JPH01117073A - 端面発光ｌｅｄ - Google Patents
端面発光ｌｅｄInfo
- Publication number
- JPH01117073A JPH01117073A JP62274208A JP27420887A JPH01117073A JP H01117073 A JPH01117073 A JP H01117073A JP 62274208 A JP62274208 A JP 62274208A JP 27420887 A JP27420887 A JP 27420887A JP H01117073 A JPH01117073 A JP H01117073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- face
- emitting region
- striped light
- striped
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、端面発光ＬＥＤの構造に関するものである
。
。
第２図、第３図は従来の酸化膜ストライプ形端面発光Ｌ
ＥＤの構造である。
ＥＤの構造である。
（１）はＩｎＰ −ｓｕｂ、でその上に、ｎ −ＩｎＰ
クラッド層（２）をＩｎＰ −ｓｕｂ （１）の上に成
長させるために必要なｎ −ＩｎＰバッファ層（３）が
ある。ｎ −ＩｎＰクラッド層（２）とＩｎＧａＡｓＰ
活性層（４）とＰ −ＩｎＰクラッド層（５）は二重へ
テロ構造となっている。そして、その上にｐ −ＩｎＧ
ａＡｓＰコンタクト（６）がある。ｐ−メタル（７）と
ｎ−メタル（８）は電極であり、ｐ−メタル（７）から
ｎ−メタル（８）の方向に電流が流れるが、５ｉ０２膜
（９）で絶縁されていない部分を通って流れるようにな
−ている。また００はストライプ状発光領域である。
クラッド層（２）をＩｎＰ −ｓｕｂ （１）の上に成
長させるために必要なｎ −ＩｎＰバッファ層（３）が
ある。ｎ −ＩｎＰクラッド層（２）とＩｎＧａＡｓＰ
活性層（４）とＰ −ＩｎＰクラッド層（５）は二重へ
テロ構造となっている。そして、その上にｐ −ＩｎＧ
ａＡｓＰコンタクト（６）がある。ｐ−メタル（７）と
ｎ−メタル（８）は電極であり、ｐ−メタル（７）から
ｎ−メタル（８）の方向に電流が流れるが、５ｉ０２膜
（９）で絶縁されていない部分を通って流れるようにな
−ている。また００はストライプ状発光領域である。
この端面発光ＬＥＤは後部端面αＤが主面（２）とスト
ライプ状発光領域αＯに対して、斜め垂直方向にエツチ
ングされた傾斜面から成っている。
ライプ状発光領域αＯに対して、斜め垂直方向にエツチ
ングされた傾斜面から成っている。
第２図は一般の酸化膜ストライプ形端面発光しＥＤの構
造を示す断面図、第３図ａは、従来の酸化膜ストライプ
型端面発光ＬＥＤの斜視図、第３図すはストライプ状発
光領域に沿う断面側面図である。
造を示す断面図、第３図ａは、従来の酸化膜ストライプ
型端面発光ＬＥＤの斜視図、第３図すはストライプ状発
光領域に沿う断面側面図である。
従来の端面発光ＬＥＤは、ストライプ状発光領域鋤で発
生した光を後部端面の傾斜面で第３図すの矢印のように
反射させ、ストライブ状発光領域Ｑｄ内への反射率を低
くして発振を抑制させることにより、自然放出光のみを
出射している。
生した光を後部端面の傾斜面で第３図すの矢印のように
反射させ、ストライブ状発光領域Ｑｄ内への反射率を低
くして発振を抑制させることにより、自然放出光のみを
出射している。
従来の酸化膜ストライプ形端面発光ＬＥＤは以上のよう
に構成されているが、後部の傾斜面はエツチングによる
傾斜のみに頼っているため、形が不安定で、発振抑制の
効果にバラツキがあるという問題点があり、発振する素
子もあった。
に構成されているが、後部の傾斜面はエツチングによる
傾斜のみに頼っているため、形が不安定で、発振抑制の
効果にバラツキがあるという問題点があり、発振する素
子もあった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためのもの
で、発振を確実に制御し、歩留りの良い、端面発光ＬＥ
Ｄを得ることを目的とする。
で、発振を確実に制御し、歩留りの良い、端面発光ＬＥ
Ｄを得ることを目的とする。
この発明による端面発光ＬＥＤは、ストライプ状発光領
域の一方の端面が、端面発光ＬＥＤの主面の面内におい
て、ストライプ状発光領域に対して傾斜した角度をもた
せたものである。
域の一方の端面が、端面発光ＬＥＤの主面の面内におい
て、ストライプ状発光領域に対して傾斜した角度をもた
せたものである。
本発明における端面発光ＬＥＤの後部端面ば、ストライ
プ状発光領域に対して、確実に傾斜を形成し、発振抑制
の効果が安定となる。
プ状発光領域に対して、確実に傾斜を形成し、発振抑制
の効果が安定となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図ａにおいてαＤは後部端面で、ストライプ状発光
領域αＯの光を反射させる面である。第１図すはこの酸
化膜ストライプ形端面発光ＬＥＤの主面方向から見た図
を示す。図に示すように、主面（２）の形は、後部端面
αＤが、ストライプ状発光領域αＯに対して角度をもっ
た形になっており、この主面（２）の形は、写真製版に
よって確実に決めることができる。そして、後部端面ａ
Ｉｌ／ｍｌをエツチングすることにより、主面と斜め垂
直方向の傾斜面を形成している。
領域αＯの光を反射させる面である。第１図すはこの酸
化膜ストライプ形端面発光ＬＥＤの主面方向から見た図
を示す。図に示すように、主面（２）の形は、後部端面
αＤが、ストライプ状発光領域αＯに対して角度をもっ
た形になっており、この主面（２）の形は、写真製版に
よって確実に決めることができる。そして、後部端面ａ
Ｉｌ／ｍｌをエツチングすることにより、主面と斜め垂
直方向の傾斜面を形成している。
酸化膜ストライプ型端面発光ＬＥＤの後部端面ａ℃は、
主面（２）の面内における、ストライプ状発光領域αＯ
に対する傾斜角度を写真製版で決定され、傾斜が確実に
形成されるので、ストライプ状発光領域αＯの光は、第
１図すに矢印で示すように後部端面（ロ）で常に側面方
向に反射され、ストライプ状発光領域ａＯ内への反射が
なくなるので、発振抑制ができ、自然放出光のみが、出
射される。
主面（２）の面内における、ストライプ状発光領域αＯ
に対する傾斜角度を写真製版で決定され、傾斜が確実に
形成されるので、ストライプ状発光領域αＯの光は、第
１図すに矢印で示すように後部端面（ロ）で常に側面方
向に反射され、ストライプ状発光領域ａＯ内への反射が
なくなるので、発振抑制ができ、自然放出光のみが、出
射される。
上記実施例では、酸化膜ストライプ形端面発光ＬＥＤに
ついて示したが、他にも、埋め込み形端面発光ＬＥＤな
どへの応用、また、後部端面（１１１がＩｎＰ −ｓｕ
ｂ （υの上面に対して垂直な面として形成された端面
発光ＬＥＤなどについても、上記実施例と同様の効果を
奏する。
ついて示したが、他にも、埋め込み形端面発光ＬＥＤな
どへの応用、また、後部端面（１１１がＩｎＰ −ｓｕ
ｂ （υの上面に対して垂直な面として形成された端面
発光ＬＥＤなどについても、上記実施例と同様の効果を
奏する。
この発明によれば、前記ストライプ状発光領域の一方の
端面が端面発光ＬＥＤの主面の面内において、ストライ
プ状発光領域に対して傾斜した角度を持つ構造にしたの
で、発振を確実に抑制でき、精度の高いものが得られ、
歩留りが向上する効果がある。
端面が端面発光ＬＥＤの主面の面内において、ストライ
プ状発光領域に対して傾斜した角度を持つ構造にしたの
で、発振を確実に抑制でき、精度の高いものが得られ、
歩留りが向上する効果がある。
第１図ａはこの発明の一実施例による酸化膜ストライプ
形端面発光ＬＥＤを示す斜視図、第１図すは主面図、第
２図は一般の酸化膜ストライプ形端面発光ＬＥＤを示す
断面図、第３図ａは従来の酸化膜ストライプ形端面発光
ＬＥＤを示す斜視図、第３図すは、断面側面図である。 図において、（１）はＩｎＰ −ｓｕｂ、（２）はｎ
−ＩｎＰクラッド層、（３）はｎ −１ｎＰバッファ層
、（４）はＩｎＧａＡｓＰ 活性層、（５）は、ｐ −
１ｎＰクラッド層、（６）は、Ｐ −１ｎＧａＡｓＰコ
ンタクト、（７）はｐ−メタル、（８）はｎ−メタル（
９）は５ｔ（ｈ 膜、αＱはストライプ状発光領域、
（ロ）は、後部端面（２）は主面、なお、図中、同一符
号は同一、又は相当部分を示す。
形端面発光ＬＥＤを示す斜視図、第１図すは主面図、第
２図は一般の酸化膜ストライプ形端面発光ＬＥＤを示す
断面図、第３図ａは従来の酸化膜ストライプ形端面発光
ＬＥＤを示す斜視図、第３図すは、断面側面図である。 図において、（１）はＩｎＰ −ｓｕｂ、（２）はｎ
−ＩｎＰクラッド層、（３）はｎ −１ｎＰバッファ層
、（４）はＩｎＧａＡｓＰ 活性層、（５）は、ｐ −
１ｎＰクラッド層、（６）は、Ｐ −１ｎＧａＡｓＰコ
ンタクト、（７）はｐ−メタル、（８）はｎ−メタル（
９）は５ｔ（ｈ 膜、αＱはストライプ状発光領域、
（ロ）は、後部端面（２）は主面、なお、図中、同一符
号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ストライプ状発光領域を有する端面発光ＬＥＤにおい
て前記ストライプ状発光領域の一方の端面が、前記端面
発光ＬＥＤの主面の面内において、ストライプ状発光領
域に対して、傾斜した角度を持っていることを特徴とす
る端面発光ＬＥＤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27420887A JP2589513B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 端面発光ｌｅｄ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27420887A JP2589513B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 端面発光ｌｅｄ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117073A true JPH01117073A (ja) | 1989-05-09 |
| JP2589513B2 JP2589513B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=17538540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27420887A Expired - Fee Related JP2589513B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 端面発光ｌｅｄ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589513B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5329134A (en) * | 1992-01-10 | 1994-07-12 | International Business Machines Corporation | Superluminescent diode having a quantum well and cavity length dependent threshold current |
| US5955748A (en) * | 1994-07-19 | 1999-09-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End face light emitting type light emitting diode |
| EP1065664A3 (en) * | 1999-07-02 | 2002-02-06 | Alps Electric Co., Ltd. | Disk drive using plural optical heads, capable of identifying the types of media |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5779682A (en) * | 1980-11-05 | 1982-05-18 | Nec Corp | Light emitting diode |
| JPS5793588A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Nec Corp | Light emitting element |
| JPS6032372A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 横方向光取出し発光ダイオ−ドアレイ構造 |
| JPS62197871U (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-16 | ||
| JPS6327072A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Fujitsu Ltd | 端面発光型ダイオ−ドおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP27420887A patent/JP2589513B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5779682A (en) * | 1980-11-05 | 1982-05-18 | Nec Corp | Light emitting diode |
| JPS5793588A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Nec Corp | Light emitting element |
| JPS6032372A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 横方向光取出し発光ダイオ−ドアレイ構造 |
| JPS62197871U (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-16 | ||
| JPS6327072A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Fujitsu Ltd | 端面発光型ダイオ−ドおよびその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5329134A (en) * | 1992-01-10 | 1994-07-12 | International Business Machines Corporation | Superluminescent diode having a quantum well and cavity length dependent threshold current |
| US5556795A (en) * | 1992-01-10 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Quantum well superluminescent diode |
| US5955748A (en) * | 1994-07-19 | 1999-09-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End face light emitting type light emitting diode |
| EP1065664A3 (en) * | 1999-07-02 | 2002-02-06 | Alps Electric Co., Ltd. | Disk drive using plural optical heads, capable of identifying the types of media |
| US6628593B1 (en) | 1999-07-02 | 2003-09-30 | Alps Electric Co., Ltd. | Disk drive using plural optical heads, capable of identifying the types of media |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2589513B2 (ja) | 1997-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960026250A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JPH01117073A (ja) | 端面発光ｌｅｄ | |
| EP0178912B1 (en) | A semiconductor laser | |
| JPH01235397A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH08167738A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US7915623B2 (en) | Light-emitting diode array, light-emitting diode, and printer head | |
| JPS61121373A (ja) | 面発光素子及びその製造方法 | |
| JPH01108788A (ja) | 面発光型アレイ・レーザ | |
| JP2687449B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| US4701926A (en) | Laser diode | |
| JP2628735B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| JPS611069A (ja) | 発光ダイオ−ド装置 | |
| KR100244238B1 (ko) | 면발광 레이저 다이오드 제조방법 | |
| JPS6350877B2 (ja) | ||
| JPS6310579A (ja) | 半導体レ−ザ− | |
| KR950012931A (ko) | 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 | |
| JP2021141293A (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR970060613A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| JP2009194307A (ja) | ジャンクションアップ型の光半導体素子 | |
| JPS62136089A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0590709A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH02191388A (ja) | 半導体レーザーの製造方法 | |
| KR930005302A (ko) | 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPH06326356A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS61279192A (ja) | 半導体レ−ザ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |