JPH01120020A - Ｘ線転写装置 - Google Patents
Ｘ線転写装置Info
- Publication number
- JPH01120020A JPH01120020A JP62275800A JP27580087A JPH01120020A JP H01120020 A JPH01120020 A JP H01120020A JP 62275800 A JP62275800 A JP 62275800A JP 27580087 A JP27580087 A JP 27580087A JP H01120020 A JPH01120020 A JP H01120020A
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- JP
- Japan
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- ray
- soft
- temperature
- mask
- wafer
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、軟Ｘ線を用いてマスクに形成された微細なパ
ターンをウェハに転写するＸ線転写装置に関するもので
ある。
ターンをウェハに転写するＸ線転写装置に関するもので
ある。
従来のＸ線転写装置としては、第２図に示すように、軟
Ｘ線発生装置１のＸ線取出し窓８側に、内部にｘｌｓ透
過率が大気に比べて十分高い気体（例えば、ヘリウムガ
ス）を満たした雰囲気チャンバ２を接続し、この雰囲気
チャンバ２のＸ線取出し窓８と対向する一端面に形成さ
れた穴を扱うように、所要のパターンを形成したマスク
３を取付け、雰囲気チャンバ２外でマスク３と微小すき
まを隔てて対向するようにクエハ４を保持し移動させる
ステージ５と、雰囲気チャンバ２内でマスク３と−ウェ
ハ４の位置合せを行なう観察光学系９とを設け、大気中
にウェハ４を置いて露光するようにしたものがある。こ
こで、軟Ｘ線発生装置１は多量の熱を発生するため、そ
のターゲット６および真空容器７に冷却水を循環させる
ことによυ冷却している。
Ｘ線発生装置１のＸ線取出し窓８側に、内部にｘｌｓ透
過率が大気に比べて十分高い気体（例えば、ヘリウムガ
ス）を満たした雰囲気チャンバ２を接続し、この雰囲気
チャンバ２のＸ線取出し窓８と対向する一端面に形成さ
れた穴を扱うように、所要のパターンを形成したマスク
３を取付け、雰囲気チャンバ２外でマスク３と微小すき
まを隔てて対向するようにクエハ４を保持し移動させる
ステージ５と、雰囲気チャンバ２内でマスク３と−ウェ
ハ４の位置合せを行なう観察光学系９とを設け、大気中
にウェハ４を置いて露光するようにしたものがある。こ
こで、軟Ｘ線発生装置１は多量の熱を発生するため、そ
のターゲット６および真空容器７に冷却水を循環させる
ことによυ冷却している。
この種のＸ線転写装置に関する公知文献としては、特開
昭５７−１６９２４２号が挙げられる。
昭５７−１６９２４２号が挙げられる。
上記従来技術では、軟Ｘ線発生装置１の温度制御につい
て配慮されておらず、軟Ｘ線を発生させていないときに
は冷却水によシ装置温度が低下し、軟Ｘ線発生時には徐
々に装置温度が上昇する。それに伴い、軟Ｘ線発生装置
１に隣接する雰囲気チャンバ２の温度も変化するため、
内部に設置した観察光学系９に熱変形を生じて、マスク
３とウェハ４の位置合せ精度が低下し、また雰囲気チャ
ンバ２とステージ５とを連結している架台（図示せず）
＆Ｃ熱変形を生じて、マスク３とウェノ・４の間隔に誤
差を生じることになる。これらの現象は、マスクとウェ
ハの相対的な位置決めに超高精度が要求されるＸ＠露光
においては、重大な障害となる。
て配慮されておらず、軟Ｘ線を発生させていないときに
は冷却水によシ装置温度が低下し、軟Ｘ線発生時には徐
々に装置温度が上昇する。それに伴い、軟Ｘ線発生装置
１に隣接する雰囲気チャンバ２の温度も変化するため、
内部に設置した観察光学系９に熱変形を生じて、マスク
３とウェハ４の位置合せ精度が低下し、また雰囲気チャ
ンバ２とステージ５とを連結している架台（図示せず）
＆Ｃ熱変形を生じて、マスク３とウェノ・４の間隔に誤
差を生じることになる。これらの現象は、マスクとウェ
ハの相対的な位置決めに超高精度が要求されるＸ＠露光
においては、重大な障害となる。
本発明の目的は、上記した観察光学系や架台の熱変形を
もたらす雰囲気チャンバの温度変化を抑制することによ
シ、マスクとクエハの位置合せ精度を向上させ、かつ間
隔誤差を極小とすることを可能としたＸ線転写装置を提
供することにある。
もたらす雰囲気チャンバの温度変化を抑制することによ
シ、マスクとクエハの位置合せ精度を向上させ、かつ間
隔誤差を極小とすることを可能としたＸ線転写装置を提
供することにある。
上記目的は、軟Ｘ線発生装置と雰囲気チャンバとの間に
Ｘ線照射用窓を有する温度制御板を設け、恒温水循環装
置によシ一定温度に制御された恒温水を上記温度制御板
の内部水路に循環させることによシ達成される。
Ｘ線照射用窓を有する温度制御板を設け、恒温水循環装
置によシ一定温度に制御された恒温水を上記温度制御板
の内部水路に循環させることによシ達成される。
温度制御板の温度は、恒温水を循環させることによシ、
はぼ一定の温度に保たれる。Ｘ線発生・停止に伴い軟Ｘ
線発生装置の温度が変化しても、中間にほぼ一定の温度
に保たれた温度制御板があるため、雰囲気チャンバの温
度はほとんど変化せず、したがって雰囲気チャンバの内
部に設置された観察用光学系や雰囲気チャンバとステー
ジとを連結する架台に熱変形を生じることを防止できる
。
はぼ一定の温度に保たれる。Ｘ線発生・停止に伴い軟Ｘ
線発生装置の温度が変化しても、中間にほぼ一定の温度
に保たれた温度制御板があるため、雰囲気チャンバの温
度はほとんど変化せず、したがって雰囲気チャンバの内
部に設置された観察用光学系や雰囲気チャンバとステー
ジとを連結する架台に熱変形を生じることを防止できる
。
その結果、マスクとウェハの位置合せ精度が向上し、間
隔誤差もＸ線露光の障害とならない程度に小さくするこ
とができる。
隔誤差もＸ線露光の障害とならない程度に小さくするこ
とができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
軟Ｘ線発生装置１、雰囲気チャンバ２、ステージ５につ
いては第２図と同等であり、雰囲気チャンバ２の内部に
設置した観察光学系９により、雰囲気チャンバ２の一端
に取付けたマスク３とこれに対向させてステージ５上に
設置したウェハ４の位置合せをし、雰囲気チャンバ２の
内部に満たしたヘリウムガス等のＸ線透過率の高い気体
を通してＸ線露光を行ない、マスク３に形成されたパタ
ーンをウェハ４に転写する構成となっている。軟Ｘ線発
生装置１は、発生熱量が大きいので、ターゲット６およ
び真空容器７に冷却水を循環させて冷却しているが、軟
Ｘ＠を発生させていないときは冷却水により装置温度が
低下し、軟Ｘ線発生時には徐々に装置温度が上昇する。
いては第２図と同等であり、雰囲気チャンバ２の内部に
設置した観察光学系９により、雰囲気チャンバ２の一端
に取付けたマスク３とこれに対向させてステージ５上に
設置したウェハ４の位置合せをし、雰囲気チャンバ２の
内部に満たしたヘリウムガス等のＸ線透過率の高い気体
を通してＸ線露光を行ない、マスク３に形成されたパタ
ーンをウェハ４に転写する構成となっている。軟Ｘ線発
生装置１は、発生熱量が大きいので、ターゲット６およ
び真空容器７に冷却水を循環させて冷却しているが、軟
Ｘ＠を発生させていないときは冷却水により装置温度が
低下し、軟Ｘ線発生時には徐々に装置温度が上昇する。
そこで本実施例では、第２図に示す従来例のように軟Ｘ
線発生装置１に雰囲気チャンバ２を直接接続しないで、
軟Ｘ線発生装置１のＸ線取出し窓８側に断熱材１０を介
して＠度制御板１１を取付け、温度制御板１１の内部に
設けた水路１２を恒温水循環装置ＩＬ１４に接続し、一
定温度に制御された恒温水を水路１２に循環させる。そ
して、温度制御板１１の下面に雰囲気チャンバ２を接続
し、温度制御板１１の中央部に設けた窓１ｓｔ−通して
軟Ｘ線をチャンバ２内に照射する。
線発生装置１に雰囲気チャンバ２を直接接続しないで、
軟Ｘ線発生装置１のＸ線取出し窓８側に断熱材１０を介
して＠度制御板１１を取付け、温度制御板１１の内部に
設けた水路１２を恒温水循環装置ＩＬ１４に接続し、一
定温度に制御された恒温水を水路１２に循環させる。そ
して、温度制御板１１の下面に雰囲気チャンバ２を接続
し、温度制御板１１の中央部に設けた窓１ｓｔ−通して
軟Ｘ線をチャンバ２内に照射する。
上記構成によれば、軟Ｘ線発生装置１の温度が変化して
も、温度制御板１１は恒温水の循環によりほぼ一定の温
度に保たれるから、その下に位置する雰囲気チャンバ２
の温度変化はほとんどなく、雰囲気チャンバ２の温度変
化による観察光学系９や雰囲気チャンバ２とステージ５
とを連結している架台（図示せず）の熱変形を防止でき
るので、軟Ｘ線発生時に軟Ｘ線発生装置１の温度が上昇
しても、マスク３とウェハ４の位置合せ誤差や間隔誤差
を生じることはほとんどない。
も、温度制御板１１は恒温水の循環によりほぼ一定の温
度に保たれるから、その下に位置する雰囲気チャンバ２
の温度変化はほとんどなく、雰囲気チャンバ２の温度変
化による観察光学系９や雰囲気チャンバ２とステージ５
とを連結している架台（図示せず）の熱変形を防止でき
るので、軟Ｘ線発生時に軟Ｘ線発生装置１の温度が上昇
しても、マスク３とウェハ４の位置合せ誤差や間隔誤差
を生じることはほとんどない。
また、温度制御板１１は軟Ｘ線発生装置１に断熱して取
付けであるので、その温度制御に必要なエネルギーは軟
Ｘ線発生装置１を冷却するエネルギーに比べて小さく、
軟Ｘ線発生装置１を恒温水循環装置によ）直接温度制御
するよシも、恒温水循環装置が小形のもので足シるので
、経済的であシ、また温度制御の精度も向上する。
付けであるので、その温度制御に必要なエネルギーは軟
Ｘ線発生装置１を冷却するエネルギーに比べて小さく、
軟Ｘ線発生装置１を恒温水循環装置によ）直接温度制御
するよシも、恒温水循環装置が小形のもので足シるので
、経済的であシ、また温度制御の精度も向上する。
本発明によれば、Ｘ線発生・停止に伴い軟Ｘ線発生装置
の温度が変化しても、雰囲気チャンバの内部に設置した
観察光学系や雰囲気チャンバとステージとを連結する架
台等の熱変形を防止できるので、マスクとウェハの位置
合せ精度を向上させ、また間隔誤差を極小とすることが
できるという効果がある。
の温度が変化しても、雰囲気チャンバの内部に設置した
観察光学系や雰囲気チャンバとステージとを連結する架
台等の熱変形を防止できるので、マスクとウェハの位置
合せ精度を向上させ、また間隔誤差を極小とすることが
できるという効果がある。
第１図は本発明によるＸ線転写装置の一実施例を示す断
面図、第２図は従来のＸ線転写装置を示す断面図である
。 １・・・軟Ｘ線発生装置 ２・・・雰囲気チャンバ ３・・・マスク ４・・・ウェハ ５・・・ステージ ８・・・Ｘ線取出し窓 ９・・・観察光学系 １１・・・温度制御板 １２・・・内部水路 １５・・・Ｘ線照射用窓 １４・・・恒温水循環装置。
面図、第２図は従来のＸ線転写装置を示す断面図である
。 １・・・軟Ｘ線発生装置 ２・・・雰囲気チャンバ ３・・・マスク ４・・・ウェハ ５・・・ステージ ８・・・Ｘ線取出し窓 ９・・・観察光学系 １１・・・温度制御板 １２・・・内部水路 １５・・・Ｘ線照射用窓 １４・・・恒温水循環装置。
Claims (1)
- １、軟Ｘ線を用いてマスクに形成されたパターンをウェ
ハに転写するＸ線転写装置において、軟Ｘ線発生装置と
、上記軟Ｘ線発生装置のＸ線取出し窓側に隣接して配置
され、Ｘ線照射用窓を有する温度制御板と、上記温度制
御板に接続され、内部にＸ線透過率の高い気体を満たし
、かつ一端にマスクが取付けられる雰囲気チャンバと、
上記マスクに微小すきまを隔てて対向するようにウェハ
を保持するステージと、上記雰囲気チャンバ内に設置さ
れ、マスクとウェハの位置合せを行なう観察光学系と、
上記温度制御板の内部水路に接続された恒温水循環装置
とを備え、上記温度制御板の温度を上記恒温水循環装置
によりほぼ一定の温度に保つようにしたことを特徴とす
るＸ線転写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275800A JPH01120020A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | Ｘ線転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275800A JPH01120020A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | Ｘ線転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120020A true JPH01120020A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17560583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62275800A Pending JPH01120020A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | Ｘ線転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120020A (ja) |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP62275800A patent/JPH01120020A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050524 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051018 |