JPH01123479A - 太陽電池セル - Google Patents
太陽電池セルInfo
- Publication number
- JPH01123479A JPH01123479A JP62281613A JP28161387A JPH01123479A JP H01123479 A JPH01123479 A JP H01123479A JP 62281613 A JP62281613 A JP 62281613A JP 28161387 A JP28161387 A JP 28161387A JP H01123479 A JPH01123479 A JP H01123479A
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- JP
- Japan
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- semiconductor layer
- layer
- solar cell
- light
- junction
- Prior art date
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は複数個の太陽電池を直列に接続して光発電に使
用する場合、一部の太陽電池セルが影になった時に発生
する逆電圧による破壊を防止する逆導通太陽電池セルに
関する。
用する場合、一部の太陽電池セルが影になった時に発生
する逆電圧による破壊を防止する逆導通太陽電池セルに
関する。
一般に、この種の太陽゛電池セルは基本的には１つのｐ
−ｎ接合を有するダイオードである。
−ｎ接合を有するダイオードである。
実際に太陽電池セルを発電用として使用する際には、複
数個のセルを直列に接続し、全体の発生電圧が所定の電
圧となるようにしていた。
数個のセルを直列に接続し、全体の発生電圧が所定の電
圧となるようにしていた。
しかしながら従来の太陽電池セルは、太陽電池セルの一
部が影に表つた場合、直列接続された他のセルに発生す
る電圧が、ダイオードである太陽電池セルの性質上、逆
方向電圧として印加されることに々す、この時、太陽電
池セルの逆方向耐量が小さいと破壊現象が起シ、太陽電
池セルとしての機能が低下し又は消滅してしまうという
欠点があった。
部が影に表つた場合、直列接続された他のセルに発生す
る電圧が、ダイオードである太陽電池セルの性質上、逆
方向電圧として印加されることに々す、この時、太陽電
池セルの逆方向耐量が小さいと破壊現象が起シ、太陽電
池セルとしての機能が低下し又は消滅してしまうという
欠点があった。
上記の欠点を防止するためには太陽電池セルの逆方向耐
圧を高めるか、又は直列接続したセルの発生電圧が１セ
ルの逆阻止能力を越えない範囲毎に１逆並列に別途ダイ
オードを挿入するという方法がある。
圧を高めるか、又は直列接続したセルの発生電圧が１セ
ルの逆阻止能力を越えない範囲毎に１逆並列に別途ダイ
オードを挿入するという方法がある。
前者の太陽電池セルの逆方向電圧を高めるには、ベース
層の不純物濃度を下げるという方法がある。
層の不純物濃度を下げるという方法がある。
このきめには太陽電池セルでは浅いｐ−ｎ接合を必要と
し、特に宇宙用太陽電池セルは短波長感度を高めるため
に０．３〜０．５μｍ以下にする必要がらり、通常数百
Ｖの逆耐圧を得るのに必要な不純物濃度のベース層に対
して上記のようなｐ−ｎ接合を拡散によって形成するこ
とは、実験的には可能であっても技術的に量産は非常に
困難である。
し、特に宇宙用太陽電池セルは短波長感度を高めるため
に０．３〜０．５μｍ以下にする必要がらり、通常数百
Ｖの逆耐圧を得るのに必要な不純物濃度のベース層に対
して上記のようなｐ−ｎ接合を拡散によって形成するこ
とは、実験的には可能であっても技術的に量産は非常に
困難である。
また、ＧａＡｍ太陽電池セルにおいては、その結晶成長
時に低不純物濃度を得ることは困難であシ、このため得
られる逆耐圧は多くても数十Ｖである。
時に低不純物濃度を得ることは困難であシ、このため得
られる逆耐圧は多くても数十Ｖである。
他方、後者の別途ダイオードを挿入する方法は、ダイオ
ード接続により部品点数が増加するのでコストアップに
つながシ且つ系としての信頼性を下げることになり、特
に高信頼性を要求される宇宙用等の太陽電池セルでは太
き々問題となる。
ード接続により部品点数が増加するのでコストアップに
つながシ且つ系としての信頼性を下げることになり、特
に高信頼性を要求される宇宙用等の太陽電池セルでは太
き々問題となる。
他の方法として太陽電池セル中に逆並列接続された独立
のダイオードを形成することにより外部逆並列ダイオー
ド挿入と同様の効果を得ることができる。しかし反面、
同一半導体基板内に逆並列ダイオードを形成した場合、
入射光により逆並列ダイオードに太陽電池起電力と反対
方向に起電力が発生してしまい、太陽電池の特性を著し
く損うことに々る。
のダイオードを形成することにより外部逆並列ダイオー
ド挿入と同様の効果を得ることができる。しかし反面、
同一半導体基板内に逆並列ダイオードを形成した場合、
入射光により逆並列ダイオードに太陽電池起電力と反対
方向に起電力が発生してしまい、太陽電池の特性を著し
く損うことに々る。
以上のように太陽電池セルの逆耐圧を高めることは限度
があり、高電圧発電システムとしての使用は困難であっ
た。
があり、高電圧発電システムとしての使用は困難であっ
た。
本発明は以上のような問題点を解消し、同一半導体基板
内に逆並列ダイオードを形成する逆導通太陽電池セルに
おいて、逆並列ダイオードの起電力を防止して高効率の
太陽電池セルを得ることを目的とする。
内に逆並列ダイオードを形成する逆導通太陽電池セルに
おいて、逆並列ダイオードの起電力を防止して高効率の
太陽電池セルを得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕 。
本発明は半導体基板の第１の主面に全面形成され、その
１部が半導体基板を貫通して第２の主面に到達するよう
な第１の導電型の第１の半導体層と、半導体基板を第１
の半導体層により分離して形成された第２の導電型の第
２の半導体層および第２の導電型の第３の半導体層と、 第２の導電型の第３の半導体層内に位置し、第２の主面
側に形成された第１の導電型を有する半導体層であって
、第３の半導体層と形成するｐ−ｎ接合が第１の主面か
ら入射される光発電に寄与する波長の光が第３の半導体
層に吸収されて該ｐ−ｎ接合まで達し々い深さに形成さ
れた第４の半導体層と、第２の主面側の所定箇所に形成
された外部接続用の電極とを設けたものである。
１部が半導体基板を貫通して第２の主面に到達するよう
な第１の導電型の第１の半導体層と、半導体基板を第１
の半導体層により分離して形成された第２の導電型の第
２の半導体層および第２の導電型の第３の半導体層と、 第２の導電型の第３の半導体層内に位置し、第２の主面
側に形成された第１の導電型を有する半導体層であって
、第３の半導体層と形成するｐ−ｎ接合が第１の主面か
ら入射される光発電に寄与する波長の光が第３の半導体
層に吸収されて該ｐ−ｎ接合まで達し々い深さに形成さ
れた第４の半導体層と、第２の主面側の所定箇所に形成
された外部接続用の電極とを設けたものである。
本発明は第１の主面側からの光は第３の半導体層に吸収
され、第２の主面側からの光は電極により反射されるの
で、第３の半導体層および第４の半導体層により形成さ
れるｐ−ｎ接合部には光が到達せず、逆方向の発電は生
じない。
され、第２の主面側からの光は電極により反射されるの
で、第３の半導体層および第４の半導体層により形成さ
れるｐ−ｎ接合部には光が到達せず、逆方向の発電は生
じない。
次に本発明の実施例について図を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（、）は本発明の一実施例を示すＧａ
Ａｓ太陽電池セルの各製造工程の断面図である。
Ａｓ太陽電池セルの各製造工程の断面図である。
まず、ｎ型ＧａＡ４の半導体基板１０表面側である受光
面側（図では上側）および裏面側の両面に選択拡散用の
マスクとしてＣＶＤ方法によ、６５ｔｓＮ４膜２を形成
しく（ａ）図）、その８１ｓＮ４膜２０所定箇所を写真
製版技術により除去して半導体基板１が露出するような
窓を形成する（（ｂ）図）。
面側（図では上側）および裏面側の両面に選択拡散用の
マスクとしてＣＶＤ方法によ、６５ｔｓＮ４膜２を形成
しく（ａ）図）、その８１ｓＮ４膜２０所定箇所を写真
製版技術により除去して半導体基板１が露出するような
窓を形成する（（ｂ）図）。
次に前工穆で形成された窓から不純物であるｚｎの拡散
を行い、半導体基＠ｌを貫通するようなｐ型、ＧａＡｓ
層４（第１の導電型の第１の半導体層）を形成する。こ
れにより半導体基板１は左右に分離されｎ型Ｇ ａ Ａ
型層３．５（第２の導電型の第２゜第３の半導体層）
が形成される。そして、ｎ型ＧａＡｓ層５の裏面側にｐ
型Ｇａ １６層６（第１の導電型を有する第４の半導体
層）を形成する。（（Ｃ）図工この際、ｎ型ＧａＡｓ層
５およびｐｌｉＧａＡａ層６より形成されるｐ−ｎ接合
である逆並列ダイオードの位置は、セル端から少なくと
も２０層１以上離れるようＫする。
を行い、半導体基＠ｌを貫通するようなｐ型、ＧａＡｓ
層４（第１の導電型の第１の半導体層）を形成する。こ
れにより半導体基板１は左右に分離されｎ型Ｇ ａ Ａ
型層３．５（第２の導電型の第２゜第３の半導体層）
が形成される。そして、ｎ型ＧａＡｓ層５の裏面側にｐ
型Ｇａ １６層６（第１の導電型を有する第４の半導体
層）を形成する。（（Ｃ）図工この際、ｎ型ＧａＡｓ層
５およびｐｌｉＧａＡａ層６より形成されるｐ−ｎ接合
である逆並列ダイオードの位置は、セル端から少なくと
も２０層１以上離れるようＫする。
これは、特にＧａＡｓ太陽電池セルにおいては、Ｇａ
Ａｓの光吸収係数が大きく、光発電に寄与する波長の光
の浸透深さが約２０μｍであシ、逆並列ダイオードのｐ
−ｎ接合がこれ以上深い位置にあれば接合部に電力が発
生するととがないからである。
Ａｓの光吸収係数が大きく、光発電に寄与する波長の光
の浸透深さが約２０μｍであシ、逆並列ダイオードのｐ
−ｎ接合がこれ以上深い位置にあれば接合部に電力が発
生するととがないからである。
この後、受光面側の５ｉｓＮ４膜２を除去し、太陽電池
機能を有するｐ−ｎ接合を形成するために約０．５μｍ
の厚みのｐ型Ｇａ １６層７（第１の導電型の第１の半
導体層）およびｐ型ＡｊＧ、Ａ、層８を形成する（（ｄ
）図）。
機能を有するｐ−ｎ接合を形成するために約０．５μｍ
の厚みのｐ型Ｇａ １６層７（第１の導電型の第１の半
導体層）およびｐ型ＡｊＧ、Ａ、層８を形成する（（ｄ
）図）。
さらに、受光面側にはｐ型Ａ ｔ Ｇ ａ Ａ ｓ層８
上にＳｉ３Ｎ４０反射防止１！Ｘ９を形成し、裏面側に
は５ｉｓＮ４の絶縁膜］Ｏを形成する。続いてこれらの
反射防止膜９および絶＃ｌ膜１０の所定箇所を写真製版
技術により除去し、その除去部分に、受光面側にはグリ
ッド電極１１を形成し、裏面側には２つの独立した・外
部接続電極として陽電極、陰電極１２．１３を形成する
（←）図）。
上にＳｉ３Ｎ４０反射防止１！Ｘ９を形成し、裏面側に
は５ｉｓＮ４の絶縁膜］Ｏを形成する。続いてこれらの
反射防止膜９および絶＃ｌ膜１０の所定箇所を写真製版
技術により除去し、その除去部分に、受光面側にはグリ
ッド電極１１を形成し、裏面側には２つの独立した・外
部接続電極として陽電極、陰電極１２．１３を形成する
（←）図）。
この陽電極１２はｐ型（ｙａＡｓ層４．ｎ型ＧａＡｓ層
５に接触するように形成され、他方、陰電極１３はｎ型
ＧａＡ型層３＋Ｐ型ＧａＡｓ層６に接触するように形成
され、位置的に離れたｎ型Ｇａ Ａ１層３およびｐ型Ｇ
ａＡｇ層６を電気的に接続している。
５に接触するように形成され、他方、陰電極１３はｎ型
ＧａＡ型層３＋Ｐ型ＧａＡｓ層６に接触するように形成
され、位置的に離れたｎ型Ｇａ Ａ１層３およびｐ型Ｇ
ａＡｇ層６を電気的に接続している。
さらに陰電極１３はｎ型ＱａＡ−層５及びｐ型ＧａＡｓ
６から成るｐ−ｎ接合部分を絶縁膜１０を介して被覆
するように形成されている。
６から成るｐ−ｎ接合部分を絶縁膜１０を介して被覆
するように形成されている。
次に本実施例の動作について説明する。
まず、太陽電池セルの受光面に光が入射すると、ｎ型Ｇ
ａ Ａ 型層３及びｐ型ＧａＡｓ層４の間に光起電力
が生じ、陽電極１２を正、陰電極１３を負とする電池と
して動作する。この際、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層４及びｎ
型ＧａＡｓ層５は陽電極１２により短絡しているので、
光発電には寄与しない。ここで、ｎ型ＧａＡｓ層５とｐ
型Ｇ ａ Ａ ｓ層６により形成されるｐ−ｎ接合はそ
の性質上太陽電池セルの発電方向とは逆方向の発電機能
を有しているのであるが、受光面側からの入射光中発電
に有効表波長の光はｎｌｌＧａＡｓ層５およびｐ型Ｇａ
Ａｓ層７にょυ吸収され、他方、裏面側からの入射光は
陰電極１３により遮蔽されるので、該ｐ−ｎ接合に光は
到達せず従って、逆方向に発電を防ぐことができる。
ａ Ａ 型層３及びｐ型ＧａＡｓ層４の間に光起電力
が生じ、陽電極１２を正、陰電極１３を負とする電池と
して動作する。この際、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層４及びｎ
型ＧａＡｓ層５は陽電極１２により短絡しているので、
光発電には寄与しない。ここで、ｎ型ＧａＡｓ層５とｐ
型Ｇ ａ Ａ ｓ層６により形成されるｐ−ｎ接合はそ
の性質上太陽電池セルの発電方向とは逆方向の発電機能
を有しているのであるが、受光面側からの入射光中発電
に有効表波長の光はｎｌｌＧａＡｓ層５およびｐ型Ｇａ
Ａｓ層７にょυ吸収され、他方、裏面側からの入射光は
陰電極１３により遮蔽されるので、該ｐ−ｎ接合に光は
到達せず従って、逆方向に発電を防ぐことができる。
また、陽電極１２．陰電極１３を介して直列接続された
複数の太陽電池セルにおいては、一部の太陽電池セルが
影になった場合、逆電圧が印加され陽電極１２が負、陰
電極１３に正がバイアスされるが、仁のときはｎ型Ｇａ
Ａｓ層ｓ、ｐ型ＧａＡｓ層６から成るｐ−ｎ接合が順バ
イアスされ、電流が陰電極１３から陽電極１２へ流れゐ
ことに々シ（逆方向導通能力）、このため、該ｐ−ｎ接
合には逆電圧が印加されない。
複数の太陽電池セルにおいては、一部の太陽電池セルが
影になった場合、逆電圧が印加され陽電極１２が負、陰
電極１３に正がバイアスされるが、仁のときはｎ型Ｇａ
Ａｓ層ｓ、ｐ型ＧａＡｓ層６から成るｐ−ｎ接合が順バ
イアスされ、電流が陰電極１３から陽電極１２へ流れゐ
ことに々シ（逆方向導通能力）、このため、該ｐ−ｎ接
合には逆電圧が印加されない。
とのように本実施例ではｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層５及びｐ
型ＧａＡ１層６から成るｐ−ｎ接合部に逆電圧の発電を
生じないように構成しているので、太陽電池セルは逆方
向電圧による破壊を防ぐことが可能となる。
型ＧａＡ１層６から成るｐ−ｎ接合部に逆電圧の発電を
生じないように構成しているので、太陽電池セルは逆方
向電圧による破壊を防ぐことが可能となる。
なお、本実施例ではｃａＡｓ太陽電池セルについて説明
したが、この他にも８１太陽電池セル等他の太陽電池セ
ルに適用しうろことができるのはいうまでもない。
したが、この他にも８１太陽電池セル等他の太陽電池セ
ルに適用しうろことができるのはいうまでもない。
また、本実施例では陰電極１３がｎ型ＧａＡｓ層３およ
びｐ型ＧａＡｓ層６を短絡するように形成しているが、
ｎ型ＧａＡｓ層ＢｙＰ型ＧａＡｓ層６に電極を各々形成
してアセンブリ時にコネクタにより結合しても良い。
びｐ型ＧａＡｓ層６を短絡するように形成しているが、
ｎ型ＧａＡｓ層ＢｙＰ型ＧａＡｓ層６に電極を各々形成
してアセンブリ時にコネクタにより結合しても良い。
以上のように本発明では第１の主面側からの光は第３の
半導体層に吸収され、第２の主面側からの光は電極によ
り反射され、第３の半導体層および第４の半導体層によ
多形成され４ ｐ −ｎ接合部には光が到達しないよう
に構成したので、Ｐ−ｎ接合部での逆方向の発電を防止
でき、逆方向電圧により太陽電池セルが破壊されること
もなくなシ、且つ外部にダイオードを挿入する必要もな
いので部品数を抑えることが可能となシ、より信頼性の
高い太陽電池セルを得ることができる。
半導体層に吸収され、第２の主面側からの光は電極によ
り反射され、第３の半導体層および第４の半導体層によ
多形成され４ ｐ −ｎ接合部には光が到達しないよう
に構成したので、Ｐ−ｎ接合部での逆方向の発電を防止
でき、逆方向電圧により太陽電池セルが破壊されること
もなくなシ、且つ外部にダイオードを挿入する必要もな
いので部品数を抑えることが可能となシ、より信頼性の
高い太陽電池セルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（、）〜（ＩＩ）は本発明の一実施例を示す太陽
電池セルの各製造工程の断面図である。 １・・・・半導体基板、２・・・・５ｉｓＮｎ膜、３・
拳・・ｎ型ＧａＡｓ層（第２の半導体層）、５＊ｅ＊＠
Ｈ型Ｇａ Ａｓ層（第３の半導体層）、４・・・・ｐ型
ＧａＡ１層（第１の半導体層）、６・・・・ｐ型ＧａＡ
ｓ層（第４の半導体層）、７・・・・ｐｆＩｌＧａＡ１
層（第１の半導体層）、３１１ ＠ ＠ １１ｐ型Ａｔ
ＧａＡｇ層、９・・・・反射防止膜、１０・・・・絶縁
膜、１１・・・・グリッド電極、１２・・・・陽極、１
３・・・―陰極。
電池セルの各製造工程の断面図である。 １・・・・半導体基板、２・・・・５ｉｓＮｎ膜、３・
拳・・ｎ型ＧａＡｓ層（第２の半導体層）、５＊ｅ＊＠
Ｈ型Ｇａ Ａｓ層（第３の半導体層）、４・・・・ｐ型
ＧａＡ１層（第１の半導体層）、６・・・・ｐ型ＧａＡ
ｓ層（第４の半導体層）、７・・・・ｐｆＩｌＧａＡ１
層（第１の半導体層）、３１１ ＠ ＠ １１ｐ型Ａｔ
ＧａＡｇ層、９・・・・反射防止膜、１０・・・・絶縁
膜、１１・・・・グリッド電極、１２・・・・陽極、１
３・・・―陰極。
Claims (6)
- （１）半導体基板の第１の主面に全面形成され、その１
部が半導体基板を貫通して第２の主面に到達するような
第１の導電型の第１の半導体層と、半導体基板を第１の
半導体層により分離して形成された第２の導電型の第２
の半導体層および第２の導電型の第３の半導体層と、 第２の導電型の第３の半導体層内に位置し、第２の主面
側に形成された第１の導電型を有する半導体層であつて
、第３の半導体層と形成するｐ−ｎ接合が第１の主面か
ら入射される光発電に寄与する波長の光が第３の半導体
層に吸収されて該ｐ−ｎ接合まで達しない深さに形成さ
れた第４の半導体層と、 第２の主面側の所定箇所に形成された外部接続用の電極
とを設けたことを特徴とする太陽電池セル。 - （２）前記電極は、第１の半導体層および第３の半導体
層の両方に接触するように形成された第１の電極と、第
２の半導体層上に形成された第２の電極と、第２の主面
に露出した第３の半導体層および第４の半導体層より形
成されるｐ−ｎ接合部を覆うような位置で且つ第４の半
導体層上に形成され、第２の電極と電気的に接続してい
る第３の電極とから成ることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の太陽電池セル。 - （３）前記半導体基板はＧａＡｓより成ることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の太陽電池セル。 - （４）前記第３の半導体層及び第４の半導体層より形成
されるｐ−ｎ接合部は、半導体基板の端部より２０μｍ
以上離れて形成されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の太陽電池セル。 - （５）前記第１の半導体層および第４の半導体層はＺｎ
を不純物とするｐ型層であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項、第２項、第３項又は第４項記載の太陽電
池セル。 - （６）前記第３の半導体層は少なくともＳｉ＿３Ｎ＿４
を含む絶縁層により覆われていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の太陽電池セル。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281613A JPH0831614B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 太陽電池セル |
| US07/202,507 US4846896A (en) | 1987-07-08 | 1988-06-07 | Solar cell with integral reverse voltage protection diode |
| DE3819671A DE3819671A1 (de) | 1987-07-08 | 1988-06-09 | Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung |
| GB8813737A GB2206732B (en) | 1987-07-08 | 1988-06-10 | Solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281613A JPH0831614B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 太陽電池セル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123479A true JPH01123479A (ja) | 1989-05-16 |
| JPH0831614B2 JPH0831614B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=17641576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62281613A Expired - Lifetime JPH0831614B2 (ja) | 1987-07-08 | 1987-11-06 | 太陽電池セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831614B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0324768A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-01 | Sharp Corp | バイパスダイオード付太陽電池 |
| JPH0442974A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-13 | Sharp Corp | バイパスダイオード付太陽電池 |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP62281613A patent/JPH0831614B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0324768A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-01 | Sharp Corp | バイパスダイオード付太陽電池 |
| JPH0442974A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-13 | Sharp Corp | バイパスダイオード付太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831614B2 (ja) | 1996-03-27 |
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