111735A true JPH01111735A (ja) | 1989-04-28 |
| JPH0424294B2 JPH0424294B2 (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17492587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27090387A Granted JPH01111735A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | ガラス成形体の成形型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01111735A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61146724A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ガラス素子のプレス成形用型 |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP27090387A patent/JPH01111735A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61146724A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ガラス素子のプレス成形用型 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0424294B2 (ja) | 1992-04-24 |
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