JPH01113920A - 磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH01113920A JPH01113920A JP27217387A JP27217387A JPH01113920A JP H01113920 A JPH01113920 A JP H01113920A JP 27217387 A JP27217387 A JP 27217387A JP 27217387 A JP27217387 A JP 27217387A JP H01113920 A JPH01113920 A JP H01113920A
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- Japan
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- magnetic
- plating
- magnetic disk
- thin film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非磁性基板上に無電解メッキ法により磁性薄
膜を付ける磁気ディスクの製造方法。
膜を付ける磁気ディスクの製造方法。
従来の製造方法は、非磁性基板上に磁性Ｍ膜として０ｏ
−Ｎｉ−Ｐメッキまたはｃｏ−ｐメッキを直接付けるか
、前記磁性薄膜を付ける前に極く薄いＮｉ−Ｐメッキを
付けてから磁性薄膜を付けるという方法がとられていた
。
−Ｎｉ−Ｐメッキまたはｃｏ−ｐメッキを直接付けるか
、前記磁性薄膜を付ける前に極く薄いＮｉ−Ｐメッキを
付けてから磁性薄膜を付けるという方法がとられていた
。
しかし、前述の従来技術では、得られる磁性薄膜の保持
力（Ｈｅ）及び角形比に限界があるという問題点を有し
ていた。
力（Ｈｅ）及び角形比に限界があるという問題点を有し
ていた。
本発明はこの様な問題点を解決するもので、その目的と
するところは、高保持力（Ｈｅ）＃高角形比を持つ磁気
ディスクを提供することにある。
するところは、高保持力（Ｈｅ）＃高角形比を持つ磁気
ディスクを提供することにある。
本発明の磁気ディスク製造方法は、非磁性基板上に無電
解メッキ法により磁性薄膜を付ける磁気ディスクの製造
方法において、 α）前記非磁性基板上にＮｉ−Ｚｎ−Ｐメッキを付け、 ６）その上に磁性薄膜としてＣｏ−Ｎ、ｉ″″″Ｐまた
はＣｏ−Ｐメッキを付けた後１８０〜２７０℃で焼成す
ることを特徴とする。
解メッキ法により磁性薄膜を付ける磁気ディスクの製造
方法において、 α）前記非磁性基板上にＮｉ−Ｚｎ−Ｐメッキを付け、 ６）その上に磁性薄膜としてＣｏ−Ｎ、ｉ″″″Ｐまた
はＣｏ−Ｐメッキを付けた後１８０〜２７０℃で焼成す
ることを特徴とする。
以下、本発明について実施例に基づいて詳細に説明する
。
。
Ａ／、原板に約２０μｍの無電解Ｎｉ−Ｐメッキを付け
た後平担に研磨された非磁性基板上に、無電解Ｎ ｉ
−Ｚ ｎ −Ｐメッキを約ｔｏｏｏＸ付ける。前記Ｎ
ｉ −Ｚ ｎ −Ｐメッキ液は通常の無電解Ｎｉ−Ｐメ
ッキ液にＺ ｎ Ｓ ０４を（Ｌ ００５ ｍｏｔ７を
添加した。
た後平担に研磨された非磁性基板上に、無電解Ｎ ｉ
−Ｚ ｎ −Ｐメッキを約ｔｏｏｏＸ付ける。前記Ｎ
ｉ −Ｚ ｎ −Ｐメッキ液は通常の無電解Ｎｉ−Ｐメ
ッキ液にＺ ｎ Ｓ ０４を（Ｌ ００５ ｍｏｔ７を
添加した。
次に水洗した後、連続的に磁性メッキ液に投入し、約７
００Ｘの磁性膜を付ける。前記磁性メッキ液は、金属塩
としてＣｏ！３０．とＮ ｉ Ｂ Ｏ４を８：２の割合
で用いた無電解Ｃｏ−Ｍｌ−Ｐメッキ液とした。処理温
度は約７５℃、ＰＨは９．３〜９．４である。
００Ｘの磁性膜を付ける。前記磁性メッキ液は、金属塩
としてＣｏ！３０．とＮ ｉ Ｂ Ｏ４を８：２の割合
で用いた無電解Ｃｏ−Ｍｌ−Ｐメッキ液とした。処理温
度は約７５℃、ＰＨは９．３〜９．４である。
これで磁性薄膜が形成されたことになるが、この時点で
の保持力（Ｈａ）、及び角形比を表１に示す。
の保持力（Ｈａ）、及び角形比を表１に示す。
次に前述の工ＩＫより処理された磁気ディスクを■１５
０℃、■１８０℃、■２５０℃の雰囲気で２０分間保持
した後、炉冷して取シ出す。
０℃、■１８０℃、■２５０℃の雰囲気で２０分間保持
した後、炉冷して取シ出す。
上記熱処理において１８０℃以上で加熱した場合、前記
磁気ディスクの保持力（Ｈａ ）は２００〜２５００ｓ
上昇し、最終的な保持力として１４００〜１５０００ｅ
が得られ、また角形比もＱ、０２〜１１０４向上する０
表１に詳細の値を示す。
磁気ディスクの保持力（Ｈａ ）は２００〜２５００ｓ
上昇し、最終的な保持力として１４００〜１５０００ｅ
が得られ、また角形比もＱ、０２〜１１０４向上する０
表１に詳細の値を示す。
表１
尚、焼成温度が２７０℃を越えると、前記磁気ディスク
のＮｉ−Ｐメッキ層（本来非磁性体であるべき層）が磁
性を帯び始める可能性があり、磁性膜に悪影響を及ぼす
ため適さない。
のＮｉ−Ｐメッキ層（本来非磁性体であるべき層）が磁
性を帯び始める可能性があり、磁性膜に悪影響を及ぼす
ため適さない。
本発明は、以上説明したように従来のメッキ液にＺｎを
添加してメッキを付け、最俵に焼成をするという簡単な
方法により、保持力（Ｈａ）及び角形比を大巾に向上さ
せることができ、高記録密度対応の磁気ディスクとして
極めて大きな効果がある。
添加してメッキを付け、最俵に焼成をするという簡単な
方法により、保持力（Ｈａ）及び角形比を大巾に向上さ
せることができ、高記録密度対応の磁気ディスクとして
極めて大きな効果がある。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 非磁性基板上に無電解メッキ法により磁性薄膜を付ける
磁気ディスクの製造方法において、ａ）前記非磁性基板
上にＮｉ−Ｚｎ−Ｐメッキを付け、 ｂ）その上に磁性薄膜としてＣｏ−Ｎｉ−ＰまたはＣｏ
−Ｐメッキを付けた後１８０〜２７０℃で焼成すること
を特徴とする磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27217387A JPH01113920A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27217387A JPH01113920A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 磁気ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01113920A true JPH01113920A (ja) | 1989-05-02 |
Family
ID=17510091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27217387A Pending JPH01113920A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01113920A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102569232B1 (ko) * | 2022-06-09 | 2023-08-22 | 슬립나이저 주식회사 | 미세 압력 조정이 가능한 솔레노이드 밸브 조립체 |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP27217387A patent/JPH01113920A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102569232B1 (ko) * | 2022-06-09 | 2023-08-22 | 슬립나이저 주식회사 | 미세 압력 조정이 가능한 솔레노이드 밸브 조립체 |
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