JPH01150301A - サーマルヘッド - Google Patents
サーマルヘッドInfo
- Publication number
- JPH01150301A JPH01150301A JP62309266A JP30926687A JPH01150301A JP H01150301 A JPH01150301 A JP H01150301A JP 62309266 A JP62309266 A JP 62309266A JP 30926687 A JP30926687 A JP 30926687A JP H01150301 A JPH01150301 A JP H01150301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating resistor
- thermal head
- layer
- melting point
- point metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 10
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- GWVDBSSSUNSJGZ-UHFFFAOYSA-N [O].[Si].[Ta] Chemical compound [O].[Si].[Ta] GWVDBSSSUNSJGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高比抵抗で、か一つ、耐熱安定性に優れた発
熱抵抗体を備えたサーマルヘッドに関する。
熱抵抗体を備えたサーマルヘッドに関する。
一般に、サーマルヘッドは、簿いガラスグレーズF4で
表面を覆ったセラミックなどの電気絶縁性基板の上に、
ドツト状の発熱抵抗体を形成するための発熱抵抗体層と
、この発熱抵抗体層に電流を供給づるための給電用導体
層と、これらの層を酸化ならびに摩耗から保護するため
の保護層とが積層されてできている。
表面を覆ったセラミックなどの電気絶縁性基板の上に、
ドツト状の発熱抵抗体を形成するための発熱抵抗体層と
、この発熱抵抗体層に電流を供給づるための給電用導体
層と、これらの層を酸化ならびに摩耗から保護するため
の保護層とが積層されてできている。
従来、前記発熱抵抗体層としては、窒化タンタル(Ta
z N)やタンタル−シリコン−酸素系(Ta−81−
0)の薄膜が広く用いられている。
z N)やタンタル−シリコン−酸素系(Ta−81−
0)の薄膜が広く用いられている。
この窒化タンタルMII9やタンタル−シリコン−酸素
系膜は、発熱抵抗体と()て安定性、信頼性の点で優れ
た特性を備えている。
系膜は、発熱抵抗体と()て安定性、信頼性の点で優れ
た特性を備えている。
しかし、前記窒化タンタル薄膜は、比抵抗が約240μ
Ω−crsであるため、50Ω/口以上の高い面積抵抗
値が要求される場合には、膜厚を非常にMくづる必要が
あるために寿命特性が著しく損われ、使用に適していな
い。また、窒化タンタル薄膜を発熱抵抗体層として用い
たサーマルヘッドは、発熱部表面温度が400℃以上に
なると、抵抗値の減少が生じ、さらに500℃以上にな
ると、抵抗値の減少は初)l] 11IIの一10%以
上に達する。これは、高温の′トで窒化タンタルの再結
晶化が進むために生じる抵抗値の減少であり、窒化タン
タルを高温−で用いる場合の大きな問題の一つとなって
いる。
Ω−crsであるため、50Ω/口以上の高い面積抵抗
値が要求される場合には、膜厚を非常にMくづる必要が
あるために寿命特性が著しく損われ、使用に適していな
い。また、窒化タンタル薄膜を発熱抵抗体層として用い
たサーマルヘッドは、発熱部表面温度が400℃以上に
なると、抵抗値の減少が生じ、さらに500℃以上にな
ると、抵抗値の減少は初)l] 11IIの一10%以
上に達する。これは、高温の′トで窒化タンタルの再結
晶化が進むために生じる抵抗値の減少であり、窒化タン
タルを高温−で用いる場合の大きな問題の一つとなって
いる。
また、前記タンタル−シリコン−酸素系薄膜は比抵抗が
大きいため発熱ドツトの熱効率が大きくなって高品位の
印字をもたらすが、400℃以上の抵抗値変化が大ぎく
、高速印字やラフ紙への印字等の様な比較的高温度にお
ける印字において、抵抗体が劣化しやすく良好な印字品
位を長く維持することが困難であった。
大きいため発熱ドツトの熱効率が大きくなって高品位の
印字をもたらすが、400℃以上の抵抗値変化が大ぎく
、高速印字やラフ紙への印字等の様な比較的高温度にお
ける印字において、抵抗体が劣化しやすく良好な印字品
位を長く維持することが困難であった。
本発明の目的は、従来の窒化タンタルからなる発熱抵抗
体に比べて、高比抵抗で、かつ、高温度における耐熱安
定性に優れた発熱抵抗体を備えたサーマルヘッドを提供
することにある。
体に比べて、高比抵抗で、かつ、高温度における耐熱安
定性に優れた発熱抵抗体を備えたサーマルヘッドを提供
することにある。
本発明のサーマルヘッドは、高融点金属とイツトリヤと
を含有する発熱抵抗体を備えていることを特徴とする。
を含有する発熱抵抗体を備えていることを特徴とする。
本発明のサーマルヘッドの発熱抵抗体の比抵抗は、高融
点金属、イツトリヤの含有率を調整することによって、
所望とする比抵抗を得ることができる。
点金属、イツトリヤの含有率を調整することによって、
所望とする比抵抗を得ることができる。
上記の発熱抵抗体は、スパッタリング法によって形成す
ることができる。例えばイツトリヤ(Y203 )ター
ゲットの上面に高融点金属のチップを置き、アルゴンガ
ス雰囲気中で高周波マグネトロン・スパッタリングを行
なえばよい。
ることができる。例えばイツトリヤ(Y203 )ター
ゲットの上面に高融点金属のチップを置き、アルゴンガ
ス雰囲気中で高周波マグネトロン・スパッタリングを行
なえばよい。
本発明のサーマルヘッドの構成は、特に限定されないが
、例えばガラスグレーズ層を施したセラミック製の絶縁
基板の上に、前記の組成からなる発熱抵抗体層と、アル
ミニウム等の金属薄膜からなる給電用導体層と、酸化シ
リコンと酸化タンタル等からなる保護層とを順次積層し
たものが採用される。
、例えばガラスグレーズ層を施したセラミック製の絶縁
基板の上に、前記の組成からなる発熱抵抗体層と、アル
ミニウム等の金属薄膜からなる給電用導体層と、酸化シ
リコンと酸化タンタル等からなる保護層とを順次積層し
たものが採用される。
グレーズド・アルミナ基板上に、スパッタリング法によ
って発熱抵抗体の薄膜を形成した。1なわち、第2図に
示すように、直径127mmの円盤状のイツトリヤ(Y
203)ターゲット1の上面に一辺が10履の正方形で
厚さ1〜2 mmのW、MO。
って発熱抵抗体の薄膜を形成した。1なわち、第2図に
示すように、直径127mmの円盤状のイツトリヤ(Y
203)ターゲット1の上面に一辺が10履の正方形で
厚さ1〜2 mmのW、MO。
Crから選ばれた1つの高融点金属のチップ2を置く。
この場合、チップ2の数を変えることにより、成膜され
る発熱抵抗体薄膜中の高融点金属の含有層を調整するこ
とができる。この複合ターゲットを用いて、グレーズド
・アルミナ基板を200℃に加熱しながら、アルゴンガ
ス雰囲気中で第1表に示す条件のR「スパッタリングを
行なうことにより、高融点金属とイツトリヤとからなる
発熱抵抗体の薄膜を形成することができる。
る発熱抵抗体薄膜中の高融点金属の含有層を調整するこ
とができる。この複合ターゲットを用いて、グレーズド
・アルミナ基板を200℃に加熱しながら、アルゴンガ
ス雰囲気中で第1表に示す条件のR「スパッタリングを
行なうことにより、高融点金属とイツトリヤとからなる
発熱抵抗体の薄膜を形成することができる。
第1表 RFスパッタリング条件
法に、このRFスパッタリング条件で作成したサーマル
ヘッドの抵抗仕様を第2表にまとめる。
ヘッドの抵抗仕様を第2表にまとめる。
この際、発熱抵抗体のデメンジョン、印加パルス条件、
感熱紙の発色感度、紙移動速度をそれぞれ第3表に示1
通り固定した。
感熱紙の発色感度、紙移動速度をそれぞれ第3表に示1
通り固定した。
第2表 Y2O3の含有比率による
発熱抵抗体の抵抗値
第3表 −・定条件−覧
サーマルヘッドの作成においては、第1図に示づ゛よう
に、セラミック製の絶縁基板11上に、厚さ約40μm
の薄いガラスグレーズ層12を形成し、その上にイツト
リヤ(Y203 )とW、MOのいずれかからなりドツ
ト抵抗1200Ωとした前記複合ターゲットを用いて発
熱抵抗体層13を約0.15μmの膜厚で形成する。続
いて厚さ約1.5μ雇のアルミニウム薄膜からなる給電
用導体層14を形成し、発熱抵抗体層13および給電用
導体層14を順次フAトエッチングしてサーマルヘッド
のパターンを形成する。さらに、厚さ2μ而の酸化シリ
コンからなる酸化防止保護膜15と、厚さ5μmの酸化
タンタルからなる耐摩耗用保護膜16とを順次積層して
サーマルヘッドを作成した。
に、セラミック製の絶縁基板11上に、厚さ約40μm
の薄いガラスグレーズ層12を形成し、その上にイツト
リヤ(Y203 )とW、MOのいずれかからなりドツ
ト抵抗1200Ωとした前記複合ターゲットを用いて発
熱抵抗体層13を約0.15μmの膜厚で形成する。続
いて厚さ約1.5μ雇のアルミニウム薄膜からなる給電
用導体層14を形成し、発熱抵抗体層13および給電用
導体層14を順次フAトエッチングしてサーマルヘッド
のパターンを形成する。さらに、厚さ2μ而の酸化シリ
コンからなる酸化防止保護膜15と、厚さ5μmの酸化
タンタルからなる耐摩耗用保護膜16とを順次積層して
サーマルヘッドを作成した。
こうして作成したサーマルヘッドのステップ・ストレス
・テスト(S、S、T、)を行なった。
・テスト(S、S、T、)を行なった。
s、s、−r、とは、サーマルヘッドの耐熱安定性を評
1i11+する加速試験の−・つであり、発熱抵抗体に
過当なパルス電圧を一定時間印加して初期の抵抗値に対
する変化を測定し、発熱抵抗体が焼き切れるまで印加電
圧を徐々に高めていきながら、それぞれのステップにお
ける抵抗値の変化率をブ[1ツトしたもの“Cある。こ
の場合、S、S、T、の条件はパルス幅を1ミリ秒、周
期を20ミリ秒とし、電圧を0.5Vきざみで10分ず
つ印加し、抵抗値変化が+10%を超えるまで行なった
。その結果を第3図に示す。第3図の上部横軸にtよ、
それぞれの印加電圧における発熱部の表面温度が示され
ている。また、温度測定には赤外線スポット温度計を使
用した。図中、A、Bは本発明のサーマルヘッドの特性
を示し、Aは前記第2表におけるNα3の抵抗体を用い
、Bは配6の抵抗体を用いた。
1i11+する加速試験の−・つであり、発熱抵抗体に
過当なパルス電圧を一定時間印加して初期の抵抗値に対
する変化を測定し、発熱抵抗体が焼き切れるまで印加電
圧を徐々に高めていきながら、それぞれのステップにお
ける抵抗値の変化率をブ[1ツトしたもの“Cある。こ
の場合、S、S、T、の条件はパルス幅を1ミリ秒、周
期を20ミリ秒とし、電圧を0.5Vきざみで10分ず
つ印加し、抵抗値変化が+10%を超えるまで行なった
。その結果を第3図に示す。第3図の上部横軸にtよ、
それぞれの印加電圧における発熱部の表面温度が示され
ている。また、温度測定には赤外線スポット温度計を使
用した。図中、A、Bは本発明のサーマルヘッドの特性
を示し、Aは前記第2表におけるNα3の抵抗体を用い
、Bは配6の抵抗体を用いた。
またCは、従来のTa−8i −On膜カラナリ、シー
ト抵抗1,5にΩ、比抵抗2.0X10−30−、CI
RNS!0z52モル%の発熱抵抗体を用いたサーマル
ヘッドの特性を示す。
ト抵抗1,5にΩ、比抵抗2.0X10−30−、CI
RNS!0z52モル%の発熱抵抗体を用いたサーマル
ヘッドの特性を示す。
第3図から明らかなように、従来のサーマルヘッドは、
曲tfACに示すように、印加電力が約18W / m
m’で、発熱部表面温度が約370℃の点から抵抗値の
減少が始まる。ところが、本発明の発熱抵抗体を用いた
サーマルヘッドは、曲線Δ、Bに示Jように、印加電力
が約42W/u’で、発熱部の表面温度が約700℃を
超えてもその抵抗値変化率は一3%程度であり、耐熱安
定性に大変優れている。。
曲tfACに示すように、印加電力が約18W / m
m’で、発熱部表面温度が約370℃の点から抵抗値の
減少が始まる。ところが、本発明の発熱抵抗体を用いた
サーマルヘッドは、曲線Δ、Bに示Jように、印加電力
が約42W/u’で、発熱部の表面温度が約700℃を
超えてもその抵抗値変化率は一3%程度であり、耐熱安
定性に大変優れている。。
以上説明したように、本発明によれば、高比抵抗で、か
つ、耐熱安定性に優れた発熱抵抗体層を備えた“ナーマ
ルヘッドを得ることができる。
つ、耐熱安定性に優れた発熱抵抗体層を備えた“ナーマ
ルヘッドを得ることができる。
第1図は本発明によるサーマルヘッドの実施例を示す要
部断面図、第2図は本発明による発熱抵抗体層をスパッ
タリング法で形成するためのターゲットを示ず平面図、
第3図は上記実施例によるサーマルヘッドのステップ・
ストレス・テスト(S、S、T、)の結果を示す図表で
ある。 図中、1はイツトリヤ(Y2O2)ターゲット、2は高
融点金属のチップ、11は絶縁基板、12はガラスグレ
ーズ層、13は発熱抵抗体層、14は給電用導体層、1
5は酸化防止保護膜、耐摩耗用保護膜i膜である。 出願人 アルプス電気株式会社 代表者 片 岡 勝太部
部断面図、第2図は本発明による発熱抵抗体層をスパッ
タリング法で形成するためのターゲットを示ず平面図、
第3図は上記実施例によるサーマルヘッドのステップ・
ストレス・テスト(S、S、T、)の結果を示す図表で
ある。 図中、1はイツトリヤ(Y2O2)ターゲット、2は高
融点金属のチップ、11は絶縁基板、12はガラスグレ
ーズ層、13は発熱抵抗体層、14は給電用導体層、1
5は酸化防止保護膜、耐摩耗用保護膜i膜である。 出願人 アルプス電気株式会社 代表者 片 岡 勝太部
Claims (2)
- (1)高融点金属とイットリヤとから成る発熱抵抗体を
備えていることを特徴とするサーマルヘッド。 - (2)前記高融点金属はW,Mo,Cr,Ti,Zr,
V,Nb,Ta,Hfからなる群より選ばれた少なくと
も1つであることを特徴とするサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62309266A JPH01150301A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | サーマルヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62309266A JPH01150301A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | サーマルヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01150301A true JPH01150301A (ja) | 1989-06-13 |
Family
ID=17990927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62309266A Pending JPH01150301A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | サーマルヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01150301A (ja) |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP62309266A patent/JPH01150301A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4849605A (en) | Heating resistor and method for making same | |
| EP0150579A1 (en) | Thermal head | |
| JPH0312551B2 (ja) | ||
| JPH01150301A (ja) | サーマルヘッド | |
| JPS62151359A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH01112702A (ja) | サーマルヘッド | |
| US4751518A (en) | Heating resistor as a thermal head resistive element | |
| JPS62167056A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS63157401A (ja) | 発熱抵抗体およびこれを用いたサ−マルヘツド | |
| JPH01112701A (ja) | サーマルヘッド | |
| JPS63213902A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS63177401A (ja) | 薄膜サ−マルヘツド | |
| JPH0431161B2 (ja) | ||
| JPS62202754A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JP2990719B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH0453202A (ja) | 発熱抵抗体 | |
| JPS63213901A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS6367319B2 (ja) | ||
| JPS62202755A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPH0152188B2 (ja) | ||
| JPS62202753A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPS598234B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS60229B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS62202756A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPS6145543B2 (ja) |