JPH01120021A - マスク冷却装置 - Google Patents
マスク冷却装置Info
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- JPH01120021A JPH01120021A JP62277839A JP27783987A JPH01120021A JP H01120021 A JPH01120021 A JP H01120021A JP 62277839 A JP62277839 A JP 62277839A JP 27783987 A JP27783987 A JP 27783987A JP H01120021 A JPH01120021 A JP H01120021A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｘ線を用いて半導体ウェハ上にマスクパターンに対応し
たパターンを形成する半導体製造装置に関し、 Ｘ線の熱によって衝撃を受は易いマスクを冷却してその
衝撃を極力少なくすることを目的とし、マスクチャック
部又はマスクリングに測温体を設ける一方、マスクリン
グにペルチェ素子を設け、かつ、該測温体で検出された
マスクチャック部又はマスクリングの基準温度に対する
温度上昇分に対応した電流を上記ペルチェ素子に流す回
路を設けた構成とする。
たパターンを形成する半導体製造装置に関し、 Ｘ線の熱によって衝撃を受は易いマスクを冷却してその
衝撃を極力少なくすることを目的とし、マスクチャック
部又はマスクリングに測温体を設ける一方、マスクリン
グにペルチェ素子を設け、かつ、該測温体で検出された
マスクチャック部又はマスクリングの基準温度に対する
温度上昇分に対応した電流を上記ペルチェ素子に流す回
路を設けた構成とする。
本発明は、Ｘ線を用いて半導体ウェハ上にマスクパター
ンに対応したパターンを形成する半導体製造装置に関す
る。
ンに対応したパターンを形成する半導体製造装置に関す
る。
このようなＸ線を用いた製″＃ｉ装置では、Ｘ線照射に
よるその熱によってマスクが衝撃を受は易く、所定のマ
スクパターンを維持できなくなる。これは、Ｘ線の出力
が大きい程その衝撃も大になる。
よるその熱によってマスクが衝撃を受は易く、所定のマ
スクパターンを維持できなくなる。これは、Ｘ線の出力
が大きい程その衝撃も大になる。
そこで、マスクの受ける衝撃を極力少なくする手段が必
要である。
要である。
第４図は従来装置の一例のマスクチャック部及びマスク
リングの構成図を示す。同図（Ａ＞はマスクチャック部
及びマスクリング全体の正面図、同図（Ｂ）はマスクチ
ャック部の底面図、同図（Ｃ）及び同図（Ｄ）は夫々マ
スクリング及びマスクメンブレンの平面図及びその断面
図である。
リングの構成図を示す。同図（Ａ＞はマスクチャック部
及びマスクリング全体の正面図、同図（Ｂ）はマスクチ
ャック部の底面図、同図（Ｃ）及び同図（Ｄ）は夫々マ
スクリング及びマスクメンブレンの平面図及びその断面
図である。
同図（Ａ）中、１はマスクチャック部で、支持部材２に
取付けられている。マスクチャック部１は、同図（８）
に示す如く、ローダの動作により、位置決め用ノツチ３
にて支持部材２に位置決めされており、その底面に同心
円状に真空吸着溝４が設けられている。なお、２ａは支
持部材２に設けられているＸ線照射窓である。
取付けられている。マスクチャック部１は、同図（８）
に示す如く、ローダの動作により、位置決め用ノツチ３
にて支持部材２に位置決めされており、その底面に同心
円状に真空吸着溝４が設けられている。なお、２ａは支
持部材２に設けられているＸ線照射窓である。
同図（Ａ）中、５はマスクリングで、マスクチャック部
１の底面に真空吸着されており、同図（Ｃ）、（Ｄ）に
示す如く、リング内側にはマスクメンブレン６が取付け
られている。なお、６ａはマスクパターンである。同図
（Ａ）に示すように組立てられたマスクチャック部及び
マスクリングは筐体（図示せず）内の上部に取付けられ
、−方、筐体内の下部にはマスクメンブレン６に対向し
た位置に半導体ウェハ（図示せず）が設置されており、
上方からＸ線をマスクメンブレン６を介して半導体ウェ
ハに照射して、そこに所定パターンを形成する。
１の底面に真空吸着されており、同図（Ｃ）、（Ｄ）に
示す如く、リング内側にはマスクメンブレン６が取付け
られている。なお、６ａはマスクパターンである。同図
（Ａ）に示すように組立てられたマスクチャック部及び
マスクリングは筐体（図示せず）内の上部に取付けられ
、−方、筐体内の下部にはマスクメンブレン６に対向し
た位置に半導体ウェハ（図示せず）が設置されており、
上方からＸ線をマスクメンブレン６を介して半導体ウェ
ハに照射して、そこに所定パターンを形成する。
前述のように、マスクメンブレン６はＸ線の照射熱によ
って衝撃を受は易いが、第４図に示す従来装置はその対
策が施こされていない。従って、マスクパターン６ａは
所定の形状を維持できなくなり、その結果、半導体ウェ
ハに正確なパターンを形成し得ない問題点があった。
って衝撃を受は易いが、第４図に示す従来装置はその対
策が施こされていない。従って、マスクパターン６ａは
所定の形状を維持できなくなり、その結果、半導体ウェ
ハに正確なパターンを形成し得ない問題点があった。
本発明は、Ｘ線の熱によって衝撃を受は易いマスクを冷
却してその衝撃を極力少なくし得る半導体装置製造装置
のマスク冷却装置を提供することを目的とする。
却してその衝撃を極力少なくし得る半導体装置製造装置
のマスク冷却装置を提供することを目的とする。
測温体（抵抗測温体）はマスクチャック部又はマスクリ
ングに設けられており、ペルチェ素子はマスクリングに
設けられている。又、上記測温体で検出されたマスクチ
ャック部又はマスクリングの基準温度に対する温度上昇
分に対応゛した電流を上記ペルチェ素子に流す回路を設
けてなる。
ングに設けられており、ペルチェ素子はマスクリングに
設けられている。又、上記測温体で検出されたマスクチ
ャック部又はマスクリングの基準温度に対する温度上昇
分に対応゛した電流を上記ペルチェ素子に流す回路を設
けてなる。
測温体にてマスクリング又はマスクチャック部の温度上
昇が検出され、回路にて温度変動分に対応した電圧が得
られて電流制御がなされ、ペルチェ素子に供給される。
昇が検出され、回路にて温度変動分に対応した電圧が得
られて電流制御がなされ、ペルチェ素子に供給される。
ペルチェ素子は測温体にて検出されたマスクリング又は
マスクチャック部の温度上昇分に応じた電流を流され、
マスクリングにおける熱を吸収する。これにより、Ｘ線
の熱によって衝撃を受は易いマスクメンブレンの熱を吸
収でき、そのパターンを正しく維持できる。
マスクチャック部の温度上昇分に応じた電流を流され、
マスクリングにおける熱を吸収する。これにより、Ｘ線
の熱によって衝撃を受は易いマスクメンブレンの熱を吸
収でき、そのパターンを正しく維持できる。
第１図は本発明装置の一実施例のマスクチャック部及び
マスクリングの構成図を示す、同図（Ａ）はマスクチャ
ック部及びマスクリング全体の正面図、同図（Ｂ）はマ
スクチャック部の底面図、同図（Ｃ）及び同図（Ｄ）は
夫々マスクリング及びマスクメンブレンの平面図及びそ
の断面図である。
マスクリングの構成図を示す、同図（Ａ）はマスクチャ
ック部及びマスクリング全体の正面図、同図（Ｂ）はマ
スクチャック部の底面図、同図（Ｃ）及び同図（Ｄ）は
夫々マスクリング及びマスクメンブレンの平面図及びそ
の断面図である。
同図（Ａ）中、１０はマスクチャック部で、支持部材２
に取付けられている。マスクチャック部１０は、同図＜
８＞に示す如く、Ｏ−ダの動作により、位置め用ノツチ
３にて支持部材２に位四決めされており、その底面に同
心円状に真空吸着溝１１が設けられている。１２は抵抗
測温体で、底面に３個所１２０°の間隔で埋込まれてい
る。
に取付けられている。マスクチャック部１０は、同図＜
８＞に示す如く、Ｏ−ダの動作により、位置め用ノツチ
３にて支持部材２に位四決めされており、その底面に同
心円状に真空吸着溝１１が設けられている。１２は抵抗
測温体で、底面に３個所１２０°の間隔で埋込まれてい
る。
１３ａは十電極、１３ｂは一電極で、例えば５１１ＩＩ
２の大きさのアルミニウムや銅等の金属片で構成されて
おり、底面に埋込まれて例えば５００℃のベークに耐え
られる有機系の非導電接着材で接着されている。
２の大きさのアルミニウムや銅等の金属片で構成されて
おり、底面に埋込まれて例えば５００℃のベークに耐え
られる有機系の非導電接着材で接着されている。
同図（Ａ）中、１４はマスクリングで、例えば炭化シリ
コンやアルミナ等の材料で形成されており、マスクチャ
ック部１０の底面に真空吸着されており、同図（Ｃ）（
Ｄ）に示す如く、リング内側にはマスクメンブレン１５
が取付けられている。
コンやアルミナ等の材料で形成されており、マスクチャ
ック部１０の底面に真空吸着されており、同図（Ｃ）（
Ｄ）に示す如く、リング内側にはマスクメンブレン１５
が取付けられている。
１６ａは十電極、１６ｂは一電極で、例えば５１ｍＸ２
５履の大ぎさのアルミニウムや銅等の金属片で構成され
ており、マスクチャック部１０の電極１３ａ、１３ｂと
対向する位置に埋込まれて非導電接着材で接着されてお
り、電極１３ａ、１３ｂと電気的に接続されている。電
極１６ａ、１６ｂのマスクリング１４平面に対する仕上
げ精度は高さ方向で±１μｍである。なお、１５ａはマ
スクパターンである。
５履の大ぎさのアルミニウムや銅等の金属片で構成され
ており、マスクチャック部１０の電極１３ａ、１３ｂと
対向する位置に埋込まれて非導電接着材で接着されてお
り、電極１３ａ、１３ｂと電気的に接続されている。電
極１６ａ、１６ｂのマスクリング１４平面に対する仕上
げ精度は高さ方向で±１μｍである。なお、１５ａはマ
スクパターンである。
１７はペルチェ素子で、第２図（Ｂ）のマスクリング１
４の底面図に示す如く、その底面に４個所９０の間隔で
設置されている。なお、第２図（Ａ）はマスクリング１
４の平面図、同図（Ｃ）はその断面図である。同図（Ｂ
）（Ｃ）中、１８はリード線で、ペルチェ素子１７と電
１１６ａ。
４の底面図に示す如く、その底面に４個所９０の間隔で
設置されている。なお、第２図（Ａ）はマスクリング１
４の平面図、同図（Ｃ）はその断面図である。同図（Ｂ
）（Ｃ）中、１８はリード線で、ペルチェ素子１７と電
１１６ａ。
１６ｂとを電気的に接続する。
第３図は本発明に用いられる温度コントロール回路の回
路図を示す。この回路中、抵抗測温体１２、ペルチェ素
子１７等以外は前述の筐体の外部に設けられている。同
図中、１９は温度／電圧変換回路で、ホイートストンブ
リッジ回路にて構成されており、抵抗測温体１２にて検
出された温度に対応した電圧を出力する。２０は比較回
路で、オペアンプ２０ａで基準電圧Ｖ０と比較すること
により誤差電圧を出力する。２１はゲイン回路で、比較
回路２０の出力に所定のゲインを与えてペルチェ素子１
７に誤差電圧に対応した所定の電流を流す。
路図を示す。この回路中、抵抗測温体１２、ペルチェ素
子１７等以外は前述の筐体の外部に設けられている。同
図中、１９は温度／電圧変換回路で、ホイートストンブ
リッジ回路にて構成されており、抵抗測温体１２にて検
出された温度に対応した電圧を出力する。２０は比較回
路で、オペアンプ２０ａで基準電圧Ｖ０と比較すること
により誤差電圧を出力する。２１はゲイン回路で、比較
回路２０の出力に所定のゲインを与えてペルチェ素子１
７に誤差電圧に対応した所定の電流を流す。
抵抗測温体１２にてマスクリング１４の温度上昇が検出
され、温度／電圧変換回路１９にて温度に対応した電圧
とされ、比較回路２０にて温度変動分に対応した電圧が
得られる。比較回路２０の出力はゲイン回路２１で電流
制御がなされ、ペルチェ素子１７に供給される。ペルチ
ェ素子１７は抵抗測温体１２にて検出されたマスクリン
グ１４の温度上昇分に応じた電流を流され、マスクリン
グ１４における熱を吸収する。これにより、Ｘ１２の熱
によって衝撃を受は易いマスクメンブレン１５の熱を吸
収でき、そのパターンを正しく維持できる。
され、温度／電圧変換回路１９にて温度に対応した電圧
とされ、比較回路２０にて温度変動分に対応した電圧が
得られる。比較回路２０の出力はゲイン回路２１で電流
制御がなされ、ペルチェ素子１７に供給される。ペルチ
ェ素子１７は抵抗測温体１２にて検出されたマスクリン
グ１４の温度上昇分に応じた電流を流され、マスクリン
グ１４における熱を吸収する。これにより、Ｘ１２の熱
によって衝撃を受は易いマスクメンブレン１５の熱を吸
収でき、そのパターンを正しく維持できる。
なお、抵抗測温体１２はマスクチャック部１０に設ける
代りに、マスクリング１４の上面即ち電極１６ａ、１６
ｂが設けられている側に埋込んで設けてもよい。
代りに、マスクリング１４の上面即ち電極１６ａ、１６
ｂが設けられている側に埋込んで設けてもよい。
（発明の効果〕
以上説明した如く、本発明によれば、ペルチェ素子を設
けてマスクリングにおける熱を吸収しているので、Ｘ線
照射によって発熱するマスクメンブレンの熱を吸収でき
、そのパターンを正しく維持でき、又、マスクリング及
びマスクチャック部に簡単な加工を施すだけでよく、シ
ステム化し易い。
けてマスクリングにおける熱を吸収しているので、Ｘ線
照射によって発熱するマスクメンブレンの熱を吸収でき
、そのパターンを正しく維持でき、又、マスクリング及
びマスクチャック部に簡単な加工を施すだけでよく、シ
ステム化し易い。
第１図は本発明装置のマスクチャック部及びマスクリン
グの構成図、 第２図は本発明装置に用いられるマスクリングの構成図
、 第３図は本発明装置に用いられる温度コントロール回路
の回路図、 第４図は従来装置のマスクチャック部及びマスクリング
の構成図である。 図において、 ２は支持部材、 １０はマスクチャック部、 １１は真空吸着溝、 １２は抵抗測温体 １３ａ、１３ｂ、 １６ａ、１６ｂは電極、１４はマ
スクリング、 １５はマスクメンブレン、 １５ａはマスクパターン、 １７はペルチェ素子、 １８はリード線、 １９は温度／電圧変換回路、 ２０は比較回路、 ２１はゲイン回路 を示す。 第１ 図 １８羽ちり月に２月１いら埼するマスクリングー〆、＊
＜ｍ＠２図 ネｊシ＝ＱＩ＝旧い９−る９即（＝を斗ローヤ回宇ふの
回蘭關］嘉３図
グの構成図、 第２図は本発明装置に用いられるマスクリングの構成図
、 第３図は本発明装置に用いられる温度コントロール回路
の回路図、 第４図は従来装置のマスクチャック部及びマスクリング
の構成図である。 図において、 ２は支持部材、 １０はマスクチャック部、 １１は真空吸着溝、 １２は抵抗測温体 １３ａ、１３ｂ、 １６ａ、１６ｂは電極、１４はマ
スクリング、 １５はマスクメンブレン、 １５ａはマスクパターン、 １７はペルチェ素子、 １８はリード線、 １９は温度／電圧変換回路、 ２０は比較回路、 ２１はゲイン回路 を示す。 第１ 図 １８羽ちり月に２月１いら埼するマスクリングー〆、＊
＜ｍ＠２図 ネｊシ＝ＱＩ＝旧い９−る９即（＝を斗ローヤ回宇ふの
回蘭關］嘉３図
Claims (2)
- （１）マスクメンブレン（１５）を設けられたマスクリ
ング（１４）をマスクチャック部（１０）に着脱自在に
取付けられており、該マスクメンブレン（１５）のパタ
ーンに対応したパターンを半導体ウェハに形成する半導
体製造装置において、上記マスクチャック部（１０）又
は上記マスクリング（１４）に測温体（１２）を設ける
一方、上記マスクリング（１４）にペルチェ素子（１７
）を設け、かつ、該測温体（１２）で検出された上記マ
スクチャック部（１０）又は上記マスクリング（１４）
の基準温度に対する温度上昇分に対応した電流を上記ペ
ルチェ素子（１７）に流す回路（１９〜２１）を設けて
なることを特徴とするマスク冷却装置。 - （２）測温体（１２）は該マスクチャック部（１０）に
設けられ、該マスクチャック部（１０）及び該マスクリ
ング（１４）の両方に夫々電極（１３ａ、１３ｂ、１６
ａ、１６ｂ）を埋込まれ、該マスクチャック部（１０）
の電極（１３ａ、１３ｂ）と該マスクリング（１４）の
電極（１６ａ、１６ｂ）とを当接させ、該ペルチェ素子
（１７）はリード線を介して電極（１６ａ、１６ｂ）に
接続され、更に該回路（１９〜２１）に接続されてなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマスク冷
却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277839A JPH01120021A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | マスク冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277839A JPH01120021A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | マスク冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120021A true JPH01120021A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17588982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62277839A Pending JPH01120021A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | マスク冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120021A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207385A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Rohm Co Ltd | マスク、その製造方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US7978339B2 (en) | 2005-10-04 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus temperature compensation |
| CN103088308A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 温度监控装置 |
| WO2025224486A1 (en) * | 2024-04-24 | 2025-10-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for and method of masking an edge of a substrate of a deposition process |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP62277839A patent/JPH01120021A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207385A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Rohm Co Ltd | マスク、その製造方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US7978339B2 (en) | 2005-10-04 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus temperature compensation |
| CN103088308A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 温度监控装置 |
| WO2025224486A1 (en) * | 2024-04-24 | 2025-10-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for and method of masking an edge of a substrate of a deposition process |
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