JPH01115191A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH01115191A JPH01115191A JP27404787A JP27404787A JPH01115191A JP H01115191 A JPH01115191 A JP H01115191A JP 27404787 A JP27404787 A JP 27404787A JP 27404787 A JP27404787 A JP 27404787A JP H01115191 A JPH01115191 A JP H01115191A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本願発明は、高信頼・高出力の半導体レーザ及びその製
造方法に関する。
造方法に関する。
（従来の技術）
半導体レーザの活性層で発振した光は、素子の光出射面
から外部にとり出される。半導体レーザにおいては、レ
ーザ光出射面が臂開により形成され、レーザ発振光は、
その面からとり出される。
から外部にとり出される。半導体レーザにおいては、レ
ーザ光出射面が臂開により形成され、レーザ発振光は、
その面からとり出される。
レーザ光出射面は、極めて高い光子密度となっているか
ら、光出射面の破壊や酸化により、素子の信頼性や動作
可能出力が制限されている。そこで従来、この光出射面
に５ｉｏｔ 、 ＭｔＯｓ 、 ５ｉｓＮｔ等の誘電体
膜を耐着せしめて出射面を保護し、信頼性や動作出力を
向上させるという構造が採用されてきた。従来の半導体
レーザの一例として、ジャーナル◆才ブ・アプライド・
フィジクス（、Ｔ、 Ａｐｌ）１−Ｐｈｙｓ、 ）第５
０巻、 ５１５０ページ（１９７９年））に掲載された
構造を第３図に示す。本図は、ＡＱＧａＡｓ系半導体レ
ーザをストライプ電極に平行な横側面から見た図である
。図の左右両端が襞間により形成したレーザ光出射面１
０９である。この半導体レーザは、ｎ−ＧａＡｓ基板１
０１の上にｎ ＡＱｓ、ａＧａａ、Ｊ！３クラッドＭ
１０２．アンドープＧａＡｓ活性層１０３．ｐ−ＡＱ
ｏ 、 ａＧａａ 、 ａＡｓクラッド層１０４及びｎ
−ＧａＡｓキャップ層１０５の半導体層が順に積層され
てなる半導体多層構造を有し、ｐ電極１０６とｎ電極１
０７とから電流が注入される。レーザ光出射端面には５
ｉ０ｚ膜１０８が形成され、端面保護膜として働いてい
る。
ら、光出射面の破壊や酸化により、素子の信頼性や動作
可能出力が制限されている。そこで従来、この光出射面
に５ｉｏｔ 、 ＭｔＯｓ 、 ５ｉｓＮｔ等の誘電体
膜を耐着せしめて出射面を保護し、信頼性や動作出力を
向上させるという構造が採用されてきた。従来の半導体
レーザの一例として、ジャーナル◆才ブ・アプライド・
フィジクス（、Ｔ、 Ａｐｌ）１−Ｐｈｙｓ、 ）第５
０巻、 ５１５０ページ（１９７９年））に掲載された
構造を第３図に示す。本図は、ＡＱＧａＡｓ系半導体レ
ーザをストライプ電極に平行な横側面から見た図である
。図の左右両端が襞間により形成したレーザ光出射面１
０９である。この半導体レーザは、ｎ−ＧａＡｓ基板１
０１の上にｎ ＡＱｓ、ａＧａａ、Ｊ！３クラッドＭ
１０２．アンドープＧａＡｓ活性層１０３．ｐ−ＡＱ
ｏ 、 ａＧａａ 、 ａＡｓクラッド層１０４及びｎ
−ＧａＡｓキャップ層１０５の半導体層が順に積層され
てなる半導体多層構造を有し、ｐ電極１０６とｎ電極１
０７とから電流が注入される。レーザ光出射端面には５
ｉ０ｚ膜１０８が形成され、端面保護膜として働いてい
る。
第３図の例では保護膜１０８は、５ｉｌｌとなっている
が、Ｍｈｏｓ 、 Ｓｔ、ａｍ膜の場合も同様の構図を
とって使われている。また、このような保護膜は、他の
半導体発光素子ＧａＩｎＰＡｓ系レーザやＡＱＧａＩｎ
Ｐ系可視光レーザに対しても同様に用いられている。
が、Ｍｈｏｓ 、 Ｓｔ、ａｍ膜の場合も同様の構図を
とって使われている。また、このような保護膜は、他の
半導体発光素子ＧａＩｎＰＡｓ系レーザやＡＱＧａＩｎ
Ｐ系可視光レーザに対しても同様に用いられている。
（発明が解決しようとする問題点）
前述の従来法では、保護膜としてつけた誘電体膜と半導
体の物理的性質が著しく異なるから、両者の界面状態は
必ずしもよくない、また、熱膨張係数も異な゛るから、
高出力動作時の温度上昇の際端面に歪みがはいり、それ
が劣化の原因となる。
体の物理的性質が著しく異なるから、両者の界面状態は
必ずしもよくない、また、熱膨張係数も異な゛るから、
高出力動作時の温度上昇の際端面に歪みがはいり、それ
が劣化の原因となる。
このため、高出力動作で長寿命化を達成することが困難
であった。また、光出射面を、素子と同一の格子定数を
もつ半導体膜で保護する構造も考えられるが、素子に影
舌を与えずに高抵抗の半導体膜を得ることが困難であっ
た。また、このような半導体膜は素子を構成している半
導体膜と屈折率に差をつけにくいから、端面反射率の制
御が難しい、従来法は、以上述べたような欠点を有して
いる。
であった。また、光出射面を、素子と同一の格子定数を
もつ半導体膜で保護する構造も考えられるが、素子に影
舌を与えずに高抵抗の半導体膜を得ることが困難であっ
た。また、このような半導体膜は素子を構成している半
導体膜と屈折率に差をつけにくいから、端面反射率の制
御が難しい、従来法は、以上述べたような欠点を有して
いる。
そこで、本願発明の目的は、結晶成長の性質や材料の性
質を利用して上述の欠点を除き、高信頼・高性能の半導
体レーザおよびその製造方法を提供することにある。
質を利用して上述の欠点を除き、高信頼・高性能の半導
体レーザおよびその製造方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本願の第１の発明の半導体レーザが要旨とするところは
、光出射面上に、活性層よりも大きなエネルギギャップ
をもち活性層とほぼ格子定数の等しい半導体層と、誘電
体膜をこの順に形成したことである。半導体層を蔵を含
む■−ｖ化合物、或いは誘電体膜をＡＱ ｔ Ｏｓとす
ると、■−ｖ化合物半導体より成る半導体レーザに本願
の第１の発明を適用してその効果が著しい。また、Ａｌ
を含む■−■化合物半導体層を、有機金属を原料とした
気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により酸素をＯ，ｌｐｐｍ
から１１００ｐｐの範囲で含む気相雰囲気中で形成し、
この半導体層を大気に曝すことなく、ひき続きＡＱ 、
ｏ。
、光出射面上に、活性層よりも大きなエネルギギャップ
をもち活性層とほぼ格子定数の等しい半導体層と、誘電
体膜をこの順に形成したことである。半導体層を蔵を含
む■−ｖ化合物、或いは誘電体膜をＡＱ ｔ Ｏｓとす
ると、■−ｖ化合物半導体より成る半導体レーザに本願
の第１の発明を適用してその効果が著しい。また、Ａｌ
を含む■−■化合物半導体層を、有機金属を原料とした
気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により酸素をＯ，ｌｐｐｍ
から１１００ｐｐの範囲で含む気相雰囲気中で形成し、
この半導体層を大気に曝すことなく、ひき続きＡＱ 、
ｏ。
膜を形成する本願の第２の発明により、本願の第１の発
明の構造はつくり易くまた著しい効果を以て実現するこ
とができる。Ａｌを含む■−■化合物半導体層としては
、半導体レーザの活性層よりもエネルギギャップが大き
く、格子定数が活性層とほぼ等しいという条件を満たし
ていれば何でもよく、ＡＱＧａＡｓ 、 ＡＱＩｎＰ
、 ＡＱＧａＳｂ 、 Ａ１１）ＧａＩｎＰ等がある。
明の構造はつくり易くまた著しい効果を以て実現するこ
とができる。Ａｌを含む■−■化合物半導体層としては
、半導体レーザの活性層よりもエネルギギャップが大き
く、格子定数が活性層とほぼ等しいという条件を満たし
ていれば何でもよく、ＡＱＧａＡｓ 、 ＡＱＩｎＰ
、 ＡＱＧａＳｂ 、 Ａ１１）ＧａＩｎＰ等がある。
また、半導体層はＡｌを含む■−■化合物によらなくて
も、また誘電体膜はＭ、０．でなくても本願の第１の発
明は有効である。
も、また誘電体膜はＭ、０．でなくても本願の第１の発
明は有効である。
（作用）
半導体レーザ素子端面に形成して端面を保護する膜ある
いは領域は、大きく３つの機能を果たす。それらは端面
附近のエネルギギャップを大きくし、この領域での光吸
収を減らし、光吸収による発熱による端面破壊を防ぐ（
機能１）、励起される半導体素子の端面を直接大気にさ
らさぬことにより、端面の化学変化を防ぐ（機能２）、
素子端面の反射率を制御して光出射端面内部の光子密度
を減らして端面破壊や劣化を防ぐ（機能３）の３つであ
る。従来構造では、これら３機能のうちのいくつかは満
足するものの、すべてを十分に満足しているものはなか
った。本願の第１の発明の構造をとることにより、まず
、半導体レーザの活性層よりも大きなエネルギギャップ
をもつ半導体層を素子端面に活性層に接して設けること
により、素子端面領域での光吸収を減らすことができ、
光吸収による発熱を減少することができる。
いは領域は、大きく３つの機能を果たす。それらは端面
附近のエネルギギャップを大きくし、この領域での光吸
収を減らし、光吸収による発熱による端面破壊を防ぐ（
機能１）、励起される半導体素子の端面を直接大気にさ
らさぬことにより、端面の化学変化を防ぐ（機能２）、
素子端面の反射率を制御して光出射端面内部の光子密度
を減らして端面破壊や劣化を防ぐ（機能３）の３つであ
る。従来構造では、これら３機能のうちのいくつかは満
足するものの、すべてを十分に満足しているものはなか
った。本願の第１の発明の構造をとることにより、まず
、半導体レーザの活性層よりも大きなエネルギギャップ
をもつ半導体層を素子端面に活性層に接して設けること
により、素子端面領域での光吸収を減らすことができ、
光吸収による発熱を減少することができる。
このとき、素子端面に設けた半導体層の格子定数が、活
性層のひいては半導体レーザを構成している半導体材料
の格子定数と異なっていると、素子端面に設けた半導体
層との界面に歪みが生じ、素子劣化の原因となる。この
点は、素子界面に設けた半導体層の格子定数を半導体レ
ーザの活性層にほぼ一致させることにより解決される０
以上述べた半導体層を端面に設けるだけでは、前述の機
能１は満足するが、機能２９機能３に対しては十分な効
果をもたない、そこで、この半導体膜上に誘電体膜を一
定の厚さで形成することにより、機能２および機能３を
満たす、半導体端面を誘電体膜で覆うことにより、半導
体層の大気露出を防ぐことにより機能２が満たされる。
性層のひいては半導体レーザを構成している半導体材料
の格子定数と異なっていると、素子端面に設けた半導体
層との界面に歪みが生じ、素子劣化の原因となる。この
点は、素子界面に設けた半導体層の格子定数を半導体レ
ーザの活性層にほぼ一致させることにより解決される０
以上述べた半導体層を端面に設けるだけでは、前述の機
能１は満足するが、機能２９機能３に対しては十分な効
果をもたない、そこで、この半導体膜上に誘電体膜を一
定の厚さで形成することにより、機能２および機能３を
満たす、半導体端面を誘電体膜で覆うことにより、半導
体層の大気露出を防ぐことにより機能２が満たされる。
誘電体膜厚・誘電体屈折率を制御することにより、端面
反射率を制御でき、機能３が満たされる。
反射率を制御でき、機能３が満たされる。
前述した素子端面に設ける半導体膜は、電気抵抗の高い
ことが要求される。つまり、膜の抵抗が低いと、漏れ電
流のために素子の効率が悪くなる。ＡＱを含む■−■化
合物をその半導体膜として利用することには、次の利点
がある。第１に、Ａｌを含む化合物は、形成の際に酸素
を添加すると容易に高抵抗となる。第２にＧａのみ又は
ＡＱとＧａを両方含むＩＩ−Ｖ化合物ではＧａとＡｌを
置き換えることにより、格子定数を殆ど変えずにバンド
ギャップを大きくすることができる。このため、素子端
面に設ける半導体膜としてＡｌを含むＩＩＩ−ｖ化合物
を用いると本願の第１の発明の効果は著しい。
ことが要求される。つまり、膜の抵抗が低いと、漏れ電
流のために素子の効率が悪くなる。ＡＱを含む■−■化
合物をその半導体膜として利用することには、次の利点
がある。第１に、Ａｌを含む化合物は、形成の際に酸素
を添加すると容易に高抵抗となる。第２にＧａのみ又は
ＡＱとＧａを両方含むＩＩ−Ｖ化合物ではＧａとＡｌを
置き換えることにより、格子定数を殆ど変えずにバンド
ギャップを大きくすることができる。このため、素子端
面に設ける半導体膜としてＡｌを含むＩＩＩ−ｖ化合物
を用いると本願の第１の発明の効果は著しい。
さらに統いで設ける誘電体膜をＭ、０．とすると、前述
のＡｌを含む■−■化合物を形成したのち、試料を大気
中にとり出すことなく同一の装置で、ひき続き形成する
ことが容易である。このため誘電体膜としてＡＱ＊Ｏｓ
を用いると、前述の効果に加えて、製作の容易さおよび
さらなる信頼性の向上という効果が生ずる。
のＡｌを含む■−■化合物を形成したのち、試料を大気
中にとり出すことなく同一の装置で、ひき続き形成する
ことが容易である。このため誘電体膜としてＡＱ＊Ｏｓ
を用いると、前述の効果に加えて、製作の容易さおよび
さらなる信頼性の向上という効果が生ずる。
Ａｌを含む■−■化合物層を形成する方法としては、有
機金属を用いた気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）が、優れた
方法の一つである。本方法による場合、通常の高純度雰
囲気で成長させると、アンドープの場合でも絶縁性をも
たせることは難しい、一方、成長雰囲気に酸素を混入す
るとＡｌを含むＩ［−４化合物層は高抵抗となるが、酸
素を多量に含むと結晶は劣化し、表面粗れを生ずるから
光出射面保護には適さない、ところが、成長中の酸素の
濃度を０． ｌｐｐｍから１１００ｐｐの範囲に制御し
ながら、Ａｌを含む■−ｖ化合物を成長させると、結晶
品質を保ちつつ高抵抗の結晶が得られる。そこで、Ａｌ
を含む■−■化合物半導体層を、ＭＯＶＰＥ法により、
酸素＠ ０．１ｐｐｍから１１００ｐｐの範囲で含む気
相雰囲気中で形成すると、活性層よりも大きなエネルギ
ギャップをもち活性層とほぼ格子定数の等しい半導体層
として理想的なものができる。
機金属を用いた気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）が、優れた
方法の一つである。本方法による場合、通常の高純度雰
囲気で成長させると、アンドープの場合でも絶縁性をも
たせることは難しい、一方、成長雰囲気に酸素を混入す
るとＡｌを含むＩ［−４化合物層は高抵抗となるが、酸
素を多量に含むと結晶は劣化し、表面粗れを生ずるから
光出射面保護には適さない、ところが、成長中の酸素の
濃度を０． ｌｐｐｍから１１００ｐｐの範囲に制御し
ながら、Ａｌを含む■−ｖ化合物を成長させると、結晶
品質を保ちつつ高抵抗の結晶が得られる。そこで、Ａｌ
を含む■−■化合物半導体層を、ＭＯＶＰＥ法により、
酸素＠ ０．１ｐｐｍから１１００ｐｐの範囲で含む気
相雰囲気中で形成すると、活性層よりも大きなエネルギ
ギャップをもち活性層とほぼ格子定数の等しい半導体層
として理想的なものができる。
また、Ａｌを含む■−ｖ化合物半導体層を形成したのち
、そのままひき続いてＭ！０８を形成すると、半導体と
誘電体膜の界面が汚染されることなく劣化原因を除くこ
とができる。
、そのままひき続いてＭ！０８を形成すると、半導体と
誘電体膜の界面が汚染されることなく劣化原因を除くこ
とができる。
（実施例）
次に本願発明の実施例を示す、第１図に本願の第１の発
明の実施例である半導体レーザの模式的斜視図を示すａ
６００ｎｍ帯で発振するＡＱＧａＩｎＰ系可視光半導
体レーザを例として示す、第２図には、第１図の半導体
レーザを製造する本願の第２の発明の一実施例を工程図
で模式的に示す０両図面中同−箇所を指すものには、同
一番号が附しである。
明の実施例である半導体レーザの模式的斜視図を示すａ
６００ｎｍ帯で発振するＡＱＧａＩｎＰ系可視光半導
体レーザを例として示す、第２図には、第１図の半導体
レーザを製造する本願の第２の発明の一実施例を工程図
で模式的に示す０両図面中同−箇所を指すものには、同
一番号が附しである。
第２図（ａ）、（ｂ）は素子製作用ウェーハの断面図、
第２図（ｃ）は第２図（ｂ）のウェーハを上から見た平
面図である＊ ｎ ＧａＡｓ基板１上にｎ （ＡＱ
ｏ、ａＧａ＊、ｓ）ａ、１Ｉｎｏ、ｉＰクラッド層２゜
アンドープＧａｓ 、 ５Ｉｎａ 、 ｓＰ活性層３
、 ｐ −（ＡＱ、、。
第２図（ｃ）は第２図（ｂ）のウェーハを上から見た平
面図である＊ ｎ ＧａＡｓ基板１上にｎ （ＡＱ
ｏ、ａＧａ＊、ｓ）ａ、１Ｉｎｏ、ｉＰクラッド層２゜
アンドープＧａｓ 、 ５Ｉｎａ 、 ｓＰ活性層３
、 ｐ −（ＡＱ、、。
Ｇａｓ、ａ ） ｏ、ｓＩｎ＊、ａＰクラッドＦａ ４
、 ｐ−ＧａＡｓキャップ層５を順次形成する（第２
図（ａ））。成長法は、ＭＯＶＰＥ法や分子ビームエピ
タキシャル法ＣＭＢＥ法）によればよい６次に、反応性
イオンビームエツチング法等により、レーザ共振器面１
１形成のための溝１２を形成する。その後ＭＯＶＰＥ法
によりＡＱｏ、５Ｉｎｓ、ｇＰ層６を形成する。このと
き、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡＱ）、トリメチル
インジウム（ＴＭＩｎ ） 、’ Ｐｔ（ｓおよびキャ
リアガスとして用いる水素から成る混合原料ガスに、酸
素を０．ｌｐｐｍから１１００ｐｐの範囲で添加する。
、 ｐ−ＧａＡｓキャップ層５を順次形成する（第２
図（ａ））。成長法は、ＭＯＶＰＥ法や分子ビームエピ
タキシャル法ＣＭＢＥ法）によればよい６次に、反応性
イオンビームエツチング法等により、レーザ共振器面１
１形成のための溝１２を形成する。その後ＭＯＶＰＥ法
によりＡＱｏ、５Ｉｎｓ、ｇＰ層６を形成する。このと
き、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡＱ）、トリメチル
インジウム（ＴＭＩｎ ） 、’ Ｐｔ（ｓおよびキャ
リアガスとして用いる水素から成る混合原料ガスに、酸
素を０．ｌｐｐｍから１１００ｐｐの範囲で添加する。
こうして成長中の気相雰囲気中の酸素濃度をＱ、 ｌｐ
ｐｍから１１００ｐｐとする。ＡＱ ｅ 、 ｇＩｎｓ
、 ｓＰを形成した後、試料を大気に曝すことなく、
ひき続きＭ ｇｏｓを形成する（第２図（ｂ））、この
ＡＱ ｔＯｓ膜を形成するには、ＡＱ ＊ 、 １１ｎ
＠ 、 ａＰ膜を形成したものと同じ装置内で、ＴＭＡ
Ｑと酸素を同様に流し、基板を４００℃程度に加熱すれ
ばよい６次に、フォトリソグラフィ法により′ｒＩＬｉ
注入用ストライブ窓８を、ＡＱ ｘ Ｏｓ膜７と、ＡＱ
ｏ 、 ａＩｎ−、−Ｐ層６にあける。エツチング液
は、ＡＱ ｔ Ｏｓに対してはＨＦ緩衝液、ＡＱｓ、ｇ
Ｉｎｓ、ａＰに対しては稀塩酸を用いることにより選択
エツチングが行える。その後、ｐｔｔＯを蒸着により附
着して再びフォトリソグラフィ法により、第２図（ｃ）
に示すように選択的に残す、最後にｎ電極１０を形成し
、個々のチップに分けることにより、第１図に示す構造
ができる。こうして得られた素子は、従来構造の半導体
レーザと較べて、高出力動作時での信頼性の優れたもの
となった。実施例では、絶縁膜でストライブ注入領域を
形成したストライブレーザを示したが、半導体レーザ素
子端面を光出射端とする半導体レーザであれば、本願の
発明は如何なる構造に対しても適用できる。また、Ａｌ
を含む■−ｖ化合物として、ＡＱｓ、ｇＩｎｓ、ｉＰを
示したが、（ＡＱｘＧａｓ−ｘ） ｏ、１Ｉｎｓ、ｓＰ
（０＜ ｘ〈１）でもよい。また、Ｇａ、 、 ５Ｉｎ
ｅ 、 ａＰよりもエネルギギャップの大きなＡＱ、Ｇ
ａ、−、Ａｓでも同様の効果が得られる。また、本実施
例ではＡＱＧａＡｓ系系を用いて説明したが、本願発明
はＡＱＧａＡｓ系、 ＡＱＧａＳｂ系など他の材料に対
しても適用できる。効果の大きさ、製作のしやすさの点
から、光出射面に附着せしめる半導体層としてＡｌを含
む■−ｖ化合化合物覚誘電体膜も■０．を用いて説明し
たが、本願の第１の発明には他の材料を用いても、当該
発明の効果は得られる。
ｐｍから１１００ｐｐとする。ＡＱ ｅ 、 ｇＩｎｓ
、 ｓＰを形成した後、試料を大気に曝すことなく、
ひき続きＭ ｇｏｓを形成する（第２図（ｂ））、この
ＡＱ ｔＯｓ膜を形成するには、ＡＱ ＊ 、 １１ｎ
＠ 、 ａＰ膜を形成したものと同じ装置内で、ＴＭＡ
Ｑと酸素を同様に流し、基板を４００℃程度に加熱すれ
ばよい６次に、フォトリソグラフィ法により′ｒＩＬｉ
注入用ストライブ窓８を、ＡＱ ｘ Ｏｓ膜７と、ＡＱ
ｏ 、 ａＩｎ−、−Ｐ層６にあける。エツチング液
は、ＡＱ ｔ Ｏｓに対してはＨＦ緩衝液、ＡＱｓ、ｇ
Ｉｎｓ、ａＰに対しては稀塩酸を用いることにより選択
エツチングが行える。その後、ｐｔｔＯを蒸着により附
着して再びフォトリソグラフィ法により、第２図（ｃ）
に示すように選択的に残す、最後にｎ電極１０を形成し
、個々のチップに分けることにより、第１図に示す構造
ができる。こうして得られた素子は、従来構造の半導体
レーザと較べて、高出力動作時での信頼性の優れたもの
となった。実施例では、絶縁膜でストライブ注入領域を
形成したストライブレーザを示したが、半導体レーザ素
子端面を光出射端とする半導体レーザであれば、本願の
発明は如何なる構造に対しても適用できる。また、Ａｌ
を含む■−ｖ化合物として、ＡＱｓ、ｇＩｎｓ、ｉＰを
示したが、（ＡＱｘＧａｓ−ｘ） ｏ、１Ｉｎｓ、ｓＰ
（０＜ ｘ〈１）でもよい。また、Ｇａ、 、 ５Ｉｎ
ｅ 、 ａＰよりもエネルギギャップの大きなＡＱ、Ｇ
ａ、−、Ａｓでも同様の効果が得られる。また、本実施
例ではＡＱＧａＡｓ系系を用いて説明したが、本願発明
はＡＱＧａＡｓ系、 ＡＱＧａＳｂ系など他の材料に対
しても適用できる。効果の大きさ、製作のしやすさの点
から、光出射面に附着せしめる半導体層としてＡｌを含
む■−ｖ化合化合物覚誘電体膜も■０．を用いて説明し
たが、本願の第１の発明には他の材料を用いても、当該
発明の効果は得られる。
（発明の効果）
以上に述べたように、本願発明により、端面での光吸収
による発熱の減少、端面の光子密度の減少、端面の大気
からの保護が同時にかつ製作容易な方法で実現できる。
による発熱の減少、端面の光子密度の減少、端面の大気
からの保護が同時にかつ製作容易な方法で実現できる。
また、附着する端面保護膜は高品質なものができるので
、この事も併せて本願発明により、従来よりも高信頼・
高出力の半導体レーザを実現することができる。
、この事も併せて本願発明により、従来よりも高信頼・
高出力の半導体レーザを実現することができる。
第１図は本願の第１の発明の一実施例を示す模式的斜視
図、第２図は本願の第２の発明の一実施例により第１図
の半導体レーザを製作する方法を示す図、第３図は従来
の半導体レーザの模式的断面図である。 １ 、１０１− ｎ−ＧａＡｓ基板、２−ｒｌ −（Ａ
Ｑ、 、 、Ｇａ８．、）。５Ｉｎａ 、 ｉＰクラッ
ド層、３・・・アンドープＧａ＊ 、 ａＩｎ＠ 、
ＩＰ活性層、４・ｏｐ （ＡＱｓ、４Ｇａｍ、ａ）ｅ
、５Ｉｎ１．、Ｐクラッド層、５ 、１０５・・・ｐ−
ＧａＡｓキ’ｒツブ層、６・・・高抵抗ＡＱ、、ｓＩｎ
、、ｓＰ層、７−ｕ＊ｏｓ膜、８・・・電流注入ストラ
イブ領域、９ 、１０６・＝ ｐ を極、１０゜１０７
・・・ｎ電極、１１ 、１０９・・・レーザ光出射端面
、１０２”’ ｎ ＡＱ ａ 、 ａＧａｓ 、 ｉ
Ａｓ層、１０３・・−ＧａＡｓ活性層、１０４−・・ｐ
−ＡＱ ａ 、 ａＧａｓ 、 ｓＡｓ層、１０８”・
ＳｉＯｘ保護膜。 第１図 、５ｐ−ＧａＡｓ （ａ） （ｂ） 第２図
図、第２図は本願の第２の発明の一実施例により第１図
の半導体レーザを製作する方法を示す図、第３図は従来
の半導体レーザの模式的断面図である。 １ 、１０１− ｎ−ＧａＡｓ基板、２−ｒｌ −（Ａ
Ｑ、 、 、Ｇａ８．、）。５Ｉｎａ 、 ｉＰクラッ
ド層、３・・・アンドープＧａ＊ 、 ａＩｎ＠ 、
ＩＰ活性層、４・ｏｐ （ＡＱｓ、４Ｇａｍ、ａ）ｅ
、５Ｉｎ１．、Ｐクラッド層、５ 、１０５・・・ｐ−
ＧａＡｓキ’ｒツブ層、６・・・高抵抗ＡＱ、、ｓＩｎ
、、ｓＰ層、７−ｕ＊ｏｓ膜、８・・・電流注入ストラ
イブ領域、９ 、１０６・＝ ｐ を極、１０゜１０７
・・・ｎ電極、１１ 、１０９・・・レーザ光出射端面
、１０２”’ ｎ ＡＱ ａ 、 ａＧａｓ 、 ｉ
Ａｓ層、１０３・・−ＧａＡｓ活性層、１０４−・・ｐ
−ＡＱ ａ 、 ａＧａｓ 、 ｓＡｓ層、１０８”・
ＳｉＯｘ保護膜。 第１図 、５ｐ−ＧａＡｓ （ａ） （ｂ） 第２図
Claims (4)
- （１）光出射面上に半導体層と誘電体層とがこの順に積
層されており、前記半導体層はエネルギギャップが前記
活性層より大きく格子定数がその活性層にほぼ等しいこ
とを特徴とする半導体レーザ。 - （２）前記半導体層がＡｌを含むIII−Ｖ化合物である
特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。 - （３）前記誘電体膜がＡｌ＿２Ｏ＿３である特許請求の
範囲第２項記載の半導体レーザ。 - （４）光出射面上に半導体層と誘電体層とがこの順に積
層されており、前記半導体層はエネルギギャップが前記
活性層より大きく格子定数が活性層にほぼ等しい半導体
レーザの製造方法において、前記半導体層として、Ａｌ
を含むIII−Ｖ化合物半導体層を、有機金属を原料とし
た気相成長法により酸素と０．１ｐｐｍから１００ｐｐ
ｍの範囲で含む気相雰囲気中で形成し、この半導体層を
大気に曝すことなく、ひきつづき前記誘電体層としてＡ
ｌ＿２Ｏ＿３膜を形成することを特徴とする半導体レー
ザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27404787A JPH01115191A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27404787A JPH01115191A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01115191A true JPH01115191A (ja) | 1989-05-08 |
Family
ID=17536230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27404787A Pending JPH01115191A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01115191A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280897A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体の気相成長法 |
| JPH0513878A (ja) * | 1990-10-19 | 1993-01-22 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| JPH0897506A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sharp Corp | 端面成長窓型半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2004363320A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
| JP2008211234A (ja) * | 1998-04-06 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体レーザ装置 |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP27404787A patent/JPH01115191A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513878A (ja) * | 1990-10-19 | 1993-01-22 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| JPH04280897A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体の気相成長法 |
| JPH0897506A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sharp Corp | 端面成長窓型半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2008211234A (ja) * | 1998-04-06 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体レーザ装置 |
| JP2008252138A (ja) * | 1998-04-06 | 2008-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体レーザ装置 |
| JP2004363320A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
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