JPH0521332B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0521332B2 JPH0521332B2 JP60029458A JP2945885A JPH0521332B2 JP H0521332 B2 JPH0521332 B2 JP H0521332B2 JP 60029458 A JP60029458 A JP 60029458A JP 2945885 A JP2945885 A JP 2945885A JP H0521332 B2 JPH0521332 B2 JP H0521332B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- cooling plate
- temperature
- exposure apparatus
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、露光室が減圧雰囲気とされた露光装
置に関し、特にマスクを真空中で効果的に冷却す
るこてが可能な露光装置に関する。
置に関し、特にマスクを真空中で効果的に冷却す
るこてが可能な露光装置に関する。
［従来の技術］
最近のICパターン等の微細化に伴なうリソグ
ラフイーの重要な問題の一つに位置合わせズレが
挙げられる。
ラフイーの重要な問題の一つに位置合わせズレが
挙げられる。
位置合わせズレは、通常、並進モード、回転モ
ード及び伸縮モードに分解する事ができる。この
うち並進モードと回転モードは位置合わせ時に修
正が可能である。しかし、伸縮モードについては
位置合わせだけでは修正が困難である。
ード及び伸縮モードに分解する事ができる。この
うち並進モードと回転モードは位置合わせ時に修
正が可能である。しかし、伸縮モードについては
位置合わせだけでは修正が困難である。
この伸縮モードの位置合わせズレが発生する原
因の一つとして、露光時にマスクに照射される露
光ビーム例えばＸ線がマスクの温度を上昇させて
位置合わせ時と露光時とで温度差を生じる事に伴
なうマスクの熱膨張による伸縮が考えられる。
因の一つとして、露光時にマスクに照射される露
光ビーム例えばＸ線がマスクの温度を上昇させて
位置合わせ時と露光時とで温度差を生じる事に伴
なうマスクの熱膨張による伸縮が考えられる。
この露光時におけるマスクの温度上昇を軽減す
るために、従来の露光装置については、マスク表
面上に冷却したヘリウムを流す事が提案されてい
る〔ジヤーナル オブ バキユーム サイエンス
1983年第４号（Journal of Vacum Science
Technology Ｂ(1)４ Oct−Dec.1352、1983）〕。
しかし、ウエハに照射されるＸ線量を増加するた
めに露光室を真空排気されるＸ線露光装置では、
ヘリウムを流す事によつてマスクを冷却する方法
を採用する事は不可能である。
るために、従来の露光装置については、マスク表
面上に冷却したヘリウムを流す事が提案されてい
る〔ジヤーナル オブ バキユーム サイエンス
1983年第４号（Journal of Vacum Science
Technology Ｂ(1)４ Oct−Dec.1352、1983）〕。
しかし、ウエハに照射されるＸ線量を増加するた
めに露光室を真空排気されるＸ線露光装置では、
ヘリウムを流す事によつてマスクを冷却する方法
を採用する事は不可能である。
［発明の目的］
本発明は、減圧雰囲気とされた露光室内のマス
クの温度上昇を軽減させかつその温調する事を目
的とするものである。
クの温度上昇を軽減させかつその温調する事を目
的とするものである。
［実施例の説明］
以下実施例に基づいて本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例に係るＸ線露光装
置の構成を示す。この装置は、真空排気された露
光室内に、露光時のマスクの温度上昇を軽減し、
かつ温調する事を目的とした冷却装置を具備して
いる。同図において、１はマスク、２はウエハ、
３はステージ、４は冷却板、５Ａは冷却板４を冷
却する冷却流体の導入管、５Ｂはその冷却流体の
引き出し管、，６はＸ線源から発生し、拡がり角
を制限されたＸ線である。
置の構成を示す。この装置は、真空排気された露
光室内に、露光時のマスクの温度上昇を軽減し、
かつ温調する事を目的とした冷却装置を具備して
いる。同図において、１はマスク、２はウエハ、
３はステージ、４は冷却板、５Ａは冷却板４を冷
却する冷却流体の導入管、５Ｂはその冷却流体の
引き出し管、，６はＸ線源から発生し、拡がり角
を制限されたＸ線である。
第１図の装置においては、露光時、ステージ３
上にウエハ２が装着されていてウエハ２上に所定
の間隔をもつてマスク１が保持されている。そし
て、マスク１の上方に位置合わせ時のマスク温度
T1より低い温度T2に保たれている冷却板４が設
置されている。この冷却板４は、その中に流体が
循環できる管が埋め込まれていて冷却流体導入管
５Ａから温度T2の冷却流体が冷却板４の中を循
環し、冷却板４の温度をT2にして冷却流体取り
出し管５Ｂから出ていく。また、冷却板４の中央
には照射用のＸ線６をさえぎらない程度の穴７が
あけられている。Ｘ線６がマスク１に照射される
とマスク１はＸ線６のエネルギーを吸収し、その
エネルギーが熱となり、マスク１の温度が上昇す
る。それと同時に、真空排気された露光室中で
は、マスク１の熱は、２つの伝熱方法によつてマ
スク１外に伝熱される。１つはマスクを保持する
部材に伝熱する伝導伝熱であり、もう１つはマス
クを囲む物体に放射される輻射伝熱である。マス
ク１の温度上昇を軽減するにはこのマスク１外に
伝熱される熱を多くする事が必要である。ここで
は、上述の様に冷却板４をマスク１上方に設置す
る事により、輻射伝熱量を増加する事ができる事
になり、マスク１の温度上昇を軽減する事ができ
る。また、冷却流体の温度を変える事によりマス
ク１の温度調節を行なう事も可能である。
上にウエハ２が装着されていてウエハ２上に所定
の間隔をもつてマスク１が保持されている。そし
て、マスク１の上方に位置合わせ時のマスク温度
T1より低い温度T2に保たれている冷却板４が設
置されている。この冷却板４は、その中に流体が
循環できる管が埋め込まれていて冷却流体導入管
５Ａから温度T2の冷却流体が冷却板４の中を循
環し、冷却板４の温度をT2にして冷却流体取り
出し管５Ｂから出ていく。また、冷却板４の中央
には照射用のＸ線６をさえぎらない程度の穴７が
あけられている。Ｘ線６がマスク１に照射される
とマスク１はＸ線６のエネルギーを吸収し、その
エネルギーが熱となり、マスク１の温度が上昇す
る。それと同時に、真空排気された露光室中で
は、マスク１の熱は、２つの伝熱方法によつてマ
スク１外に伝熱される。１つはマスクを保持する
部材に伝熱する伝導伝熱であり、もう１つはマス
クを囲む物体に放射される輻射伝熱である。マス
ク１の温度上昇を軽減するにはこのマスク１外に
伝熱される熱を多くする事が必要である。ここで
は、上述の様に冷却板４をマスク１上方に設置す
る事により、輻射伝熱量を増加する事ができる事
になり、マスク１の温度上昇を軽減する事ができ
る。また、冷却流体の温度を変える事によりマス
ク１の温度調節を行なう事も可能である。
なお、上記実施例の冷却板において、マスク側
の面の材質をセラミツクスのような輻射率の高い
ものとする事によつて更に輻射伝熱量を増やすこ
とができ、これにより、マスクの温度上昇がより
軽減され、マスクの温度調節のレスポンスもよく
なる。
の面の材質をセラミツクスのような輻射率の高い
ものとする事によつて更に輻射伝熱量を増やすこ
とができ、これにより、マスクの温度上昇がより
軽減され、マスクの温度調節のレスポンスもよく
なる。
また上記実施例では冷却流体の温度を調節し
て、マスクの温調をしていたが、冷却板の温度が
一定でもマスクと冷却板の輻射伝熱量は距離に反
比例するから、マスクと冷却板の距離を可変にす
る事によりマスクの温度調節を行なうことも可能
である。
て、マスクの温調をしていたが、冷却板の温度が
一定でもマスクと冷却板の輻射伝熱量は距離に反
比例するから、マスクと冷却板の距離を可変にす
る事によりマスクの温度調節を行なうことも可能
である。
また、上記実施例においては、Ｘ線露光装置に
本発明を適用した例ついて説明したが、本発明は
他のビーム例えば可視、紫外もしくは遠紫外等の
光線、または電子線等の粒子線等を用いる露光装
置についても適用可能であることは勿論である。
本発明を適用した例ついて説明したが、本発明は
他のビーム例えば可視、紫外もしくは遠紫外等の
光線、または電子線等の粒子線等を用いる露光装
置についても適用可能であることは勿論である。
また、上記実施例においては、ビームを遮らな
い様に冷却板４の中央に穴７を設けているが、使
用するビームに対して透過性の冷却板の場合、こ
の穴７は設けなくてもよい。
い様に冷却板４の中央に穴７を設けているが、使
用するビームに対して透過性の冷却板の場合、こ
の穴７は設けなくてもよい。
［効果の説明］
以上説明したように本発明によると、減圧雰囲
気とされた露光室内においてマスク線源側に冷却
板を設置しているため、ビーム露光時のマスクの
温度上昇が軽減され、かつマスクの温度調節が可
能となつた。
気とされた露光室内においてマスク線源側に冷却
板を設置しているため、ビーム露光時のマスクの
温度上昇が軽減され、かつマスクの温度調節が可
能となつた。
第１図は、本発明の一実施例に係るＸ線露光装
置の概略の構成図である。 １……マスク、２……ウエハ、３……ステー
ジ、４……冷却板、５Ａ……冷却流体導入管、５
Ｂ……冷却流体取り出し管、６……Ｘ線、７……
穴。
置の概略の構成図である。 １……マスク、２……ウエハ、３……ステー
ジ、４……冷却板、５Ａ……冷却流体導入管、５
Ｂ……冷却流体取り出し管、６……Ｘ線、７……
穴。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 減圧雰囲気とされた露光室内にマスクとウエ
ハとを対向配置し、マスク側に配置された線源か
らのビームによりマスク上のパターン像をウエハ
上に転写する露光装置において、冷却板をマスク
に対向して線源側に配置した事を特徴とする露光
装置。 ２ 前記冷却板は、前記ビームを妨害しないため
の開口部を有するとともに、冷却流体を循環させ
るための管が埋め込まれている特許請求の範囲第
１項記載の露光装置。 ３ 前記冷却板とマスクとの間隔が可変である特
許請求の範囲第１または２項記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029458A JPS61189637A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029458A JPS61189637A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61189637A JPS61189637A (ja) | 1986-08-23 |
| JPH0521332B2 true JPH0521332B2 (ja) | 1993-03-24 |
Family
ID=12276657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60029458A Granted JPS61189637A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61189637A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7102763B2 (en) | 2000-07-08 | 2006-09-05 | Semitool, Inc. | Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology |
| US7264698B2 (en) | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| US7399713B2 (en) | 1998-03-13 | 2008-07-15 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectric workpiece surfaces |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2673517B2 (ja) * | 1987-06-15 | 1997-11-05 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP4088728B2 (ja) * | 1998-07-09 | 2008-05-21 | 株式会社ニコン | 平面モータ装置、駆動装置及び露光装置 |
| JP4745556B2 (ja) | 2001-08-20 | 2011-08-10 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP60029458A patent/JPS61189637A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7399713B2 (en) | 1998-03-13 | 2008-07-15 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectric workpiece surfaces |
| US7264698B2 (en) | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| US7102763B2 (en) | 2000-07-08 | 2006-09-05 | Semitool, Inc. | Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61189637A (ja) | 1986-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |