JPH01257356A - 半導体用リードフレーム - Google Patents
半導体用リードフレームInfo
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- JPH01257356A JPH01257356A JP8564588A JP8564588A JPH01257356A JP H01257356 A JPH01257356 A JP H01257356A JP 8564588 A JP8564588 A JP 8564588A JP 8564588 A JP8564588 A JP 8564588A JP H01257356 A JPH01257356 A JP H01257356A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、銅または銅合金系リードフレームに関し、さ
らに詳しくはトランジスタやＩＣ等の半導体用リードフ
レームであり、特にＣｕ酸化被膜の密着性に優れた半導
体用リードフレームに関する。
らに詳しくはトランジスタやＩＣ等の半導体用リードフ
レームであり、特にＣｕ酸化被膜の密着性に優れた半導
体用リードフレームに関する。
［従来技術］
一般に、半導体用リードフレームの材料は、主として銅
または銅合金が使用され、金属薄板からプレスやエツチ
ングによりリードフレームに成形される。このリードフ
レームのダイパッド上に半導体素子を搭載し、Ａｕ−５
ｔ等の共晶接合や半田付け、または導電ペースト等のろ
う材を用いてダイボンドにより接合する。つぎに、素子
上の電極とインナーリード部を超音波熱圧着等の方法に
よりＡｕ線あるいはＡＬ線を用いてワイヤボンド・ し
、最後にエポキシやシリコンなどの樹脂により封止する
方法により製造されている。
または銅合金が使用され、金属薄板からプレスやエツチ
ングによりリードフレームに成形される。このリードフ
レームのダイパッド上に半導体素子を搭載し、Ａｕ−５
ｔ等の共晶接合や半田付け、または導電ペースト等のろ
う材を用いてダイボンドにより接合する。つぎに、素子
上の電極とインナーリード部を超音波熱圧着等の方法に
よりＡｕ線あるいはＡＬ線を用いてワイヤボンド・ し
、最後にエポキシやシリコンなどの樹脂により封止する
方法により製造されている。
このような半導体の組立工程において、リードフレーム
は高温にさらされる９例えばダイボンドは２００〜４５
０℃、ワイヤボンドは１００〜３５０℃の温度で行われ
る。こうしたボンディング時の熱によって表面が酸化さ
れる。これを防止するためには、ＡｕやＡｇ等の貴金属
によるめっが有効である。
は高温にさらされる９例えばダイボンドは２００〜４５
０℃、ワイヤボンドは１００〜３５０℃の温度で行われ
る。こうしたボンディング時の熱によって表面が酸化さ
れる。これを防止するためには、ＡｕやＡｇ等の貴金属
によるめっが有効である。
しかし、全面に貴金属によるめっきを施すと高コストに
なり、現状では部分めっき、すなわち、リードフレーム
のダイパッド部およびインナーリード部にＡｕやＡｇな
どの貴金属をめっきする方法が一般的である。
なり、現状では部分めっき、すなわち、リードフレーム
のダイパッド部およびインナーリード部にＡｕやＡｇな
どの貴金属をめっきする方法が一般的である。
また、部分めっきの場合、アウターリード部では銅また
は銅合金素材が表面に露出しており、銅が熱酸化されて
しまう。この銅の酸化被膜はリードフレームに対する密
着性が弱く、酸化被膜が剥離して素子や組立装置を汚染
し、半導体の電気障害を生ずる等、品質の低下を招いて
いた。
は銅合金素材が表面に露出しており、銅が熱酸化されて
しまう。この銅の酸化被膜はリードフレームに対する密
着性が弱く、酸化被膜が剥離して素子や組立装置を汚染
し、半導体の電気障害を生ずる等、品質の低下を招いて
いた。
上記のような課題を解決するために特開昭６２−１６３
３５３号公報に開示された発明がある。この発明は、Ａ
ｇスポットめっき部具外のリードフレーム表面全面にＡ
ｇめつき層を設けるというものである。しかし、この発
明は、Ａｇめっきがマイグレーションを起こしやすく、
また、高コストであるという課題を残している。
３５３号公報に開示された発明がある。この発明は、Ａ
ｇスポットめっき部具外のリードフレーム表面全面にＡ
ｇめつき層を設けるというものである。しかし、この発
明は、Ａｇめっきがマイグレーションを起こしやすく、
また、高コストであるという課題を残している。
［発明が解決しようとする課題］
従来技術には、リードフレームの組立工程におけるダイ
ボンド及びワイヤボンド時の熱処理の過程で剥れやすい
酸化被膜が形成することにより、品質が低下するという
課題が存在した。また、先に述べた特開昭６２−１６３
３５３号公報に開示された発明によっても、Ａｇめっき
がマイグレーションを起こしやすく、高コストであると
いう課題が、なおも存在した。そこで、これの課題を解
決するための手段が望まれていた。
ボンド及びワイヤボンド時の熱処理の過程で剥れやすい
酸化被膜が形成することにより、品質が低下するという
課題が存在した。また、先に述べた特開昭６２−１６３
３５３号公報に開示された発明によっても、Ａｇめっき
がマイグレーションを起こしやすく、高コストであると
いう課題が、なおも存在した。そこで、これの課題を解
決するための手段が望まれていた。
本発明は、以上説明したような従来技術の問題点を解消
し、マイグレーションを生ずることなく、かつ、低コス
トであり、銅または銅合金の酸化被膜の密着性に優れた
半導体装置用リードフレームを提供する目的でなされた
ものである。
し、マイグレーションを生ずることなく、かつ、低コス
トであり、銅または銅合金の酸化被膜の密着性に優れた
半導体装置用リードフレームを提供する目的でなされた
ものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、銅または銅合金リードフレームの表面にＣｕ
−Ａｇ合金層を被覆してなり、該合金層のＡｇ含有量が
少なくとも０．００５ｗｔ％以上であり、かつ該合金層
の厚さが少なくとも０．１μｍ以上であることを特徴と
する半導体用リードフレームに要旨が存在する。
−Ａｇ合金層を被覆してなり、該合金層のＡｇ含有量が
少なくとも０．００５ｗｔ％以上であり、かつ該合金層
の厚さが少なくとも０．１μｍ以上であることを特徴と
する半導体用リードフレームに要旨が存在する。
［作用］
以下に本発明に係る半導体用リードフレームの作用につ
いて以下詳細に説明する。
いて以下詳細に説明する。
本発明の半導体用リードフレームは、課題を解決するた
めの手段の項で述べたように、表面にＣｕ−Ａｇ合金層
が被覆されている。これによりＣｕ酸化被膜のリードフ
レームに対する密着性が向上し、素子の電気障害等によ
る不良率を著しく低減することができる。
めの手段の項で述べたように、表面にＣｕ−Ａｇ合金層
が被覆されている。これによりＣｕ酸化被膜のリードフ
レームに対する密着性が向上し、素子の電気障害等によ
る不良率を著しく低減することができる。
本発明におけるＣｕ−Ａｇ合金層の厚さは、少なくとも
０．１μｍ以上であることが必要である。０．１μｍ未
満である場合は、先に述べた高温の熱工程中にＣｕ−Ａ
ｇ合金層中へ母材元素が拡散し、酸化被膜のリードフレ
ームに対する密着性が低下するためである。
０．１μｍ以上であることが必要である。０．１μｍ未
満である場合は、先に述べた高温の熱工程中にＣｕ−Ａ
ｇ合金層中へ母材元素が拡散し、酸化被膜のリードフレ
ームに対する密着性が低下するためである。
また、本発明に招けるＣｕ−Ａｇ合金層中のＡｇ含有量
を０．００５ｗｔ％以上とすることが望ましい、４５０
℃程度の高温に対しても実用的な効果を得られるＡｇ含
有量の下限がｏ、ｏｏｓｗｔ％であり、０．００５ｗｔ
％未溝の含有量では４５０℃程度の高温中でボンディン
グを行う上では効果的とは言えない。この点については
、実施例において具体的に述べる。
を０．００５ｗｔ％以上とすることが望ましい、４５０
℃程度の高温に対しても実用的な効果を得られるＡｇ含
有量の下限がｏ、ｏｏｓｗｔ％であり、０．００５ｗｔ
％未溝の含有量では４５０℃程度の高温中でボンディン
グを行う上では効果的とは言えない。この点については
、実施例において具体的に述べる。
なお、Ａｇ含有量が増加するにしたがって密着性は向上
するが、コスト面から考慮して、実用的には１０ｗｔ％
程度を上限とすることが望ましい。含有量をこれ以上に
高くしても、コストに見合うだけの効果は期待できない
からである。
するが、コスト面から考慮して、実用的には１０ｗｔ％
程度を上限とすることが望ましい。含有量をこれ以上に
高くしても、コストに見合うだけの効果は期待できない
からである。
［実施例］
以下に本発明に係るリードフレームについて実施例を挙
げて説明する。
げて説明する。
材料としてＣｕ−２，０ｗｔ％５ｎ−０，１ｗｔ％Ｆｅ
−０，０３ｗｔ％Ｐの銅合金を用い、エツチングにより
リードフレームを作成した。
−０，０３ｗｔ％Ｐの銅合金を用い、エツチングにより
リードフレームを作成した。
上記試験片に、通常用いられるめっき前処理（アルカリ
脱脂−電解脱脂−酸洗）を行った後、後述する条件にて
Ｃｕ−Ａｇ合金をめっきした。
脱脂−電解脱脂−酸洗）を行った後、後述する条件にて
Ｃｕ−Ａｇ合金をめっきした。
なお、めっき条件は以下の通りである。
くめつき条件〉
液組成 ＣｕＣＮ ６０〜６５ｇ／４２゜ＡｇＣＮ
５〜１００ｍｇ／ｌ。
５〜１００ｍｇ／ｌ。
ＫＣＮ ５０〜７０ ｇ／４２
温度 ２０〜２５℃
電流密度 ０．５〜２Ａ／ｄｒｎ’
次いで、ダイボンディングを想定した加熱によりめっき
表面を酸化させ、加熱後の酸化被膜のリードフレームへ
の密着性を粘着テープにょるピーリング試験で評価した
。
表面を酸化させ、加熱後の酸化被膜のリードフレームへ
の密着性を粘着テープにょるピーリング試験で評価した
。
第１表に実施例及び比較例のビーリング試験結果を示す
。第１表において、Ｎｏ、１〜Ｎｏ、４は本発明による
リードフレームの実施例であり、Ｎｏ、１〜Ｎｏ、３は
Ａｇ含有量が０．００５ｗｔ％以上の例、Ｎｏ、４は０
．００５ｗｔ％未満の例である。また、Ｎｏ、５は比較
例である。
。第１表において、Ｎｏ、１〜Ｎｏ、４は本発明による
リードフレームの実施例であり、Ｎｏ、１〜Ｎｏ、３は
Ａｇ含有量が０．００５ｗｔ％以上の例、Ｎｏ、４は０
．００５ｗｔ％未満の例である。また、Ｎｏ、５は比較
例である。
本発明の実施例Ｎｏ、１〜Ｎｏ、３では加熱温度３００
〜４５０℃でいずれも密着性が良好であった。これは一
般に使用されるボンディングの温度の範囲で十分に実用
性を有するものである。特に、Ｎｏ、３では５００℃の
高温においても良好な密着性が得られた。
〜４５０℃でいずれも密着性が良好であった。これは一
般に使用されるボンディングの温度の範囲で十分に実用
性を有するものである。特に、Ｎｏ、３では５００℃の
高温においても良好な密着性が得られた。
また、本発明の実施例Ｎｏ、４は３５０を以上では酸化
被膜は密着性不良となるが、３００ｔの熱に対しては良
好な結果を示した。すなわち、ボンディングの温度を３
００℃以内に限定すれば、十分な効果を発揮することに
なる。
被膜は密着性不良となるが、３００ｔの熱に対しては良
好な結果を示した。すなわち、ボンディングの温度を３
００℃以内に限定すれば、十分な効果を発揮することに
なる。
また、これらの実施例において、マイグレーションの評
価を行った結果、Ｎｏ、１〜４はいずれも純Ｃｕと同等
の短絡寿命を有し、Ａｇめっきに比べて優れた結果が得
られた 比較例Ｎ００５はＣｕ−Ａｇ合金層の厚さが０．１μｍ
に満たない例であり、加熱時の母材元素の拡散により３
００℃以上で酸化被膜は密着性不良となる。
価を行った結果、Ｎｏ、１〜４はいずれも純Ｃｕと同等
の短絡寿命を有し、Ａｇめっきに比べて優れた結果が得
られた 比較例Ｎ００５はＣｕ−Ａｇ合金層の厚さが０．１μｍ
に満たない例であり、加熱時の母材元素の拡散により３
００℃以上で酸化被膜は密着性不良となる。
なお、本発明におけるＣｕ−Ａｇ合金層は、めっき法、
蒸着法、スパッタ法、クラッド法等、いかなる方法によ
り形成してもよい。また、下地層としてＮｉ層またはＮ
ｉ合金層等を設けた上に形成しても効果を失うものでは
ない。
蒸着法、スパッタ法、クラッド法等、いかなる方法によ
り形成してもよい。また、下地層としてＮｉ層またはＮ
ｉ合金層等を設けた上に形成しても効果を失うものでは
ない。
［発明の効果］
以上に述べたように、本発明によれば、リードフレーム
の表面に形成される銅または銅合金の酸化膜の密着性を
高め、酸化膜の剥離を効果的に防止しすることを、マイ
グレーションを生じることなく、かつ低コストで行うこ
とが可能となり、素子の汚染による電気障害等の不良を
著しく減少することが可能となった。
の表面に形成される銅または銅合金の酸化膜の密着性を
高め、酸化膜の剥離を効果的に防止しすることを、マイ
グレーションを生じることなく、かつ低コストで行うこ
とが可能となり、素子の汚染による電気障害等の不良を
著しく減少することが可能となった。
Claims (2)
- （１）銅または銅合金系リードフレームの表面にＣｕ−
Ａｇ合金層を被覆してなり、かつ該合金層の厚さが少な
くとも０．１μｍ以上であることを特徴とする半導体用
リードフレーム。 - （２）該合金層のＡｇ含有量が、少なくとも０．００５
ｗｔ％以上であることを特徴とする請求項１記載の半導
体用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8564588A JPH01257356A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 半導体用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8564588A JPH01257356A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 半導体用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257356A true JPH01257356A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13864557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8564588A Pending JPH01257356A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 半導体用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01257356A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03231839A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-15 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Ｃｕ系リードフレーム材料 |
| US5167794A (en) * | 1990-04-16 | 1992-12-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing lead frame material |
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| US5728285A (en) * | 1993-12-27 | 1998-03-17 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
| EP0730296A3 (en) * | 1995-03-02 | 1998-07-01 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Leadframe for plastic-encapsulated semiconductor device, semiconductor device using the same, and manufacturing method for the leadframe |
| JP2002294488A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Dowa Mining Co Ltd | 耐酸化性に優れた銅皮膜、その形成方法および電子部品 |
| JP2008028154A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム |
-
1988
- 1988-04-07 JP JP8564588A patent/JPH01257356A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE19640256B4 (de) * | 1995-09-29 | 2004-04-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Anschlußrahmen, Verfahren zur Edelmetallplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
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