JPH01120063A - 光制御サイリスタ - Google Patents
光制御サイリスタInfo
- Publication number
- JPH01120063A JPH01120063A JP63206220A JP20622088A JPH01120063A JP H01120063 A JPH01120063 A JP H01120063A JP 63206220 A JP63206220 A JP 63206220A JP 20622088 A JP20622088 A JP 20622088A JP H01120063 A JPH01120063 A JP H01120063A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zone
- auxiliary emitter
- base
- electrode
- auxiliary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/26—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having three or more potential barriers, e.g. photothyristors
- H10F30/263—Photothyristors
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基体を備え、この半導体基体が感光領
域とベースゾーンと補助エミッタゾーンと主エミッタゾ
ーンとを有し、補助エミッタゾーンが補助エミッタ電極
に接合され、この補助エミッタ電極が少なくともそこで
ベースゾーンに結合され、このベースゾーンが主エミッ
タゾーンに対向して位置する光制御サイリスタに関する
。
域とベースゾーンと補助エミッタゾーンと主エミッタゾ
ーンとを有し、補助エミッタゾーンが補助エミッタ電極
に接合され、この補助エミッタ電極が少なくともそこで
ベースゾーンに結合され、このベースゾーンが主エミッ
タゾーンに対向して位置する光制御サイリスタに関する
。
このようなサイリスタは例えばドイツ連邦共和国特許出
願公開第２７１５４８２号公報に記載されている。光制
御サイリスタに対する主要な要望はｄｕ／ｄｔの大きさ
が良好であると共に、光感度が高いことである。ｄｕ／
ｄｔの大きさは一般的にはエミッタ・ベース分路によっ
て調整される。
願公開第２７１５４８２号公報に記載されている。光制
御サイリスタに対する主要な要望はｄｕ／ｄｔの大きさ
が良好であると共に、光感度が高いことである。ｄｕ／
ｄｔの大きさは一般的にはエミッタ・ベース分路によっ
て調整される。
電流によって制御されるサイリスタにおいては、このよ
うなやり方は補助サイリスタにおいてもまた主サイリス
タにおいても採用されている。
うなやり方は補助サイリスタにおいてもまた主サイリス
タにおいても採用されている。
しかしながら、光によって制御されるサイリスタにおい
ては、与えられる光パワーは非常に僅がであり、それゆ
え補助サイリスタのエミッタ・ベース分路は光パワーの
印加が非常に弱く、従ってｄ ｕ ／ ｄ ｔの大きさ
も小さい。
ては、与えられる光パワーは非常に僅がであり、それゆ
え補助サイリスタのエミッタ・ベース分路は光パワーの
印加が非常に弱く、従ってｄ ｕ ／ ｄ ｔの大きさ
も小さい。
そこで本発明は、光パワーを著しく高めることなく、補
助サイリスタのｄｕ／ｄｔの大きさが大きくなるように
することを課題とする。
助サイリスタのｄｕ／ｄｔの大きさが大きくなるように
することを課題とする。
この課題を解決するために、本発明は、補助エミッタゾ
ーンがコンデンサによってす絡されることを特徴とする
。
ーンがコンデンサによってす絡されることを特徴とする
。
本発明の実施態様は請求項２以下に記載されている。
次に、本発明を図面に示された実施例に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第１図および第２図には、電極側ベースゾーンに符号ｌ
を付された半導体基体が示されている。
を付された半導体基体が示されている。
このベースゾーン１は例えばｐドーピングされている。
ベースゾーン１の表面には補助エミッタゾーン２が埋込
まれている。補助エミッタゾーン２は感光領域３を取り
囲む円形リングである。感光領域３によって、この実施
例および次の実施例においても、光入射領域が形成され
る。入射光は太い矢印にて示されている。
まれている。補助エミッタゾーン２は感光領域３を取り
囲む円形リングである。感光領域３によって、この実施
例および次の実施例においても、光入射領域が形成され
る。入射光は太い矢印にて示されている。
補助エミッタゾーン２はｐｎｎジャンクシラン有してお
り、感光領域３に接するその内周縁には符号６が付され
ている。感光領域３とは反対側の外周縁には符号７が付
されている。感光領域３に接して、ベースゾーン１上に
はベース電極４が設けられており、このベース電極４は
ベースゾーン１だけに接合されて、感光領域３を取り囲
んでいる。ベース電極４は同様にリング状に形成されて
いる。補助エミッタゾーン２は例えば同様にリング状に
形成された補助エミッタ電極５に結合されている。この
補助エミッタ電極５は補助エミッタゾーン２と主サイリ
スタのエミッタゾーン２０側のベースゾーン１とに接合
されている。従って、補助エミッタゾーン２の外周縁７
は短絡されている。ベース電極４と補助エミッタ電極５
との間にはコンデンサＣが接続されている。即ち、この
コンデンサＣは補助エミッタシー゛ン２を感光領域３か
ら主エミッタゾーン２０の方向へ橋絡している。
り、感光領域３に接するその内周縁には符号６が付され
ている。感光領域３とは反対側の外周縁には符号７が付
されている。感光領域３に接して、ベースゾーン１上に
はベース電極４が設けられており、このベース電極４は
ベースゾーン１だけに接合されて、感光領域３を取り囲
んでいる。ベース電極４は同様にリング状に形成されて
いる。補助エミッタゾーン２は例えば同様にリング状に
形成された補助エミッタ電極５に結合されている。この
補助エミッタ電極５は補助エミッタゾーン２と主サイリ
スタのエミッタゾーン２０側のベースゾーン１とに接合
されている。従って、補助エミッタゾーン２の外周縁７
は短絡されている。ベース電極４と補助エミッタ電極５
との間にはコンデンサＣが接続されている。即ち、この
コンデンサＣは補助エミッタシー゛ン２を感光領域３か
ら主エミッタゾーン２０の方向へ橋絡している。
サイリスタに阻止方向へ印加される電圧電流は半導体基
体の内部から電極側へ流れる変位電流を発生する。この
電流は上に向く細い矢印によって示されている。この電
流の大部分は電極４を通ってコンデンサＣに流れ、この
コンデンサＣを充電する。変位電流の微小部分は補助エ
ミッタゾーン２の下を放射状に外側へ向けて電極５へ流
れる。
体の内部から電極側へ流れる変位電流を発生する。この
電流は上に向く細い矢印によって示されている。この電
流の大部分は電極４を通ってコンデンサＣに流れ、この
コンデンサＣを充電する。変位電流の微小部分は補助エ
ミッタゾーン２の下を放射状に外側へ向けて電極５へ流
れる。
電極５へ流れる電流は補助エミッタに印加される。
変位電流の大部分が補助エミッタの下を放射状に電極５
へ流れるのではなくコンデンサＣへ流れることによって
、補助サイリスタを点弧することなく、変位電流、即ち
サイリスタのｄｕ／ｄｔを大きくすることが出来る。
へ流れるのではなくコンデンサＣへ流れることによって
、補助サイリスタを点弧することなく、変位電流、即ち
サイリスタのｄｕ／ｄｔを大きくすることが出来る。
コンデンサＣの大きさは、サイリスタの半導体基体にお
ける単位面積当たりの変位可能な最大電荷が１．６Ｘ１
０−’Ａｓ／ｃｍｔの際には１０１！電荷キヤリヤ／ｃ
ｍ２になることを考慮して設定される。単位面積当たり
の最大電荷は、高電荷の際には臨界電界強度に到達しか
つアバランシェ・ブレークダウンが生しるので、このよ
うになる。従って、感光領域３の半径が例えば０．７閣
の際には、２．５Ｘ１０−’Ａｓの面電荷が生じる。コ
ンデンサＣを０．３Ｖに充電したい場合には、容量は次
のようになる。
ける単位面積当たりの変位可能な最大電荷が１．６Ｘ１
０−’Ａｓ／ｃｍｔの際には１０１！電荷キヤリヤ／ｃ
ｍ２になることを考慮して設定される。単位面積当たり
の最大電荷は、高電荷の際には臨界電界強度に到達しか
つアバランシェ・ブレークダウンが生しるので、このよ
うになる。従って、感光領域３の半径が例えば０．７閣
の際には、２．５Ｘ１０−’Ａｓの面電荷が生じる。コ
ンデンサＣを０．３Ｖに充電したい場合には、容量は次
のようになる。
Ｃ−２，５Ｘ１０−”１０．３
一８Ｘ１０−’Ｆ−８ｎＦ
コンデンサＣは省スペースでハイブリッド形にて表面実
装部品（Ｓ Ｍ Ｄ ＝ ５ｕｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔ
ｅｄ ｄｅｖｉｃｅ ）としてサイリスタの半導体基体
上に設置される。上記容量のコンデンサの標準的な所要
面積は２．ＯＸｌ、２ｍ１１”である、しかしながら、
コンデンサは例えば誘電体として酸化物を備えた集積形
にても設置することが出来る。この場合には所要面積は
大きくなる。この所要面積は８ｎＦの上記容量の場合に
は約０．２ｃｍ”である。
装部品（Ｓ Ｍ Ｄ ＝ ５ｕｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔ
ｅｄ ｄｅｖｉｃｅ ）としてサイリスタの半導体基体
上に設置される。上記容量のコンデンサの標準的な所要
面積は２．ＯＸｌ、２ｍ１１”である、しかしながら、
コンデンサは例えば誘電体として酸化物を備えた集積形
にても設置することが出来る。この場合には所要面積は
大きくなる。この所要面積は８ｎＦの上記容量の場合に
は約０．２ｃｍ”である。
サイリスタ上にコンデンサが集積された実施例は第３図
および第４図に示されている。この第３図および第４図
においては、第１図および第２図と同一機能を有する部
分には同一符号が付されている。ベース電極４は導体路
８に結合されており、この導体路８は酸化膜９上に設け
られて補助エミッタ電極５の切欠内に位置している。別
の絶縁膜でもあり得る酸化膜９は導体路８を補助エミッ
タゾーン２に対して絶縁する。補助エミック電極５は接
触フィンガー１０に結合され、この接触フィンガー１０
は同様に絶縁膜、例えば酸化膜１１上に配置することが
できる。動作態様は第１図および第２図と同じである。
および第４図に示されている。この第３図および第４図
においては、第１図および第２図と同一機能を有する部
分には同一符号が付されている。ベース電極４は導体路
８に結合されており、この導体路８は酸化膜９上に設け
られて補助エミッタ電極５の切欠内に位置している。別
の絶縁膜でもあり得る酸化膜９は導体路８を補助エミッ
タゾーン２に対して絶縁する。補助エミック電極５は接
触フィンガー１０に結合され、この接触フィンガー１０
は同様に絶縁膜、例えば酸化膜１１上に配置することが
できる。動作態様は第１図および第２図と同じである。
第１図ないし第４図に示された実施例は、感光領域が表
面に位置するベースゾーン１であるという点が特徴であ
る。しかしながら、公知のように、感光領域は補助エミ
ッタゾーンによって覆うことも出来る。第５図および第
６図にはこのような実施例が図示されている。この第５
図および第６図においては、補助エミッタゾーンには符
号１４が付され、感光領域には同様に符号３が付されて
いる。補助エミッタゾーン１４は補助エミッタ電極１７
を備え、この補助エミッタ電極１７は同様にベースゾー
ン１にも接合されている。ベースゾーン１には感光領域
３に隣接してベース電極１６が接合されている。ベース
電極１６と補助エミッタ電極１７とにコンデンサＣが接
続されている。
面に位置するベースゾーン１であるという点が特徴であ
る。しかしながら、公知のように、感光領域は補助エミ
ッタゾーンによって覆うことも出来る。第５図および第
６図にはこのような実施例が図示されている。この第５
図および第６図においては、補助エミッタゾーンには符
号１４が付され、感光領域には同様に符号３が付されて
いる。補助エミッタゾーン１４は補助エミッタ電極１７
を備え、この補助エミッタ電極１７は同様にベースゾー
ン１にも接合されている。ベースゾーン１には感光領域
３に隣接してベース電極１６が接合されている。ベース
電極１６と補助エミッタ電極１７とにコンデンサＣが接
続されている。
ｄｕ／ｄｔに基づいて半導体基体から流れる変位電流は
、上に向く細い矢印によって示されている電流を生じる
。変位電流の大部分は補助エミッタゾーン１４の下を横
方向へ流れるか、または、ベース電極１６へ向けて直接
垂直方向へ流れる。
、上に向く細い矢印によって示されている電流を生じる
。変位電流の大部分は補助エミッタゾーン１４の下を横
方向へ流れるか、または、ベース電極１６へ向けて直接
垂直方向へ流れる。
従って、コンデンサＣは図示された極性にて充電される
。変位電流の一部分はベースゾーンにおいて補助エミッ
タゾーン１４の下を横方向へ補助エミッタ電極１７へ向
けて流れ、そこから主サイリスタへ向けて流れる。その
流路抵抗は破線の抵抗Ｒにて示されている。
。変位電流の一部分はベースゾーンにおいて補助エミッ
タゾーン１４の下を横方向へ補助エミッタ電極１７へ向
けて流れ、そこから主サイリスタへ向けて流れる。その
流路抵抗は破線の抵抗Ｒにて示されている。
好ましい実施例は第６図に示されている。第５図は第６
図のｖ−■線に沿った断面図である。補助エミッタゾー
ン１４には条帯状突出部１５が備えられ、この突出部１
５は補助エミッタゾーン１４に対して放射状に延在して
いる。突出部１５の幅が定められている場合には、その
長さＬによって流路抵抗Ｒの大きさが決定される。突出
部１５は条帯状の補助エミッタ電極１７によって覆われ
ている。この補助エミッタ電極１７は同様にベースゾー
ン１にも接合され、主エミツタのエミッタゾーン２０に
対向して位置する。ベース電極１６は同様に補助エミッ
タゾーン１４に対して放射状に延在する条帯状導体によ
って形成されている。
図のｖ−■線に沿った断面図である。補助エミッタゾー
ン１４には条帯状突出部１５が備えられ、この突出部１
５は補助エミッタゾーン１４に対して放射状に延在して
いる。突出部１５の幅が定められている場合には、その
長さＬによって流路抵抗Ｒの大きさが決定される。突出
部１５は条帯状の補助エミッタ電極１７によって覆われ
ている。この補助エミッタ電極１７は同様にベースゾー
ン１にも接合され、主エミツタのエミッタゾーン２０に
対向して位置する。ベース電極１６は同様に補助エミッ
タゾーン１４に対して放射状に延在する条帯状導体によ
って形成されている。
条帯状ベース電極１６の形状と条帯状補助エミッタ電極
１７の形状とは、ＳＭＤコンデンサを実装することが出
来るように形成されている。しかしながら、これらは他
の形状に形成することも出来る。基本的には条帯状ベー
ス電極１６の面積は出来る限り小さくすべきである。
１７の形状とは、ＳＭＤコンデンサを実装することが出
来るように形成されている。しかしながら、これらは他
の形状に形成することも出来る。基本的には条帯状ベー
ス電極１６の面積は出来る限り小さくすべきである。
変位電流がコンデンサＣ内へ流れること、および比較的
高くドーピングされたベースゾーン１の表面に沿って補
助エミシタ電極へ向けては流れないことを保証するため
に、条帯状ベース電極１６は溝１８によって取り囲まれ
ている。この溝１８は同様に補助エミッタゾーン１４と
突出部１５の両長手側とを区画するようにすると好まし
い。従って、補助エミッタゾーン１４の下で空間電荷ゾ
ーンに作られた光電流は突出部１５の下を流れるように
される。そこでその光電流は比較的大きい流路抵抗Ｒを
通る。それによって、小さな光電流も点弧に必要な約０
．５ Ｖの電圧降下を生じる。溝１８は補助エミッタ’
１ｉｉ１７のベース電極１６側にも設けることが出来る
。
高くドーピングされたベースゾーン１の表面に沿って補
助エミシタ電極へ向けては流れないことを保証するため
に、条帯状ベース電極１６は溝１８によって取り囲まれ
ている。この溝１８は同様に補助エミッタゾーン１４と
突出部１５の両長手側とを区画するようにすると好まし
い。従って、補助エミッタゾーン１４の下で空間電荷ゾ
ーンに作られた光電流は突出部１５の下を流れるように
される。そこでその光電流は比較的大きい流路抵抗Ｒを
通る。それによって、小さな光電流も点弧に必要な約０
．５ Ｖの電圧降下を生じる。溝１８は補助エミッタ’
１ｉｉ１７のベース電極１６側にも設けることが出来る
。
全ての実施例において、光感度を、コンデンサＣが充電
されるまで低下させることは有効である。
されるまで低下させることは有効である。
コンデンサが充電されると、補助エミッタゾーン２とベ
ースゾーンｌとの間には、補助電極によって分路が形成
される。
ースゾーンｌとの間には、補助電極によって分路が形成
される。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明の第１の実施例の断面図お
よび平面図、第３図および第４図は本発明の第２の実施
例の断面図および平面図、第５図および第６図は本発明
の第３の実施例の断面図および平面図である。 １・・・ベースゾーン ２・・・補助エミッタゾーン ３・・・感光領域 ４・・・ベース電極 訃・・補助エミッタ電極 ６・・・内周縁 ７・・・外周縁 ８・・・導体路 ９・・・酸化膜 ｌＯ・・・接触フィンガー １１・・・酸化膜 １４・・・補助エミッタゾーン １５・・・突出部 １６・・・ベース電極 １７・・・補助エミッタ電極 １８・・・溝 ２０・・・エミッタゾーン Ｃ・・・コンデンサ Ｒ・・・流路抵抗 ＦＩＧ４ ＦＩ０５ ＩＧ ６
よび平面図、第３図および第４図は本発明の第２の実施
例の断面図および平面図、第５図および第６図は本発明
の第３の実施例の断面図および平面図である。 １・・・ベースゾーン ２・・・補助エミッタゾーン ３・・・感光領域 ４・・・ベース電極 訃・・補助エミッタ電極 ６・・・内周縁 ７・・・外周縁 ８・・・導体路 ９・・・酸化膜 ｌＯ・・・接触フィンガー １１・・・酸化膜 １４・・・補助エミッタゾーン １５・・・突出部 １６・・・ベース電極 １７・・・補助エミッタ電極 １８・・・溝 ２０・・・エミッタゾーン Ｃ・・・コンデンサ Ｒ・・・流路抵抗 ＦＩＧ４ ＦＩ０５ ＩＧ ６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体基体を備え、この半導体基体が感光領域（３
）とベースゾーン（１）と補助エミッタゾーン（２；１
４）と主エミッタゾーン（２０）とを有し、前記補助エ
ミッタゾーンが補助エミッタ電極（５；１７）に接合さ
れ、この補助エミッタ電極が少なくともそこで前記ベー
スゾーンに結合され、このベースゾーンが前記主エミッ
タゾーン（２０）に対向して位置する光制御サイリスタ
において、前記補助エミッタゾーン（２；１４）はコン
デンサ（Ｃ）によって橋絡されることを特徴とする光制
御サイリスタ。 ２）感光領域（３）はベースゾーン（１）によって形成
され、前記感光領域（３）はベース電極によって接合さ
れ、前記ベース電極と補助エミッタゾーンとは前記感光
領域を取り囲むことを特徴とする請求項１記載のサイリ
スタ。 ３）感光領域（３）は補助エミッタゾーン（１４）によ
って覆われ、補助エミッタ電極（１７）とベース電極と
は条帯状に形成されて、補助エミッタゾーン（１４）に
対して放射状に配置されることを特徴とする請求項１記
載のサイリスタ。 ４）補助エミッタゾーン（１４）は条帯状突出部（１５
）を有し、補助エミッタゾーンとベース電極（１６）と
前記突出部の両長手側とはベースゾーン（１）内に位置
する溝（１８）によって取り囲まれ、その溝は前記補助
エミッタゾーンよりも深いことを特徴とする請求項３記
載のサイリスタ。 ５）コンデンサ（Ｃ）は半導体基体上に固定されている
ことを特徴とする請求項１ないし４の１つに記載のサイ
リスタ。 ６）コンデンサ（Ｃ）は表面実装部品（ＳＭＤ）であり
、その端子は補助エミッタ電極（１７）およびベース電
極（１６）上に直接固定されることを特徴とする請求項
５記載のサイリスタ。 ７）コンデンサ（Ｃ）は半導体基体の表面上に集積して
配置されることを特徴とする請求項５記載のサイリスタ
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3727820.7 | 1987-08-20 | ||
| DE3727820 | 1987-08-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120063A true JPH01120063A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=6334143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63206220A Pending JPH01120063A (ja) | 1987-08-20 | 1988-08-19 | 光制御サイリスタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0304032B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01120063A (ja) |
| DE (1) | DE3877858D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8250176B2 (en) | 2006-04-25 | 2012-08-21 | Nec Corporation | File sharing method and file sharing system |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2458401C2 (de) * | 1974-12-10 | 1982-06-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Mit Licht steuerbarer Thyristor |
| DE2538549C2 (de) * | 1975-08-29 | 1985-06-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Mit Licht steuerbarer Thyristor |
| DE2715482C2 (de) * | 1977-04-06 | 1985-06-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Mit Licht steuerbarer Thyristor |
| US4489340A (en) * | 1980-02-04 | 1984-12-18 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | PNPN Light sensitive semiconductor switch with phototransistor connected across inner base regions |
-
1988
- 1988-08-17 EP EP88113350A patent/EP0304032B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-17 DE DE8888113350T patent/DE3877858D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-08-19 JP JP63206220A patent/JPH01120063A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8250176B2 (en) | 2006-04-25 | 2012-08-21 | Nec Corporation | File sharing method and file sharing system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3877858D1 (de) | 1993-03-11 |
| EP0304032A1 (de) | 1989-02-22 |
| EP0304032B1 (de) | 1993-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4224634A (en) | Externally controlled semiconductor devices with integral thyristor and bridging FET components | |
| US6693327B2 (en) | Lateral semiconductor component in thin-film SOI technology | |
| US4110781A (en) | Bidirectional grooved thyristor fired by activation of the beveled surfaces | |
| JP3313431B2 (ja) | モノリシック単方向保護ダイオード | |
| JP2982785B2 (ja) | デプレッション型ｍｏｓ半導体素子およびｍｏｓパワーｉｃ | |
| JPH06104444A (ja) | アクティブクランプを備えたパワーｍｏｓｆｅｔ回路 | |
| JP7208875B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US3947864A (en) | Diode-integrated thyristor | |
| EP0415255B2 (en) | Protection circuit for use in semiconductor integrated circuit device | |
| EP0143259B1 (en) | Composite type thyristor | |
| EP0253105A1 (en) | Integrated circuit with improved protective device | |
| JP2601143B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2970774B2 (ja) | 半導体デバイス | |
| US4672402A (en) | Semiconductor circuit device including an overvoltage protection element | |
| KR900004197B1 (ko) | 교류고체 릴레이회로 및 다이리스터 구조 | |
| US6304423B1 (en) | Input protection circuit for a semiconductor device | |
| JP2022119459A (ja) | 半導体装置 | |
| US4524375A (en) | Photo transistor | |
| JPS6016107B2 (ja) | 自己保護型半導体制御整流装置 | |
| US20230420446A1 (en) | Semiconductor device | |
| US5466959A (en) | Semiconductor device for influencing the breakdown voltage of transistors | |
| JPH01191472A (ja) | 静電破壊防止用素子 | |
| JPS61113280A (ja) | 光点弧サイリスタならびにそのスイツチング方法 | |
| JP3301482B2 (ja) | サイリスタ及びこれを使用したランプ点灯装置 | |
| JPS62126663A (ja) | 入力保護回路 |