JPH01112701A - サーマルヘッド - Google Patents
サーマルヘッドInfo
- Publication number
- JPH01112701A JPH01112701A JP62270544A JP27054487A JPH01112701A JP H01112701 A JPH01112701 A JP H01112701A JP 62270544 A JP62270544 A JP 62270544A JP 27054487 A JP27054487 A JP 27054487A JP H01112701 A JPH01112701 A JP H01112701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating resistor
- thermal head
- tantalum
- aluminum
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 38
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- GWVDBSSSUNSJGZ-UHFFFAOYSA-N [O].[Si].[Ta] Chemical compound [O].[Si].[Ta] GWVDBSSSUNSJGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- WHOPEPSOPUIRQQ-UHFFFAOYSA-N oxoaluminum Chemical compound O1[Al]O[Al]1 WHOPEPSOPUIRQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高比抵抗で、かつ、耐熱安定性に優れた発熱
抵抗体を備えたサーマルヘッドに関する。
抵抗体を備えたサーマルヘッドに関する。
一般に、サーマルヘッドは、薄いガラスグレーズ層で表
面を覆ったセラミックなどの電気絶縁性基板の上に、ド
ツト状の発熱抵抗体を形成するための発熱抵抗体層と、
この発熱抵抗体層に電流を供給するための給電用導体層
と、これらの層を酸化ならびに摩耗から保護するための
保mmとが積層されてできている。
面を覆ったセラミックなどの電気絶縁性基板の上に、ド
ツト状の発熱抵抗体を形成するための発熱抵抗体層と、
この発熱抵抗体層に電流を供給するための給電用導体層
と、これらの層を酸化ならびに摩耗から保護するための
保mmとが積層されてできている。
従来、前記発熱抵抗体層としては、窒化タンタル(1−
azN)やタンタル−シリコン−酸素系(Ta−8i−
0)の3t[が広く用いられている。
azN)やタンタル−シリコン−酸素系(Ta−8i−
0)の3t[が広く用いられている。
この窒化タンタル薄膜やタンタル−シリコン−酸素系膜
は、発熱抵抗体として安定性、信頼性の点で優れた特性
を備えている。
は、発熱抵抗体として安定性、信頼性の点で優れた特性
を備えている。
しかし、前記窒化タンタル薄膜は、比抵抗が約240μ
Ω−1であるため、50Ω/口以上の高い面積抵抗値が
要求される場合には、膜厚を非常に薄くする必要がある
ために寿命特性が著しく損われ、使用に適していない。
Ω−1であるため、50Ω/口以上の高い面積抵抗値が
要求される場合には、膜厚を非常に薄くする必要がある
ために寿命特性が著しく損われ、使用に適していない。
また、窒化タンタル薄膜を発熱抵抗体層として用いたサ
ーマルヘッドは、発熱部表面温度が400℃以上になる
と、抵抗値の減少が生じ、さらに500℃以上になると
、抵抗値の減少は初期値の一10%以上に達する。これ
は、B温の下で窒化タンタルの再結晶化が進むために生
じる抵抗値の減少であり、窒化タンタルを高温で用いる
場合の大きな問題の一つとなっている。
ーマルヘッドは、発熱部表面温度が400℃以上になる
と、抵抗値の減少が生じ、さらに500℃以上になると
、抵抗値の減少は初期値の一10%以上に達する。これ
は、B温の下で窒化タンタルの再結晶化が進むために生
じる抵抗値の減少であり、窒化タンタルを高温で用いる
場合の大きな問題の一つとなっている。
また、前記タンタル−シリコン−酸素系1111は比抵
抗が大きいため発熱ドツトの熱効率が大きくなって高品
位の印字をもたらすが、400℃以上の抵抗値変化が大
きく、高速印字やラフ紙への印字等の様な比較的高湿度
における印字において、抵抗体が劣化しやすく良好な印
字品位を長く維持することが困Il?あった。
抗が大きいため発熱ドツトの熱効率が大きくなって高品
位の印字をもたらすが、400℃以上の抵抗値変化が大
きく、高速印字やラフ紙への印字等の様な比較的高湿度
における印字において、抵抗体が劣化しやすく良好な印
字品位を長く維持することが困Il?あった。
本発明の目的は、従来の窒化タンタルからなる発熱抵抗
体に比べて、高比抵抗で、かつ、高温度における耐熱安
定性に優れた発熱抵抗体を備えたサーマルヘッドを提供
することにある。
体に比べて、高比抵抗で、かつ、高温度における耐熱安
定性に優れた発熱抵抗体を備えたサーマルヘッドを提供
することにある。
(問題点を解決するための手段〕
本発明のサーマルヘッドは、タンタルとアルミニウムと
酸素とを含有する発熱抵抗体を備えていることを特徴と
する。
酸素とを含有する発熱抵抗体を備えていることを特徴と
する。
本発明のサーマルヘッドの発熱抵抗体の比抵抗ム、タン
タル、アルミニウム、酸素の含有率を調整することによ
って、所望とする比抵抗を得ることができる。
タル、アルミニウム、酸素の含有率を調整することによ
って、所望とする比抵抗を得ることができる。
上記の発熱抵抗体は、スパッタリング法によって形成す
ることができる。例えばアルミナ(A4203 )ター
ゲットの上面にタンタルのチップを行き、アルゴンガス
雰囲気中で高周波マグネトロン・スパッタリングを行な
えばよい。
ることができる。例えばアルミナ(A4203 )ター
ゲットの上面にタンタルのチップを行き、アルゴンガス
雰囲気中で高周波マグネトロン・スパッタリングを行な
えばよい。
本発明のサーマルヘッドの構成は、特に限定されないが
、例えばガラスグレーズ層を施したセラミック製の絶縁
基板の上に、前記の組成からなる発熱抵抗体層と、アル
ミニウム等の金属薄膜からなる給電用導体層と、酸化シ
リコンと酸化タンタル等からなる保:!層とを順次積層
したものが採用 。
、例えばガラスグレーズ層を施したセラミック製の絶縁
基板の上に、前記の組成からなる発熱抵抗体層と、アル
ミニウム等の金属薄膜からなる給電用導体層と、酸化シ
リコンと酸化タンタル等からなる保:!層とを順次積層
したものが採用 。
される。
グレーズド・アルミナ基板上に、スパッタリング法によ
って発熱抵抗体の薄膜を形成した。すなわち、第2図に
示すように、直径127mの円盤状のアルミナ(A42
0! )ターゲット1の上面に一辺が10厘の正方形で
厚さ1〜2mのタンタルのチップ2を置く。この場合、
タンタルのチップ2の数を変えることにより、成膜され
る発熱抵抗体1gl中のタンタルの含有量を調整するこ
とができる。この複合ターゲットを用いて、グレーズド
・アルミナ基板を200℃に加熱しながら、アルゴンガ
ス雰囲気中で第1表に示す条件のI(Fスパッタリング
を行なうことにより、タンタルとアルミニウムと酸素と
からなる発熱抵抗体の薄膜を形成することができる。
って発熱抵抗体の薄膜を形成した。すなわち、第2図に
示すように、直径127mの円盤状のアルミナ(A42
0! )ターゲット1の上面に一辺が10厘の正方形で
厚さ1〜2mのタンタルのチップ2を置く。この場合、
タンタルのチップ2の数を変えることにより、成膜され
る発熱抵抗体1gl中のタンタルの含有量を調整するこ
とができる。この複合ターゲットを用いて、グレーズド
・アルミナ基板を200℃に加熱しながら、アルゴンガ
ス雰囲気中で第1表に示す条件のI(Fスパッタリング
を行なうことにより、タンタルとアルミニウムと酸素と
からなる発熱抵抗体の薄膜を形成することができる。
第1表 RFスパッタリング条件
次に、この1<Eニスバッタリング条件で作成したサー
マルヘッドの抵抗仕様を第2表にまとめる。
マルヘッドの抵抗仕様を第2表にまとめる。
この際、発熱抵抗体のデメンジ5ン、印加パルス条件、
感熱紙の発色感度、紙移動速度をそれぞれ第3表に示す
通り固定した。
感熱紙の発色感度、紙移動速度をそれぞれ第3表に示す
通り固定した。
第2表 MzOzの含有比率による
発熱抵抗体の抵抗値
第3表 一定条件一覧
第2表より、発熱抵抗体の抵抗値は、それぞれ比抵抗に
依存することが明らかとなる。また、この比抵抗は定量
化学分析の結果、TaとM2O3との含有比に依存する
。換言するならば、発熱抵抗体に含有されるA12’s
が増えるにしたがい、その発熱抵抗体の抵抗値は高抵抗
化する。この場合、発熱抵抗体中にAl2O2が35モ
ル%よりも大きい方が、サーマルヘッドのリード線の抵
抗の影響を受けず、サーマルヘッドを用いて感熱紙に記
録を行った場合に、印字された記録情報の濃度むらがな
くなることが確認された。
依存することが明らかとなる。また、この比抵抗は定量
化学分析の結果、TaとM2O3との含有比に依存する
。換言するならば、発熱抵抗体に含有されるA12’s
が増えるにしたがい、その発熱抵抗体の抵抗値は高抵抗
化する。この場合、発熱抵抗体中にAl2O2が35モ
ル%よりも大きい方が、サーマルヘッドのリード線の抵
抗の影響を受けず、サーマルヘッドを用いて感熱紙に記
録を行った場合に、印字された記録情報の濃度むらがな
くなることが確認された。
サーマル△、ラドの作成においては、第1図に示すよう
に、セラミック製の絶縁基板11」―に、厚さ約40μ
mの薄いガラスグレーズ層12を形成し、その上にアル
ミ尤に対するタンタルの面積比率を29%、ドツト抵抗
1200Ωとした前記複合ターゲットを用いて発熱抵抗
体層13を約0.15μmの膜厚で形成する。続いて厚
さ約1.5μmのアルミニウム薄膜からなる給電用導体
層14を形成し、発熱抵抗体層13および給電用導体層
14を順次フォトエツチングしてサーマルヘッドのパタ
ーンを形成する。さらに、厚さ2μmの酸化シリコンか
らなる酸化防止保護膜15と、厚さ5μ瓦の酸化タンタ
ルからなる耐摩耗用保護膜!膜16とを順次積層してサ
ーマルヘッドを作成した。
に、セラミック製の絶縁基板11」―に、厚さ約40μ
mの薄いガラスグレーズ層12を形成し、その上にアル
ミ尤に対するタンタルの面積比率を29%、ドツト抵抗
1200Ωとした前記複合ターゲットを用いて発熱抵抗
体層13を約0.15μmの膜厚で形成する。続いて厚
さ約1.5μmのアルミニウム薄膜からなる給電用導体
層14を形成し、発熱抵抗体層13および給電用導体層
14を順次フォトエツチングしてサーマルヘッドのパタ
ーンを形成する。さらに、厚さ2μmの酸化シリコンか
らなる酸化防止保護膜15と、厚さ5μ瓦の酸化タンタ
ルからなる耐摩耗用保護膜!膜16とを順次積層してサ
ーマルヘッドを作成した。
こうして作成したサーマルヘッドのステップ・ストレス
・テスト(S、S、T、)を行なった。
・テスト(S、S、T、)を行なった。
S、S、T、とは、サーマルヘッドの耐熱安定性を評価
する加速試験の一つであり、発熱抵抗体に適当なパルス
電圧を一定時間印加して初期の抵抗値に封する変化を測
定し、発熱抵抗体が焼き切れるまで印加電圧を徐々に高
め又いきながら、それぞれのステップにおける抵抗値の
変化率をプロットしたものである。この場合、S、S、
T、の条件はパルス幅を1ミリ秒、周期を20ミリ秒と
し、電圧をO,SVきざみで10分ずつ印加し、抵抗値
変化が+10%を超えるまで行なった。その結果を第3
図に示す。第3図の上部横軸には、それぞれの印加電圧
における発熱部の表面温度が示されている。また、温度
測定には赤外線スポット温度計を使用した。図中、Aは
本発明のサーマルヘッドの特性を示し、前記第2表にお
けるNα4の抵抗体を用いた。Bは従来の−1−a−s
i −03t!!膜からなり、シート抵抗1.5にΩ、
比抵抗2.OX 10″3Ω−α、5iOz52モル%
の発熱抵抗体を用いたり゛−マルヘッドの特性を示す。
する加速試験の一つであり、発熱抵抗体に適当なパルス
電圧を一定時間印加して初期の抵抗値に封する変化を測
定し、発熱抵抗体が焼き切れるまで印加電圧を徐々に高
め又いきながら、それぞれのステップにおける抵抗値の
変化率をプロットしたものである。この場合、S、S、
T、の条件はパルス幅を1ミリ秒、周期を20ミリ秒と
し、電圧をO,SVきざみで10分ずつ印加し、抵抗値
変化が+10%を超えるまで行なった。その結果を第3
図に示す。第3図の上部横軸には、それぞれの印加電圧
における発熱部の表面温度が示されている。また、温度
測定には赤外線スポット温度計を使用した。図中、Aは
本発明のサーマルヘッドの特性を示し、前記第2表にお
けるNα4の抵抗体を用いた。Bは従来の−1−a−s
i −03t!!膜からなり、シート抵抗1.5にΩ、
比抵抗2.OX 10″3Ω−α、5iOz52モル%
の発熱抵抗体を用いたり゛−マルヘッドの特性を示す。
第3図から明らかなように、従来のサーマルヘッドは、
曲線Bに示すように、印加電力が約22W/mで、発熱
部表面温度が約400℃の点から抵抗(nの減少が始ま
る。ところが、本発明の発熱抵抗体を用いたサーマルヘ
ッドは、曲線へに示すように、印加電力が約42W/a
fで、発熱部の表面温度が約700℃を超えてもその抵
抗値変化率は一2%程度であり、耐熱安定性に大変優れ
ている。
曲線Bに示すように、印加電力が約22W/mで、発熱
部表面温度が約400℃の点から抵抗(nの減少が始ま
る。ところが、本発明の発熱抵抗体を用いたサーマルヘ
ッドは、曲線へに示すように、印加電力が約42W/a
fで、発熱部の表面温度が約700℃を超えてもその抵
抗値変化率は一2%程度であり、耐熱安定性に大変優れ
ている。
以上説明したように、本発明によれば、高比抵抗で、か
つ、耐熱安定性に優れた発熱抵抗体層を備えたサーマル
ヘッドを得ることができる。
つ、耐熱安定性に優れた発熱抵抗体層を備えたサーマル
ヘッドを得ることができる。
第1図は本発明によるサーマルヘッドの実施例を示す要
部所面図、第2図は本発明による発熱抵抗体層をスパッ
タリング法で形成するためのターゲットを示J平面図、
第3図は上記実施例による号−マルヘッドのステップ・
ストレス・テスト(S、S、T、)の結果を示す図表で
ある。 図中、1はアルミナ(Ajz Ox )ターゲット、2
はタンタルのチップ、11は絶縁基板、12はガラスグ
レーズ層、13は発熱抵抗体層、14は給電用導体層、
15は酸化防止保護膜、耐摩耗用保護膜である。 出願人 アルプス電気株式会社 代表者 片 岡 勝太部
部所面図、第2図は本発明による発熱抵抗体層をスパッ
タリング法で形成するためのターゲットを示J平面図、
第3図は上記実施例による号−マルヘッドのステップ・
ストレス・テスト(S、S、T、)の結果を示す図表で
ある。 図中、1はアルミナ(Ajz Ox )ターゲット、2
はタンタルのチップ、11は絶縁基板、12はガラスグ
レーズ層、13は発熱抵抗体層、14は給電用導体層、
15は酸化防止保護膜、耐摩耗用保護膜である。 出願人 アルプス電気株式会社 代表者 片 岡 勝太部
Claims (2)
- (1)タンタルとアルミニウムと酸素から成る発熱抵抗
体を備えていることを特徴とするサーマルヘッド。 - (2)前記発熱抵抗体はAl_2O_3換算されたアル
ミニウム酸化物を35モル%よりも大きく70モル%以
下の範囲を含有した組成であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62270544A JPH01112701A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | サーマルヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62270544A JPH01112701A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | サーマルヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112701A true JPH01112701A (ja) | 1989-05-01 |
Family
ID=17487669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62270544A Pending JPH01112701A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | サーマルヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01112701A (ja) |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP62270544A patent/JPH01112701A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0150579B1 (en) | Thermal head | |
| GB2072100A (en) | Thermal printhead | |
| EP0251036A1 (en) | Thermal head | |
| JPS61100476A (ja) | サ−マルヘツドおよびその製造方法 | |
| US4845339A (en) | Thermal head containing an insulating, heat conductive layer | |
| JPH01112701A (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH01112702A (ja) | サーマルヘッド | |
| US4734709A (en) | Thermal head and method for fabricating | |
| US4751518A (en) | Heating resistor as a thermal head resistive element | |
| JPS62167056A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH01150301A (ja) | サーマルヘッド | |
| JPS61181101A (ja) | サ−マルヘツドおよびその製造方法 | |
| JP2990719B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPS63177401A (ja) | 薄膜サ−マルヘツド | |
| JPS63213901A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS63157401A (ja) | 発熱抵抗体およびこれを用いたサ−マルヘツド | |
| JPS6034802B2 (ja) | 熱記録装置用サーマルヘツド | |
| JPS63213902A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS6196704A (ja) | 抵抗体の製造方法 | |
| JPS58122884A (ja) | 感熱記録ヘツド | |
| JP2564555B2 (ja) | 厚膜型サ−マルヘッドの製造方法 | |
| JPS6311991B2 (ja) | ||
| JPS60229B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS62109301A (ja) | 感熱記録ヘツド | |
| JPS62202754A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド |