JPH01115209A - 増幅型表面波受信器 - Google Patents
増幅型表面波受信器Info
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- JPH01115209A JPH01115209A JP63245829A JP24582988A JPH01115209A JP H01115209 A JPH01115209 A JP H01115209A JP 63245829 A JP63245829 A JP 63245829A JP 24582988 A JP24582988 A JP 24582988A JP H01115209 A JPH01115209 A JP H01115209A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F13/00—Amplifiers using amplifying element consisting of two mechanically- or acoustically-coupled transducers, e.g. telephone-microphone amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/0296—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
- H03H9/02976—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties with semiconductor devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、圧電効果を示し又局所ドーピングその他に
よって導電性とすることができる材料がら成る表面波デ
バイスに対する増幅型の表面波受信器に関するものであ
る。
よって導電性とすることができる材料がら成る表面波デ
バイスに対する増幅型の表面波受信器に関するものであ
る。
〔従来の技術］
表面波デバイスではデバイスを通り抜ける信号が変換構
造を通して送り出される。この変換構造は一般に絶縁基
板上に設けられた金属導体路から成る。表面波は電荷を
圧電効果によって表面波デバイスの基体に結合し、この
電荷は信号として取り出すことができる。しかしこの信
号のエネルギーｉｔは比較的少量であるから送り出し後
増幅して後処理する電子デバイスに適合させなければな
らない。
造を通して送り出される。この変換構造は一般に絶縁基
板上に設けられた金属導体路から成る。表面波は電荷を
圧電効果によって表面波デバイスの基体に結合し、この
電荷は信号として取り出すことができる。しかしこの信
号のエネルギーｉｔは比較的少量であるから送り出し後
増幅して後処理する電子デバイスに適合させなければな
らない。
第２図に従来使用されている圧電変換器を示す。
この変換器は圧電効果を示す絶縁材料の基体３から成り
、その表面に２つの金属接触電極２．２が所定の相互間
隔をもって配置され、それぞれ交流電圧検出器１の一方
の端子に結合される。この種の装置の動作は文献「アイ
・イー・イー・イー・１９８２・ウルトラ・ソニックス
・シンポジウム（ＩＥＥＥ １９８２ ＵＬＴＲＡ
５ＯＮＩＣ３ＳＹＭＰＯ３ＩＵＭ）Ｊ４５６〜４６
０頁の記載により公知である。
、その表面に２つの金属接触電極２．２が所定の相互間
隔をもって配置され、それぞれ交流電圧検出器１の一方
の端子に結合される。この種の装置の動作は文献「アイ
・イー・イー・イー・１９８２・ウルトラ・ソニックス
・シンポジウム（ＩＥＥＥ １９８２ ＵＬＴＲＡ
５ＯＮＩＣ３ＳＹＭＰＯ３ＩＵＭ）Ｊ４５６〜４６
０頁の記載により公知である。
この種の公知装置の欠点は両方の接触電極２．２に与え
られる信号電圧が信号の少ないエネルギー量のせいで小
さく、その送り出し後に増幅して続いて処理する装置に
適合させなければならないことである。これにより応用
分野によっては時として困難な問題が起こり、又いずれ
の場合にも比較的高度の技術が必要となる。
られる信号電圧が信号の少ないエネルギー量のせいで小
さく、その送り出し後に増幅して続いて処理する装置に
適合させなければならないことである。これにより応用
分野によっては時として困難な問題が起こり、又いずれ
の場合にも比較的高度の技術が必要となる。
この発明の目的は、特に簡単な方法で表面波デバイスを
通り抜ける信号の要求される増幅を達成する表面波増幅
型受信器を提供することである。
通り抜ける信号の要求される増幅を達成する表面波増幅
型受信器を提供することである。
この目的は、請求項１に特徴として挙げた構成を採用す
ることによって達成される。
ることによって達成される。
この発明の有利な実施１様は請求項２以下に示されてい
る。
る。
図面についてこの発明を更に詳細に説明する。
第１図にこの発明の有利な実施例を示す、この実施例は
圧電効果を示し又局所ドーピングにより導電性とするこ
とができる材料から成る表面波デバイスに対する増幅型
表面波受信器である。予め特色づけられた材料から成り
表面波デバイスを形成する基体８の上面には所定の相互
間隔を保って配置された接触電極６．６の間に導電チャ
ネル７が形成され、発生した圧１ｉ電荷によりこのチャ
ネルの導電率を変調することができる。一方の接触電極
６には電ｆＩ４の一方の極が接続され、その他方の極は
交流検出器５を通して他方の接触電極６に結ばれる。特
色づけられた材料としてはＧａＡｓが有利である。１ｔ
ｆｉ４には直流電源が有利であるが、表面波の周波数に
対して所定の比率を保つ周波数の交流電源とすることも
可能である。接触電極６．６は金属材料、例えばアルミ
ニウムが有利である。交流検出器５は種々の様式のもの
が使用されるが、表面波デバイスの集積構成部品として
基体８上に置かれる電流検出半導体デバイスとするのが
特に有利である。
圧電効果を示し又局所ドーピングにより導電性とするこ
とができる材料から成る表面波デバイスに対する増幅型
表面波受信器である。予め特色づけられた材料から成り
表面波デバイスを形成する基体８の上面には所定の相互
間隔を保って配置された接触電極６．６の間に導電チャ
ネル７が形成され、発生した圧１ｉ電荷によりこのチャ
ネルの導電率を変調することができる。一方の接触電極
６には電ｆＩ４の一方の極が接続され、その他方の極は
交流検出器５を通して他方の接触電極６に結ばれる。特
色づけられた材料としてはＧａＡｓが有利である。１ｔ
ｆｉ４には直流電源が有利であるが、表面波の周波数に
対して所定の比率を保つ周波数の交流電源とすることも
可能である。接触電極６．６は金属材料、例えばアルミ
ニウムが有利である。交流検出器５は種々の様式のもの
が使用されるが、表面波デバイスの集積構成部品として
基体８上に置かれる電流検出半導体デバイスとするのが
特に有利である。
第１図には発生した圧ｍ電荷の制御作用に基づく導電チ
ャネルの変化が破線をもって図式的に示されている。こ
の導電チャネルの変化又は変調によりその抵抗が変化し
、このデバイスを含む全体の回路の電流は電Ｂ４の電圧
の高さに応じて波動直流又は交流となり、交流検出器５
により捕捉することができる。圧電電荷はＭＥＳＦＥＴ
又はＭＯＳＦＥＴの場合と同様にゲート電荷として作用
する。その際増幅特性は幾何学的ならびに電気的寸法選
定に関係する。
ャネルの変化が破線をもって図式的に示されている。こ
の導電チャネルの変化又は変調によりその抵抗が変化し
、このデバイスを含む全体の回路の電流は電Ｂ４の電圧
の高さに応じて波動直流又は交流となり、交流検出器５
により捕捉することができる。圧電電荷はＭＥＳＦＥＴ
又はＭＯＳＦＥＴの場合と同様にゲート電荷として作用
する。その際増幅特性は幾何学的ならびに電気的寸法選
定に関係する。
この発明による表面波デバイスは圧電効果を示すと同時
に局所ドーピングにより導電性とすることができる総て
の基体材料上に実現可能であるが、特に有利な材料はＣ
ｒａＡｓである。
に局所ドーピングにより導電性とすることができる総て
の基体材料上に実現可能であるが、特に有利な材料はＣ
ｒａＡｓである。
この発明は図示の実施例に限定されるものではなく、発
明思想から逸脱しなければ種々の変更が当事者にとって
可能である６
明思想から逸脱しなければ種々の変更が当事者にとって
可能である６
第１図はこの発明による表面波受信器の実施例、第２図
は１来の表面波デバイス用田電変換器を示す概略図であ
る。 ８・・・表面波デバイスを形成する絶縁性基体７・・・
導電チャネル ６・・・接触電極 ５・・・交流検出器 ４・・・電圧源 ＩＧ ２ ＩＧ １
は１来の表面波デバイス用田電変換器を示す概略図であ
る。 ８・・・表面波デバイスを形成する絶縁性基体７・・・
導電チャネル ６・・・接触電極 ５・・・交流検出器 ４・・・電圧源 ＩＧ ２ ＩＧ １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）圧電効果を示し局所ドーピング又は導電層の設置に
より導電性とすることができる材料から成る表面波デバ
イスに対する増幅型表面波受信器において、特色づけら
れた材料から成り表面波デバイスを形成する基体（８）
の表面に１つの領域が形成され、この領域が特定の間隔
を保って配置された少なくとも２つの接触電極（６、６
）の間に１つの導電チャネル（７）を形成し、発生した
圧電電荷がこのチャネル（７）の導電率を変調できるよ
うにすること、一方の接触電極（６）には１つの電源（
４）の一方の極が接続され、その他方の極は交流検出器
（５）を通して他方の接触電極（６）に結ばれているこ
とを特徴とする増幅型表面波受信器。 ２）特色づけられた材料がＧａＡｓであることを特徴と
する請求項１記載の増幅型表面波受信器。 ３）接触電極（６、６）が金属材料から成ることを特徴
とする請求項１又は２記載の増幅型表面波受信器。 ４）電源（４）が直流電源であることを特徴とする請求
項１又は２記載の増幅型表面波受信器。 ５）電源（４）が交流電源であり、その周波数は表面波
の周波数に対して特定の比率を保つことを特徴とする請
求項１又は２記載の増幅型表面波受信器。 ６）交流検出器（５）が電流を検出する半導体デバイス
であり、表面波デバイスの集積構成部品として基体（８
）上に設けられることを特徴とする請求項１又は２記載
の増幅型表面波受信器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3732857 | 1987-09-29 | ||
| DE3732857.3 | 1987-09-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01115209A true JPH01115209A (ja) | 1989-05-08 |
Family
ID=6337157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63245829A Pending JPH01115209A (ja) | 1987-09-29 | 1988-09-28 | 増幅型表面波受信器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4928069A (ja) |
| EP (1) | EP0309713A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01115209A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3937073A1 (de) * | 1989-11-07 | 1991-05-08 | Siemens Ag | Integriertes akustoelektronisches bauelement mit gebondeter iii-v-halbleiterschicht |
| US5435186A (en) * | 1992-10-26 | 1995-07-25 | General Electric Company | Ultrasonic parametric amplifier |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3388334A (en) * | 1967-09-21 | 1968-06-11 | Zenith Radio Corp | Solid state traveling wave devices |
| NL6809255A (ja) * | 1968-06-29 | 1969-12-31 | ||
| US3675140A (en) * | 1970-06-30 | 1972-07-04 | Ibm | Acoustic wave amplifier having a coupled semiconductor layer |
| US3826932A (en) * | 1972-04-17 | 1974-07-30 | W Wang | An ultrasonic convolver having piezoelectric and semiconductor properties |
| US3909741A (en) * | 1974-11-04 | 1975-09-30 | Gen Electric | Acoustic transducer with direct current output |
| US4025876A (en) * | 1975-09-12 | 1977-05-24 | Nasa | Distributed feedback acoustic surface wave oscillator |
-
1988
- 1988-08-16 EP EP88113280A patent/EP0309713A3/de not_active Withdrawn
- 1988-09-16 US US07/245,379 patent/US4928069A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-28 JP JP63245829A patent/JPH01115209A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0309713A2 (de) | 1989-04-05 |
| US4928069A (en) | 1990-05-22 |
| EP0309713A3 (de) | 1989-12-27 |
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