JP2004207385A - マスク、その製造方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】反りや変形を生じることなく高精度で信頼性の高いマスクを提供することを目的とする。また、イオン注入技術において、高精度のイオン注入を行うことのできる（ステンシル）マスクを提供する。レジストパターンの形成を必要とすることなく、高精度で信頼性の高いイオン注入方法を提供する。
【解決手段】マスクパターン部と、少なくともひとつのｐｎ接合部とを備えた板状体と、前記ｐｎ接合部に電流供給を行う電流供給部とを具備し、前記ｐｎ接合部に通電することにより、ペルチェ効果を生起し、前記マスクパターン部の温度を制御できるマスクを提供する。またこのマスクを用いてレジストパターンを形成することなく、信頼性の高いイオン注入領域の形成が可能となる。
【選択図】図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスク、その製造方法、これを用いた半導体装置の製造方法および半導体製造装置に係り、特に、処理工程中におけるマスクの温度上昇による歪の低減に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年半導体装置の微細化、高集積化は進む一方であり、サブクオータミクロンの加工を高精度かつ再現性よく行う技術が必要となってきている。
【０００３】
例えば、半導体集積回路（ＬＳＩ）を形成する場合、ウェルの形成、チャネル部の形成、ソース・ドレイン領域の形成、コンタクト領域の形成などＬＳＩの形成工程においては、数回から１０回のイオン注入工程を必要とする。通常は基板表面にレジストを塗布し、選択露光を行い、現像工程を経て、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、このレジストパターンを介してイオン注入を行うことにより、レジストパターンの開口領域にイオン注入がなされる。
【０００４】
例えば図１８（ａ）乃至（ｅ）に、このイオン注入工程の一例を示す。図１８（ａ）に示すように、シリコン基板１１表面にＬＯＣＯＳ法により素子分離絶縁膜１２を形成し、素子領域を分離した後、基板表面全体にレジストＲを塗布する。
【０００５】
この後、図１８（ｂ）に示すように、フォトマスクを介して露光を行い、感光領域を形成し、図１８（ｃ）に示すように、感光領域のレジストを現像により除去し、レジストパターンＲを形成する。
【０００６】
そして、図１８（ｄ）に示すように、レジストパターンＲを介してイオン注入を行い、イオン注入領域１３を形成する。
【０００７】
最後に、レジストパターンＲを除去し、熱拡散を行い図１８（ｅ）に示すように、所望の深さのイオン注入領域１３（拡散領域）を形成する。
【０００８】
このように、レジスト塗布、露光・現像によるパターニング、そしてイオン注入後に剥離する必要がある場合が多く、多くの工程を必要とする上、ウェット工程を経るため、基板表面の汚染も大きな問題となっている。
また、このようなリソグラフィ工程を経てパターン形成を行う場合、露光用マスクに一旦焼き付けたパターンを介して露光を行うため、転写による精度低下も問題となっている。
【０００９】
ところで、半導体製造技術のうちの一つである荷電粒子・電子線等の露光装置用にステンシルマスクが提案されている。
電子線等を走査し、ウェーハ（半導体基板）に微細パターンを直接描きこむ直描技術は処理時間が非常に長いため、電子線等をパターン通りに走査することをやめ、開口パターンを有するマスク（ステンシルマスク）を用い、ウェーハ（半導体基板）に電子線等が選択的に照射される構成にすることで処理時間の短縮化を狙っている。
【００１０】
このマスク技術をイオン注入技術に応用すると、イオン注入時にレジストマスクを用いずにステンシルマスクを用いることでイオンビームをウェーハ（基板）内に選択的に導入することができる。これによりレジスト塗布・露光・現像によるパターニングと、イオン注入後のレジスト剥離などの工程が削減できると同時にWET工程を経ることが無いためウェーハ表面汚染が無く、短時間でのパターン形成処理が可能となる。
【００１１】
しかしながらこの場合、イオンがマスクに直接照射されるため、マスク温度が大きく上昇し、マスク構成材が大きく膨張し反りやゆがみ等を発生させ、パターン精度が低下してしまう。という問題がある。
【００１２】
図２０（ａ）および（ｂ）に、常温時と高温時とのステンシルマスクＭの変位を模式的に示す。高温時では変位ｄ（マスクのたわみ）が大きくなっており、パターンの開口位置・開口精度のずれは極めて大きなものとなることがわかる。
【００１３】
例えば図19に示すように30mm²厚さ10umのメンブレン部の中央に熱電対Kを配置したステンシルマスクMを介してウェーハ（半導体基板）表面にイオン注入を行いステンシルマスクの温度上昇およびメンブレン部の変位（たわみ）を測定した結果を図２１、２２に示す。
このときのイオン注入条件はボロンをエネルギー90keV、ドーズ量2E13ions/cm²とし、ビームパワーを変化させて注入を実施した。
【００１４】
図２１、２２からあきらかなように、ビームの注入によってステンシルマスクの温度が大きく上昇し、変位が発生していることがわかる。
このように従来の技術では、ステンシルマスクでは、高精度のパターン形成を行うことができないという問題があった。
【００１５】
この問題は、イオン注入、イオンビームエッチングなどイオンの関与する技術のみならず、荷電粒子・電子線等の露光工程やエッチング工程や成膜工程においても同様であり、パターンの微細化に伴い、わずかな温度変化も大きな問題となることがわかる。
【００１６】
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、反りや変形を生じることなく高精度で信頼性の高いマスクを提供することを目的とする。
【００１７】
また本発明では、イオン注入技術において、高精度のイオン注入を行うことのできる（ステンシル）マスクを提供することを目的とする。
【００１８】
また、高精度パターンを形成することのできる半導体処理工程用マスクを提供することを目的とする。
【００１９】
さらに、製造が容易で信頼性の高いマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【００２０】
また、レジストパターンの形成を必要とすることなく、高精度で信頼性の高いイオン注入方法およびイオン注入装置を提供することを目的とする。
【００２１】
また、レジストパターンの形成を必要とすることなく、高精度で信頼性の高いエッチング方法あるいは成膜方法を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明のマスクは、マスクパターン部と、ｐｎ接合部とを備えた板状体と、前記ｐｎ接合部に電流供給を行う電流供給部とを具備し、前記ｐｎ接合部に通電することにより、ペルチェ効果を生起し、前記マスクパターン部の温度を制御できるようにしたことを特徴とする。
【００２３】
本発明は、ｐｎ接合部に電流を流しペルチェ効果を生起せしめることにより、マスク自体の温度を制御するようにしたものである。すなわち、ｐｎ接合部に対し、ｎ型領域からｐ型領域に向かう方向に電流を流すと、電子は、接合面（側の電極）からｎ型領域に移動し、ｎ型領域を通過するためのエネルギーを、接合面側の電極から吸収して通過しようとし、ｎ型領域の他端側の電極（通電電極）にこのエネルギーを放出して通過する。一方正孔は、接合面（側の電極）からｐ型領域に移動し、ｐ型領域を通過するためのエネルギーを、接合面側の電極から吸収して通過しようとし、ｐ型領域の他端側の電極（通電電極）にこのエネルギーを放出して通過する。その結果、接合面側でエネルギーが不足し、温度が下がる。従って、ｐｎ接合に与える電流の方向あるいは電流量を制御することにより、熱の輸送を調整し、マスクの温度を所望の温度に調整することが可能となる。これは電気的な制御によって容易に制御可能であるため、高精度の温度調整が可能となり、マスク上のパターンのずれを防ぎ、高精度のパターン形成を実現することが可能となる。
【００２４】
本発明によれば、特にイオン注入用のマスクなどのイオンの衝突による温度上昇の生じ易い用途に用いられるマスクについて、マスクパターン部がペルチェ効果により冷却可面となるように構成されていれば、反りや歪を防止し、信頼性の高いパターン形成を行うことが可能となり、特に有効である。
【００２５】
特にこの板状体は、マスクパターン部を有する膜厚の薄いメンブレン部と、前記メンブレン部の周縁に形成された枠状の支持部とを具備するようにすれば、取り扱いが容易である。またＣＭＯＳデバイスの形成の場合ｐウェルとｎウェルを形成する必要があるが、２回のレジストパターンの形成工程が必要となる。すなわち、従来の方法では、一方の導電型の不純物イオンを注入するためのレジスト塗布・パターニング工程を経て、イオン注入を行ったのちレジストを除去する。そして、この後さらに導電型の不純物イオンを注入するためのレジスト塗布・パターニング工程を経て、イオン注入を行い、レジストを除去する。このため、ウェハを多数回のウェットプロセスを通過させる必要がある上、チャンバーからの出し入れに際しても汚染の原因が多数存在する。
【００２６】
しかしながら本発明のマスクを用いるようにすれば、この支持部をつかんでイオン注入装置などの処理装置内で、マスクの着脱が自在である。従って、作業性よくマスクを取り替えて順次複数回のイオン注入が可能となり、大幅な作業性の向上をはかることが可能となる。
【００２７】
また望ましくは、メンブレン部と支持部とは、一枚の半導体基板で構成すれば、熱伝導により温度制御が容易となり、熱による歪の発生も抑制できる。
【００２８】
また、前記メンブレン部は、シリコン基板で構成すれば、通常の半導体プロセスで容易に精度よくｐｎ接合を形成することが可能となる。また、半導体プロセスでマスクとして使用する際にも、被処理物と同じ元素であるためイオン注入装置などの処理装置内の汚染原因とならない。
【００２９】
また、ｐｎ接合部は、前記板状体の表面に、互いに平行となるように形成されたストライプ状のｐ型不純物領域とｎ型不純物領域で構成し、ｐｎ接合部をメンブレン部の表面と垂直な面上に形成されているようにすれば、微細加工を施すことで、接合周囲長を長くすることができ、温度制御効率の高いマスクを提供することが可能となるという効果がある。
【００３０】
また、ｐｎ接合部を、図１１に示すように、前記板状体の表面に、比較的深く形成されたウェル領域の中に櫛歯状の比較的浅い拡散パターンで構成すれば、ｐｎ接合部の面積を最大限に大きくとることができ、効率よく温度制御を行うことが可能となる。
【００３１】
また、ｐｎ接合部を板状体の表面から所定の深さ位置で表面に平行に形成した場合は、ｐｎ接合が表面に対し均一な密度で存在するため、面方向の温度分布を均一にすることが可能となると同時に、深部にｐｎ接合が形成されるためメンブレン表面近傍のイオンビーム不純物の残留によるｐｎ接合特性への影響を受けにくい、温度制御特性の安定した信頼性の高いマスクを提供することが可能となる。
【００３２】
望ましくは、マスクを構成するシリコン基板上に、ｐｎ接合部からなる温度検出部を形成すれば、高精度に温度検出を行うことができ、効率よく高精度の温度制御を行うことが可能となる。
【００３３】
また、温度検出部のｐｎ接合部を、前記メンブレン部のｐｎ接合部を構成する拡散層と同一工程で形成された不純物領域で構成すれば、より容易に高精度な温度検出を行うことができる。そして、効率よく温度制御を行うことができるため、反りや歪のない高精度のマスクを形成することが可能となる。
【００３４】
望ましくは、温度検出部を、メンブレン部よりも肉厚が大きくなるように形成された支持部（梁や枠）表面に形成すれば、強度的に安定なマスクを提供することが可能となる。
【００３５】
また、ｐｎ接合部は、マスクパターン部に形成されているようにすれば、処理工程中に実際に温度変化を生じ易い領域であるマスクパターン形成部の温度を高精度に検出できるため、より高精度の温度制御が可能となり、ずれや変形のないマスクを提供することが出来る。
【００３６】
また、ｐｎ接合部は、前記メンブレン部の開口部を除く領域に形成され、前記枠状の支持部とほぼ同一厚さを有する部分支持部（梁）に形成されるようにすれば、支持部をかねて温度制御部が形成されていることになり、剛性と信頼性の高いマスクを構成することが可能となる。
【００３７】
さらにこのｐｎ接合部は、前記部分支持部(梁)内に、前記メンブレン部の深部に表面と平行な面に形成されているようにすれば、メンブレン表面近傍のイオンビーム不純物の残留によるｐｎ接合特性への影響を受けにくい、より長寿命のマスクを提供することが可能となる。
【００３８】
さらにまたｐｎ接合部は、前記部分支持部(梁)内に、前記メンブレン部の表面と垂直な面上に形成されているようにすれば、微細加工を施すことで、接合周囲長を長くすることができ、冷却効率の高いマスクを提供することが可能となるという効果がある。
【００３９】
また、前記メンブレン部は、シリコンカーバイド基板で構成すれば、比較的精度の高くない電流制御や温度制御でも変形の少ないマスクとすることができるため、より簡単な構成の信頼性の高いマスクとすることができる。
【００４０】
さらにまた、前記メンブレン部は、ダイヤモンド基板で構成すれば、硬くスパッタされにくく、安定であるため、汚染原因となりにくいという特徴がある。また、熱伝導性が良好である上、電気的には絶縁性を維持することができるため、マスク設計に自由度が大きい。
【００４１】
また本発明のマスクの製造方法では、半導体基板表面に不純物イオンを注入し、少なくともひとつのｐｎ接合部を形成する工程と、前記半導体基板表面にパターン部を形成する工程と、前記ｐｎ接合部に通電することにより、ペルチェ効果を生起しうるように電流供給を行う電流供給部を形成する工程とを含むことを特徴とする。なおこのマスクのパターン部は開口部の集合体で構成されるが、使用条件によっては、光あるいはイオンの透過領域と非透過領域とで構成されていればよく、必ずしも孔でなくてもよい。
【００４２】
かかる方法によれば、通常の薄膜プロセスで容易にマスクを形成することが可能となる。
【００４３】
また本発明の半導体装置の製造方法では、上記マスクを、被処理基板表面に位置合わせして装着する工程と、前記マスクを介して前記被処理基板に対して、物理的または化学的処理を選択的に施す処理工程とを含むことを特徴とする。
【００４４】
かかる方法によれば、フォトリソグラフィ工程を経ることなくペルチェ効果を利用したマスクを用いてマスク表面の温度制御を行いながら、所望のパターンを高精度に形成することができる。ここで、処理は成膜、エッチング、改質（感光あるいは注入など）の処理を示し、物理的処理には、露光などの光学的処理、スパッタリングなど、化学的処理にはＣＶＤなどの成膜処理あるいはＲＩＥなどのエッチング処理などがある。
【００４５】
またこの処理工程では、このマスクの開口部に相当する領域の前記被処理基板表面に選択的にイオン注入を行うようにすれば、ペルチェ効果を利用してマスク温度の上昇を防ぎ反りも歪もない状態でイオン注入を行うことが可能となる。
【００４６】
さらにまた、この処理工程が、所望の開口部パターンの形成された第１のマスクを前記被処理基板表面に装着し、前記第１のマスクの開口部に相当する領域の前記被処理基板表面に第１の不純物イオンを注入する工程と、第１のマスクに代えて第２のマスクを前記第１の不純物イオンの注入された被処理基板表面に装着し，前記第２のマスクの開口部に相当する領域の前記被処理基板表面に第２の不純物イオンを注入する工程とを含むようにすれば、ＣＭＯＳ工程におけるイオン注入が極めて簡略化され、高精度で信頼性の高い不純物領域を作業性よく形成することが可能となる。
【００４７】
望ましくは、前記処理工程は、前記マスクの開口部に相当する領域の前記被処理基板表面形成されたレジストを選択的に露光する露光工程を含むことを特徴とする。すなわち、電子ビーム（ＥＢ）露光などの露光用マスクとして用いるもので、この構成では、常にマスクが一定温度に保持されるため熱による歪もないため、高精度のマスクパターンを維持することができる。従ってビーム走査によって描画していた露光工程が、マスクを介した全面露光によって達成できるため、極めて作業性が良く、短時間で露光可能である上、再現性および制御性の高いものとなる。
【００４８】
望ましくは、この処理工程では、前記マスクの開口部に相当する領域の前記被処理基板表面を選択的にエッチングする工程を含むようにすれば、フォトリソグラフィ工程を経ることなくエッチングが可能となる。特に気相エッチングの場合には、ウェット工程が不要となるため、汚染を防止し信頼性の向上をはかることが可能となる。
【００４９】
望ましくは、処理工程は、前記マスクの開口部に相当する領域の前記被処理基板表面に選択的に薄膜を形成する成膜工程を含むようにすれば、フォトリソグラフィ工程もパターンエッチング工程も不要であり、信頼性の高いパターン形成を行うことが可能となる。
【００５０】
本発明の半導体製造装置によれば、上記マスクと、前記マスクを被処理基板表面に位置合わせして装着する位置合わせ手段と、前記マスクを介して前記被処理基板表面に不純物イオンを注入するイオン注入手段と、前記マスクの温度が一定となるように前記ｐｎ接合部への通電を制御する制御手段とを具備したことを特徴とする。
【００５１】
かかる装置によれば、高精度で信頼性の高いイオン注入領域の形成が極めて作業性よく実現可能となる。
【００５２】
なお、温度制御を行いつつ処理を行う場合、あらかじめ、どの程度の温度上昇を生じるかを測定しておくようにすれば、所望の温度差を生起し得る程度の電流供給を行えばよく、作業性よく温度制御を行い、一定温度での制御を実現することが可能となる。
【００５３】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
まず、図１および図２（図１は斜視図、図２は裏面からの斜視図である）に示すように、第１の実施の形態の不純物注入用マスク１００は、ＳＯＩ基板で構成されており、中央に孔ｈによってパターンを形成したマスクパターン部１００ｐを具備したメンブレン部１００ｍと，その周りに形成された枠状の支持部１００ｎとを具備してなるものである。このメンブレン部がほぼ全面にわたり図３に概念図を示すようにｐｎ接合部を有したペルチェ素子を構成しており、このｐｎ接合部に電流供給を行うことにより、ｐｎ接合部に電流が流れて、ペルチェ効果を生起し、このメンブレン部の温度を制御できるようにしたことを特徴とする。このｐｎ接合部への電流供給は図２にマスクの裏面側からみた斜視図を示すようにマスク裏面に形成されたパッド１０１を介してなされる。なおこの枠状の支持部１００ｎの外側あるいは上側に熱的に接触するように水冷機構を設けるようにして、高温側を放熱する。
【００５４】
この不純物注入用マスクは、図４に要部断面図を示すように、シリコン基板１表面に酸化シリコン膜２を介して形成されたノンドープシリコン層３表面に、ストライプ状をなすように、ｎ型不純物領域４とｐ型不純物領域５とを交互に形成し、基板表面から所定の深さまで基板表面に沿って平行なｐｎ接合部を形成してなるものである。６Ｐ，６Ｎはアルミニウム層からなるコンタクトパターンである。またｎ型不純物領域４とｐ型不純物領域５とにまたがるように、ｎ型不純物領域４とｐ型不純物領域５との両方にオーミック接触をとるための金属層からなるペルチェ用パターン６Cが形成されている。
なおこのペルチェ用パターン６Cは、なくてもｐｎ接合をブレークダウンさせることができる電圧域で使用すればペルチェ動作可能である。ｐｎ接合は１Ｅ１５程度で７Ｖ程度、１Ｅ１６程度で１Ｖ程度でもブレークダウンするので、ｐｎ接合の降伏電圧によりペルチェ素子としての使用電圧域を決定すればよい。
【００５５】
次にこの不純物注入用マスクの製造方法について図５（ａ）乃至（ｅ）を参照しつつ説明する。
まず、直接接合法により、シリコン基板１表面に形成された酸化シリコン膜２を介してノンドープのシリコン基板を接合し、所望の厚さに研磨することにより、ノンドープシリコン層３を形成する（ＳＯＩ基板の形成）。
【００５６】
このＳＯＩ基板を出発材料とし、図５（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて第１のレジストパターンＲ１を形成し、この第１のレジストパターンＲ１をマスクとしてｎ型の不純物イオンを注入し、ｎ型不純物領域４を形成する。
【００５７】
続いて、図５（ｂ）に示すように、このレジストパターンＲ１を剥離除去し、更にフォトリソグラフィ法を用いて第２のレジストパターンＲ２を形成し、この第２のレジストパターンＲ２をマスクとしてｐ型の不純物イオンを注入し、ｐ型不純物領域５を形成する。
【００５８】
そして、このレジストパターンＲ２を剥離除去し、１０００℃、３０秒程度ののＲＴＡ等の活性化を行ったのち、図５（ｃ）に示すように、更にフォトリソグラフィ法を用いてマスクパターン形成用の第３のレジストパターンＲ３を形成する。
【００５９】
この後、この第３のレジストパターンＲ３をマスクとし、酸化シリコン膜２をエッチングストッパとして、ＲＩＥによりエッチングを行い、ホールｈを形成する。
【００６０】
そしてこの第３のレジストパターンＲ３をエッチング除去し、スパッタリング法やＣＶＤ法によりアルミニウム等のメタル層６を形成する。このメタル層の膜厚は使用電流によって決定されるが、厚いほど放熱効果が良く配線の信頼性も高くなる。そして更に図５（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いてメタル層６パターニング用の第４のレジストパターンＲ４を形成する。
【００６１】
そして、ＲＩＥなどのエッチングにより、メタル層６をパターニングする。
最後に、裏面にレジストパターン（図示せず）を形成し、これをマスクとしてエッチングを行い、メンブレン（薄膜）部を形成する。このエッチング工程でも酸化シリコン膜２をエッチングストッパとして用いることにより、オーバーエッチングを防ぎ、制御性よく高精度にパターンを形成することができる。
【００６２】
このようにして不純物注入用マスク１００が形成される。
【００６３】
次にこの不純物注入用マスク１００を用いたイオン注入方法について説明する。
この不純物注入用マスク１００は図６および図７に示すようなイオン注入装置に装着されて、イオン注入時のマスクとして用いられる、図６は斜視図、図７は要部断面図である。
このイオン注入装置は、この不純物注入用マスク１００と、このイオン注入用マスク１００に被処理基板３００の位置合わせを行うＸＹθステージを有する基板支持台２００と、イオン源４００とを具備し、イオン源４００からこの不純物注入用マスク１００を介して、被処理基板３００にイオン注入を行うものである。マスクアライメントはこの位置合わせ用光源５００およびＣＣＤカメラ６００によってなされる。この不純物注入用マスク１００は、図１に示したようにメンブレン部にペルチェ素子を形成するとともに、通電制御部７００によってメンブレン部が所望の温度を維持できるように、このペルチェ素子への通電量を調整している。８００はマスク支持部である。
【００６４】
位置合わせについてはアライメント用光学系５００を用いて不純物注入用マスクの周縁部に形成された開口Ａを介して被処理基板１０に形成されたアライメントマークに対して位置合わせを行うことができるようになっている。
なお、イオン源４００は、高エネルギー用ＥＣＲイオン源と高電流用バーナスイオン源など、異なる２つ以上のイオン源を着脱自在に装着して形成するようにすれば、容易に所望のイオン注入を実現することが可能となる。
【００６５】
このイオン注入装置を用いて図８に示すように素子分離用絶縁膜１２の形成されたシリコン基板１１にイオン注入を行い不純物領域１３を形成する。
【００６６】
この方法によれば図１８（ａ）乃至（ｅ）に示した従来例の方法との比較からあきらかなように、イオン注入工程の前に必要であったレジストパターンの形成も、イオン注入工程の後に必要であった剥離も不要であり、大幅な工程の簡略化をはかることができる。また、極めてクリーンな環境で効率よくイオン注入を行うことができる。
【００６７】
また、この方法によれば、ｐ型不純物イオンを注入してｐウェルを形成した後、マスクを取り替え、ｎ型不純物イオンを注入しｎウェルを形成するという工程をレジストパターンの形成なしに行うことができるため、このイオン注入装置から被処理基板を取り出すことなく、マスクの取替えのみで効率よく順次異なる導電型のイオンを注入することが可能となる。
【００６８】
このようにしてイオン注入を行う際のドーズ量とマスク表面の温度との関係を図９に示す。この図から明らかなように、本発明によれば、イオン注入中、マスク表面に形成したペルチェ素子によってマスク表面を冷却しているため、温度上昇もなくマスクを維持することが出来る。従って、点Ａに示すようにマスクの反りも歪もなく、高精度にパターン制御のなされたイオン注入パターンを形成することが可能となる。
【００６９】
これに対し、ペルチェ素子を駆動することなく、同一条件でイオン注入を行った場合、図９に線Ｂで示すように、マスクとウェハの距離が上昇している。このためマスクに反りが生じ、パターン誤差が生じていることがわかる。
【００７０】
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態について説明する。
この例では、イオン注入用のマスクの基板表面に形成した温度センサにより、マスク表面の温度を測定しながら、イオン注入用マスクの表面温度を一定に維持するようにしたことを特徴とする。
【００７１】
このイオン注入用マスクは、図１０に示すように、ペルチェ素子１００ＰＥを構成するｐ型不純物領域５およびｎ型不純物領域４と同一工程で形成したｐｎ接合を用いた温度センサ１００ｃであり、このセンサに流れる電流と両端間電位差とを測定することにより温度差を測定するようにしたものである。半導体のＰＮ接合に順方向に定電流を流したときの両端間電位差の温度依存性は半導体基板の物性によりほぼ決定され、シリコンの場合約-２ｍＶ／℃である。温度センサに定電流を流しその両端の電位差を測定することにより温度変化を容易にモニタすることができる。
【００７２】
かかる構成によれば、同一基板上に温度制御用のペルチェ素子１００ＰＥを構成するｐｎ接合部と、同一工程で形成したセンサ部１００Ｃでマスク表面の温度を測定しているため、高精度の温度制御が可能となり、パターン誤差のないフォトマスクを得ることが可能となる。
【００７３】
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施の形態について説明する。
この例では、イオン注入用マスクのｐｎ接合部を大きくしたパターンの一例について説明する。図１１に示すように、比較的深く形成されたウェル領域３５の中に櫛歯状の比較的浅い拡散パターン３４を形成したもので、これによりｐｎ接合面の面積は前記第１の実施の形態で説明した例に比べ大幅に増大することができる。
ここで、３６Ｐはウェル側コンタクト、３６Ｎは櫛歯側コンタクトである。
【００７４】
この例では、ｐｎ接合部の面積を最大限に大きくとることができるため、効率よく温度制御を行うことが可能となる。
【００７５】
（第４の実施の形態）
次に、第４の実施の形態について説明する。
この例では、図１２に示すように、イオン注入用マスクのｐｎ接合部を深さ方向に形成したものである。
この構成では、基板表面から所定の深さに、ｎ型不純物領域４を形成するとともにさらにその下層にｐｎ接合面を形成するようにｐ型不純物領域５を形成し，端子１６ａ、１６ｂにより電流を流して接合面を冷却するように構成したものである。
このときｐ型領域とｎ型領域の関係は領域４がｐ型領域５がｎ型でもよい。
【００７６】
これにより、パターン形成面上でｐｎ接合を均一に形成することができ、面内での温度のばらつきを低減することができる。
【００７７】
次にこのイオン注入用マスクの製造方法について説明する。
図１３（ａ）乃至（ｂ）はこの製造工程を示す図である。
まず、前記１の実施の形態で説明したのと同様に、直接接合法などにより、シリコン基板１表面に形成された酸化シリコン膜２を介してノンドープシリコン基板を接合し、所望の厚さに研磨することにより、ノンドープシリコン層３を形成する（ＳＯＩ基板の形成）。
【００７８】
このＳＯＩ基板を出発材料とし、図１３（ａ）に示すように、ノンドープシリコン層３の所定の深さにｐｎ接合面を形成するように、まずレジストパターン（図示せず）をマスクとしてｐ型の不純物イオンを注入し、ｐ型不純物領域５を形成する。次に別のレジストパターン（図示せず）をマスクとしてｎ型の不純物イオンを注入し、ｎ型不純物領域４を形成する。
【００７９】
そして、このレジストパターンＲを剥離除去し、１０００℃、３０秒程度のＲＴＡ等の活性化を行ったのち、続いて、図１３（ｂ）に示すように、更にコンタクト形成用のレジストパターンＲを形成し、ＲＩＥでコンタクトホールを形成してアルミニウムなどの金属電極をコンタクトホール内に充填する。ことによりコンタクト層７が形成される。
なお、コンタクト層に代えて、高濃度不純物領域で構成してもよい。この場合はそれぞれｐ型不純物領域およびｎ型不純物領域にコンタクトするように、順次ｐ側のコンタクト層７およびｎ側にコンタクト層7を形成する。
【００８０】
その後、あらたにマスクパターン形成用のレジストパターンを形成し、酸化シリコン膜２をエッチングストッパとして、ＲＩＥによりエッチングを行い、ホールｈを形成する。
【００８１】
そしてコンタクト層７にアルミニウム層等の配線層を形成し、端子１６ａ、１６ｂを形成する。
【００８２】
最後に、図１２に示したように裏面にレジストパターン（図示せず）を形成し、これをマスクとして、エッチングを行い、メンブレン部を構成する肉薄領域を形成する。このエッチング工程でも酸化シリコン膜２をエッチングストッパとして用いることにより、オーバーエッチングを防ぎ、制御性よく高精度にパターンを形成することができる。
このときｐ型領域とｎ型領域の関係は逆でもよい。
【００８３】
このようにして不純物注入用マスクが形成される。
【００８４】
（第５の実施の形態）
次に、第５の実施の形態について説明する。
前記実施の形態では、メンブレン部１００ｍを構成する面にｐｎ接合を形成し、冷却を行うようにしたが、この例では、図１４に示すようにイオン注入用マスクのメンブレン部に部分支持部１００Ｓを残し、この支持部にｐｎ接合部を形成して、冷却を行うようにしたものである。
【００８５】
製造に際しては、シリコン基板の裏面側にイオン注入によりｐ型不純物領域およびｎ型不純物領域を形成しておくようにし、メンブレン部形成のためのエッチング工程において、枠状の支持部とともにこの部分支持部を残すようなレジストパターンを形成し、エッチングを行うことによって形成される。
【００８６】
このｐｎ接合部は、部分支持部内の深部に、前記メンブレン部の表面と平行な面に形成されているようにすれば、メンブレン表面近傍のイオンビーム不純物の残留によるｐｎ接合特性への影響を受けにくい、より長寿命の信頼性の高いステンシルマスクを提供することが可能となる。
【００８７】
（第６の実施の形態）
次に、第６の実施の形態について説明する。
前記第５の実施の形態では、支持部１００Ｓに面に平行なｐｎ接合面を形成したが、この例では図１５に示すように、支持部１００Ｓに面に垂直なｐｎ接合面を形成したものである。
他部については前記第５の実施の形態と同様である。
【００８８】
この例では、ｐｎ接合部は、部分支持部内に、メンブレン部の表面と垂直な面上に形成されているため、微細加工を施すことで、接合周囲長をより長くすることができ、冷却効率の高いマスクを提供することが可能となるという効果がある。
【００８９】
（第７の実施の形態）
次に、第７の実施の形態について説明する。
なお、複数のパターン領域で構成したマスクの場合にも適用可能である。図１６に示すように、パターンによっては多数のパターン領域に分割し、支持部１００Ｓによって支持された複数のメンブレン部１００ｍを格子状に形成しても良い。１００ｎは枠状の支持部である。この場合は、ウェハのダイシング領域がこの支持部に相当するように形成すれば、プロセスへの影響はなく、収率のよいウェハ処理が可能となる。
【００９０】
（第８の実施の形態）
次に、第８の実施の形態について説明する。
なお、パターンによっては形成できないような形状があるが、この場合は図１７（ａ）乃至（ｃ）に示すように、分割形状をなすようにしてもよい。
【００９１】
従って、このようにして形成されたステンシルマスクを用いて、フォトリソグラフィ工程を経ることなく作業性よく連続的に、高精度の不純物プロファイルを得ることが可能となる。
【００９２】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、高精度で信頼性の高いマスクを形成することが可能となる。
【００９３】
また本発明によれば、通常のシリコン等を用いた半導体プロセスによって容易に高精度のマスクを形成することが可能となる。
【００９４】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、レジストパターンの形成工程や、パターン露光工程、レジストパターンの剥離工程を経ることなくイオン注入領域等の形成を容易に行うことが可能となる。
【００９５】
また、異なる導電型のイオンを注入する場合にも、同一チャンバー内で真空を破ることなく連続的に注入することができ、作業性が極めて良好であるとともに、汚染の恐れもなく、信頼性の高い半導体装置の提供が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態で用いられるマスクを示す図
【図２】本発明の第１の実施の形態で用いられるマスクを示す図
【図３】同マスクの説明図
【図４】同マスクの断面図
【図５】同マスクの製造工程図
【図６】同マスクを用いたイオン注入装置を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態のイオン注入方法を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態のイオン注入方法を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態のイオン注入方法を用いた場合のドーズ量とマスクの変位との関係を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態のマスクを示す図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態のマスクを示す図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態のマスクを示す図である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態のマスクの製造工程を示す図である。
【図１４】本発明の第５の実施の形態のマスクを示す図である。
【図１５】本発明の第６の実施の形態のマスクを示す図である。
【図１６】本発明の第７の実施の形態のマスクを示す図である。
【図１７】本発明の第８の実施の形態のマスクを示す図である。
【図１８】従来例のイオン注入方法を示す図である。
【図１９】従来例のイオン注入工程におけるステンシルマスクの変形を示す図である。
【図２０】同ステンシルマスクの変形におけるマスクパターンのずれを示す説明図である。
【図２１】メンブレン部温度とビームパワーとの関係を示す図である。
【図２２】マスクのたわみ量とビームパワーとの関係を示す図である。
【符号の説明】
１ シリコン基板
２ 酸化シリコン膜
３ ノンドープシリコン層
４ ｎ型不純物領域
５ ｐ型不純物領域
６ アルミニウム配線
６Ｎ，６Ｐ コンタクト
６Ｃ ペルチェ用メタル
７ コンタクト領域
１０ 被処理基板
Ｒ レジスト
１００ マスク
１００ｐ マスクパターン部
１００ｍ メンブレン部
１００ｎ 状の支持部部
１００ｃ 温度測定部
１００Ｓ 支持部
１０１ パッド
５００ 位置合わせ用光源
６００ ＣＣＤカメラ
７００ 通電制御部
８００ マスク支持部

Claims (26)

1. マスクパターン部と、ｐｎ接合部とを備えた板状体と、
   前記ｐｎ接合部に電流供給を行う電流供給部とを具備し、
   前記ｐｎ接合部に通電することにより、ペルチェ効果を生起し、前記マスクパターン部の温度を制御できるようにしたことを特徴とするマスク。
2. 前記マスクパターン部は、開口部を介してイオンが通過するように構成されたイオン注入用のステンシルマスクであることを特徴とする請求項1に記載のマスク。
3. 前記マスクパターン部は、前記ペルチェ効果により冷却面となるように構成されたことを特徴とする請求項１または２に記載のマスク。
4. 前記板状体は、マスクパターン部を有する膜厚の薄いメンブレン部と、前記メンブレン部の周縁に形成された枠状の支持部とを具備してなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のマスク。
5. 前記メンブレン部と前記支持部とは、一枚の半導体基板で構成されていることを特徴とする請求項1乃至４のいずれかに記載のマスク。
6. 前記メンブレン部は、シリコン薄膜で構成されていることを特徴とする請求項1乃至５のいずれかに記載のマスク。
7. 前記メンブレン部は、シリコンカーバイド薄膜で構成されていることを特徴とする請求項1乃至５のいずれかに記載のマスク。
8. 前記メンブレン部は、ダイヤモンド薄膜で構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のマスク。
9. 前記ｐｎ接合部は、前記板状体の表面に、互いに平行となるように形成されたストライプ状のｐ型不純物領域とｎ型不純物領域で構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のマスク。
10. 前記ｐｎ接合部は、前記板状体の表面に、比較的深く形成されたウェル領域の中に櫛歯状の比較的浅い拡散パターンで構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のマスク。
11. 前記ｐｎ接合部は、前記板状体の表面から所定の深さ位置に表面に平行に形成されたことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のマスク。
12. 前記半導体基板上に、ｐｎ接合部からなる温度検出部を具備していることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載のマスク。
13. 前記温度検出部のｐｎ接合部は、前記メンブレン部のｐｎ接合部を構成する拡散層と同一工程で形成された拡散層で構成されていることを特徴とする請求項１２に記載のマスク。
14. 前記温度検出部は、前記メンブレン部よりも肉厚が大きくなるように形成された枠状の支持部(梁)表面に形成されていることを特徴とする請求項１２に記載のマスク。
15. 前記ｐｎ接合部は、前記マスクパターン部に形成されていることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載のマスク。
16. 前記ｐｎ接合部は、前記マスクパターン部の開口部を除く領域に形成され、前記枠状の支持部とほぼ同一厚さを有する部分支持部(梁)に形成されていることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載のマスク。
17. 前記ｐｎ接合部は、前記部分支持部内に、前記メンブレン部の表面と平行な面上に形成されていることを特徴とする請求１６に記載のマスク。
18. 前記ｐｎ接合部は、前記部分支持部内に、前記メンブレン部の表面と垂直な面上に形成されていることを特徴とする請求１６に記載のマスク。
19. 半導体基板表面に不純物イオンを注入し、少なくともひとつのｐｎ接合部を形成する工程と、
    前記半導体基板表面に開口部を形成しマスクパターン部を形成する工程と、
    前記ｐｎ接合部に通電して、ペルチェ効果を生起させる電流供給部を形成する工程とを含むことを特徴とするマスクの製造方法。
20. 請求項１乃至１８に記載のマスクを、被処理基板表面に位置合わせして装着する工程と、
    前記被処理基板に対し、前記マスクを介して物理的または化学的処理を選択的に施す処理工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
21. 前記処理工程は、前記マスクの開口部に相当する領域の前記被処理基板表面に選択的にイオン注入を行う工程を含むことを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置の製造方法。
22. 前記処理工程は、所望の開口部パターンの形成された第１のマスクを前記被処理基板表面に装着し，前記第１のマスクの開口部に相当する領域の前記被処理基板表面に第１の不純物イオンを注入する工程と、
    前記第１のマスクに代えて第２のマスクを前記第１の不純物イオンの注入された被処理基板表面に装着し，前記第２のマスクの開口部に相当する領域の前記被処理基板表面に第２の不純物イオンを注入する工程とを含むことを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置の製造方法。
23. 前記処理工程は、前記マスクの開口部に相当する領域の前記被処理基板表面を選択的にエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置の製造方法。
24. 前記処理工程は、前記マスクの開口部に相当する領域の前記被処理基板表面に選択的に薄膜を形成する成膜工程を含むことを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置の製造方法。
25. 前記処理工程は、前記マスクの開口部に相当する領域の前記被処理基板表面形成されたレジストを選択的に露光する露光工程を含むことを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置の製造方法。
26. 請求項１乃至１８に記載のマスクと、
    前記マスクを被処理基板表面に位置合わせして装着する位置合わせ手段と、
    前記マスクを介して前記被処理基板表面に不純物イオンを注入するイオン注入手段と、
    前記マスクの温度が一定となるように前記ｐｎ接合部への通電を制御する制御手段とを具備したことを特徴とする半導体製造装置。

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