JPH01120012A - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
- Publication number
- JPH01120012A JPH01120012A JP62277632A JP27763287A JPH01120012A JP H01120012 A JPH01120012 A JP H01120012A JP 62277632 A JP62277632 A JP 62277632A JP 27763287 A JP27763287 A JP 27763287A JP H01120012 A JPH01120012 A JP H01120012A
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- JP
- Japan
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- layer
- semiconductor
- type
- compound semiconductor
- layers
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C49/00—Blow-moulding, i.e. blowing a preform or parison to a desired shape within a mould; Apparatus therefor
- B29C49/42—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C49/70—Removing or ejecting blown articles from the mould
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は化合物半導体装置に関し、特に半導体のＦＩＣ
Ｔやダイオードなどの電子デバイスあるいは半導体レー
ザ、受光素子、光導波路などの光デバイスを８１ 基体
上に構成しようとするものである。
Ｔやダイオードなどの電子デバイスあるいは半導体レー
ザ、受光素子、光導波路などの光デバイスを８１ 基体
上に構成しようとするものである。
従来の技術
従来の半導体電子デバイスはＳｉ単結晶基板上に構成さ
れ今や高密度、高集積な超ＬＳＩが実現できるところに
まで発展してきた。また、超高速動作の電子デバイスが
期待されているＧΔム＄を中心とする化合物半導体は結
晶の欠陥が多いことや、プロセス技術がＳｉはどに至っ
ていないことなどによシまだ高密度集積化や高品質なデ
バイスを大量忙供給できるところにまで至っていない。
れ今や高密度、高集積な超ＬＳＩが実現できるところに
まで発展してきた。また、超高速動作の電子デバイスが
期待されているＧΔム＄を中心とする化合物半導体は結
晶の欠陥が多いことや、プロセス技術がＳｉはどに至っ
ていないことなどによシまだ高密度集積化や高品質なデ
バイスを大量忙供給できるところにまで至っていない。
一方、半導体レーザを中心とする光デバイスにおいては
直接遷移型の半導体が必要とされＳｉは間接遷移型半導
体のため使用できない。ＧａＡｇやＩｎＰなどの化合物
半導体が一般に使用されるが電子デバイス同様に十分良
質な結晶基板が得られていない。
直接遷移型の半導体が必要とされＳｉは間接遷移型半導
体のため使用できない。ＧａＡｇやＩｎＰなどの化合物
半導体が一般に使用されるが電子デバイス同様に十分良
質な結晶基板が得られていない。
最近、Ｓｉの良質、安衛、大面積という特長とＧａＡｓ
のもつ高易動度、直接遷移という特長を合わせ持たそう
という目的でＳｉ上にＧａＡｓ層のエピタキシャル成長
が為されるようになってきた。
のもつ高易動度、直接遷移という特長を合わせ持たそう
という目的でＳｉ上にＧａＡｓ層のエピタキシャル成長
が為されるようになってきた。
発明が解決しようとする問題点
しかし、エピタキシャル成長は可能になってきているも
のの、成長層の割れ、はがれ、欠陥など多くの問題点を
含んでおシ、実用には至っていない。
のの、成長層の割れ、はがれ、欠陥など多くの問題点を
含んでおシ、実用には至っていない。
そこで本発明はＳｉ上に良質のｍ−ｖ族化合物半導体の
形成しようとするものであり、さらに、半導体レーザな
どの光デバイスとＳｉ のもつ特長を一体化デバイスと
して実現しようとするものである。
形成しようとするものであり、さらに、半導体レーザな
どの光デバイスとＳｉ のもつ特長を一体化デバイスと
して実現しようとするものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、Ｓｉ基体上への良質な■−マ族化合物半導体
層を得る方法として、Ｓｉ基体上にＩｎｚＧａ １−ｚ
Ｐ層を介在させることによシ結晶性の改善をはかったも
のである。特に、ＩｎＧａＡｓＰ、あるいはＡｌＧａＩ
ｎＰ化合物半導体は可視光の発光材料として有望であシ
、Ｓｉ基体上にＩｎｘＧａ１−ＸＰ層ヲＸを徐々に増加
させて成長させる。あるいは組成の異なるＩｎＧａＰの
層格子を成長させる。その上にＩｎＧａＡｓＰあるいは
ＩｎＧａＡｓＰの層を成長させる。
層を得る方法として、Ｓｉ基体上にＩｎｚＧａ １−ｚ
Ｐ層を介在させることによシ結晶性の改善をはかったも
のである。特に、ＩｎＧａＡｓＰ、あるいはＡｌＧａＩ
ｎＰ化合物半導体は可視光の発光材料として有望であシ
、Ｓｉ基体上にＩｎｘＧａ１−ＸＰ層ヲＸを徐々に増加
させて成長させる。あるいは組成の異なるＩｎＧａＰの
層格子を成長させる。その上にＩｎＧａＡｓＰあるいは
ＩｎＧａＡｓＰの層を成長させる。
この成長させた層を利用してデバイスを構成する。
デバイスとしては半導体レーザ、受光素子、光導波路な
どの光回路あるいは電気ＩＣ等である、さらに、光回路
はｍ−ｖ族化合物半導体成長層中に形成し、電子回路は
Ｓｉ基板中に形成することも可能である。
どの光回路あるいは電気ＩＣ等である、さらに、光回路
はｍ−ｖ族化合物半導体成長層中に形成し、電子回路は
Ｓｉ基板中に形成することも可能である。
作用
単結晶上に単結晶薄膜を結晶成長するときには表面状態
、熱膨張係数の差、格子整合、結晶格子形などの要因が
大きく作用する。特に、結晶格子型が一致しているとき
は格子定数の差が大きくエピタキシャル成長を左右し、
結晶性に大きな影響を及ぼす。そこで、本特許において
はＳｉ基体の格子定数に非常に近いＩｎｚＧａ １−ｚ
Ｐの（Ｘ Ｚ Ｏ）を最初の成長組成とし、漸時Ｉｎ組
成を増大していって所望の格子定数の組成まで変化させ
、その上にデバイス構成の良質組成膜を得られるという
作用効果をもつものである。さらに、一般的にはＳｉ上
に短波長発光素子を形成することは困難であり、ＧａＡ
ｓ／Ｓｉの結晶においても高効率の発光素子を得るとこ
ろにまでに至っていない。本特許においてはＧａＡｓ／
Ｓｉよりももっと小さい格子不整合で短波発光素子に必
要とされるＩｎＧａＡｓＰ 。
、熱膨張係数の差、格子整合、結晶格子形などの要因が
大きく作用する。特に、結晶格子型が一致しているとき
は格子定数の差が大きくエピタキシャル成長を左右し、
結晶性に大きな影響を及ぼす。そこで、本特許において
はＳｉ基体の格子定数に非常に近いＩｎｚＧａ １−ｚ
Ｐの（Ｘ Ｚ Ｏ）を最初の成長組成とし、漸時Ｉｎ組
成を増大していって所望の格子定数の組成まで変化させ
、その上にデバイス構成の良質組成膜を得られるという
作用効果をもつものである。さらに、一般的にはＳｉ上
に短波長発光素子を形成することは困難であり、ＧａＡ
ｓ／Ｓｉの結晶においても高効率の発光素子を得るとこ
ろにまでに至っていない。本特許においてはＧａＡｓ／
Ｓｉよりももっと小さい格子不整合で短波発光素子に必
要とされるＩｎＧａＡｓＰ 。
Ａ／ＧａＩｎＰ等の結晶成長を可能にするという作用効
果をもつものである。
果をもつものである。
実施例
第１−２第２図に本発明の実施列を示す。第１図はＳｉ
基板上に形成されたレーザの斜視図を示す。第２図は活
性領域を含む断面構造である。１はｎ−８ｉ基板であシ
、２はｎ −ＩｎｚＧａ １−ｘＰ層であり組成ＸはＳ
ｉ基板上にｘ＝０近くよシ順次増加するグレーデッドな
組成となっている。３はｎ−人／ｙＧａｚＩｎ（１−ｙ
−ｚ） Ｐ（バンドギャップＩＣ＋）層であり、４は活
性層であるム＃ｙＧａｚ Ｉｎ （＋−ｙ−ｚ ）Ｐ（
バンドギャップに２）層でＥ ＋ ＞ Ｅ ２ 、ある
いはＩｎｚＧａ １−ｘｐ層である。５はＰ −Ａ、５
ｙＧ！ＬｚＩｎ（１−ｙ−２）Ｐ層（バンドギャップＥ
３）でＥ３）４２である。６゜アはｎ型、ｐ型の埋込み
層でＡ、５ｙＧａｚＩｎ１−ｙ−ｚＰ層である。８およ
び９はｎ型、ｐ型の電極層である。
基板上に形成されたレーザの斜視図を示す。第２図は活
性領域を含む断面構造である。１はｎ−８ｉ基板であシ
、２はｎ −ＩｎｚＧａ １−ｘＰ層であり組成ＸはＳ
ｉ基板上にｘ＝０近くよシ順次増加するグレーデッドな
組成となっている。３はｎ−人／ｙＧａｚＩｎ（１−ｙ
−ｚ） Ｐ（バンドギャップＩＣ＋）層であり、４は活
性層であるム＃ｙＧａｚ Ｉｎ （＋−ｙ−ｚ ）Ｐ（
バンドギャップに２）層でＥ ＋ ＞ Ｅ ２ 、ある
いはＩｎｚＧａ １−ｘｐ層である。５はＰ −Ａ、５
ｙＧ！ＬｚＩｎ（１−ｙ−２）Ｐ層（バンドギャップＥ
３）でＥ３）４２である。６゜アはｎ型、ｐ型の埋込み
層でＡ、５ｙＧａｚＩｎ１−ｙ−ｚＰ層である。８およ
び９はｎ型、ｐ型の電極層である。
本埋込み型のレーザは８，９間に電流を通すことによっ
て活性層４で再結合され、層３，５，６゜７で光のとじ
込めが行なわれる。Ｓｉ上にＩｎｚＧａｌ−ｘＰ層をグ
レーデッドに格子定数を変化させることにより、クラッ
ド層３および活性層４と格子定数を一致させることがで
き、結晶性が良く、欠陥の少ないムβＧａＩｎＰ層を形
成することができる。
て活性層４で再結合され、層３，５，６゜７で光のとじ
込めが行なわれる。Ｓｉ上にＩｎｚＧａｌ−ｘＰ層をグ
レーデッドに格子定数を変化させることにより、クラッ
ド層３および活性層４と格子定数を一致させることがで
き、結晶性が良く、欠陥の少ないムβＧａＩｎＰ層を形
成することができる。
第３図に人１Ｐ−ＧＵＬＰ−ＩｎＰおよびＩｎＰ−Ｇａ
Ｐ−ＧａＡｓ−ＩｎＡｓ組成とバンドギャップの関係を
図示する。直線Ｈ−Ｂ−Ｃは格子定数の同じ組成を示す
。たとえば３．５の組成は人魚、４はＢ点あるいは０点
、６，７はＨ点の組成を示す。
Ｐ−ＧａＡｓ−ＩｎＡｓ組成とバンドギャップの関係を
図示する。直線Ｈ−Ｂ−Ｃは格子定数の同じ組成を示す
。たとえば３．５の組成は人魚、４はＢ点あるいは０点
、６，７はＨ点の組成を示す。
また、ＩｎＧａＡｓＰ系についても同様に良好な結晶成
長が行なえる。Ｃ−Ｇはやはり等格子定数線であるが、
第１図、第２図における活性領域３にＣ点組成を、３，
５，６．７のクラッドや埋込み層にＩｎＧａＰ、Ｇ点や
ＩｎＧａＡｓＰ Ｄ点あるいはム１ＧａｌｎＰのＢ点組
成などを使うことができる。
長が行なえる。Ｃ−Ｇはやはり等格子定数線であるが、
第１図、第２図における活性領域３にＣ点組成を、３，
５，６．７のクラッドや埋込み層にＩｎＧａＰ、Ｇ点や
ＩｎＧａＡｓＰ Ｄ点あるいはム１ＧａｌｎＰのＢ点組
成などを使うことができる。
このとき層３，５，６．７は同一組成である必要はなく
、活性領域３のバンドギャップより大きくとれば良いこ
とは言うまでもない。従ってＩｎＧａＡｓＰ系において
は３のクラッド層を必ずしも必要としない。このような
構成によって従来得られにくかった短波長（可視光）レ
ーザが８層基体上に構成することができる。また、本実
施例はレーザの場合を示したが面発光、あるいは端面発
光のＬＥＤであっても良い。
、活性領域３のバンドギャップより大きくとれば良いこ
とは言うまでもない。従ってＩｎＧａＡｓＰ系において
は３のクラッド層を必ずしも必要としない。このような
構成によって従来得られにくかった短波長（可視光）レ
ーザが８層基体上に構成することができる。また、本実
施例はレーザの場合を示したが面発光、あるいは端面発
光のＬＥＤであっても良い。
以上は第１図における２層をＩ ｎｚＧ ａ １−３Ｃ
Ｐ層のＸを順次増加させるグレーデツト層の場合につい
て述べたが、この第２層を第３図におけるＩｎＧａＰ（
Ｇ点）層を含む超格子によっても同様な効果を見いだす
ことができる。第１図における２層を、ＧａＰあるいは
ＩｎＧａＰ（Ｆ点組成）とＩｎＧａＰ（Ｂ点組成）をＳ
ｉ基板上に約６ｏλずつ交互に１０〜２０層形成する。
Ｐ層のＸを順次増加させるグレーデツト層の場合につい
て述べたが、この第２層を第３図におけるＩｎＧａＰ（
Ｇ点）層を含む超格子によっても同様な効果を見いだす
ことができる。第１図における２層を、ＧａＰあるいは
ＩｎＧａＰ（Ｆ点組成）とＩｎＧａＰ（Ｂ点組成）をＳ
ｉ基板上に約６ｏλずつ交互に１０〜２０層形成する。
この詔格子膜上に４，６層を形成し活性領域及びクラッ
ド層を形成し、前述同様に第１図のレーザを構成するこ
とが可能となる。
ド層を形成し、前述同様に第１図のレーザを構成するこ
とが可能となる。
Ｓｉ上にＩｎｘＧａ 、−ｘＰ層のグレーデツト層を形
成することによってＩｎＧａＡｓＰだけでな（、ＧａＡ
ＳＰ Ｓｂなども格子整合？とって成長させることが可
能であり、受光素子や、電子回路を形成することも可能
である。第４図は受光素子を構成した例である。
成することによってＩｎＧａＡｓＰだけでな（、ＧａＡ
ＳＰ Ｓｂなども格子整合？とって成長させることが可
能であり、受光素子や、電子回路を形成することも可能
である。第４図は受光素子を構成した例である。
Ｓｉ基本１上にｎ −ＩｎＧａＰのグレーデツド層２を
形成し、その上にｎ −ＩｎＧａＡｓ５Ｐあるいはｎ
−ＧａＡｓＳｂＰの層１０が形成される。さらに、バン
ドギャップの大きいＰ −ＩｎＧＢＡｓＰ層１１が形成
される。電極層１２ 、１３ｉ形成することにより、シ
ングルへテロ構造のＰＮあるいはＰＩＮ形の受光素子と
なる。
形成し、その上にｎ −ＩｎＧａＡｓ５Ｐあるいはｎ
−ＧａＡｓＳｂＰの層１０が形成される。さらに、バン
ドギャップの大きいＰ −ＩｎＧＢＡｓＰ層１１が形成
される。電極層１２ 、１３ｉ形成することにより、シ
ングルへテロ構造のＰＮあるいはＰＩＮ形の受光素子と
なる。
さらに、このようなＳｉ上へ■−■族化合物半導体の成
長によって、Ｓｉ層を拡散でＰ＃全形成し受光素子の受
光部分とすることも可能であり、■−ｖ族部で発生した
光のモニタ用受光部とすることもできる。Ｓｉ層中には
レーザやＩ、ＥＤの駆動回路、制御回路、あるいは信号
処理回路などの電子ＸＣを形成することもでき、ｍ−マ
族半導体層には光デバイスを中心とする光回路を形成し
、両者の特長を兼ね備えた光集積回路が可能となる。
長によって、Ｓｉ層を拡散でＰ＃全形成し受光素子の受
光部分とすることも可能であり、■−ｖ族部で発生した
光のモニタ用受光部とすることもできる。Ｓｉ層中には
レーザやＩ、ＥＤの駆動回路、制御回路、あるいは信号
処理回路などの電子ＸＣを形成することもでき、ｍ−マ
族半導体層には光デバイスを中心とする光回路を形成し
、両者の特長を兼ね備えた光集積回路が可能となる。
このＳｉ上への■−マ族の成長には１例としてＭＯ−Ｃ
ＶＤ法が使われる。ＩｎＧａＰ層の形成にはソース材料
として（ＣＨ５３５Ｉ ｎ 、 （ＣＨ５）５Ｇａ
あるいは（Ｃ２Ｈｓ ）５Ｉｎ 、 （Ｃ２Ｈｓ ）５
Ｇａなどの有機金属がＰのソース源としてはＰＨ４など
が使われる。
ＶＤ法が使われる。ＩｎＧａＰ層の形成にはソース材料
として（ＣＨ５３５Ｉ ｎ 、 （ＣＨ５）５Ｇａ
あるいは（Ｃ２Ｈｓ ）５Ｉｎ 、 （Ｃ２Ｈｓ ）５
Ｇａなどの有機金属がＰのソース源としてはＰＨ４など
が使われる。
７００ ”Ｑ〜９００’（：：に基板Ｓｉを置き、外部
よシ上記有機金属をＨ２をキャリアガスとして導入し、
ＩｎＧａＰ層を成長させる。このとき（ＣＩ（５）３Ｇ
’Ｌの量を徐々に増加させていくと、良質なＩｎＧａＰ
層が形成される。この上にさらに各種デバイス用の良
質な■−マ族混晶結晶が成長される。
よシ上記有機金属をＨ２をキャリアガスとして導入し、
ＩｎＧａＰ層を成長させる。このとき（ＣＩ（５）３Ｇ
’Ｌの量を徐々に増加させていくと、良質なＩｎＧａＰ
層が形成される。この上にさらに各種デバイス用の良
質な■−マ族混晶結晶が成長される。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、次の効果を得ることが
できる。
できる。
（１） Ｓｉ基体上にＩｎＧａＰ層のグレーデツト層
を形成することにより良質な■−ｖ族膜を得ることがで
きる。
を形成することにより良質な■−ｖ族膜を得ることがで
きる。
（２）光回路と電子回路を一体化することが可能である
。
。
（３）大面積が可能である。
（４）安価である。
などの効果を有す。
第１図は本発明の一実施例のレーザ構造の斜視図、第２
図は第１図のレーザの断面図、第３図は同レーザを構成
するＩｎＧａＡｇＰ 、 Ａ、ｊＧａＩｎＰの状態図、
第４図は本発明の他の実施例の受光素子の断面図である
。 １−・・−ｎ−５ｉ基板、２ ・−・−・ｎ −工ｎｘ
Ｇａ Ｉ −ｘｐ。 ３・・・・ｎ−人％ＧａｚＩｎ （＋ −ｙ −ｚ ）
Ｐ、 ４・・・・・活性層、６・・・・・Ｐ−ＡｄＧａ
ＩｎＰ層。
図は第１図のレーザの断面図、第３図は同レーザを構成
するＩｎＧａＡｇＰ 、 Ａ、ｊＧａＩｎＰの状態図、
第４図は本発明の他の実施例の受光素子の断面図である
。 １−・・−ｎ−５ｉ基板、２ ・−・−・ｎ −工ｎｘ
Ｇａ Ｉ −ｘｐ。 ３・・・・ｎ−人％ＧａｚＩｎ （＋ −ｙ −ｚ ）
Ｐ、 ４・・・・・活性層、６・・・・・Ｐ−ＡｄＧａ
ＩｎＰ層。
Claims (3)
- （１）Ｓｉ基体上にＩｎ＿ＸＧａ＿１＿−＿ｘＰ半導体
の組成ＸをＸ＝０近傍より徐々に増加するように変化さ
せた第１の半導体層を形成し、この第１の半導体層上に
III−Ｖ族化合物半導体の第２の半導体層を形成し、こ
の第２の半導体層に半導体デバイスを構成してなる化合
物半導体装置。 - （２）第２の半導体層に構成される半導体デバイスがＩ
ｎＧａＡｓＰあるいはＡｌＧａＩｎＰ層を発光領域とす
る活性領域を有する半導体レーザである特許請求の範囲
第１項に記載の化合物半導体装置。 - （３）Ｓｉ基体上に組成Ｘの異なるＩｎ＿ＸＧａ＿１＿
−＿ＸＰ半導体を交互にさらに多段に成長させた超格子
膜上にIII−Ｖ族化合物半導体デバイスを構成する特許
請求の範囲第１項記載の化合物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277632A JPH01120012A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277632A JPH01120012A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 化合物半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120012A true JPH01120012A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17586135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62277632A Pending JPH01120012A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120012A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0742622A3 (en) * | 1995-03-27 | 1997-02-19 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Laser diode |
| US9344200B2 (en) | 2014-10-08 | 2016-05-17 | International Business Machines Corporation | Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth |
| US9395489B2 (en) | 2014-10-08 | 2016-07-19 | International Business Machines Corporation | Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material |
| US9595805B2 (en) | 2014-09-22 | 2017-03-14 | International Business Machines Corporation | III-V photonic integrated circuits on silicon substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5753928A (en) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | Compound semiconductor device |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP62277632A patent/JPH01120012A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5753928A (en) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | Compound semiconductor device |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0742622A3 (en) * | 1995-03-27 | 1997-02-19 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Laser diode |
| US9595805B2 (en) | 2014-09-22 | 2017-03-14 | International Business Machines Corporation | III-V photonic integrated circuits on silicon substrate |
| US10439356B2 (en) | 2014-09-22 | 2019-10-08 | International Business Machines Corporation | III-V photonic integrated circuits on silicon substrate |
| US10756506B2 (en) | 2014-09-22 | 2020-08-25 | International Business Machines Corporation | III-V photonic integrated circuits on silicon substrate |
| US9344200B2 (en) | 2014-10-08 | 2016-05-17 | International Business Machines Corporation | Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth |
| US9395489B2 (en) | 2014-10-08 | 2016-07-19 | International Business Machines Corporation | Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material |
| US9590393B2 (en) | 2014-10-08 | 2017-03-07 | International Business Machines Corporation | Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth |
| US9726819B2 (en) | 2014-10-08 | 2017-08-08 | International Business Machines Corporation | Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth |
| US9864135B2 (en) | 2014-10-08 | 2018-01-09 | International Business Machines Corporation | Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material |
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