JPH01211990A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH01211990A JPH01211990A JP3611088A JP3611088A JPH01211990A JP H01211990 A JPH01211990 A JP H01211990A JP 3611088 A JP3611088 A JP 3611088A JP 3611088 A JP3611088 A JP 3611088A JP H01211990 A JPH01211990 A JP H01211990A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
て産業上の利用分野〕
本発明は横モードを制御した半導体レーザに係り、特に
半導体層の膜厚の均一性を再現性よく実現することによ
り、横モード等の特性のバラツキを少なくした半導体レ
ーザに関する。
半導体層の膜厚の均一性を再現性よく実現することによ
り、横モード等の特性のバラツキを少なくした半導体レ
ーザに関する。
従来、エクステンデッド・アブストラクト・オン・ザ・
エイティーンス・コンファレンス・オン・ソリッド・ス
テイト・デバイセズ・アンド・マテリアルズ １９８６
年 １７３−１７６頁に記載されたが、詳細な説明を第
２図に示す、第２図は、従来の半導体レーザのレーザ出
射断面を表ツノしている。ｎ型（１００）ＧａＡｓ基板
２１．１〕型ＧａＡｓバッファ層２２、ｎ型Ａ ｊ ｏ
、 ｓｓＧ ａ 。
エイティーンス・コンファレンス・オン・ソリッド・ス
テイト・デバイセズ・アンド・マテリアルズ １９８６
年 １７３−１７６頁に記載されたが、詳細な説明を第
２図に示す、第２図は、従来の半導体レーザのレーザ出
射断面を表ツノしている。ｎ型（１００）ＧａＡｓ基板
２１．１〕型ＧａＡｓバッファ層２２、ｎ型Ａ ｊ ｏ
、 ｓｓＧ ａ 。
ｂｓＡＢクラッド層２３、ｐ型Ｇ ａ Ａ Ｓ活性層２
４、ρ型Ａ ｊ ０．２５Ｇ ａ ０．７ＳＡ Ｓ光導
波層２５、ｎ型Ａｊ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ Ａｓｔ流狭
窄層２６、ρ型Ａ、１１゜２７Ｇ ａ ｏ７ｓＡ Ｓク
ラッド層２７、ｐ型Ｇ ａ Ａ Ｓコンタクト層２８か
ら形成されている。ここでｎ型Ａｊ ｏ、ｓ Ｇａｏ、
ｓ Ａ Ｓ電流狭窄層２６は、エツチング選択性のない
６Ｈ２３０４： Ｈ２０２二Ｈ２０液でエツチングされ
ていた。ここで言うエツチング選択性とは、電流狭窄層
２６を光導波層２５に対して選択的にエツチングするか
、或いは高速にエツチングすることを意味している。
４、ρ型Ａ ｊ ０．２５Ｇ ａ ０．７ＳＡ Ｓ光導
波層２５、ｎ型Ａｊ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ Ａｓｔ流狭
窄層２６、ρ型Ａ、１１゜２７Ｇ ａ ｏ７ｓＡ Ｓク
ラッド層２７、ｐ型Ｇ ａ Ａ Ｓコンタクト層２８か
ら形成されている。ここでｎ型Ａｊ ｏ、ｓ Ｇａｏ、
ｓ Ａ Ｓ電流狭窄層２６は、エツチング選択性のない
６Ｈ２３０４： Ｈ２０２二Ｈ２０液でエツチングされ
ていた。ここで言うエツチング選択性とは、電流狭窄層
２６を光導波層２５に対して選択的にエツチングするか
、或いは高速にエツチングすることを意味している。
しかし、従来の半導体レーザの構造では、エツチング選
択性が無かった。すなわち、従来のエッチャントを用い
て、Ａ ｊ ｚ Ｇ ａ ＋ −＊ Ａ ＳのＡｊの組
成比Ｘの異なる２層を選択エツチングすることは非常な
困難であった。例えば、従来のエッチャントには、分解
かはげしい過酸１ヒ水素水が倉よれるため、エツチング
液の管理、すなわち、エツチング液を作製してからエツ
チングを行なうまでの時間、エツチング液の温度制御や
、エツチング時間を厳密に管理することなど大変厄介な
問題点を有していた。
択性が無かった。すなわち、従来のエッチャントを用い
て、Ａ ｊ ｚ Ｇ ａ ＋ −＊ Ａ ＳのＡｊの組
成比Ｘの異なる２層を選択エツチングすることは非常な
困難であった。例えば、従来のエッチャントには、分解
かはげしい過酸１ヒ水素水が倉よれるため、エツチング
液の管理、すなわち、エツチング液を作製してからエツ
チングを行なうまでの時間、エツチング液の温度制御や
、エツチング時間を厳密に管理することなど大変厄介な
問題点を有していた。
そこで本発明では、従来のこのような問題点を解決する
ため、エツチング選択性の高い、エツチングを停止する
ための第１の半導体層と、エツチングされやすい超格子
構造からなる第２の半導体層の積層構造をきむ構造を採
用することにより、エツチング部分の厚みを制御し、横
モードを良好に制御した半導体レーザを再現性よく堤供
することを目的としている。
ため、エツチング選択性の高い、エツチングを停止する
ための第１の半導体層と、エツチングされやすい超格子
構造からなる第２の半導体層の積層構造をきむ構造を採
用することにより、エツチング部分の厚みを制御し、横
モードを良好に制御した半導体レーザを再現性よく堤供
することを目的としている。
上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザは
、半導体活性層上に、第１の半導体層と、前記第１の半
導体層上に配置されたリブストライプ状の超格子Ｍ造か
らなる第２の半導体層と、前記第１の半導体層上で且つ
前記第２の半導体層の両側に配置された第３の半導体層
からなる層構造を含むことを特徴とする。
、半導体活性層上に、第１の半導体層と、前記第１の半
導体層上に配置されたリブストライプ状の超格子Ｍ造か
らなる第２の半導体層と、前記第１の半導体層上で且つ
前記第２の半導体層の両側に配置された第３の半導体層
からなる層構造を含むことを特徴とする。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明による半導体レーザの断面図である。１０１
はｎ型ＧａＡｓ基板、１０２は層厚０．５μｍのｆｌｌ
型ＧａＡｓバフフッ、１０３は層厚１．５μｍのｎ型Ａ
ｊ ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ ｓ Ａ Ｓクラッド層、１０
４は層厚的０．０８μｍのアンドープＡ Ｊ ｏｌｓＧ
ａ ０．７５Ａ Ｓ活性層、１０５は、層厚０．２μ
ｍのｐ型ＡＪｌｏ、 ｓ Ｇ ａ Ｏ，７Ａ Ｓ光導波
層であり、特許請求の範囲に記述した第１の半導体層に
あたる。１０６は、Ａｊｏ、ｂ Ｇ ａｏ４Ａ ｓバリ
ア層（層厚６０人）と、Ａ ｊ ０．４ Ｇ ａ ｏ、
ｂ ＡＳウェル層（層厚５０人）の１３０の周期の超
格子構造からなるｐ型クラッド層であり、第２の半導体
層であり、１０７は層厚０．５μｆｆＩのｐ型Ｇａ Ａ
ｓコンタクト層、１０８は第３の半導体層としてのア
ンドープＺｎ５ｅ層、１０９は、ｎ１ｌｌ電極のＮｉ／
ＡｕＧｅ／’Ａｕ層、１１０は、ｐ側型、蚤のＡ ｕ
Ｚ ｎ ／ Ａ ｕ層である。
図は本発明による半導体レーザの断面図である。１０１
はｎ型ＧａＡｓ基板、１０２は層厚０．５μｍのｆｌｌ
型ＧａＡｓバフフッ、１０３は層厚１．５μｍのｎ型Ａ
ｊ ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ ｓ Ａ Ｓクラッド層、１０
４は層厚的０．０８μｍのアンドープＡ Ｊ ｏｌｓＧ
ａ ０．７５Ａ Ｓ活性層、１０５は、層厚０．２μ
ｍのｐ型ＡＪｌｏ、 ｓ Ｇ ａ Ｏ，７Ａ Ｓ光導波
層であり、特許請求の範囲に記述した第１の半導体層に
あたる。１０６は、Ａｊｏ、ｂ Ｇ ａｏ４Ａ ｓバリ
ア層（層厚６０人）と、Ａ ｊ ０．４ Ｇ ａ ｏ、
ｂ ＡＳウェル層（層厚５０人）の１３０の周期の超
格子構造からなるｐ型クラッド層であり、第２の半導体
層であり、１０７は層厚０．５μｆｆＩのｐ型Ｇａ Ａ
ｓコンタクト層、１０８は第３の半導体層としてのア
ンドープＺｎ５ｅ層、１０９は、ｎ１ｌｌ電極のＮｉ／
ＡｕＧｅ／’Ａｕ層、１１０は、ｐ側型、蚤のＡ ｕ
Ｚ ｎ ／ Ａ ｕ層である。
この構造において、Ｚｎ５ｅ層１０８は、高抵抗層であ
るため電流狭窄の役目を果すと供に、屈折率がｐ型クラ
ッド層１０６より小さいため、光閉じ込めの役目ら果た
す。すなわち、前者では、電流を中央のス１〜ライブ部
だけに流すことにより、しきい値電流の低減をもたらし
、後者では、ストライプ部の等偏屈折率を、ストライプ
両側の等偏屈折率と比べて大きくし、活性層１０４のス
トライプ部でレーザ発振した光を、ストライプ部に閉じ
込め、屈折率導波機構により横モードを安定化させる。
るため電流狭窄の役目を果すと供に、屈折率がｐ型クラ
ッド層１０６より小さいため、光閉じ込めの役目ら果た
す。すなわち、前者では、電流を中央のス１〜ライブ部
だけに流すことにより、しきい値電流の低減をもたらし
、後者では、ストライプ部の等偏屈折率を、ストライプ
両側の等偏屈折率と比べて大きくし、活性層１０４のス
トライプ部でレーザ発振した光を、ストライプ部に閉じ
込め、屈折率導波機構により横モードを安定化させる。
次に、本発明のｍ造をより明確に説明するため製造工程
図に基づいて説明する。
図に基づいて説明する。
第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明による半導体レーザの製
造工程を工程順に示した断面図である。
造工程を工程順に示した断面図である。
第３図（ａ）において、ｎ型（１００）ＧａＡＳ基板１
０１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ型Ａ ｊ
ｏ、 ｓ Ｇ ａ ｏ、 ｓ Ａ Ｓクラッド層１０３
、アンドープＡ ｊ ｏ、ｓＧ ａ ０．７ＳＡ Ｓ活
性層１０４、ｐ型光導波層１０５、ｐ型Ａｌｌ ｏ、ｓ
Ｇａｏ、ｓ Ａｓクラッド層１０６、ｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層１０７を有機金属気相成長法（以下、Ｍ Ｏ
ＣＶ Ｄと略す）で順次形成した後、熱ＣＶＤで３００
０Ａの厚さのＳ ｉ Ｏ２膜１１１を堆積する。
０１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ型Ａ ｊ
ｏ、 ｓ Ｇ ａ ｏ、 ｓ Ａ Ｓクラッド層１０３
、アンドープＡ ｊ ｏ、ｓＧ ａ ０．７ＳＡ Ｓ活
性層１０４、ｐ型光導波層１０５、ｐ型Ａｌｌ ｏ、ｓ
Ｇａｏ、ｓ Ａｓクラッド層１０６、ｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層１０７を有機金属気相成長法（以下、Ｍ Ｏ
ＣＶ Ｄと略す）で順次形成した後、熱ＣＶＤで３００
０Ａの厚さのＳ ｉ Ｏ２膜１１１を堆積する。
第３図（ｂ）において、通常のフォトリソグラフィー工
程により、５ｉＯｚｌｌｌがＧａＡｓ基板１０１の＜Ｏ
ＴＴ＞方向にのびたストライプ状に残るよう、フッ酸系
エッチャントでエツチングし、残った５ｉＯｚｌｌｌを
ｐ型ＧａＡｓ：２ンタクト層１０７とρ型クラッド層１
０６の選択エツチング用マスクとしＧａＡｓ及びＡＪＧ
ａＡｓのエッチャントであるＨ２ＳＯ４： ８Ｈ２０□
：８Ｈ２０でρ型クラッド層１０６の途中までエツチン
グする。
程により、５ｉＯｚｌｌｌがＧａＡｓ基板１０１の＜Ｏ
ＴＴ＞方向にのびたストライプ状に残るよう、フッ酸系
エッチャントでエツチングし、残った５ｉＯｚｌｌｌを
ｐ型ＧａＡｓ：２ンタクト層１０７とρ型クラッド層１
０６の選択エツチング用マスクとしＧａＡｓ及びＡＪＧ
ａＡｓのエッチャントであるＨ２ＳＯ４： ８Ｈ２０□
：８Ｈ２０でρ型クラッド層１０６の途中までエツチン
グする。
第３図（ｃ）において、超格子構造からなるｐ型クラッ
ド層１０６とｐ型光導波層１０５に対して、エツチング
速度が大きく変化するエッチャント、例えばＩＨＦ：５
ＮＨ，Ｆ二１Ｈ２Ｓｏ、：８Ｈ２０２： ８Ｈ２０でエ
ツチングすると、ｐ型クラッド層１０６をエツチングし
、ｐ型光導波層１０５の表面が露出したところで易すく
エツチングを止めることができる。Ａｊｌの組成比０．
６と０．４からなるＡＮ ＧａＡｓ超格子−層のエツチ
ング速度はＡＪ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｔ Ａｓ層のエツチ
ング速度の１０倍以上となっている。
ド層１０６とｐ型光導波層１０５に対して、エツチング
速度が大きく変化するエッチャント、例えばＩＨＦ：５
ＮＨ，Ｆ二１Ｈ２Ｓｏ、：８Ｈ２０２： ８Ｈ２０でエ
ツチングすると、ｐ型クラッド層１０６をエツチングし
、ｐ型光導波層１０５の表面が露出したところで易すく
エツチングを止めることができる。Ａｊｌの組成比０．
６と０．４からなるＡＮ ＧａＡｓ超格子−層のエツチ
ング速度はＡＪ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｔ Ａｓ層のエツチ
ング速度の１０倍以上となっている。
第３図（ｄ）において、ＭＯＣＶＤでアンドープＺｎ５
ｅ層１０８の選択埋め込み成長を行なった後、選択エツ
チングマスクとして使用したＳｔＯ□１１１をフッ酸系
エッチャントで除去し、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１を１０
０μｍの厚さに研磨した後、Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ
ｅ ／ Ａ ｕを蒸着しｎｌｌ！ｌ電極１０９を形成し
、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０７側にＡ ｕ Ｚ ｎ
／ Ａ 、ｕを蒸着しｐｉｌｌ電極１１０を形成し、
第１図のごとく半導体レーザが出来上がる。
ｅ層１０８の選択埋め込み成長を行なった後、選択エツ
チングマスクとして使用したＳｔＯ□１１１をフッ酸系
エッチャントで除去し、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１を１０
０μｍの厚さに研磨した後、Ｎ ｉ ／ Ａ ｕ Ｇ
ｅ ／ Ａ ｕを蒸着しｎｌｌ！ｌ電極１０９を形成し
、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０７側にＡ ｕ Ｚ ｎ
／ Ａ 、ｕを蒸着しｐｉｌｌ電極１１０を形成し、
第１図のごとく半導体レーザが出来上がる。
この半導体レーザのストライプ部の半導体層の成長方向
の構造は通常Ｌ ＯＣ（１ａｒａｅ−ｏｐｔｉｃａｌ−
ｃａｖｉｔｙ）と呼ばれるｊｆｌｊ ３ｕであり、Ａ
ＩＩ ｏ、 ＋ ％ｃ ａ ｏ、 ８５Ａｓ活性層１０
４からの光波をｐ型Ａｊｏ、１ＧａＯ，７ＡＳ光導波層
１０５にしみ出させ導波することにより、Ａ Ｊ ｏ、
＋ ｓＧ ａ ｏ、 ａ５Ａ Ｓ活性層１０４での光
密度を低下させ、光導波ノーをもたない半導体レーザよ
り高出力まで安定した発振を可能とする。
の構造は通常Ｌ ＯＣ（１ａｒａｅ−ｏｐｔｉｃａｌ−
ｃａｖｉｔｙ）と呼ばれるｊｆｌｊ ３ｕであり、Ａ
ＩＩ ｏ、 ＋ ％ｃ ａ ｏ、 ８５Ａｓ活性層１０
４からの光波をｐ型Ａｊｏ、１ＧａＯ，７ＡＳ光導波層
１０５にしみ出させ導波することにより、Ａ Ｊ ｏ、
＋ ｓＧ ａ ｏ、 ａ５Ａ Ｓ活性層１０４での光
密度を低下させ、光導波ノーをもたない半導体レーザよ
り高出力まで安定した発振を可能とする。
一方、活性層に平行方向では、ストライプ部とその両側
とで等値化屈折率差をもたせることで、横モードの制御
を行っている。ここではストライプ幅を２μｍ程度とす
ることにより基本横モードを得ることが可能となる。
とで等値化屈折率差をもたせることで、横モードの制御
を行っている。ここではストライプ幅を２μｍ程度とす
ることにより基本横モードを得ることが可能となる。
ｎ１ｌｌｌ電極１０９とｐ側電極１１０との間にｐ側電
極１１０が正となるよう電圧を印加した時、ストライプ
部ではρｎ接合に順方向バイアスが印加するため電流注
入を行うことができるが、ストライプ部の両側ではアン
ドープＺｎ５ｅ層１０８が高抵抗であるため電流はほと
んど流れない。
極１１０が正となるよう電圧を印加した時、ストライプ
部ではρｎ接合に順方向バイアスが印加するため電流注
入を行うことができるが、ストライプ部の両側ではアン
ドープＺｎ５ｅ層１０８が高抵抗であるため電流はほと
んど流れない。
第４図は、本発明の第２の実施例の半導体レーザの斜視
図である。第１の実施例と異なるのは、リブの形と形成
方法及び５ｉ０−膜４１２がアンドープＺｎ５ｅ層４０
８上に堆積されている。４０１はｎ型ＧａＡｓ基板、４
０２は層厚０．５μｆｆｌのｎ型Ｇ ａ Ａ ｓバフフ
ッ層、４０３は層厚１゜５ μｒｒｔのｒＬ型ＡＪ ｏ
、ｓ Ｇａｏ、ｓ Ａｓクラッド層、４０４は層厚０．
０６μｍのアンドープＡＪｏ、ｔｓＧ ａ ０．７５Ａ
Ｓ活性層、４０５は、層厚０．２ｕｍのｐ型光導波層
であり、第１の半導体層にあたる。
図である。第１の実施例と異なるのは、リブの形と形成
方法及び５ｉ０−膜４１２がアンドープＺｎ５ｅ層４０
８上に堆積されている。４０１はｎ型ＧａＡｓ基板、４
０２は層厚０．５μｆｆｌのｎ型Ｇ ａ Ａ ｓバフフ
ッ層、４０３は層厚１゜５ μｒｒｔのｒＬ型ＡＪ ｏ
、ｓ Ｇａｏ、ｓ Ａｓクラッド層、４０４は層厚０．
０６μｍのアンドープＡＪｏ、ｔｓＧ ａ ０．７５Ａ
Ｓ活性層、４０５は、層厚０．２ｕｍのｐ型光導波層
であり、第１の半導体層にあたる。
４０６は、ＡｊＯ，６Ｇａｏ４Ａｓバリア層（層厚６０
人）と、Ａ ｊ Ｏ，４Ｇ ａ ｏ、 ｂ Ａ Ｓウェ
ル層（層厚５０人）の１３０周期の超格子構造からなる
第２の半導体層としてのｐ型クラッド層、４０７は、層
厚０．５μｍのρ型ＧａＡｓコンタクト層、４０８は第
３の半導体層としてのアンドープＺｎ５Ｃ層である。
人）と、Ａ ｊ Ｏ，４Ｇ ａ ｏ、 ｂ Ａ Ｓウェ
ル層（層厚５０人）の１３０周期の超格子構造からなる
第２の半導体層としてのｐ型クラッド層、４０７は、層
厚０．５μｍのρ型ＧａＡｓコンタクト層、４０８は第
３の半導体層としてのアンドープＺｎ５Ｃ層である。
リブストライプの形成方法には、塩素のりアクティブ・
イオン・ビーム・エツチングを用いた。
イオン・ビーム・エツチングを用いた。
この場合、超格子構造からなるｐ型クラッド層４０６に
対するｐ型Ａｊｏ、ｓ Ｇａｏ、ｔ Ａｓ光導波４０５
のエツチング速度は小さくなるため、ｐ型光ガイド層４
０５の表面が露出したところで易すくエツチングを止め
ることができる。Ａｊの組成比０．４と０．６からなる
ＡｊＧａＡｓ超格子層のエツチング速度はＡＮ ｏ、ｓ
Ｇａｏ、ｔ Ａｓ層のエツチング速度の１０倍以上と
なっている。
対するｐ型Ａｊｏ、ｓ Ｇａｏ、ｔ Ａｓ光導波４０５
のエツチング速度は小さくなるため、ｐ型光ガイド層４
０５の表面が露出したところで易すくエツチングを止め
ることができる。Ａｊの組成比０．４と０．６からなる
ＡｊＧａＡｓ超格子層のエツチング速度はＡＮ ｏ、ｓ
Ｇａｏ、ｔ Ａｓ層のエツチング速度の１０倍以上と
なっている。
この半導体レーザの共振器方向の構造は、共振器端面近
傍ではストライプ幅が２．５μｍの屈折率導波型をなし
、共振器の中央部分ではストライプ幅が３０μｍの利得
導波型となっている。このような形状を構成することに
より樅モードが多重モードとなると共に、非点収差は１
μｒｎ程度となり、戻り光ノイズに強く、レンズにより
レーザスポット径を１μｍ程度に絞れる。すなわち光磁
気ディスク等のビックアラクシステムに使用するのに最
適な半導体レーザとなる。ＳｉＯ□ＷＡ４１２は半導体
レーザへの注入電流をストライプ部にのみ流し、無効電
流を減らし、しきい値電流の低減をはかっている。
傍ではストライプ幅が２．５μｍの屈折率導波型をなし
、共振器の中央部分ではストライプ幅が３０μｍの利得
導波型となっている。このような形状を構成することに
より樅モードが多重モードとなると共に、非点収差は１
μｒｎ程度となり、戻り光ノイズに強く、レンズにより
レーザスポット径を１μｍ程度に絞れる。すなわち光磁
気ディスク等のビックアラクシステムに使用するのに最
適な半導体レーザとなる。ＳｉＯ□ＷＡ４１２は半導体
レーザへの注入電流をストライプ部にのみ流し、無効電
流を減らし、しきい値電流の低減をはかっている。
上記実施例では１回目のエピタキシャル成長層にＡｊＧ
ａＡｓ／ＧａＡｓ系の化合物半導体を例に説明したが、
他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体やその混晶を用いてもよ
いし、第３の半導体層に電流を狭窄し、且リブストライ
プとその両側での等値化屈折率差を設けるためにＺｎ５
ｅ層を用いたが、他のｎ−Ｖｌ族化合物半導体やその混
晶を及びＩ−Ｖ族化合物半導体やその混晶であってもよ
いし、半導体形成方法にＭＯＣＶＤを用いたが、他の形
成方法、例えば分子ビームエピタキシーを用いてもよい
。
ａＡｓ／ＧａＡｓ系の化合物半導体を例に説明したが、
他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体やその混晶を用いてもよ
いし、第３の半導体層に電流を狭窄し、且リブストライ
プとその両側での等値化屈折率差を設けるためにＺｎ５
ｅ層を用いたが、他のｎ−Ｖｌ族化合物半導体やその混
晶を及びＩ−Ｖ族化合物半導体やその混晶であってもよ
いし、半導体形成方法にＭＯＣＶＤを用いたが、他の形
成方法、例えば分子ビームエピタキシーを用いてもよい
。
以上詳細に説明したように、横モードを安定化するため
の屈折率差は第１の半導体層の厚さに大きく依存する。
の屈折率差は第１の半導体層の厚さに大きく依存する。
そのため、本発明では第２の半導体層を超格子構造とし
、第１の半導体層とのエツチング選択比を上げることに
より、第１の半導体層表面が露出するよう、第２の半導
体層の一部を除去することが可能となり、横モードを再
現性よく制御することができるという効果を有する。
、第１の半導体層とのエツチング選択比を上げることに
より、第１の半導体層表面が露出するよう、第２の半導
体層の一部を除去することが可能となり、横モードを再
現性よく制御することができるという効果を有する。
第１図は本発明の半導体レーザの出射断面図、第２図は
従来の半導体レーザの出射断面図、第３図（ａ）〜（ｄ
）は本発明の半導体レーザの製造工程図、第４図は第１
図とは異なる本発明の半導体レーザの斜視図である。 １０１．２１．４０１ ・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 １０２．２２．４０２ ・・・ｎ型ＧａＡｓバッフｒ層 １０３．２３．４０３ ・・・ロ型ＡｊＧａＡｓクラッド層 １０４．４０４ ・・・ＡｊＧａＡｓ活性層 １０５．２５．４０５ ・・・ｐ型光導波層 １０６．２７．４０６ ・・・ｐ型クラッド層 １０７．２８．４０７ ・・・ｐ型コンタクト層 １０８．４０８ ・・・アンド−１ＺｎＳｅ層 １０９・・・・ｎ側電極 １１０・・・・ｐｆ！ＩＩ電極 １１１．４１２ ・・・５ｉＯ２ ２１１・・・・ｐ型ＧａＡｓ活性層 ２６・・・・ｎ型ＡｊＧ ａ Ａ ｓ電流狭窄層以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
従来の半導体レーザの出射断面図、第３図（ａ）〜（ｄ
）は本発明の半導体レーザの製造工程図、第４図は第１
図とは異なる本発明の半導体レーザの斜視図である。 １０１．２１．４０１ ・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 １０２．２２．４０２ ・・・ｎ型ＧａＡｓバッフｒ層 １０３．２３．４０３ ・・・ロ型ＡｊＧａＡｓクラッド層 １０４．４０４ ・・・ＡｊＧａＡｓ活性層 １０５．２５．４０５ ・・・ｐ型光導波層 １０６．２７．４０６ ・・・ｐ型クラッド層 １０７．２８．４０７ ・・・ｐ型コンタクト層 １０８．４０８ ・・・アンド−１ＺｎＳｅ層 １０９・・・・ｎ側電極 １１０・・・・ｐｆ！ＩＩ電極 １１１．４１２ ・・・５ｉＯ２ ２１１・・・・ｐ型ＧａＡｓ活性層 ２６・・・・ｎ型ＡｊＧ ａ Ａ ｓ電流狭窄層以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 半導体活性層上に、第１の半導体層と、前記第１の半導
体層上に配置されたリブストライプ状の超格子構造から
なる第２の半導体層と、前記第１の半導体層上で且つ前
記第２の半導体層の両側に配置された第３の半導体層か
らなる層構造を含むことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3611088A JPH01211990A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3611088A JPH01211990A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211990A true JPH01211990A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12460632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3611088A Pending JPH01211990A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01211990A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2021187543A1 (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP3611088A patent/JPH01211990A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2021187543A1 (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | ||
| WO2021187543A1 (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ素子 |
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