JPH01111881A - 無電解金めっき方法 - Google Patents
無電解金めっき方法Info
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- JPH01111881A JPH01111881A JP26840687A JP26840687A JPH01111881A JP H01111881 A JPH01111881 A JP H01111881A JP 26840687 A JP26840687 A JP 26840687A JP 26840687 A JP26840687 A JP 26840687A JP H01111881 A JPH01111881 A JP H01111881A
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- JP
- Japan
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- gold plating
- plating
- treatment
- subjected
- electroless
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はセラミック、ガラス等からなる絶縁体上のメタ
ライズパターンへの無電解金めっき方法に関する。
ライズパターンへの無電解金めっき方法に関する。
（従来の技術）
ピングリッドアレイあるいはチップキャリア等の半導体
装置用パッケージにあっては、配線部等の導体回路部は
メタライズ層などからなるメタライズパターンによって
形成されており、このメタライスパターンにたいしては
通常ニッケルめっきおよび金めつきがなされる。このニ
ッケルめっきおよび金めつきは、一般に電解めっきによ
ってなされ、めっきのための導通を確保するため前記メ
タライズパターンはすべて短絡された形状に形成されて
いる。
装置用パッケージにあっては、配線部等の導体回路部は
メタライズ層などからなるメタライズパターンによって
形成されており、このメタライスパターンにたいしては
通常ニッケルめっきおよび金めつきがなされる。このニ
ッケルめっきおよび金めつきは、一般に電解めっきによ
ってなされ、めっきのための導通を確保するため前記メ
タライズパターンはすべて短絡された形状に形成されて
いる。
したがって、これら電解めっきによってめっき処理がな
されるピングリッドアレイ、チップキャリア等の半導体
装置用パッケージではめっき後に、導通パターンのめっ
きのために短絡させた不要部分を研削などして除去し、
導体回路部等を独立分離させなければならない。
されるピングリッドアレイ、チップキャリア等の半導体
装置用パッケージではめっき後に、導通パターンのめっ
きのために短絡させた不要部分を研削などして除去し、
導体回路部等を独立分離させなければならない。
（発明が解決しようとする間層点）
上述したように、従来の電解めっきによる場合は、導通
パターンをあらかじめ短絡した形状に構成しなければな
らないため、短絡パターンを形成するためのスペースが
必要であること、また短絡した導通パターンを形成する
ために余分のペースｊ−を要すること、後工程で研削な
どにより除去される部分の金めつきが無駄になること等
の問題点がある。
パターンをあらかじめ短絡した形状に構成しなければな
らないため、短絡パターンを形成するためのスペースが
必要であること、また短絡した導通パターンを形成する
ために余分のペースｊ−を要すること、後工程で研削な
どにより除去される部分の金めつきが無駄になること等
の問題点がある。
なお、金めつきに関しては無電解金めっき方法も試みら
れているが、適当な金めつき浴がないのが現状であり、
また置換金めっき後に単に無電解金めっきを行うだけで
は半導体装置用パッケージとして要求される耐熱性、ダ
イボンディング性、ワイヤボンディング性を満足するも
のが得られなしＡ６ そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、無電解めっき方法に
よって、半導体装置用パッケージとしての十分な耐熱性
、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性を有する
パッケージを得ることのできる無電解金めっき方法を提
供するにある。
れているが、適当な金めつき浴がないのが現状であり、
また置換金めっき後に単に無電解金めっきを行うだけで
は半導体装置用パッケージとして要求される耐熱性、ダ
イボンディング性、ワイヤボンディング性を満足するも
のが得られなしＡ６ そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、無電解めっき方法に
よって、半導体装置用パッケージとしての十分な耐熱性
、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性を有する
パッケージを得ることのできる無電解金めっき方法を提
供するにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するため次の構成をそなえる。
すなわち、セラミック、ガラス等の絶縁体上への無電解
金めっき方法において、前記絶縁体表面に設けられたメ
タライズパターンにたいして、置換金めっき処理を行っ
た後に、アニール処理および酸処理を施し、さらに再び
置換金めっき処理を施し、ついで無電解金めっき処理を
施すことを特徴とする。
金めっき方法において、前記絶縁体表面に設けられたメ
タライズパターンにたいして、置換金めっき処理を行っ
た後に、アニール処理および酸処理を施し、さらに再び
置換金めっき処理を施し、ついで無電解金めっき処理を
施すことを特徴とする。
（発明の概要）
本発明では、メタライズパターンが設けられた半導体装
置用パッケージにだいし、ニッケルめっきおよび金めつ
きを無電解ニッケルめっきおよび無電解金めっきによっ
て行う。なお、無電解金めっきの際、置換金めっきを行
った後に単に無電解金めっきを行うだけでは前述したよ
うに十分な耐熱性、ダイボンディング性、ワイヤボンデ
ィング性を有する半導体装置用パッケージが得られない
ので、本発明では、所定のニッケルめっき等の処理が施
された試料に置換金めっきを施し、ついで水素還元雰囲
気中で７６０℃、１０分間熱処理した後、硝酸（１：
１）に浸漬し、これによって試料の表面に過剰に拡散し
てきたニッケルを除去し、再び置換金めっきそして無電
解金めっきを施す。
置用パッケージにだいし、ニッケルめっきおよび金めつ
きを無電解ニッケルめっきおよび無電解金めっきによっ
て行う。なお、無電解金めっきの際、置換金めっきを行
った後に単に無電解金めっきを行うだけでは前述したよ
うに十分な耐熱性、ダイボンディング性、ワイヤボンデ
ィング性を有する半導体装置用パッケージが得られない
ので、本発明では、所定のニッケルめっき等の処理が施
された試料に置換金めっきを施し、ついで水素還元雰囲
気中で７６０℃、１０分間熱処理した後、硝酸（１：
１）に浸漬し、これによって試料の表面に過剰に拡散し
てきたニッケルを除去し、再び置換金めっきそして無電
解金めっきを施す。
これらの工程によって、良好な耐熱性およびダイボンデ
ィング性、ワイヤボンディング性を有する金めつきが施
された半導体装置用パッケージが得られる。
ィング性、ワイヤボンディング性を有する金めつきが施
された半導体装置用パッケージが得られる。
（実施例）
以下、本発明の金めつき方法をピングリッドアレイに施
した実施例について説明する。
した実施例について説明する。
リードピンのろう付は工程まで終了した６４ピンのピン
グリッドアレイにだいし、以下の工程によって無電解ニ
ッケルめっきおよび無電Ｍ金めっきを施した。
グリッドアレイにだいし、以下の工程によって無電解ニ
ッケルめっきおよび無電Ｍ金めっきを施した。
脱脂処理（オーカイト、６０℃、５分）→酸処理（１：
１０硫酸、常温５分） →活性化処理（パラジウム活性液、６５℃、２０分）→
酸処理（１：１塩酸、常温３０秒） →無電解ニッケルめっき （Ｎｉ−８プロセス、 ６５
℃、 ２０分）→置換金めっき（ＩＮ−Ｇｏｌｄ ：
日本高純度化学製、９０℃、３０分） →アニール処理（水素雰囲気、７６０℃、１０分）→酸
処理（１：ｌ硝酸、常温５分） →置換金めっき（ＩＮ−Ｇｏｌｄ 、４１０℃、２０分
）→無電解金めっき（シアン化金カリウム５．８ｇ／ｌ
、シアン化カリウム１．３ｇ／ｌ、水酸化カリウム４５
君／ｌ、ジメチルアミンボラン２３．６ｇ／ｌ 、鉛２
ＰＰｍ、８５℃、２時間） 上記処理のうちアニール処理はニッケルめっき層にたい
して置換金めっき層の密着性をたかめる作用があり、そ
の後の硝酸による酸処理はアニール後の置換金めっき層
表面に、より金含有量が多い部分を露出させるために行
うものである。
１０硫酸、常温５分） →活性化処理（パラジウム活性液、６５℃、２０分）→
酸処理（１：１塩酸、常温３０秒） →無電解ニッケルめっき （Ｎｉ−８プロセス、 ６５
℃、 ２０分）→置換金めっき（ＩＮ−Ｇｏｌｄ ：
日本高純度化学製、９０℃、３０分） →アニール処理（水素雰囲気、７６０℃、１０分）→酸
処理（１：ｌ硝酸、常温５分） →置換金めっき（ＩＮ−Ｇｏｌｄ 、４１０℃、２０分
）→無電解金めっき（シアン化金カリウム５．８ｇ／ｌ
、シアン化カリウム１．３ｇ／ｌ、水酸化カリウム４５
君／ｌ、ジメチルアミンボラン２３．６ｇ／ｌ 、鉛２
ＰＰｍ、８５℃、２時間） 上記処理のうちアニール処理はニッケルめっき層にたい
して置換金めっき層の密着性をたかめる作用があり、そ
の後の硝酸による酸処理はアニール後の置換金めっき層
表面に、より金含有量が多い部分を露出させるために行
うものである。
以下、表１および表２に、上記工程によって金めっきさ
れたピングリッドアレイと、置換金めっきに単に無電解
金めっきを施したもののそれぞれについて、耐熱性とワ
イヤボンディング性を比較した結果を示す。
れたピングリッドアレイと、置換金めっきに単に無電解
金めっきを施したもののそれぞれについて、耐熱性とワ
イヤボンディング性を比較した結果を示す。
表１は、試料を４５０℃に保った際の金めつきの変色の
程度によって耐熱性を調べたものである。
程度によって耐熱性を調べたものである。
表１でＮｏ、 １の試料は置換金めっき後に単に無電解
金めっきを施したもの、Ｎ００２の試料は上述した置換
金めっき、アニール処理、酸処理、置換金めっき、無電
解金めっきを施したものである。表中で○印は指定時間
内で金めつきが変色しなかったもの、Ｘ印は変色したも
の、Δ印は若干変色したものを示す。
金めっきを施したもの、Ｎ００２の試料は上述した置換
金めっき、アニール処理、酸処理、置換金めっき、無電
解金めっきを施したものである。表中で○印は指定時間
内で金めつきが変色しなかったもの、Ｘ印は変色したも
の、Δ印は若干変色したものを示す。
表１の結果から上述した置換金めつき、アニール処理、
酸処理および置換金めつきを無電解金めっきの前に施し
た金めつきは加熱にたいして安定しており、単に置換金
めつき後に無電解金めつきを施したものに比べてはるか
に耐熱性が向上していることがわかる。
酸処理および置換金めつきを無電解金めっきの前に施し
た金めつきは加熱にたいして安定しており、単に置換金
めつき後に無電解金めつきを施したものに比べてはるか
に耐熱性が向上していることがわかる。
表２はワイヤボンディングがなされた上記Ｎｏ、 １と
Ｎｏ、 ２の試料各５０個の検体にたいして、 ２００
℃、６０時間エージング処理を施した後のワイヤの剥離
数を調べたものである。
Ｎｏ、 ２の試料各５０個の検体にたいして、 ２００
℃、６０時間エージング処理を施した後のワイヤの剥離
数を調べたものである。
表２から、アニール処理後、酸処理、置換金めっきおよ
び無電解金めっきが施されたＮｏ、２の検体については
ニーソング後もワイヤの剥離が１個も見られず、Ｎｏ、
１の検体と比較して顕著なワイヤボンディング性の向
上が見られた。
び無電解金めっきが施されたＮｏ、２の検体については
ニーソング後もワイヤの剥離が１個も見られず、Ｎｏ、
１の検体と比較して顕著なワイヤボンディング性の向
上が見られた。
次に、表３および表４は４４ピンのチップキャリアにつ
いて同様な試験を行った結果を示すものである。表３お
よび表４でＮｏ、３の試料は置換金めっきおよび無電解
金めっきを施したものであり、Ｎ。
いて同様な試験を行った結果を示すものである。表３お
よび表４でＮｏ、３の試料は置換金めっきおよび無電解
金めっきを施したものであり、Ｎ。
、４の試料は上述したピングリッドアレイでのＮｏ、２
の試料の処理工程と全く同じ処理工程によって金めつき
を施したものである。なお、ここでは無電解めっき方法
によっているので、チップキャリアは１つ１つ分割され
たチップキャリアを用いている。
の試料の処理工程と全く同じ処理工程によって金めつき
を施したものである。なお、ここでは無電解めっき方法
によっているので、チップキャリアは１つ１つ分割され
たチップキャリアを用いている。
□ 表３ 金めつきの耐熱性（チップキャリア）ワイ
ヤボンディング性を試験するために用いた検体数は３０
個であり、エージング条件は２００℃。
ヤボンディング性を試験するために用いた検体数は３０
個であり、エージング条件は２００℃。
６０時間である。
これらの結果からも、アニール処理後、酸処理。
置換金めっきおよび無電解金めっきを施したチップキャ
リアの耐熱性およびワイヤボンディング性がきわめて向
上していることがわかる。
リアの耐熱性およびワイヤボンディング性がきわめて向
上していることがわかる。
上述した結果かられかるように、金めつきの際にアニー
ル処理、酸処理等を施すことによって、金めつきの耐熱
性およびワイヤボンディング性を大幅に向上させること
ができた。また、ダイボンディング性に関してもワイヤ
ボンディング性と同様に良好な特性が得られた。この結
果、無電解金めっき方法を使用して、半導体パッケージ
に要求される条件を十分満足するものを得ることができ
る。
ル処理、酸処理等を施すことによって、金めつきの耐熱
性およびワイヤボンディング性を大幅に向上させること
ができた。また、ダイボンディング性に関してもワイヤ
ボンディング性と同様に良好な特性が得られた。この結
果、無電解金めっき方法を使用して、半導体パッケージ
に要求される条件を十分満足するものを得ることができ
る。
（発明の効果）
本発明の無電解金めっき方法によれば、上述したように
、置換金めっきを施した後に、アニール処理、および酸
処理を行って置換金めっきを安定化し、その後再度、置
換金めっきを行ってから無電解金めっきを行うことによ
り、耐熱性、ダイボンディング性、ワイヤボンディング
性に優れた金めつき被膜が得られるから、半導体装置用
パッケージとして要求される十分な耐熱性、ダイボンデ
ィング性、ワイヤボンディング性を満足する信頼性の高
い半導体装置用パッケージを提供することができる。
、置換金めっきを施した後に、アニール処理、および酸
処理を行って置換金めっきを安定化し、その後再度、置
換金めっきを行ってから無電解金めっきを行うことによ
り、耐熱性、ダイボンディング性、ワイヤボンディング
性に優れた金めつき被膜が得られるから、半導体装置用
パッケージとして要求される十分な耐熱性、ダイボンデ
ィング性、ワイヤボンディング性を満足する信頼性の高
い半導体装置用パッケージを提供することができる。
また、これら半導体装置用パッケージは無電解めっきに
よって得られるから、メタライズパターンにめっきのた
めの短絡部分を設ける必要がなく、スペースを有効に活
用できる点で有利であり、メタライズペーストおよび研
削などにより除去される金めつきが節約できるとともに
、メタライズパターンを独立分離させる研削工程などが
不要となる等の著効を奏する。
よって得られるから、メタライズパターンにめっきのた
めの短絡部分を設ける必要がなく、スペースを有効に活
用できる点で有利であり、メタライズペーストおよび研
削などにより除去される金めつきが節約できるとともに
、メタライズパターンを独立分離させる研削工程などが
不要となる等の著効を奏する。
以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
Claims (1)
- １、セラミック、ガラス等の絶縁体上への無電解金めっ
き方法において、前記絶縁体表面に設けられたメタライ
ズパターンにたいして、置換金めっき処理を行った後に
、アニール処理および酸処理を施し、さらに再び置換金
めっき処理を施し、ついで無電解金めっき処理を施すこ
とを特徴とする無電解金めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26840687A JP2589324B2 (ja) | 1987-10-24 | 1987-10-24 | 無電解金めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26840687A JP2589324B2 (ja) | 1987-10-24 | 1987-10-24 | 無電解金めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01111881A true JPH01111881A (ja) | 1989-04-28 |
| JP2589324B2 JP2589324B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=17458033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26840687A Expired - Fee Related JP2589324B2 (ja) | 1987-10-24 | 1987-10-24 | 無電解金めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589324B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773769A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半導体パッケージの外部接続端子及びその製造方法 |
| JPH11150355A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-02 | Hitachi Ltd | セラミック基板のめっき方法 |
-
1987
- 1987-10-24 JP JP26840687A patent/JP2589324B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773769A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半導体パッケージの外部接続端子及びその製造方法 |
| JPH11150355A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-02 | Hitachi Ltd | セラミック基板のめっき方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2589324B2 (ja) | 1997-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |