JPH01120884A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH01120884A JPH01120884A JP27855787A JP27855787A JPH01120884A JP H01120884 A JPH01120884 A JP H01120884A JP 27855787 A JP27855787 A JP 27855787A JP 27855787 A JP27855787 A JP 27855787A JP H01120884 A JPH01120884 A JP H01120884A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は横モードを制御した半導体レーザに係り、特に
半導体層の膜厚の均一性を再現性よく実現することによ
り、横モード等の特性のバラツキを少な（した半導体レ
ーザに関する。
半導体層の膜厚の均一性を再現性よく実現することによ
り、横モード等の特性のバラツキを少な（した半導体レ
ーザに関する。
従来、エクステンデッド・アブストラクト・オブ［相］
ザ・エイティーンズ・コ／フルンス・オンｅソリッド・
ステイト・デバイセズｅアンド・マテリアルズ １９８
６年 １７３−１７６頁に記載されたが、詳細な説明を
３８２図に示す。第２図は、従来の半導体レーザのレー
ザ出射断面を表わしている。ｎｇｌ（１００）ＧａＡｓ
基板２１、ｎ型ＧａＡｓバフファＦ！Ｊ２２、ｎ型Ａｊ
２ｏ、５ｉＧａ、 、ｓ ＠ Ａｓクラッド層２３
、ｐ型ＧａＡｓ活性Ｐ３２４、ｐ型Ａρｏ 、 ＊＊
Ｇａｓ 、 ｔｓ Ａｓ光光波波層２５ｎ！！Ａρ＊
−＊ Ｇａｓ 、 Ｓ Ａｓｆｆ１流狭窄層２６、ｐ型
Ａρｏ、ｔｙＧａａ、ｙｓＡＳクラッドＪ！１２７、ｐ
ＷＧａＡｓ＝ｉノタクト層２８から形成されている。こ
こでｎ型ＡＪ２゜１．Ｇａｓ、ｓＡＳ電流狭窄５２Ｂは
、ニー）チ／グ選択性のない６Ｈ＊ Ｓｏｎ ： Ｈ
ａ Ｏｓ ： Ｈａ Ｏ液テエッチングされていた。
ザ・エイティーンズ・コ／フルンス・オンｅソリッド・
ステイト・デバイセズｅアンド・マテリアルズ １９８
６年 １７３−１７６頁に記載されたが、詳細な説明を
３８２図に示す。第２図は、従来の半導体レーザのレー
ザ出射断面を表わしている。ｎｇｌ（１００）ＧａＡｓ
基板２１、ｎ型ＧａＡｓバフファＦ！Ｊ２２、ｎ型Ａｊ
２ｏ、５ｉＧａ、 、ｓ ＠ Ａｓクラッド層２３
、ｐ型ＧａＡｓ活性Ｐ３２４、ｐ型Ａρｏ 、 ＊＊
Ｇａｓ 、 ｔｓ Ａｓ光光波波層２５ｎ！！Ａρ＊
−＊ Ｇａｓ 、 Ｓ Ａｓｆｆ１流狭窄層２６、ｐ型
Ａρｏ、ｔｙＧａａ、ｙｓＡＳクラッドＪ！１２７、ｐ
ＷＧａＡｓ＝ｉノタクト層２８から形成されている。こ
こでｎ型ＡＪ２゜１．Ｇａｓ、ｓＡＳ電流狭窄５２Ｂは
、ニー）チ／グ選択性のない６Ｈ＊ Ｓｏｎ ： Ｈ
ａ Ｏｓ ： Ｈａ Ｏ液テエッチングされていた。
ここで言うエツチング選択性とは、電流狭窄層２６を光
４波層２５に対して選択的にエツチングするか、或いは
高速にエツチングすることを意味している。
４波層２５に対して選択的にエツチングするか、或いは
高速にエツチングすることを意味している。
しかし、従来の半導体レーザの構造では、エツチング選
択性が無かった。すなわち、従来のエッチャントを用い
て、ＡβｘＧａ、−ｘ ＡｓのＡρの組成比Ｘの異なる
２居を選択エツチングすることは非常な困難であった。
択性が無かった。すなわち、従来のエッチャントを用い
て、ＡβｘＧａ、−ｘ ＡｓのＡρの組成比Ｘの異なる
２居を選択エツチングすることは非常な困難であった。
例えば、従来のエッチャントには、芳醇かはげしい過酸
化水素水が含まれるため、エツチング液の管理、すなわ
ち、エツチング液を作製してからエツチングを行なうま
での時間、エツチング液の温度制御や、エツチング時間
を厳密に管理することなど大変厄介な問題点を存してい
た。
化水素水が含まれるため、エツチング液の管理、すなわ
ち、エツチング液を作製してからエツチングを行なうま
での時間、エツチング液の温度制御や、エツチング時間
を厳密に管理することなど大変厄介な問題点を存してい
た。
そこで本発明では、従来のこのような問題点を解決する
ため、エツチング選択性の高い超格子構造からなる第１
の半導体層と、第２の半導体層の積層構造を含む構造を
採用することにより、エツチング部分の厚みを制御し、
横モードを良好に制御した半導体レーザを再現性よく提
供することを目的としている。
ため、エツチング選択性の高い超格子構造からなる第１
の半導体層と、第２の半導体層の積層構造を含む構造を
採用することにより、エツチング部分の厚みを制御し、
横モードを良好に制御した半導体レーザを再現性よく提
供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザは
、 半導体活性層上に、超格子構造からなる第１の半導体層
と、前記第１の半４体層上に配置されたりブストライプ
伏の第２の半導体層と、前記第１の半導体層上で且つ前
記第２の半導体層の両側に配置された第３の半導体層か
らなる層構造を含むことを特徴とする。
、 半導体活性層上に、超格子構造からなる第１の半導体層
と、前記第１の半４体層上に配置されたりブストライプ
伏の第２の半導体層と、前記第１の半導体層上で且つ前
記第２の半導体層の両側に配置された第３の半導体層か
らなる層構造を含むことを特徴とする。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明による半導体レーザの断面図である。１０１
はｎ ＩＪｌＧ ａ Ａ ｓ基板、１０２は層厚０．５
μｍのｎ型ＧａＡｓバフフ１層、１０３は層厚１．５μ
ｍのｎ型Ａｊ２＊ 、−ｓ Ｇ ａｓ 、 ｓ ＡＳク
ラッド層、１０４は層厚約０．８μｍのアンドープＡ、
＆。、ｔｓＧａｅ、ｔｓＡＳ活性層、１０５はＡρ、、
ａ Ｇａ。、ｓＡｓバリア層（層厚６０人）と、Ａρ。
図は本発明による半導体レーザの断面図である。１０１
はｎ ＩＪｌＧ ａ Ａ ｓ基板、１０２は層厚０．５
μｍのｎ型ＧａＡｓバフフ１層、１０３は層厚１．５μ
ｍのｎ型Ａｊ２＊ 、−ｓ Ｇ ａｓ 、 ｓ ＡＳク
ラッド層、１０４は層厚約０．８μｍのアンドープＡ、
＆。、ｔｓＧａｅ、ｔｓＡＳ活性層、１０５はＡρ、、
ａ Ｇａ。、ｓＡｓバリア層（層厚６０人）と、Ａρ。
、、Ｇａ、、、Ａｓウェル層（層厚５０人）の２７周期
からなる超格子構造をもつｐ！ａの光４波層であり、特
許請求の範囲に記述した第１の半導体心にあたる。１０
Ｂは、層厚１．５μｍのｔｓ２の半導体層としてのｐ型
Ａρ。
からなる超格子構造をもつｐ！ａの光４波層であり、特
許請求の範囲に記述した第１の半導体心にあたる。１０
Ｂは、層厚１．５μｍのｔｓ２の半導体層としてのｐ型
Ａρ。
、１Ｇａｅ、６Ａｓクラブト居、１０７は層厚０．５μ
ｍのｐ型ＧａＡｓ：＋７タクト層、１０８は第３の半導
体層としてのアンドープＺｎ５ｅ層、１０９は、ｎ側電
極のＮｉ／ＡｕＧｅ／Ａｕ層、１１０は、ｐ側ｆｆｆ［
のＡｕＺｎ／Ａｕ層である。
ｍのｐ型ＧａＡｓ：＋７タクト層、１０８は第３の半導
体層としてのアンドープＺｎ５ｅ層、１０９は、ｎ側電
極のＮｉ／ＡｕＧｅ／Ａｕ層、１１０は、ｐ側ｆｆｆ［
のＡｕＺｎ／Ａｕ層である。
この構造において、Ｚｎ５ｅ層１０８は、高抵抗層であ
るため電流狭窄の役目を果すと供に、屈折率がｐ型クラ
ッド層１０６より小さいため、光閉じ込めの役目も果た
す。づ゛なわち、前者では、電流を中央のストライプ部
だけに流すことにより、しきい値電流の低減をもたらし
、後者では、ストライプ部の等価屈折率を、ストライプ
両側の等価屈折率と比べて大きくシ、活性層１０４のス
トライプ部でレーザ発振した光を、ストライプ部に閉じ
込め、屈折率４波ｍ構により横モードを安定化させる。
るため電流狭窄の役目を果すと供に、屈折率がｐ型クラ
ッド層１０６より小さいため、光閉じ込めの役目も果た
す。づ゛なわち、前者では、電流を中央のストライプ部
だけに流すことにより、しきい値電流の低減をもたらし
、後者では、ストライプ部の等価屈折率を、ストライプ
両側の等価屈折率と比べて大きくシ、活性層１０４のス
トライプ部でレーザ発振した光を、ストライプ部に閉じ
込め、屈折率４波ｍ構により横モードを安定化させる。
次に、本発明の構造をより明確に説明するため製造工程
図に基づいて説明する。
図に基づいて説明する。
第３図（８Ｌ）〜（ｄ）は本発明による半導体レーザの
製造工程を工程順に示した断面図である。
製造工程を工程順に示した断面図である。
第３図（ａ）において、ｎ型（１００）ＧａＡＳ基板１
０１上にｎ型ＧａＡｓバ、ファ層１０２、ｎ型ＡＪ２ｏ
、 ｓ Ｇａｓ −ｓ Ａ ｓクラッド層１０３、ア
ンドープＡρｏ 、 Ｉｈ Ｇａｓ 、 ｔｓ Ａｓ活
性居１０４、ｐ型光導波層１０５、ｐ型ＡＪ２゜、、Ｇ
ａｏ、ｓＡｓクラッドＴ！Ｊ１０６、ｐ型ＧａＡｓコン
タクト層１０７を打機金属気相成長法（以下、ＭＯＣＶ
Ｄと略す）で順次形成した後、ＭＣＶＤで３０００人の
厚さの５ｉＯ−ａｌｌｌを堆積する。
０１上にｎ型ＧａＡｓバ、ファ層１０２、ｎ型ＡＪ２ｏ
、 ｓ Ｇａｓ −ｓ Ａ ｓクラッド層１０３、ア
ンドープＡρｏ 、 Ｉｈ Ｇａｓ 、 ｔｓ Ａｓ活
性居１０４、ｐ型光導波層１０５、ｐ型ＡＪ２゜、、Ｇ
ａｏ、ｓＡｓクラッドＴ！Ｊ１０６、ｐ型ＧａＡｓコン
タクト層１０７を打機金属気相成長法（以下、ＭＯＣＶ
Ｄと略す）で順次形成した後、ＭＣＶＤで３０００人の
厚さの５ｉＯ−ａｌｌｌを堆積する。
第３図（ｂ）において、通常のフォトリングラフイー工
程により、Ｓｉｎ、１１１がＧ ａ’Ａ ｓ基板１０１
の＜０１１＞方向にのびたストライプ状に残るよう、フ
ッ酸系エッチャントでエツチングし、残ったＳ ｓ Ｏ
＊ １１１をｐ型ＧａＡｓ＝＋ンタクト層１０７とｐ型
Ａ、９゜、＠ Ｇａｏ 、＊ Ａｓりラッド層１０６の
選択エツチング用マスクとしＧａＡｓ及びＡｌＧａＡｓ
のエッチャントであるＨ＊ ＳＯ４： ８Ｈ＊ Ｏｓ
： ８Ｈ＊ Ｏでｐ型Ａβ、。
程により、Ｓｉｎ、１１１がＧ ａ’Ａ ｓ基板１０１
の＜０１１＞方向にのびたストライプ状に残るよう、フ
ッ酸系エッチャントでエツチングし、残ったＳ ｓ Ｏ
＊ １１１をｐ型ＧａＡｓ＝＋ンタクト層１０７とｐ型
Ａ、９゜、＠ Ｇａｏ 、＊ Ａｓりラッド層１０６の
選択エツチング用マスクとしＧａＡｓ及びＡｌＧａＡｓ
のエッチャントであるＨ＊ ＳＯ４： ８Ｈ＊ Ｏｓ
： ８Ｈ＊ Ｏでｐ型Ａβ、。
ｓＧａ＊、ｓＡｓクラフトＦ！１１０Ｂの途中までエツ
チングする。
チングする。
ｉ３図（ｃ） において、ｐ型Ａｊ２＊ 、 ｈ Ｇａ
ｓ、ｓＡｓクラブトｌ！１１０Ｂと超格子構造からなる
ｐ型光４波月１０５に対してエツチング速度が大きく変
化するエッチャント、例えばＩＨＦ：５ＮＨ，Ｆ
： ＩＨ，Ｓｏ、 ： ８Ｈ，Ｏ，：
８Ｈ，Ｏでエツチングすると、ｐＨｌＡｌ２ｍ 、
ｈ Ｇ ａｓ 、ｓ ＡＳクラッド層１０６をエツチン
グし、ｐ型光ガイド層１０５の表面が露出したところで
易すくエツチングを止めることができる。Ａｌの組成比
０゜２と０．４からなるＡβＧａＡｓ超格子層ｐエツチ
ング速度はＡρ＃ 、Ｉ Ｇａｓ 、ｓ ＡｓＦ！ｉの
エツチング速度の１／１０ｊ２を下となっている。
ｓ、ｓＡｓクラブトｌ！１１０Ｂと超格子構造からなる
ｐ型光４波月１０５に対してエツチング速度が大きく変
化するエッチャント、例えばＩＨＦ：５ＮＨ，Ｆ
： ＩＨ，Ｓｏ、 ： ８Ｈ，Ｏ，：
８Ｈ，Ｏでエツチングすると、ｐＨｌＡｌ２ｍ 、
ｈ Ｇ ａｓ 、ｓ ＡＳクラッド層１０６をエツチン
グし、ｐ型光ガイド層１０５の表面が露出したところで
易すくエツチングを止めることができる。Ａｌの組成比
０゜２と０．４からなるＡβＧａＡｓ超格子層ｐエツチ
ング速度はＡρ＃ 、Ｉ Ｇａｓ 、ｓ ＡｓＦ！ｉの
エツチング速度の１／１０ｊ２を下となっている。
第３図（ｄ） において、ＭＯＣｖＤでアンドープＺｎ
５ｅ層１０８の選択埋め込み成長を行なった後、選択エ
フチ／グマスクとして使用したＳｉｏ、ｉｔｔをフッ酸
系エッチャントで除去し、ｎｆｉＧａＡｓ基板１０１を
１００μｍの厚さに研磨した１ｇ、Ｎｉ／ＡｕＧｅ／Ａ
ｕをＦＪ ＩＩＩＬ ｎ ＠ ｆｆｉ極１０９を形成し
、ｐ型ＧａＡｓ＝＋ンタクトｆｆ１１０７側にＡｕＺｎ
／Ａｕを蒸看しｐ側電極１１０を形成し、第１図のごと
く半導体レーザが出来上がる。
５ｅ層１０８の選択埋め込み成長を行なった後、選択エ
フチ／グマスクとして使用したＳｉｏ、ｉｔｔをフッ酸
系エッチャントで除去し、ｎｆｉＧａＡｓ基板１０１を
１００μｍの厚さに研磨した１ｇ、Ｎｉ／ＡｕＧｅ／Ａ
ｕをＦＪ ＩＩＩＬ ｎ ＠ ｆｆｉ極１０９を形成し
、ｐ型ＧａＡｓ＝＋ンタクトｆｆ１１０７側にＡｕＺｎ
／Ａｕを蒸看しｐ側電極１１０を形成し、第１図のごと
く半導体レーザが出来上がる。
この半導体レーザのストライプ部の半導体層の成長方向
の構造は通常ＬＯＧ （ｌａｒｇｅ−ｏｐｔｉｃａｌ−
ｃａｖｉｔｙ）と呼ばれる構造であり、Ａｆｌ、、。、
６１ｍ 、 ｓ ｓ Ａ Ｓ活性１！＄１０４からの光
波をｐ！！！光４波ｌ！１１０５にしみ出させ４波する
ことにより、Ａｌ２゜、＊５Ｇａｓ、書６ＡＳ活性届１
０４での光密度を低下させ、光４波層をもたない半導体
レーザより高出力まで安定した発振を可能とする。一方
、活性層に平行方向では、ストライプ部とその両側とで
等価比屈折率差をもたせることで、横モードの制御を行
っている。ここではストライプ幅を２μｍ程度とするこ
とにより基本横モードを得ることが可能となる。
の構造は通常ＬＯＧ （ｌａｒｇｅ−ｏｐｔｉｃａｌ−
ｃａｖｉｔｙ）と呼ばれる構造であり、Ａｆｌ、、。、
６１ｍ 、 ｓ ｓ Ａ Ｓ活性１！＄１０４からの光
波をｐ！！！光４波ｌ！１１０５にしみ出させ４波する
ことにより、Ａｌ２゜、＊５Ｇａｓ、書６ＡＳ活性届１
０４での光密度を低下させ、光４波層をもたない半導体
レーザより高出力まで安定した発振を可能とする。一方
、活性層に平行方向では、ストライプ部とその両側とで
等価比屈折率差をもたせることで、横モードの制御を行
っている。ここではストライプ幅を２μｍ程度とするこ
とにより基本横モードを得ることが可能となる。
ｎ側電極１０８とｐ側電極１１０との間にｐ側電極１１
０が正となるよう電圧を印加した時、ストライプ部では
ｐｎ接合に順方向バイアスが印加するため電流注入を行
うことができるが、ストライプ部の両側ではアンドープ
Ｚｎ５ｅ層１０８が高抵抗であるため電流はほとんど流
れない。
０が正となるよう電圧を印加した時、ストライプ部では
ｐｎ接合に順方向バイアスが印加するため電流注入を行
うことができるが、ストライプ部の両側ではアンドープ
Ｚｎ５ｅ層１０８が高抵抗であるため電流はほとんど流
れない。
第４図は、本発明の第２の実施例の半導体レーザの斜視
図である。第１の実施例と異なるのは、リブの形と形成
方法及びＳ ｉ Ｏ＊膜４１２がアンドープＺｎ５ｅ層
４０８上に堆積されでいる。４０１はｎ型ＧａＡｓ！仮
、４０２は層厚０．５ｇｍのｎ型ＧａＡｓバフフｙＪ１
５．４・０３はｆｆｉ厚１゜５ｇｍのｎ ｍＡ ｆｌｕ
、 ｓ Ｇ ２Ｌ＊ 、 ｓ Ａ Ｓクラ９Ｆ届、４
０４は層厚０．６μｍのアンドープＡβ。
図である。第１の実施例と異なるのは、リブの形と形成
方法及びＳ ｉ Ｏ＊膜４１２がアンドープＺｎ５ｅ層
４０８上に堆積されでいる。４０１はｎ型ＧａＡｓ！仮
、４０２は層厚０．５ｇｍのｎ型ＧａＡｓバフフｙＪ１
５．４・０３はｆｆｉ厚１゜５ｇｍのｎ ｍＡ ｆｌｕ
、 ｓ Ｇ ２Ｌ＊ 、 ｓ Ａ Ｓクラ９Ｆ届、４
０４は層厚０．６μｍのアンドープＡβ。
、 、Ｇａｓ −ｈ Ａ’活性層、４０５は、Ａｌｅ
。
。
ｓ ｓ Ｇａｓ 、 ｓ ｓ Ａｓバリアｆｆｌ（ＭＳ
厚５０人）と、ＡＩｌ＊ −ｓ ｈ Ｇａｓ 、 ７＆
ＡｓウェルＦ！！ （ｆｆ４６０人）の３０周期から
なる超格子構造をもつｐ型の先導波層であり、第１の半
導体層にあたる。４０６は、層厚１．５μｍの第２の半
導体層としてのｐ層Ａβ。、ｓＧａ。、、Ａｓクラブト
３５．４０７はＡ！層厚、５μｍのｐ型ＧａＡｓ＝＋７
タクト［，４０８は第３の半導体層として−のアンドー
プＺｎ５ｅ層である。
厚５０人）と、ＡＩｌ＊ −ｓ ｈ Ｇａｓ 、 ７＆
ＡｓウェルＦ！！ （ｆｆ４６０人）の３０周期から
なる超格子構造をもつｐ型の先導波層であり、第１の半
導体層にあたる。４０６は、層厚１．５μｍの第２の半
導体層としてのｐ層Ａβ。、ｓＧａ。、、Ａｓクラブト
３５．４０７はＡ！層厚、５μｍのｐ型ＧａＡｓ＝＋７
タクト［，４０８は第３の半導体層として−のアンドー
プＺｎ５ｅ層である。
リプストライプの形成方法には、塩素のりアクティブ嚇
イオン・ビーム−エツチングを用いた。
イオン・ビーム−エツチングを用いた。
この場合、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４０７とｐ！！！
Ａρｅ、５Ｇａｓ、ｓＡｓクラフト層４０６に対する超
格子構造からなるｐ型光導波！４０５のエツチング速度
は小さくなるため、ｐ型光ガイド届４０５の表面が露出
したところで易すくエツチングを止めることができる。
Ａρｅ、５Ｇａｓ、ｓＡｓクラフト層４０６に対する超
格子構造からなるｐ型光導波！４０５のエツチング速度
は小さくなるため、ｐ型光ガイド届４０５の表面が露出
したところで易すくエツチングを止めることができる。
Ａｌの組成比０．２５と０．８６からなるＡｆｌＧａＡ
ｓ超格子層のエツチング速度はＡｌ。、、Ｇａ、、、Ａ
ｓ層のエツチング速度の１７８以下となっている。
ｓ超格子層のエツチング速度はＡｌ。、、Ｇａ、、、Ａ
ｓ層のエツチング速度の１７８以下となっている。
この半導体レーザの共Ｗｉ器力方向構造は、共振器端面
近傍ではストライプ幅が２．５μｍの屈折率４波型をな
し、共振器の中央部分ではストライプ幅が３０μｍの利
得導波型となっている。このような形状を構成すること
により縦モードが多重モードとなると共に、非点収差は
１μｍ程度となり、戻り光ノイズに強く、レンズにより
レーザスポット径を１μｍ程度に絞れる。すなわち光磁
気ディスク等のピックアフクシステムに使用するのにｆ
ａｌｌな半導体レーザとなる。ＳｆＯ，ｇ４１２は半４
体レーザへの注入電流をストライプ部にのみ流し、無効
電流を減らし、しきい値電流の低減をはかっている。
近傍ではストライプ幅が２．５μｍの屈折率４波型をな
し、共振器の中央部分ではストライプ幅が３０μｍの利
得導波型となっている。このような形状を構成すること
により縦モードが多重モードとなると共に、非点収差は
１μｍ程度となり、戻り光ノイズに強く、レンズにより
レーザスポット径を１μｍ程度に絞れる。すなわち光磁
気ディスク等のピックアフクシステムに使用するのにｆ
ａｌｌな半導体レーザとなる。ＳｆＯ，ｇ４１２は半４
体レーザへの注入電流をストライプ部にのみ流し、無効
電流を減らし、しきい値電流の低減をはかっている。
上記実施例では１回目のエピタキシャル成長層にＡβＧ
ａＡｓ／ＧａＡｓ系の化合物事４体を例に説明したが、
他の■−ｖ族化合物半導体やその混晶を用いてもよいし
、第３の半導体層に電流を狭窄し、且リプストライプと
その両側での等価比節折率差を設けるためにＺｎ５ｅｆ
ｆｌを用いたが、他のＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体やその
混晶及び■−ｖ族化合物半導体やその混晶であってもよ
いし、半導体形成方法にＭＯＣＶＤを用いたが、他の形
成方法、例えば分子ビームエピタキシーを用いてもよい
。
ａＡｓ／ＧａＡｓ系の化合物事４体を例に説明したが、
他の■−ｖ族化合物半導体やその混晶を用いてもよいし
、第３の半導体層に電流を狭窄し、且リプストライプと
その両側での等価比節折率差を設けるためにＺｎ５ｅｆ
ｆｌを用いたが、他のＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体やその
混晶及び■−ｖ族化合物半導体やその混晶であってもよ
いし、半導体形成方法にＭＯＣＶＤを用いたが、他の形
成方法、例えば分子ビームエピタキシーを用いてもよい
。
以上詳細に説明したように、横モードを安定化するため
の屈折率差は第１の半導体層の厚さに大きく依存する。
の屈折率差は第１の半導体層の厚さに大きく依存する。
そのため、本発明では第１の半導体層を超格子構造とし
、第２の半導体層とのエツチング選択比を上げることに
より、第１の半導体層表面が露出するよう、第２の半導
体層の一部を除去することが可能となり、横モードを再
現性よく制御することができるという効果を存する。
、第２の半導体層とのエツチング選択比を上げることに
より、第１の半導体層表面が露出するよう、第２の半導
体層の一部を除去することが可能となり、横モードを再
現性よく制御することができるという効果を存する。
第１図は本発明の半導体レーザの出射断面図、ｆｉ２図
は従来の半４体レーザの出射断面図、第３図（ａ）〜（
ｄ）は本発明の半導体レーザの製造工程図、第４図は第
１図とは異なる本発明の半導体レーザの斜視図である。 １０１ 、２１ 、４０１ ・ｎ型ＧａＡｓ基板１０２
、２２ 、４０２−ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ バッファ層 １０３ 、２３ 、４０３ ・ｎ型ＡＪ２ＧａＡｓクラ
ッド層 １０４ 、 ４０４−Ａ Ｉｌ Ｇ ａ Ａ ｓ活性層
１０５．２５，４０５・・・ｐ型光導波層１０Ｅｉ、２
７，４０８・・・ｐ型りラフト層１０７．２８，４０７
・・・ｐ型コンタクト層１０８．４０８−・・アンドー
プＺ ｎ Ｓ ｅ届１０９・・・ｎ側電極 １１０・・・ｎ側電極 １１１．４１２ ・・・Ｓ ｉ Ｏ＊２４−ｐ型Ｇａ
Ａ’ｓ活性層 − ２６・・・ｎ型ＡρＧａＡｓ電流狭窄層以 上 ／Ｉ／ 子≠図
は従来の半４体レーザの出射断面図、第３図（ａ）〜（
ｄ）は本発明の半導体レーザの製造工程図、第４図は第
１図とは異なる本発明の半導体レーザの斜視図である。 １０１ 、２１ 、４０１ ・ｎ型ＧａＡｓ基板１０２
、２２ 、４０２−ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ バッファ層 １０３ 、２３ 、４０３ ・ｎ型ＡＪ２ＧａＡｓクラ
ッド層 １０４ 、 ４０４−Ａ Ｉｌ Ｇ ａ Ａ ｓ活性層
１０５．２５，４０５・・・ｐ型光導波層１０Ｅｉ、２
７，４０８・・・ｐ型りラフト層１０７．２８，４０７
・・・ｐ型コンタクト層１０８．４０８−・・アンドー
プＺ ｎ Ｓ ｅ届１０９・・・ｎ側電極 １１０・・・ｎ側電極 １１１．４１２ ・・・Ｓ ｉ Ｏ＊２４−ｐ型Ｇａ
Ａ’ｓ活性層 − ２６・・・ｎ型ＡρＧａＡｓ電流狭窄層以 上 ／Ｉ／ 子≠図
Claims (1)
- 半導体活性層上に、超格子構造からなる第１の半導体層
と、前記第１の半導体層上に配置されたリブストライプ
状の第２の半導体層と、前記第１の半導体層上で且つ前
記第２の半導体層の両側に配置された第３の半導体層か
らなる層構造を含むことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27855787A JPH01120884A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27855787A JPH01120884A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120884A true JPH01120884A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17598922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27855787A Pending JPH01120884A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120884A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021187543A1 (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ素子 |
-
1987
- 1987-11-04 JP JP27855787A patent/JPH01120884A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021187543A1 (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JPWO2021187543A1 (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 |
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