JPH01117405A - Operational amplifier - Google Patents
Operational amplifierInfo
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- JPH01117405A JPH01117405A JP62275142A JP27514287A JPH01117405A JP H01117405 A JPH01117405 A JP H01117405A JP 62275142 A JP62275142 A JP 62275142A JP 27514287 A JP27514287 A JP 27514287A JP H01117405 A JPH01117405 A JP H01117405A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は演算増幅器に関し、特に相補型MOSトランジ
スタ(以下CMO8と称す)で構成された演算増幅器に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to an operational amplifier, and particularly to an operational amplifier configured with complementary MOS transistors (hereinafter referred to as CMO8).
近年、ディジタルおよびアナログ回路混載の1チ、プの
集積回路(以下LSIと称す)が多くなりつつある。こ
とに、アナログ分野では、スイ。In recent years, the number of single-chip integrated circuits (hereinafter referred to as LSIs) that incorporate digital and analog circuits has been increasing. Especially in the analog field, Sui.
チドキャパシタフィルタ(以下SCFと称す)や、A/
D変換器等を構成しやすい0MO8を用いた演算増幅器
が主流となって来ている。さらに、低電圧化や低消費電
力化の要求も多く、CMO8構成のLSIが多岐にわた
ってみうけられるようになって米た。そのなかで、0M
O8のアナログ分野では、演算増幅器は重要な回路とな
っている。capacitor filter (hereinafter referred to as SCF), A/
Operational amplifiers using 0MO8, which are easy to configure as D converters, have become mainstream. Furthermore, there are many demands for lower voltage and lower power consumption, and a wide variety of LSIs with CMO8 configurations are now available. Among them, 0M
In the analog field of O8, operational amplifiers are important circuits.
従来、この棟の°演算増幅器は、第4図や第5図に示さ
れるような回路構成となっていた。Conventionally, the operational amplifiers in this building had circuit configurations as shown in FIGS. 4 and 5.
第4図は第1の従来例であり、Nch MOS )
。Figure 4 shows the first conventional example, Nch MOS)
.
ランジスタMl、M2.MIOとPch MOS トラ
ンジスタM3.M4 とからまる差動増幅段と、Nc
h MOS)ランジスタM20とPch MOSトラン
ジスタM30とからなる出力増幅段と、Nch MOS
)ランジスタM5.M6 とPchMOSトランジ
スタM7とからなるバイアス段と、位相補慣用の容量C
cとから構成されている。Transistors Ml, M2. MIO and Pch MOS transistor M3. A differential amplification stage intertwined with M4 and Nc
h MOS) An output amplification stage consisting of a transistor M20 and a Pch MOS transistor M30, and an Nch MOS
) transistor M5. A bias stage consisting of a PchMOS transistor M6 and a PchMOS transistor M7, and a capacitor C for phase compensation.
It is composed of c.
第2の従来例を第5図に示す。第2の従来例は、差動増
幅段およびバイアス段に関しては、第1の従来例と同一
の構成であるが、出力増幅段に関してはNch MOS
)ランジスタM50とPchMOSトランジスタM
30からなり、差動増幅段と出力増幅段の間に、Nch
MOS )ランジスタM20とM2Oで構成された出
力駆動段がはいっている。A second conventional example is shown in FIG. The second conventional example has the same configuration as the first conventional example regarding the differential amplification stage and bias stage, but the output amplification stage is Nch MOS.
) Transistor M50 and PchMOS transistor M
between the differential amplification stage and the output amplification stage.
MOS) An output drive stage consisting of transistors M20 and M2O is included.
また、位相補償はCcおよびNch MOS )ラン
ジスタM70とPch MOS )ランジスタM80
とで構成されている。In addition, phase compensation is performed using Cc and Nch MOS) transistor M70 and Pch MOS) transistor M80.
It is made up of.
第1の従来例においては、低電圧電源で所望の周波数特
性を得るためには、差動増幅段および出力増幅段にある
程度の電流を流しておかなくてはならない。電流を制御
できるトランジスタは、MIOとM2Oであシ、バイア
ス段の電圧が決定されると、電流の大きさはMIOとM
2Oのゲート長りとゲート幅Wで決定される。ここで、
低電圧電源を仮にVDD = 3.0 Vとして、周波
数特性を第6図に示す。実線がVDD=3.OVの特性
を示す。破線はVDD=5.OVの時の特性を示してい
る。In the first conventional example, in order to obtain desired frequency characteristics with a low voltage power supply, a certain amount of current must flow through the differential amplification stage and the output amplification stage. The transistors that can control the current are MIO and M2O, and once the voltage of the bias stage is determined, the magnitude of the current is determined by MIO and M2O.
It is determined by the gate length of 2O and the gate width W. here,
The frequency characteristics are shown in FIG. 6, assuming that the low voltage power supply is VDD = 3.0 V. The solid line is VDD=3. The characteristics of OV are shown. The broken line indicates VDD=5. It shows the characteristics at OV.
VDDが3vと5vの時では特性周波数f1とf、がI
MIIzと10MHzと10倍異なる。これは、トラン
ジスタMIOとM2Oのゲート長りとゲート@Wが固定
されてしまっているため、電流も5v時には約3程度度
増加していることになる。When VDD is 3v and 5v, the characteristic frequencies f1 and f are I
MIIz and 10MHz are 10 times different. This is because the gate lengths of the transistors MIO and M2O and the gate @W are fixed, so the current also increases by about 3 degrees at 5V.
第2の従来例においても同様の特性を示し、出力駆動段
が一段分多いため、第1の従来例よりもさらに電流の増
加分が多い結果となる。ただし、第1の従来例に比べて
第2の従来例の方がダイナミックレンジが広くとれるこ
とが知られている。The second conventional example also exhibits similar characteristics and has more output drive stages, resulting in an even larger current increase than the first conventional example. However, it is known that the second conventional example has a wider dynamic range than the first conventional example.
上述した従来の演算増幅器では、低電圧電源時に所望の
周波数特性を得たい場合に、電源電圧を高くするほど消
費電力がいちじるしく増加するという欠点がある。逆に
いえば、高い電源電圧で所望の周波数特性のものを作っ
たならば、低電圧での動作は特性の急化を犠牲にするか
、あるいは、最悪の場合、動作しなくなるといった欠点
がある。The above-described conventional operational amplifier has a drawback in that when desired frequency characteristics are to be obtained with a low voltage power supply, power consumption increases significantly as the power supply voltage increases. Conversely, if you create the desired frequency characteristics with a high power supply voltage, operation at a low voltage will sacrifice the characteristics, or in the worst case, it will not work. .
本発明の演算増幅器は、かがる問題点を解決するために
% n個のアナログスイッチと、これらのn個のアナロ
グスイッチを制御するn個の制御端子と、n個のMOS
)ランジスタのソースおよびドレインを共通接続し、前
記n個のMOS)ランジスタのそれぞれのゲートはアナ
ログスイッチを介して共通接続したブロックを有し、こ
のプロ。In order to solve this problem, the operational amplifier of the present invention has %n analog switches, n control terminals for controlling these n analog switches, and n MOS transistors.
) has a block in which the sources and drains of the n MOS transistors are commonly connected, and the gates of each of the n MOS transistors are commonly connected via an analog switch;
りを演算、哨g7Aaの差動増幅段および出力増幅段も
しくは出力駆動段に用いて低電圧から高電圧までの広い
電源電圧範VIJAを制御信号によシ低消費電力で動作
できる特徴を有する。It has the feature that it can operate with low power consumption by using a wide power supply voltage range VIJA from low voltage to high voltage by using a control signal in the differential amplification stage and output amplification stage or output drive stage of the g7Aa.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の第1の実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention.
差動増幅段は、ゲート長りとゲート幅Wの大きさのそろ
ったNch MOS トランジスタ対Ml、M2と、
負荷となるPch MOS )う/ジスタ対M3゜M
4と、Nch MOS )ランジスタM1とM2のソ
ースを共通接続し、さらにn個のNChMOSトランジ
スタMll〜Minのそれぞれのドレインと接続する。The differential amplification stage includes a pair of Nch MOS transistors Ml and M2 with the same gate length and gate width W,
Pch MOS as a load) U/distor pair M3゜M
The sources of Nch MOS transistors M1 and M2 are commonly connected, and are further connected to the drains of n Nch MOS transistors Mll to Min.
ま九、す個のNch MOS トランジスタMll−M
inのソースは共通接地する。出力増幅段は、n個のP
ch gos トランジスタM31〜M3n のドレ
インは共通接続してn個のNchMO8トランジスタM
21〜M2nのゲートはNchMOSトランジスタMl
l〜M12のゲートとそれぞれ接続し、スイッチS1と
82とインバータG1からなり入力端子11とI2と出
力端子01と制御端子C1とを有するアナログ・スイッ
チB1〜Bnのそれぞれの出力端子01と接続されてい
る。Nine Nch MOS transistors Mll-M
The sources of in are commonly grounded. The output amplification stage consists of n P
The drains of ch gos transistors M31 to M3n are commonly connected to form n Nch MO8 transistors M.
The gates of 21 to M2n are NchMOS transistors Ml
1 to M12, respectively, and connected to respective output terminals 01 of analog switches B1 to Bn, which are made up of switches S1 and 82 and an inverter G1 and have input terminals 11 and I2, an output terminal 01, and a control terminal C1. ing.
アナログ・スイッチBl−BnのスイッチSl側の入力
端子I2はそれぞれ接地され、他方のスイッチ821M
l1の入力端チエ1はすべて共通接続され、206MO
8トランジスタM7とNchMO8トランジスタM5.
M6で構成されたバイアス段のM5のドレイン・ゲート
接続部と接続される。The input terminals I2 on the switch Sl side of the analog switches Bl-Bn are each grounded, and the input terminals I2 on the switch Sl side of the analog switches Bl-Bn are grounded, and
The input terminals of l1 are all connected in common, and 206MO
8 transistor M7 and NchMO8 transistor M5.
It is connected to the drain-gate connection of M5 of the bias stage composed of M6.
また、n個のPch MOS )ランジスタM31〜
M3nのゲートは、前記アナログ・スイッチB1〜Bn
と同一の回路構成のアナログ・スイッチAl〜Anの出
力端子01にそれぞれ接続され、アナログ・スイッチA
1〜AnのスイッチSl側の一方の入力端チエ2は電源
端子VDDと接続され、他方の入力端チエ1はすべて共
通接続されて差動増幅段の出力であるNch MOS
トランジスタM2のドレイン側と接続される。アナロ
グ・スイッチA1〜Anとアナログ・スイッチB1〜B
nの制御端子C1は、アナログ・スイッチA1とBl。In addition, n Pch MOS) transistors M31~
The gate of M3n is connected to the analog switches B1 to Bn.
are connected to the output terminals 01 of analog switches Al to An having the same circuit configuration as analog switch A.
One input terminal chip 2 on the switch Sl side of switches 1 to An is connected to the power supply terminal VDD, and the other input terminal chips 1 are all connected in common to form an Nch MOS which is the output of the differential amplification stage.
Connected to the drain side of transistor M2. Analog switches A1-An and analog switches B1-B
The control terminals C1 of n are analog switches A1 and Bl.
A2とB2.・・・・・−AnとBnとをそれぞれ接続
し、それぞれの接続点は外部よシ制御できる外部制御端
子P1〜Pnとなっている。CCは出力端子3から差動
増幅段の出力に帰還をかけ、位相補・償をするための容
量である。A2 and B2. . . . -An and Bn are respectively connected, and each connection point is an external control terminal P1 to Pn that can be externally controlled. CC is a capacitor for applying feedback from the output terminal 3 to the output of the differential amplification stage for phase compensation and compensation.
低電源電圧時には、外部制御端子P1〜Pnのすべてを
高レベルとし、アナログ・スイッチB1〜Bnのスイッ
チS2側をONさせることで、NchMO8)ランジス
タMll〜MinとM21〜M2nには、それぞれ電流
が流れる。電流が多く流れるほど、周波数特性の特性周
波数が高域にのびていく。さらに、Nch MOS
)ランジスタMllおよびM21 l!:Pch MO
S )ランジスタM31とでDCバランスのよいゲー
ト長りおよびゲート幅Wを調整し設計し、Nch MO
S )ランジスタM12〜MlnaM11と同じゲート
長りとゲート幅Wとし、Nch MOS )ランジス
タM 22〜M2 nはM21と同じゲート長りとゲー
ト幅Wとし、PchMOSトランジスタM32〜M3n
はM31と同じゲート長りとゲート幅Wとすることで、
外部制御端子P1〜Pnの設定のいかんにかかわらずD
Cバランスのよい演算増幅器を実現できる。When the power supply voltage is low, by setting all external control terminals P1 to Pn to a high level and turning on the switch S2 side of the analog switches B1 to Bn, current flows to the NchMO8) transistors Mll to Min and M21 to M2n, respectively. flows. As more current flows, the characteristic frequency of the frequency characteristic extends to a higher range. Furthermore, Nch MOS
) transistors Mll and M21 l! :Pch MO
S) Adjust and design the gate length and gate width W with good DC balance with transistor M31 to create an Nch MO
S) The transistors M12 to Mlna have the same gate length and gate width W as M11, Nch MOS) The transistors M22 to M2n have the same gate length and gate width W as M21, and the Pch MOS transistors M32 to M3n
By setting the gate length and gate width W to be the same as M31,
D regardless of the settings of external control terminals P1 to Pn.
An operational amplifier with good C balance can be realized.
電源電圧がある程度高い時には、所望の周波数特性が得
られるだけの電流を流せるよう外部制御端子により制御
できるので過剰な特性を得るために無駄な消費電力の増
加を防ぐことができる。このことにより、電源電圧範囲
の広範囲にわたって、消費電力の最適化が可能となる。When the power supply voltage is high to a certain extent, the external control terminal can control the flow of current enough to obtain the desired frequency characteristics, thereby preventing unnecessary increases in power consumption due to obtaining excessive characteristics. This makes it possible to optimize power consumption over a wide range of power supply voltages.
第2図は本発明の第2の実施例を示す回路図である。第
2図は第3図の従来回路のM1〜M7.Mlo、M2O
,M2O,M2O,M2O,M2O,M2O。FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention. FIG. 2 shows M1 to M7 of the conventional circuit shown in FIG. Mlo, M2O
, M2O, M2O, M2O, M2O, M2O.
M2OおよびCCと同一の構成であるが、そのはかに4
つのアナログスイッチAt 、Bl 、Xi 、Ylと
、4個のNch MOS )ランジスタMll、M2
1゜M41.M51および1個のPch MOS )
ランジスタM31を有している。アナログスイッチは、
CMOS構成、で2つの入力と1つの出力および2つの
制御端子を有するトランスファーゲート構成となってい
る。It has the same configuration as M2O and CC, but its much 4
four analog switches At, Bl, Xi, Yl and four Nch MOS) transistors Mll, M2
1°M41. M51 and 1 Pch MOS)
It has a transistor M31. The analog switch is
It has a CMOS configuration, and has a transfer gate configuration with two inputs, one output, and two control terminals.
M2Oのゲートは、一方の入力が接地されているアナロ
グスイッチX1を介してM41のゲートとも接続されて
おり、M41とM2Oとは、M41のゲートとM2Oの
ゲートの部分をのぞいては並列接続されている。M51
とM2Oの関係やM21とM2Oの関係も、前記M41
とM2Oの接続法と同一の構成となっている。M21と
M2Oのゲートは、さらに、それぞれMllとMIOの
ゲートにも接続されている。M2Oのゲートは、一方の
入力が電源端子VDDに接続されているアナログスイッ
チA1を介してM31とも接続されている。The gate of M2O is also connected to the gate of M41 via an analog switch X1 whose one input is grounded, and M41 and M2O are connected in parallel except for the gate of M41 and the gate of M2O. ing. M51
The relationship between M2O and M21 and the relationship between M21 and M2O are also
The configuration is the same as the connection method of and M2O. The gates of M21 and M2O are also connected to the gates of Mll and MIO, respectively. The gate of M2O is also connected to M31 via an analog switch A1 whose one input is connected to the power supply terminal VDD.
本実施例は、茶1の実施例の場合の各々n = 2のト
ランジスタ数で、各々(n−1)=1のアナログスイッ
チ故の場合に相当し、外部制御端子の信号が高レベルで
あろうがなかろうが、少なくともある程度の電流を差動
増嘱段、出力増幅段および出力駆動段に流しておくよう
にした例である。This embodiment corresponds to the case of the brown 1 embodiment in which the number of transistors is n = 2 and each transistor is (n-1) = 1, and the signal at the external control terminal is at a high level. This is an example in which at least a certain amount of current is allowed to flow through the differential amplifier stage, the output amplification stage, and the output drive stage, regardless of whether the current is active or not.
外部制御端子P1からの制御信号が高レベルの時には、
4個のアナログ・スイッチAI 、Bl 。When the control signal from external control terminal P1 is at high level,
4 analog switches AI, Bl.
XI、Ylの内部スイッチz1が導通してMOSトラン
ジスタMll 、M21 、M31 、M41 、M5
1にはそれぞれゲートにバイアスが印加される状態とな
る。この状態では、MllはMIOと並列接続、M21
はM2Oと並列接続、M31はM2Oと並列接続、M4
1はM2Oと並列接続、M51はM2Oと並列接続され
た状態と等価となり、その分だけ多くの電流が流れるの
で周波数特性の帯域が広がる。同一の電源電圧では制御
信号によシ帯域が変化するが、電源電圧の変化によって
も電流が変化し、帯域が変わる。The internal switch z1 of XI and Yl becomes conductive, and the MOS transistors Mll, M21, M31, M41, M5
1, a bias is applied to each gate. In this state, Mll is connected in parallel with MIO, M21
is connected in parallel with M2O, M31 is connected in parallel with M2O, M4
1 is equivalent to being connected in parallel with M2O, and M51 is equivalent to being connected in parallel with M2O, and since a correspondingly large amount of current flows, the band of frequency characteristics is expanded. With the same power supply voltage, the band changes depending on the control signal, but changes in the power supply voltage also change the current and change the band.
上記の動作を利用して8g2図のすべてのMOSトラン
ジスタのゲート長りおよびゲート幅Wを適切に選ぶこと
により、第6図のような周波数特性が91.現できる。By appropriately selecting the gate lengths and gate widths W of all the MOS transistors in Fig. 8g2 using the above operation, the frequency characteristics as shown in Fig. 6 can be changed to 91. can be expressed.
第6図では、Vop=5Vで制御信号が低レベルの状態
である時には、特性周波数が約IMHzの帯域をもつ特
性が得られ、VDD = 3 Vにした時に制御信号を
高レベルにすることによ)、特性周波数が約900kH
zの特性が具現でき、VDn=5V時で制御信号が低レ
ベル時の特性に近いものが得られる。In Figure 6, when Vop = 5V and the control signal is at a low level, a characteristic with a characteristic frequency band of approximately IMHz is obtained, and when VDD = 3V, the control signal is set to a high level. ), the characteristic frequency is approximately 900kHz
z characteristics can be realized, and when VDn=5V, characteristics close to those when the control signal is at a low level can be obtained.
さらに、本発明では前記の実施例のNchMOSトラン
ジスタをすべてPch MOS )ランジスタとし、
Pch MOS トランジスタをすべてNchMO8
)ランジスタとし、電源電圧VDDと接地との電圧関係
を逆にした回路構成においても同様な特性が得られる。Furthermore, in the present invention, all the Nch MOS transistors in the above embodiments are Pch MOS transistors,
All Pch MOS transistors are Nch MO8
) Similar characteristics can be obtained in a circuit configuration in which a transistor is used and the voltage relationship between the power supply voltage VDD and the ground is reversed.
以上説明したように本発明は、差kJJ増幅増幅段力出
力増幅段いは差動増幅段、出力増幅段、出力駆動段を有
する0MO8で構成された演算増幅器において、各MO
3)ランジスタのゲートをアナログ・スイッチを介して
並列接続した一組のトランジスタ・アレーを用い、アナ
ログ・スイッチの制御端子に印加する制御信号によって
、低電源電圧で周波数特性が良好でかつ、高電源電圧時
でも消費電力の少ない演算増幅器を実現できるという効
果がある。ことに、広範囲にわたる電源電圧での使用が
必要となる場合には、所望の周波数特性に対して最適な
消費電力を選択できるという効果がある。As explained above, the present invention provides an operational amplifier configured with 0MO8 having a differential kJJ amplification stage, a power output amplification stage, a differential amplification stage, an output amplification stage, and an output drive stage.
3) Using a set of transistor arrays in which the gates of transistors are connected in parallel through analog switches, the control signal applied to the control terminal of the analog switch provides good frequency characteristics at low power supply voltages and high power supply. This has the effect of realizing an operational amplifier with low power consumption even when voltage is being applied. Particularly, when it is necessary to use the power supply over a wide range of power supply voltages, it is possible to select the optimum power consumption for the desired frequency characteristics.
第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図、第2図は
本発明の第2の実施例を示す回路図、第3図は、第2図
の周波数特性を示す図、第4図および第5図は従来の回
路図、第6図は第4図あるいは第5図の回路での周波数
特性を示す図である。
AI 、Bl 、Xi 、Yl−−−−−−アナOl’
Xイyf、C1・・・・・・アナログスイッチの制御端
子sCC・・・・・・容量、Ml、M2.M11〜Mi
n、M21〜M2n。
M5.M6 、MIO、M2O、M2O、M41 、M
2O。
M51.M2O・・・・・・Nch MOS )ラン
ジスタ、M3゜M4 、M31〜M3n 、M7 、M
2O、M2O・・・・・・PchMO5)ランジスタ、
Nl、N2.Gl・・・・・・インバータ、01・・・
・・・アナログスイッチの出力、Pl〜Pn・・・・・
・外部制御端子、S、百・・・・−0MO8構成のスイ
ッチの制御端子、31.82・・・・・・スイッチ、Z
1. Z 2−−−−−−0MO8II成OXイッチ
、Il。
工2・・・・・・アナ京グスイ、チの入力、vDD・・
・・・・電源電圧端子、1.2・・・・・・演算増幅器
入力、3・・・・・・演算増幅器出力。
代理人 弁理士 内 原 晋
第1図
第6図FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the invention, and FIG. 3 is a diagram showing the frequency characteristics of FIG. 4 and 5 are conventional circuit diagrams, and FIG. 6 is a diagram showing the frequency characteristics of the circuit of FIG. 4 or 5. AI, Bl, Xi, Yl-----Ana Ol'
Xyyf, C1... Control terminal of analog switch sCC... Capacity, Ml, M2. M11~Mi
n, M21-M2n. M5. M6, MIO, M2O, M2O, M41, M
2O. M51. M2O...Nch MOS) transistor, M3゜M4, M31~M3n, M7, M
2O, M2O...PchMO5) transistor,
Nl, N2. Gl... Inverter, 01...
...Analog switch output, Pl~Pn...
・External control terminal, S, 100...-0 MO8 configuration switch control terminal, 31.82...Switch, Z
1. Z 2------0MO8II formation OX switch, Il. Engineering 2... Anakyo Gusui, chi input, vDD...
...Power supply voltage terminal, 1.2...Operation amplifier input, 3...Operation amplifier output. Agent: Susumu Uchihara, patent attorney Figure 1 Figure 6
Claims (1)
よび出力増幅段および出力駆動段からなるMOSトラン
ジスタで構成される演算増幅器において、前記差動増幅
段および出力増幅段もしくは出力駆動段で用いられる各
々のMOSトランジスタのすべて、あるいは一部のn個
のMOSトランジスタのゲートをn個のアナログ・スイ
ッチを介して並列接続し、また、前記MOSトランジス
タのn個のソースおよびドレイン接続した一組のブロッ
クとし、前記n個のアナログ・スイッチをn個の制御端
子により制御できることを特徴とした演算増幅器。In an operational amplifier composed of MOS transistors consisting of a differential amplification stage and an output amplification stage, or a differential amplification stage, an output amplification stage, and an output drive stage, the differential amplification stage and the output amplification stage or the output drive stage are used. The gates of all or some n MOS transistors are connected in parallel via n analog switches, and the n sources and drains of the MOS transistors are connected in parallel. An operational amplifier characterized in that it is a block and the n analog switches can be controlled by n control terminals.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275142A JPH01117405A (en) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | Operational amplifier |
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| JP62275142A JPH01117405A (en) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | Operational amplifier |
Publications (1)
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62275142A Pending JPH01117405A (en) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | Operational amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01117405A (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5210658A (en) * | 1975-07-14 | 1977-01-27 | Hitachi Ltd | Differential amplification circuit device |
| JPS6153809A (en) * | 1984-08-22 | 1986-03-17 | Sharp Corp | Differential amplifier circuit |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP62275142A patent/JPH01117405A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5210658A (en) * | 1975-07-14 | 1977-01-27 | Hitachi Ltd | Differential amplification circuit device |
| JPS6153809A (en) * | 1984-08-22 | 1986-03-17 | Sharp Corp | Differential amplifier circuit |
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