JPH0421923A - ハードディスク及びその製造方法 - Google Patents
ハードディスク及びその製造方法Info
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- JPH0421923A JPH0421923A JP12425090A JP12425090A JPH0421923A JP H0421923 A JPH0421923 A JP H0421923A JP 12425090 A JP12425090 A JP 12425090A JP 12425090 A JP12425090 A JP 12425090A JP H0421923 A JPH0421923 A JP H0421923A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- plating film
- film
- hard disk
- recording layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、コンピュータ等の記憶媒体として用いられる
ハードディスクに関し、さらにはその製造方法に関する
ものである。
ハードディスクに関し、さらにはその製造方法に関する
ものである。
本発明は、コンピュータ等の記憶媒体として用いられる
ハードディスクにおいて、Ｍｇを含有するＮｉ−Ｐメッ
キ被膜を記録層の下地膜とすることにより、加熱による
Ｎｉ−Ｐメッキ被膜の磁化を防止しようとするものであ
る。
ハードディスクにおいて、Ｍｇを含有するＮｉ−Ｐメッ
キ被膜を記録層の下地膜とすることにより、加熱による
Ｎｉ−Ｐメッキ被膜の磁化を防止しようとするものであ
る。
さらに本発明は、ディスク基板をＭｇを含むＮｉ−Ｐメ
ッキ浴中に浸漬してＭｇを含有するＮｉ−Ｐメッキ被膜
を形成することにより、メッキの析出速度を低下させる
ことなく、結晶化温度の高いＮｉ−Ｐメッキ被膜を生産
性よく製造しようとするものである。
ッキ浴中に浸漬してＭｇを含有するＮｉ−Ｐメッキ被膜
を形成することにより、メッキの析出速度を低下させる
ことなく、結晶化温度の高いＮｉ−Ｐメッキ被膜を生産
性よく製造しようとするものである。
例えば、コンピュータ等の記憶媒体としては、ランダム
アクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く用いられ
ており、なかでも応答性に優れること、記憶容量が多い
ことから、基板にアルミニウムやアルミニウム合金等の
硬質材料を用いた磁気ディスクが固定ディスクあるいは
外部ディスクとして使用されるようになっている。
アクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く用いられ
ており、なかでも応答性に優れること、記憶容量が多い
ことから、基板にアルミニウムやアルミニウム合金等の
硬質材料を用いた磁気ディスクが固定ディスクあるいは
外部ディスクとして使用されるようになっている。
ところで、このようなハードディスクにあっては、磁気
ヘッドとの接触による衝撃等に耐えられるように、通常
、記録層たる磁性層とアルミニウム基板との間にＮｉ−
Ｐメッキ被膜等の硬度の高い膜を磁性層の下地膜として
設けるようにしている。
ヘッドとの接触による衝撃等に耐えられるように、通常
、記録層たる磁性層とアルミニウム基板との間にＮｉ−
Ｐメッキ被膜等の硬度の高い膜を磁性層の下地膜として
設けるようにしている。
ところが、このＮｉ−Ｐメッキ被膜は、加熱により磁化
されるという欠点を有する。すなわち、ハードディスク
の高密度記録化を達成するには、磁性層を形成するスパ
ッタリング直前にディスク基板を加熱して抗磁力を高め
ることが行われるが、この加熱により前記アモルファス
状態であったＮｉ−Ｐメッキ被膜が結晶化し、磁性を帯
びてしまうという問題がある。Ｎｉ−Ｐメッキ被膜が磁
性を帯びると、磁性層の磁気特性にも悪影響を及ぼし、
ノイズ等の原因となる。したがって、基板の加熱温度を
抑える必要があり、抗磁力の向上が望めず、高密度記録
化を図る上で不利である。
されるという欠点を有する。すなわち、ハードディスク
の高密度記録化を達成するには、磁性層を形成するスパ
ッタリング直前にディスク基板を加熱して抗磁力を高め
ることが行われるが、この加熱により前記アモルファス
状態であったＮｉ−Ｐメッキ被膜が結晶化し、磁性を帯
びてしまうという問題がある。Ｎｉ−Ｐメッキ被膜が磁
性を帯びると、磁性層の磁気特性にも悪影響を及ぼし、
ノイズ等の原因となる。したがって、基板の加熱温度を
抑える必要があり、抗磁力の向上が望めず、高密度記録
化を図る上で不利である。
これらを防止する手法として、例えばＮｉ−Ｐメッキ被
膜を形成する際にＮｉ−Ｐメッキの析出速度を落とすこ
とにより、結晶化温度の比較的高いメッキ膜を得ること
も可能であるが、これでは生産性が劣化し、量産に適し
ない。
膜を形成する際にＮｉ−Ｐメッキの析出速度を落とすこ
とにより、結晶化温度の比較的高いメッキ膜を得ること
も可能であるが、これでは生産性が劣化し、量産に適し
ない。
そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案された
ものであり、加熱によるＮｉ−Ｐメッキ被膜の磁化を防
止し、記録層の磁気特性の向上が望めるハードディスク
を提供することを目的とするものである。
ものであり、加熱によるＮｉ−Ｐメッキ被膜の磁化を防
止し、記録層の磁気特性の向上が望めるハードディスク
を提供することを目的とするものである。
さらに本発明は、メッキの析出速度を低下させることな
く、結晶化温度の高いＮｉ−Ｐメッキ被膜を生産性よく
製造することが可能なハードディスクの製造方法を提供
することを目的とするものである。
く、結晶化温度の高いＮｉ−Ｐメッキ被膜を生産性よく
製造することが可能なハードディスクの製造方法を提供
することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段〕
本発明のハードディスクは、上述の目的を達成するため
に提案されたものであり、ディスク基板上にＮｉ−Ｐメ
ッキ被膜を介して記録層が形成されてなり、前記Ｎｉ−
Ｐメッキ被膜はＭｇを含有することを特徴とするもので
ある。
に提案されたものであり、ディスク基板上にＮｉ−Ｐメ
ッキ被膜を介して記録層が形成されてなり、前記Ｎｉ−
Ｐメッキ被膜はＭｇを含有することを特徴とするもので
ある。
さらに本発明のハードディスクの製造方法は、ディスク
基板をＭｇを含むＮｉ−Ｐメッキ浴中に浸漬し、Ｍｇを
含有するＮｉ−Ｐメッキ被膜を形成した後、記録層を形
成することを特徴とするものである。
基板をＭｇを含むＮｉ−Ｐメッキ浴中に浸漬し、Ｍｇを
含有するＮｉ−Ｐメッキ被膜を形成した後、記録層を形
成することを特徴とするものである。
Ｃ作用〕
本発明にかかるハードディスクにおいては、記録層の下
地膜たるＮｉ−Ｐメッキ被膜がＭｇを含有しているので
、該Ｎｉ−Ｐメッキ被膜の結晶化温度が向上し、加熱に
より磁化され難くなる。
地膜たるＮｉ−Ｐメッキ被膜がＭｇを含有しているので
、該Ｎｉ−Ｐメッキ被膜の結晶化温度が向上し、加熱に
より磁化され難くなる。
さらに、本発明にかかるハードディスクの製造方法にお
いては、Ｎｉ−Ｐメッキ浴中にＭｇが含有されているの
で、メッキの析出速度を落とすことなく、結晶化温度の
高いＮｉ−Ｐメッキ被膜が生産性よく製造される。
いては、Ｎｉ−Ｐメッキ浴中にＭｇが含有されているの
で、メッキの析出速度を落とすことなく、結晶化温度の
高いＮｉ−Ｐメッキ被膜が生産性よく製造される。
〔実施例］
以下、本発明を適用したハードディスク及びその製造方
法の具体的な実施例について説明する。
法の具体的な実施例について説明する。
先ず、本実施例のハードディスクについて説明する。
本実施例のハードディスクは、円板状のディスク基板の
上に、Ｍｇを含有するＮｉ−Ｐメッキ被膜を介して記録
層が形成されてなっている。
上に、Ｍｇを含有するＮｉ−Ｐメッキ被膜を介して記録
層が形成されてなっている。
上記ディスク基板には、例えば、純／ｌ、／１合金、Ａ
Ｉ！−Ｍｇ合金等よりなる基板材料が使用されるが、こ
の他、この種の分野で使用されている従来公知の基板材
料も使用することができる。
Ｉ！−Ｍｇ合金等よりなる基板材料が使用されるが、こ
の他、この種の分野で使用されている従来公知の基板材
料も使用することができる。
上記Ｎｉ−Ｐメッキ被膜は、記録層の下地膜として設け
られるもので、Ｍｇを含有するＮｉ −Ｐメッキ浴中で
無電解メッキされることにより形成されるものである。
られるもので、Ｍｇを含有するＮｉ −Ｐメッキ浴中で
無電解メッキされることにより形成されるものである。
通常、Ｎｉ−Ｐメッキ浴中にディスク基板を浸漬して得
られるＮｉ−Ｐメッキ被膜は加熱に対して磁化され易い
が、Ｎｉ −Ｐメッキ被膜にＭｇが含有されたものは結
晶化温度が高く、加熱に対して磁化され難い。
られるＮｉ−Ｐメッキ被膜は加熱に対して磁化され易い
が、Ｎｉ −Ｐメッキ被膜にＭｇが含有されたものは結
晶化温度が高く、加熱に対して磁化され難い。
一方、Ｍｇを含有するＮｉ−Ｐメッキ被膜上に形成され
る記録層は、例えばＣｏ−Ｃｒ等の強磁性材料をスパッ
タリングして被着形成されている。
る記録層は、例えばＣｏ−Ｃｒ等の強磁性材料をスパッ
タリングして被着形成されている。
ここで用いられる強磁性材料としては、特に限定される
ものではなく、例えば従来公知の材料がいずれも適用で
きる。また、上記記録層上にカーボン膜等の保護膜が形
成されていてもよい。
ものではなく、例えば従来公知の材料がいずれも適用で
きる。また、上記記録層上にカーボン膜等の保護膜が形
成されていてもよい。
このように、本実施例のハードディスクにおいては、デ
ィスク基板上に結晶化温度の高いＭｇを含有したＮｉ−
Ｐメッキ被膜が形成されているので、加熱により磁化さ
れ難くなっている。したがって、基板の加熱温度を上げ
て記録層をスパッタリングできるため、記録層の高抗磁
力化が望め、大幅な磁気特性の向上が望める。
ィスク基板上に結晶化温度の高いＭｇを含有したＮｉ−
Ｐメッキ被膜が形成されているので、加熱により磁化さ
れ難くなっている。したがって、基板の加熱温度を上げ
て記録層をスパッタリングできるため、記録層の高抗磁
力化が望め、大幅な磁気特性の向上が望める。
次に、前述したハードディスクの製造方法について説明
する。
する。
本実施例のハードディスクを製造するには、先ず、Ｍｇ
を含むＮｉ−Ｐメッキよりなる浴を作製する。
を含むＮｉ−Ｐメッキよりなる浴を作製する。
メッキ浴は、従来より公知のニッケル水溶性塩と次亜リ
ン酸塩と錆化剤、必要により安定剤、その他の添加剤よ
りなるＮｉ−Ｐメッキ浴中に塩化マグネシウム（ＭｇＣ
ｆｆｉ２）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯａ ・７Ｈ
２０）等のＭｇ塩をＭｇ換算で１ ｇ／ｌ〜５０ ｇ＃
２の範囲となるように添加したものを使用する。Ｍｇの
添加量が１ｇ／２未満であると、結晶化温度の高いメッ
キ被膜が得られない。逆に、Ｍｇの添加量が５０ｇ／４
２を越えると、沈澱物が発生し、これが浴中に設けられ
るフィルターに付着してメッキ液の循環が悪くなり、ろ
過性が劣化する。
ン酸塩と錆化剤、必要により安定剤、その他の添加剤よ
りなるＮｉ−Ｐメッキ浴中に塩化マグネシウム（ＭｇＣ
ｆｆｉ２）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯａ ・７Ｈ
２０）等のＭｇ塩をＭｇ換算で１ ｇ／ｌ〜５０ ｇ＃
２の範囲となるように添加したものを使用する。Ｍｇの
添加量が１ｇ／２未満であると、結晶化温度の高いメッ
キ被膜が得られない。逆に、Ｍｇの添加量が５０ｇ／４
２を越えると、沈澱物が発生し、これが浴中に設けられ
るフィルターに付着してメッキ液の循環が悪くなり、ろ
過性が劣化する。
次に、上記メッキ浴中にディスク基板を浸漬し、無電解
メッキを行う。
メッキを行う。
このときのメッキ条件は、特に限定されず、従来より行
われているＮｉ−Ｐメッキ被膜を形成するときの条件と
同一条件とすればよい。
われているＮｉ−Ｐメッキ被膜を形成するときの条件と
同一条件とすればよい。
この結果、上記ディスク基板表面には、Ｍｇが含有され
たＮｉ−Ｐメッキが析出する。このＭｇを含有するＮｉ
−Ｐメッキ被膜は、結晶化温度の高いメッキ膜となり、
加熱に対して磁化されない特性を示す。なお、このメッ
キの析出速度は、通常のＮｉ−Ｐメッキを析出させると
きの速度と路間−であるため、生産性の劣化を来すこと
はない。
たＮｉ−Ｐメッキが析出する。このＭｇを含有するＮｉ
−Ｐメッキ被膜は、結晶化温度の高いメッキ膜となり、
加熱に対して磁化されない特性を示す。なお、このメッ
キの析出速度は、通常のＮｉ−Ｐメッキを析出させると
きの速度と路間−であるため、生産性の劣化を来すこと
はない。
次に、上記Ｍｇを含有するＮｉ−Ｐメッキ被膜上に記録
層を形成する。
層を形成する。
記録層は、例えばＣｏ−Ｃｒ等の強磁性金属材料をスパ
ッタリングする等して形成する。このときのスパッタリ
ング条件等は、特に限定されず、やはりこの種の分野で
行われている従来公知の条件が適用できる。
ッタリングする等して形成する。このときのスパッタリ
ング条件等は、特に限定されず、やはりこの種の分野で
行われている従来公知の条件が適用できる。
スパッタリングに際しては、記録層の抗磁力を向上させ
記録密度の向上を図ることを目的として基板を加熱する
が、本例では、Ｎｉ−Ｐメッキ被膜がＭｇの含有により
結晶化温度が高められているため、基板の加熱温度を高
めてもＮｉ−Ｐメッキ被膜が磁化されることはない。
記録密度の向上を図ることを目的として基板を加熱する
が、本例では、Ｎｉ−Ｐメッキ被膜がＭｇの含有により
結晶化温度が高められているため、基板の加熱温度を高
めてもＮｉ−Ｐメッキ被膜が磁化されることはない。
したがって、記録層の抗磁力が向上し、磁気特性に優れ
た高密度記録化に適したハードディスクが得られる。
た高密度記録化に適したハードディスクが得られる。
なお、必要に応じて、前記記録層上にカーボンと
膜等の保護膜をスパッタリング等によって形成する。
ここで、実際に以下の条件に基づきハードディスクを作
製してみた。
製してみた。
尖腋開
先ず、以下の組成よりなるメッキ浴を作製した。
１ユＪ」痕耐」収
硫酸ニッケル ２５ｇ／／！次亜リン
酸ソーダ ３０ ｇｅｌリンゴ酸
３０ｇ／ρコハク酸ナトリウム
１６ ｇ／ｆｉ塩化マグネシウム
１９．６ｇ／／２（Ｍｇ５ｇ／ｌに相当） 次に、上記メッキ浴中にアルミニウムよりなるディスク
基板を浸漬し、このディスク基板に対して無電解メッキ
を行った。
酸ソーダ ３０ ｇｅｌリンゴ酸
３０ｇ／ρコハク酸ナトリウム
１６ ｇ／ｆｉ塩化マグネシウム
１９．６ｇ／／２（Ｍｇ５ｇ／ｌに相当） 次に、上記メッキ浴中にアルミニウムよりなるディスク
基板を浸漬し、このディスク基板に対して無電解メッキ
を行った。
ル較桝
メッキ浴ｔこＭｇを添加しなかった他は、前記実験例と
同様とした。
同様とした。
そして、得られたこれらディスク基板を２９０°Ｃで１
時間加熱した。その後のディスク基板上のＮｉ−Ｐメッ
キ被膜の帯磁特性を調べた。
時間加熱した。その後のディスク基板上のＮｉ−Ｐメッ
キ被膜の帯磁特性を調べた。
その結果を第１図及び第２図に示す。なお、第１図はＭ
ｇを含有するＮｉ−Ｐメッキ被膜の帯磁特性を示し、第
２図はＭｇを含有しないＮｉ−Ｐメッキ被膜の帯磁特性
を示す。
ｇを含有するＮｉ−Ｐメッキ被膜の帯磁特性を示し、第
２図はＭｇを含有しないＮｉ−Ｐメッキ被膜の帯磁特性
を示す。
第１図かられかるように、Ｍｇを含有したＮｉＰメッキ
浴中に浸漬して得られたＮｉ−Ｐメッキ被膜では、飽和
磁束密度Ｂｓがほとんど零であった。これに対して、Ｍ
ｇを含有しないＮｉ−Ｐメッキ浴中に浸漬して得られた
Ｎｉ−Ｐメッキ被膜では、飽和磁束密度Ｂｓ約５ガウス
を示し、帯磁することが確認された。
浴中に浸漬して得られたＮｉ−Ｐメッキ被膜では、飽和
磁束密度Ｂｓがほとんど零であった。これに対して、Ｍ
ｇを含有しないＮｉ−Ｐメッキ浴中に浸漬して得られた
Ｎｉ−Ｐメッキ被膜では、飽和磁束密度Ｂｓ約５ガウス
を示し、帯磁することが確認された。
したがって、Ｍｇを含有するＮｉ−Ｐメッキ浴中でディ
スク基板を無電解メッキすれば、磁化され難いＮｉ−Ｐ
メッキ被膜を形成することができる。
スク基板を無電解メッキすれば、磁化され難いＮｉ−Ｐ
メッキ被膜を形成することができる。
以上の説明からも明らかなように、本発明のハードディ
スクにおいては、Ｎｉ−Ｐメッキ被膜がＭｇを含有して
いるため、結晶化温度の高いメッキ被膜となり、加熱に
より磁化され難くなっている。したがうて、本発明のハ
ードディスクによれば、基板の加熱温度を上げて記録層
をスパッタリングできるため、該記録層の抗磁力を高め
ることができ、大幅な磁気特性の向上が望め、高密度記
録化に対応することができる。
スクにおいては、Ｎｉ−Ｐメッキ被膜がＭｇを含有して
いるため、結晶化温度の高いメッキ被膜となり、加熱に
より磁化され難くなっている。したがうて、本発明のハ
ードディスクによれば、基板の加熱温度を上げて記録層
をスパッタリングできるため、該記録層の抗磁力を高め
ることができ、大幅な磁気特性の向上が望め、高密度記
録化に対応することができる。
また、本発明の方法においては、Ｎｉ−Ｐメッキ浴中に
Ｍｇを含有させているので、メッキの析出速度を低下さ
せることなく、結晶化温度の高いＮｉ−Ｐメッキ被膜を
生産性より製造することができる。
Ｍｇを含有させているので、メッキの析出速度を低下さ
せることなく、結晶化温度の高いＮｉ−Ｐメッキ被膜を
生産性より製造することができる。
第１図はＭｇを含有するＮｉ−Ｐメッキ被膜の帯磁特性
を示すヒステリシス曲線であり、第２図にＭｇを含有し
ないＮｉ−Ｐメッキ被膜の帯磁時ｌ ｌ− 性を示すヒステリシス曲線である。
を示すヒステリシス曲線であり、第２図にＭｇを含有し
ないＮｉ−Ｐメッキ被膜の帯磁時ｌ ｌ− 性を示すヒステリシス曲線である。
Claims (2)
- （１）ディスク基板上にＮｉ−Ｐメッキ被膜を介して記
録層が形成されてなり、前記Ｎｉ−Ｐメッキ被膜はＭｇ
を含有することを特徴とするハードディスク。 - （２）ディスク基板をＭｇを含むＮｉ−Ｐメッキ浴中に
浸漬し、Ｍｇを含有するＮｉ−Ｐメッキ被膜を形成した
後、記録層を形成することを特徴とするハードディスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12425090A JPH0421923A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | ハードディスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12425090A JPH0421923A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | ハードディスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421923A true JPH0421923A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14880688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12425090A Pending JPH0421923A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | ハードディスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0421923A (ja) |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12425090A patent/JPH0421923A/ja active Pending
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