JPH01112738A - ダイボンディング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ダイの大きさに応じてボンディング加
圧力を変えることのできるダイボンディング装置に関す
る。

（従来の技術） 第６図と第７図を用いて従来のダイボンディング装置を
説明する。第６図において回転軸ＡＸが回転すると、こ
の回転軸に固定された３個のカムｌａ、ｌｂ、ｌｃが回
転する。すると、固定ピンＰａに一端が軸着されたアー
ム６ａおよび固定ピンｐｂに一端が軸着されたアーム６
ｂは、それぞれを連結しているバネ５ｂの力によって、
カム１ａおよびカム１ｂにそれぞれ接触しながら従動し
、それぞれのアームの他端がそれぞれピンＰａおよびｐ
ｂを固定点とする往復角運動をする。したがって、一端
が、バネ５ａを介してアーム６ａの他端に連結されるア
ーム４は、水平方向に運動し、このアーム４の他端に設
けられるマウントヘッド１０が水平動作する。

一方、カム１ｃが回転することにより、固定ピンＰｃに
一端が軸着されるアーム２は、このアーム２の中央部Ｍ
Ｐと固定点ＦＰを連結するバネ５Ｃの力によって、カム
ＩＣに接触しながら従動し、アーム２の他端がビンＰｃ
を固定点とする往復角運動を行う。すると、一端がアー
ム２の他端と連結される上下方向可動アーム３が複数対
のベアリング７ｂに拘持されながら上下動する。なおこ
の可動アーム３の他端に配設される複数対のベアリング
７ａによってアーム４が挟持されるから、可動アーム３
の上下動によって、アーム４の他端に設けられたマウン
トヘッド１０は、上下動する。

したがって、カム１　ａ　＋　　１　ｂ　、１　ｃのプ
ロフィルを適切に選定すると、マウントヘッド１０の一
端に取り付けられる吸着コレット１２は、ウェハリング
１８上に置かれる半導体ウェハ１７のところまで移動し
て半導体ダイ１４を真空を利用して吸着し、バックアッ
プホルダ１６上に載置される半導体リードフレーム１３
のところまで搬送することとなる。

なお、マウントヘッド１０は、アーム４の他端に設けら
れる複数対のベアリング８によって上下動可能なように
拘持されている。そして、マウントヘッド１０の他端に
設けられたストッパ９がアーム４の他端の上面に当るよ
うに、バネ１１の引張力による下向きの力が常にマウン
トヘッド１０に加わっている。

このような従来のダイボンディング装置のピックアップ
（半導体ダイ１４を吸着すること）からダイボンディン
グまでの動作を第７図のタイムチャートに示す。今、時
刻１０に、マウントヘッド１０は半導体ウェハ１７の吸
着すべき半導体ダイの真上に位置しているものとする。

この時バネ１１に作用している力はｆφである。マウン
トヘッド１０がアーム４の他端とともに下降し、ストロ
ークＺ１だけ下降すると、吸着コレット１２の吸着面が
半導体ダイの上面に接触する（時刻１１）。すると、吸
着コレット１２、すなわちマウントヘッド１０は停止す
るがアーム４の他端はまだ下降し続け、バネ１１に引張
力ｆφ１が作用する。このバネ１１の引張力ｆφ１の反
作用によってマウントヘッド１０、すなわちコレット１
２が半導体ダイに押し付けられる。そして真空を利用し
て吸着コレット１２に半導体ダイを吸着させる（時刻１
５）。時間Ｔｌ　（−ｔ５−ｔ、＞がピックアップ動作
時間となる。

次に、半導体ダイを吸着した吸着コレット１２、すなわ
ちマウトヘッド１０を上昇させる。この時バネ１１に作
用している力はｆφである。上昇途中（時刻１６）に更
に水平移動をも行わせるが上昇が完了（時刻ｔ７）して
も水平移動は終了しない。そして時刻ｔ８になると、再
び下降し始めるが水平移動はまだ終了しない。下降途中
の時刻ｔ９に、半導体ダイを吸着した吸着コレット１２
が半導体リードフレーム１３の所定位置の真上にくると
、水平移動は終了する。更にマウントヘッド１０が下降
し続け、半導体ダイ１４を吸むしたコレット１２が半導
体リードフレーム１３に接近する（時刻１１０）と、そ
の下降速度を遅くして半導体ダイ１４を半導体リードフ
レーム１３上にソフトランディングさせる。そしてこの
遅い下降速度で下降させ、時刻ｔ１２になると、コレッ
ト１２に吸着された半導体ダイ１４のボンディング面が
半導体リードフレーム１３上の所定位置に塗着された接
合剤の上面と接触する。この時からストロークＺ３だけ
、コレット１２、すなわちマウントヘッド１０が下降す
ると（時刻ｔ１４”マウントヘッド１０は停止するが、
アーム４の他端はまだ下降し続け、バネ１１に引張力ｆ
φ２が作用する。

この引張力ｆ　　とバネ１１の初期設定力ｆφとφ２ の差、ｆφ２−ｆφが半導体ダイ１４を半導体リードフ
レーム１３にボンディングするときのボンディング加圧
力となる。そして時刻ｔ１５になるまで、すなわち所定
時間Ｔ（−ｔ１５−ｔ１４）経過するまで加圧力が加え
られ、半導体ダイ１４が半導体リードフレーム１３上に
ボンディングされる。

次にコレット１２、すなわちマウントヘッド１０を上昇
させるとともに上昇途中（時刻ｔ１□）から水平移動も
行わせる。ストロークＺ２だけ上昇すると上昇は停止す
る（時刻ｔ１８）が、水平移動は停止しない。そしてコ
レット１２、すなわちマウントヘッド１０が半導体ウェ
ハ１７の吸着すべき半導体ダイの真上にくると水平移動
は停止する（時刻ｔ１９）。そして前述の動作が繰り返
される。

（発明が解決しようとする問題点） ボンディング加圧力は、半導体ダイ１４のサイズ（面積
）に応じその最適値が決まっているが、従来のボンディ
ング装置では、そのボンディング加圧力はカムＩＣのプ
ロフィルによって決定される所定値であるため多品種生
産する場合に加圧力が大き過ぎたり、小さ過ぎたりする
場合が起こる。

この時、加圧力が大き過ぎると半導体ダイに欠けや割れ
などが発生し、小さ過ぎると接合剤に巣が発生するとと
もに接合剤が良く浸透せず半導体ダイ１４と半導体リー
ドフレームとの接合力が不足するという問題が発生する
。

また、生産性を上げるためにコレット１２の下降スピー
ドを上げると、半導体ダイ１４が半導体リードフレーム
１３に衝突する際の衝撃力によって半導体ダイ１４に欠
け、割れが発生するという問題点があった。

本発明は、多品種生産に好適なダイボンディング装置を
提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） 第１の発明によるダイボンディング装置は、コレットと
、真空を利用して半導体ダイを前記コレットに吸着させ
る吸着手段と、コレットを水平移動させる水平移動手段
と、コレットを上下動させる上下動手段と、コレットに
吸着された半導体ダイか上下動手段によって下降させら
れているときに、所定位置に載置される半導体リードフ
レームのボンディング面と半導体ダイの下面との接触を
検出する検出手段と、半導体ダイの大きさに応じたボン
ディング加圧力を設定する設定手段と、検出手段の出力
に基づいてコレットを介して半導体ダイに設定手段によ
って設定されたボンディング加圧力を加える加圧手段と
を備えたことを特徴とする。

第２の発明によるダイボンディング装置は、コレットと
、垂直方向に動作するコレットヘッドと、このコレット
ヘッドに取付けられ、下端にコレットが取付けられたコ
レットシャフトと、このコレットシャフトに設けられ、
コレットシャフトの落下を防止するストッパと、真空を
利用して半導体ダイをコレットに吸着させる吸着手段と
、コレットヘッドを水平移動させる水平移動手段と、コ
レットヘッドを上下動させる上下動手段と、電磁力を用
いてコレットに下向きの力を印加する印加手段と、この
印加手段によって印加される下向きの力の大きさおよび
印加のタイミングを制御する制御手段とを備えたことを
特徴とする。

（作　用） このように構成された第１の発明によるダイボンディン
グ装置において、コレットを水平移動手段および上下動
手段によって半導体ダイが載置されている所定位置まで
移動させる。そして、上下動手段によってコレットを下
降させ、コレットの吸着面を半導体ダイの上面と接触さ
せる。次に真空を利用して吸着手段によって半導体ダイ
をコレットに吸着させ、上下動手段および水平移動手段
によって半導体ダイを吸着したコレットが所定位置に載
置される半導体リードフレームのボンディング面の真上
に位置するようにする。そして、上下動手段によって半
導体ダイを吸着したコレットを下降させ、半導体リード
フレームのボンディング面と半導体ダイの下面（接合面
）を接触させる。

この接触は検出手段によって検出される。

一方、半導体ダイの大きさに応じたボンディング加圧力
が設定手段によって設定される。そして、検出手段の出
力に基づいて、設定手段によって設定されたボンディン
グ加圧力がコレットを介して上記半導体ダイに加えられ
る。加圧力が印加されて所定時間経過すると半導体ダイ
か半導体リードフレーム上に接合される。そしてコレッ
トを上下動手段によって上昇させ、吸着すべき次の半導
体ダイが載置されている所定の位置まで水平移動手段に
よって移動させ、前述の動作を繰り返す。

本発明のダイボンディング装置は二手導体ダイの大きさ
、すなわち品種に応じてダイボンディング加圧力を変え
てダイボンディングを行うことができ、これにより多品
種生産に好適なものとなる。

また、このように構成された第２の発明によるダイボン
ディング装置において、コレットを介して半導体ダイに
下向きの力、すなわちポンデイグ加圧力が印加手段によ
って印加される。そしてこのボンディング加圧力の大き
さおよび印加のタイミングが制御手段によって制御され
ることにより本発明のダイボンディング装置は、半導体
ダイの大きさ、すなわち品種に応じてダイボンディング
加圧力を変えてダイボンディングを行うことができ、こ
れにより多品種生産に好適なものとなる。

（実施例） 第１図と第２図を用いて第１の発明によるダイボンディ
ング装置の実施例を説明する。第１図においてアーム４
の先端部に設けられる台４ａにモータ２２が取り付けら
れている。このモータ２２の回転軸２２ａにねじ２３が
直結され、回転軸２２ａと一体となって回転する。この
ねじ２３にはコレットヘッド２６がねじ結合され、ねじ
２３の回動によってアーム４の先端部に設けられるガイ
ド軸４ｂに沿って上下動するように設けられている。そ
して、このコレットヘッド２６の本体部２６ａに垂直方
向に貫通穴が設けられ、この貫通穴に、エアベアリング
２１が取り付けられている。

このエアベアリング２１に、コレットシャフト２７が上
下方向に滑動できるように貫入されている。なお、この
エアベアリング２１には、コレットヘッド２６の本体部
２６ａの中央部の外側に取り付けられる配管４６を介し
て空気が供給される。

このコレットシャフト２７の上部にストッパ９が設けら
れ、下部には半導体ダイ１４を吸着するコレット１２が
取り付けられている。また、コレットシャフト２７の下
部近傍にバネ受は部２７ａが設けられている。そしてこ
のバネ受は部２７ａとコレットヘッド２６の本体部２６
ａの下面との間に、コレット１２に吸着された半導体ダ
イ１４にボンディング加圧力を印加できるようにバネ２
０が設けられている。なお、コレットヘッド２６の上部
にギャップセンサ２４が設けられ、コレット１２に吸着
された半導体ダイ１４の接着面（下面）と、半導体リー
ドフレーム１３の所定位置に塗着されたペースト１９の
上面との接触を検出する。

そして、ボンディング時以外はギャップセンサ２４の上
面（検知部）とストッパ９が接触した状態となっている
。

次に実施例の作用を説明する。アーム４が上下動および
水平移動させられて、コレット１２が所定位置に載置さ
れている半導体ウェハ（図示していない）上の吸着すべ
き半導体ダイ１４の真上に位置しているものとする。こ
の時アーム４を下降させて行くとコレット１２が半導体
ダイ１４に近づいて、コレット１２の吸着面（下面）と
半導体ダイ１４の上面が接触し、コレット１２、すなわ
ちコレットシャフト２７は停止する。しかしアーム４が
停止しないため、コレットヘッド２６の上部に設けられ
たギャップセンサ２４も停止せス下降する。すると、ス
トッパ９とギャップセンサ２４との間に隙間が生じ、ギ
ャップセンサ２４はＯＦＦ信号を発する。ＯＦＦ信号が
発せられるとアーム４は停止する。そしてコレットシャ
フト２７の内部に軸方向に沿って設けられた貫通穴部の
空気を抜いて真空にすると、半導体ダイ１４がコレット
１２に吸着される。つぎにアーム４を上昇および水平移
動させ、コレット１２に吸着された半導体ダイ１４がバ
ックアップホルダ１６上に載置されている半導体リード
フレーム１３上の所定位置に塗着されたペースト１９の
真上に位置するようにする。そしてアーム４を下降させ
て行くと、コレット１２に吸着された半導体ダイ１４の
下面（接着面）が半導体リードフレーム１３上に塗着さ
れたペースト１９の上面と接触する。そして更にアーム
４が下降すると前述したと同様にギャップセンサ２４と
ストッパ９が接触しなくなり、ＯＦＦ信号がギャップセ
ンサ２４から発せられ、アーム４が停止する。この時、
モータ２２を回転させると、ねじ２３も回転し、コレッ
トヘッド２６がアーム４の先端部のガイド軸４ｂに沿っ
て下降し、バネ２０が圧縮され、バネ２０に圧縮力が作
用する。この圧縮力の反作用によって半導体ダイ１４が
コレット１２を介して半導体リードフレーム１３上に加
圧され、ボンディングが行われる。この時の加圧力はコ
レットヘッド２６の下降ストローク、すなわちモータ２
２の回転角度によって決まる。したがって、半導体ダイ
１４の品種、あるいは大きさに応じてボンディング加圧
力を予め設定しておき、この設定されたボンディング加
圧力に基づいて、モータ２２の回転角度を制御すれば、
設定されたボンディング加圧力が半導体ダイ１４に加え
られることになる。これらの加圧制御工程を第２図にブ
ロックで示す。半導体ダイ１４の品種データ、および加
圧力データを予め入力機構３０に入力しておく。一方ギ
ヤップセンサ２４からなる接触検出機構４０によって、
コレット１２に吸着された半導体ダイ１４の接着面（下
面）と半導体リードフレーム１３上の所定位置に塗着さ
れたペースト１９の上面との接触が検出される。そして
この接触検出機構４０の出力４１と、データ入力機構３
０の出力、すなわち品種データ３５および加圧データ３
６に基づいて、演算装置３１によってコレットヘッド２
６の下降ストローク、あるいはモータ２２の回転角度３
７が演算され、この演算された下降ストローク、あるい
は回転角度３７に基づいて、バネ２０からなるボンディ
ング加圧機構３２によって半導体ダイ１４に所定のボン
ディング加圧力が加えられる。

なお、加圧制御は、第３図に示すように行っても良い。

すなわち、バックアップホルダ１６に載置される半導体
リードフレーム１３の側面近傍に置かれたカメラ２５か
ら出力される映像信号３８を画像処理装置３３において
処理し、処理したデータ３９を演算装置３１に送ること
によって、現在のペースト１９の厚さを割り出す。そし
てこのペースト１９の厚さと、データ入力機構３０出力
、すなわち品種データ３５および加圧力データ３６に基
づいて、コレットヘッド２６の下降ストローク、あるい
はモータ２２の回転角度３７が演算装置３１によって演
算され、ボンディング加圧機構３２に送られてボンディ
ング加圧力の制御が行われる。

以上述べたことにより本実施例のダイボンディング装置
は、半導体ダイの品種、あるいは大きさに応じたボンデ
ィング加圧力を半導体ダイに加えることができ、これに
より多品種生産に好適なものとなる。

次に第４図および第５図を用いて第２の発明によるダイ
ボンディング装置の実施例を説明する。

第４図において、アーム４の先端にコレットヘッド２６
の一端が取り付けられているコレットヘッド２６の本体
部２６ａには垂直方向に貫通穴が設けられ、この貫通穴
にエアベアリング２１が嵌入されている。そしてこのエ
アベアリング２１に上下方向に滑動できるようにコレッ
トシャフト２７が貫入されている。なお、エアベアリン
グ２１には、コレットヘッド２６の本体部２６ａの中央
部の外側に取り付けられる配管４６より空気が供給され
る。またコレットシャフト２７の下部には、半導体ダイ
１４を吸着するコレット１２が取り付けられ、上部には
ストッパ９が取り付けられている。そしてコレットヘッ
ド２６の上面に設けられた四部に、ボイスコイルモータ
のマグネット４３が納置されている。一方、ストッパ９
の下面の中央部には、コレットシャフト２７を取り囲ん
で、かつマグネット４３の内側に配置されるようにボイ
スコイルモータのコイル４４が設けられている。

また、ストッパ９は、コレットヘッド２６の本体部２６
ａの下部の外側に設けられたバネ支え６０ａおよび６０
ｂとそれぞればね２０ａおよび２０ｂによって連結され
ている。なお、コレットヘッド２６の本体部２６ａの上
部には、コレット１２に吸着される半導体ダイ１４と半
導体リードフレーム１３上に塗着されたペースト１９と
の接触を検知するためにギャップセンサ２４が設けられ
、通常の状態ではストッパ９と接触している。

そして、コイル４４に適切な電流を流すことによって電
磁力を発生させコレットシャフト２７、すなわちコレッ
ト１２を上下動させる。

次に第５図のタイムチャートを参照して実施例の作用を
説明する。コイル４３に適切な電流を流して電磁力ｆ１
を発生させ、コレットシャフト２７を下降させてストッ
パ９がギャップセンサ２４に接触するようにしておく。

そして、今（時刻ｔｏ）、コレット１２が所定位置に置
かれた半導体ウェハ（図示していない）上の吸着すべき
半導体ダイの真上の位置にあるものとする。この時、ア
ーム４を２１だけ下降させるとコレットヘッド２６およ
びコレットシャフト２７も一緒に下降し、コレット１２
が吸着すべき半導体ダイ１４と接触する（時刻１１）。

次にコイル４３に働く電磁力Ｆをｆ　　（＜ｆ、）まで
減少させ（時刻ｔ２）、ｌ コレット１２が半導体ダイ１４に衝突するときの衝撃力
を小さくする。そしてコレットシャフト２７の上部に接
続される配管４５を通してコレットシャフト２７の貫通
穴の空気を抜くとともに、半導体ダイ１４を下から押し
てやる（時刻ｔ３）。

すると半導体ダイ１４がコレット１２の吸着面に吸着さ
れる。この時、半導体ダイ１４が下から押されるとコレ
ットシャフト２７は上向きに押されて、若干上昇し、ス
トッパ９がギャップセンサ２４と接触しなくなり、ギャ
ップセンサ２４はＯＦＦされる。次に所定時間Ｔ　　（
−ｔ４−ｔ２）■ 経過すると、電磁力Ｆを増加させる。そして電磁力Ｆが
設定値ｆ、になる（時刻１５）と、コレラト１２、すな
わちアーム４を上昇させる。この時ギャップセンサ２４
は、ストッパ９と接触し、ＯＮ状態となっている。上昇
途中（時刻ｔ６）でアーム４を水平移動させる。更に上
昇させて所定の高さまで上昇しても水平移動は停止しな
い（時刻ｔ　）。そして時刻ｔ８になると再び下降し始
める。そして、半導体ダイ１４を吸着したコレット１２
が所定位置に載置される半導体リードフレーム１３上の
ボンディング面に塗着されるペースト１９の真上にくる
と、アーム４の水平移動が停止する（時刻ｔ９）。この
時、アーム４は下降し続けているが、コレット１２に吸
着された半導体ダイ１４が半導体リードフレーム１３上
のボンディング面に接近すると（時刻ｔ１ｏ）、アーム
４の下降速度を減少させるとともにコイル４３に作用す
る電磁力Ｆもｆ、からｆ２　（＜ｆ、）に減少さ■ せる（時刻ｔ１□）。そして、更にアーム４が下降する
と半導体ダイ１４の下面（接着面）がペースト１９の上
面に接触し、（時刻ｔ１２）、ストッパ９とギャップセ
ンサ２４との間に隙間が生じ、ギャップセンサ２４がＯ
ＦＦされる（時刻ｔ１２）。この時、コイル４３に作用
する電磁力はｆ２から所定のボンディング加圧力ｆ３に
変化させられる。

この加圧力ｆ３は半導体ダイ１４の品種、あるいは大き
さに応じて予め設定した値である。そして、更にストロ
ークＺ３だけアーム４が下降すると、アーム４は停止し
、ボンディング加圧力ｆ３がコレット１２を介して半導
体ダイ１４に所定時間Ｔ２印加され、半導体ダイ１４が
半導体リードフレーム１３上にボンディングされる。所
定時間Ｔ　が経過すると（時刻ｔ１５）、コレット１２
すなわちアーム４は上昇させられるとともに、コイル４
３に作用する電磁力Ｆが設定値ｆ１に戻される（時刻ｔ
ＩＧ）。するとギャップセンサ２４はストッパ９と接触
し、ＯＮ状態となる。そして上昇途中（時刻ｔ１□）で
再びアーム４は水平移動させられる。ストロークｚ２だ
け上昇すると（時刻ｔ１８）、アーム４の上昇動作は停
止するが水平移動は停止せず、次に吸着すべき半導体ダ
イの真上にコレット１２が移動したときに水平移動を停
止する（時刻ｔ１９）。そして、前述の動作が繰り返さ
れる。

本実施例のダイボンディング装置によれば半導体ダイ１
４の品種、あるいは大きさに応じたボンディング加圧力
を半導体ダイに加えることができ、これにより多品種生
産に好適なものとなる。また、半導体ダイ１４を吸着す
るときに、電磁力Ｆを加減することによりコレット１２
と半導体ダイ１４との衝突による衝撃力を小さくするこ
とができ、これにより吸桁時の半導体ダイ１４の欠け、
割れの発生を防止することができるとともに生産性を上
げることができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば多品種生産に好適なダイボンディング装
置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるダイボンディング装置の第１の実
施例の要部の構造図、第２図は第１図に示す第１の実施
例の加圧力制御の一例を示すブロック図、第３図は第１
図に示す第１の実施例の加圧力制御の他の例を示すブロ
ック図、第４図は本発明によるダイボンディング装置の
第２の実施例の要部の構造図、第５図は第４図に示す第
２の実施例の作用を説明するタイムチャート、第６図は
従来のダイボンディング装置の構造図、第７図は従来の
ダイボンディング装置の作用を説明するタイムチャート
である。 ４・・・アーム、９・・・ストッパ、１２・・・コレッ
ト、１３・・・半導体リードフレーム、１４・・・半導
体ダイ、１９・・・ペースト、２０・・・バネ、２１・
・・エアベアリング、２２・・・モータ、２３・・・ね
じ、２４・・・ギャップセンサ、２５・・・カメラ、２
６・・・コレットヘッド、２７・・・コレットシャフト
、３２・・・ボンディング加圧機構。 出願人代理人　　佐　　藤　　−雄 ｕ 第２図 第３図 第４図 輔鴨１−Ｎ　条斗唾−馴Ｘ　゛く＄に

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、コレットと、真空を利用して半導体ダイを前記コレ
   ットに吸着させる吸着手段と、前記コレットを水平移動
   させる水平移動手段と、前記コレットを上下動させる上
   下動手段と、前記コレットに吸着された半導体ダイが前
   記上下動手段によって下降させられているときに、所定
   位置に載置される半導体リードフレームのボンディング
   面と前記半導体ダイの下面との接触を検出する検出手段
   と、前記半導体ダイの大きさに応じたボンディング加圧
   力を設定する設定手段と、前記検出手段の出力に基づい
   て前記コレットを介して前記半導体ダイに前記設定手段
   によって設定されたボンディング加圧力を加える加圧手
   段とを備えたことを特徴とするダイボンディング装置。 ２、コレットと、垂直方向に動作するコレットヘッドと
   、このコレットヘッドに取付けられ、下端に前記コレッ
   トが取付けられたコレットシャフトと、このコレットシ
   ャフトに設けられ、前記コレットシャフトの落下を防止
   するストッパと、真空を利用して半導体ダイを前記コレ
   ットに吸着させる吸着手段と、前記コレットヘッドを水
   平移動させる水平移動手段と、前記コレットヘッドを上
   下動させる上下動手段と、電磁力を用いて前記コレット
   に下向きの力を印加する印加手段と、この印加手段によ
   って印加される下向きの力の大きさおよび印加のタイミ
   ングを制御する制御手段とを備えたことを特徴とするダ
   イボンディング装置。 ３、前記制御手段は、前記コレットに吸着された半導体
   ダイの下面が半導体リードフレームのボンディング面と
   接触したことの検知結果に基づいて前記下向きの力の大
   きさを変えることを特徴とする特許請求の範囲第２項記
   載のダイボンディング装置。