JPH01124272A - 誘電体材料 - Google Patents
誘電体材料Info
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- JPH01124272A JPH01124272A JP62282313A JP28231387A JPH01124272A JP H01124272 A JPH01124272 A JP H01124272A JP 62282313 A JP62282313 A JP 62282313A JP 28231387 A JP28231387 A JP 28231387A JP H01124272 A JPH01124272 A JP H01124272A
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- Japan
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- dielectric
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- dielectric material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、誘電体材料、特にマイクロ波帯の周波数域
において優れた誘電特性を有する誘電体材料に関する。
において優れた誘電特性を有する誘電体材料に関する。
近年、衛星放送、自動車無線、パーソナル無線等のよう
なマイクロ波帯を利用した通信システムの利用が盛んで
ある。これらのシステムに用いられる通信機器のフィル
タや周波数安定化用共振器等の共振回路系には、もっば
ら誘電体共振器が使われる。共振器用の誘電体材料は、
当然、マイクロ波帯において高い比誘電率と低い誘電損
失をもつことが要求される。
なマイクロ波帯を利用した通信システムの利用が盛んで
ある。これらのシステムに用いられる通信機器のフィル
タや周波数安定化用共振器等の共振回路系には、もっば
ら誘電体共振器が使われる。共振器用の誘電体材料は、
当然、マイクロ波帯において高い比誘電率と低い誘電損
失をもつことが要求される。
比誘電率が大きいほど素子形状を小さくすることができ
るので、一般的には、この比誘電率は大きいほどよい。
るので、一般的には、この比誘電率は大きいほどよい。
しかし、この材料を誘電体共振器として用いたときの大
きさが利用する周波数帯で取り扱いやすい寸法となるよ
うに選定する必要もあり、一義的には定まらないが、例
えば、１０ＧＨｚ帯では２０〜４０程度が適している。
きさが利用する周波数帯で取り扱いやすい寸法となるよ
うに選定する必要もあり、一義的には定まらないが、例
えば、１０ＧＨｚ帯では２０〜４０程度が適している。
一方、誘電損失（ｔａｎδ＝１／Ｑ）は小さいほどよく
、例えば、用いる周波数帯で１ ／１００００程度は必
要とされる。
、例えば、用いる周波数帯で１ ／１００００程度は必
要とされる。
マイクロ波帯に使われる誘電体材料として、従来、Ｂ
ａ Ｔ ｉａ Ｏｑ 、Ｂ ａｚ Ｔ Ｌ Ｏｚｏ、Ｂ
ａ（Ｚ ｎＩｙ＊ Ｔａ２／３ ） ０３、あるいは、
Ｂａ （Ｃ。
ａ Ｔ ｉａ Ｏｑ 、Ｂ ａｚ Ｔ Ｌ Ｏｚｏ、Ｂ
ａ（Ｚ ｎＩｙ＊ Ｔａ２／３ ） ０３、あるいは、
Ｂａ （Ｃ。
１／３ Ｎ ｂ Ｚ／３ ） ０３の如きＡ （Ｂ ’
＋ｙｚ Ｂ Ｚ／３）０３ （ただし、Ａは２価イオ
ン二Ｂ′は２価イオン二Ｂ“は５価イオン）系材料等が
一般的に知られている。
＋ｙｚ Ｂ Ｚ／３）０３ （ただし、Ａは２価イオ
ン二Ｂ′は２価イオン二Ｂ“は５価イオン）系材料等が
一般的に知られている。
ところで、共振回路系の性能向上のために、誘電損失を
いっそう低くすることが求められている。極低誘電損失
の誘電体材料は、低位相雑音発振器や高電力用フィルタ
ー・分波器等にも利用可能となり、用途が広い。
いっそう低くすることが求められている。極低誘電損失
の誘電体材料は、低位相雑音発振器や高電力用フィルタ
ー・分波器等にも利用可能となり、用途が広い。
この発明は、前記事情に鑑み、マイクロ波帯において、
実用的な範囲の比誘電率を保持し、かつ極めて低い誘電
損失特性を有する誘電体材料を提供することを目的とす
る。
実用的な範囲の比誘電率を保持し、かつ極めて低い誘電
損失特性を有する誘電体材料を提供することを目的とす
る。
前記目的を達成するため、発明者は、多数の誘電体材料
のうちから、複合ペロブスカイト系結晶構造を有するＡ
（Ｂ ’ Ｉ／３ Ｂ ’２／３ ） ０３系材料（
但し、Ａは２価イオン＝Ｂ′は２価イオン：Ｂ“は５価
イオン）に着目し、そのなかでも、誘電損失が極めて小
さいＢａ （Ｍｇ、、、Ｔａ、、３）Ｑ３系材料に着目
した。この誘電体材料は、複雑な結晶構造を有しており
、誘電損失等の誘電特性の機構の解明が十分されておら
ず、改善できる可能性が大きいとみたのである。
のうちから、複合ペロブスカイト系結晶構造を有するＡ
（Ｂ ’ Ｉ／３ Ｂ ’２／３ ） ０３系材料（
但し、Ａは２価イオン＝Ｂ′は２価イオン：Ｂ“は５価
イオン）に着目し、そのなかでも、誘電損失が極めて小
さいＢａ （Ｍｇ、、、Ｔａ、、３）Ｑ３系材料に着目
した。この誘電体材料は、複雑な結晶構造を有しており
、誘電損失等の誘電特性の機構の解明が十分されておら
ず、改善できる可能性が大きいとみたのである。
そして、さらに様々な検討を加えたその結果、上記材料
中にＺｒが固溶したかたちで含まれていると誘電特性が
格段に向上するという知見を得て、この発明を完成させ
ることができたのである。
中にＺｒが固溶したかたちで含まれていると誘電特性が
格段に向上するという知見を得て、この発明を完成させ
ることができたのである。
したがって、この発明は、
式： Ｂａ （Ｍｇ＋ｚ３Ｔａｇ／３ ） ０３であら
れされる組成をとる各元素とＺｒとが互いに固溶されて
いる複合ペロブスカイト系結晶構造を有する誘電体材料
を要旨とする。
れされる組成をとる各元素とＺｒとが互いに固溶されて
いる複合ペロブスカイト系結晶構造を有する誘電体材料
を要旨とする。
上記のように、Ｚｒが固溶していると誘電特性が向上す
るのは、つぎのような理由によるものであると推察して
いる。
るのは、つぎのような理由によるものであると推察して
いる。
理解を容易にするため、まず、複合ペロブスカイト系結
晶構造を有する誘電体材料のマイクロ波領域における誘
電特性の解析から説明する。マイクロ波領域では、誘電
率および誘電損失はイオン分極が基本的に支配しており
、この場合、以下６述べるように、赤外活性な基準振動
モードのＴ。
晶構造を有する誘電体材料のマイクロ波領域における誘
電特性の解析から説明する。マイクロ波領域では、誘電
率および誘電損失はイオン分極が基本的に支配しており
、この場合、以下６述べるように、赤外活性な基準振動
モードのＴ。
モード（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ０ｐｔｉｃａｌ Ｍｏ
ｄｅ）の周波数と古典分散理論からマイクロ波領域での
比誘電率ε′（ε＝ε′−ｊε＃）および誘電損失（ｔ
ａｎδ＝１／Ｑ）を推定することができる。
ｄｅ）の周波数と古典分散理論からマイクロ波領域での
比誘電率ε′（ε＝ε′−ｊε＃）および誘電損失（ｔ
ａｎδ＝１／Ｑ）を推定することができる。
１、５ ｔｅｒａ〜３００ｔｅｒａＨｚ（５０〜１００
０ ａｍ−’）の範囲の光学的な赤外反射スペクトルの
測定結果をクラマースークローニソヒ（Ｋｒａｍｅｒｓ
−Ｋｒｏｎ ｉｇ ）の関係式に適用し、赤外領域に
おける各ＴＯモードの周波数（通常、複数のＴＯモード
がある）とそれぞれの周波数におけるε″の値、すなわ
ち周波数（赤外領域）−複素誘電率の虚数部ε“の誘電
分散を求める。この結果を、さらに古典分散理論から導
かれる下記（２）式に適用するのである。ただし、（２
）式はνく〈νｊ （ω＝２πν）の条件で近似式化さ
れている。
０ ａｍ−’）の範囲の光学的な赤外反射スペクトルの
測定結果をクラマースークローニソヒ（Ｋｒａｍｅｒｓ
−Ｋｒｏｎ ｉｇ ）の関係式に適用し、赤外領域に
おける各ＴＯモードの周波数（通常、複数のＴＯモード
がある）とそれぞれの周波数におけるε″の値、すなわ
ち周波数（赤外領域）−複素誘電率の虚数部ε“の誘電
分散を求める。この結果を、さらに古典分散理論から導
かれる下記（２）式に適用するのである。ただし、（２
）式はνく〈νｊ （ω＝２πν）の条件で近似式化さ
れている。
ε′＝ε■十写４πρＪ（１）
ただし、
νＪ 二ＴＯモードの周波数
４πρ、二ＴＯモードの周波数νｊにおける複素誘電率
のε″成分の値に応じて定まる 共振の強さの値 γＪ ：：＄ｉ衰定数 εｏｏ：電子分極の与える誘電率の近似値発明者は、Ｚ
ｒイオンが固溶していると、幾つかあるＴｏモードのう
ちのあるものが事実上消えると推察した。つまり、上記
（２）式は、誘電損失が各ＴＯモードにおけるε“の和
に応じた値となることを示している。したがって、Ｚｒ
イオンが固溶していることにより事実上消えるＴｏモー
ドがあると、消えたＴｏモードのε“の分が当然なくな
り、そのぶん誘電損失が小さくなると予測したのである
。
のε″成分の値に応じて定まる 共振の強さの値 γＪ ：：＄ｉ衰定数 εｏｏ：電子分極の与える誘電率の近似値発明者は、Ｚ
ｒイオンが固溶していると、幾つかあるＴｏモードのう
ちのあるものが事実上消えると推察した。つまり、上記
（２）式は、誘電損失が各ＴＯモードにおけるε“の和
に応じた値となることを示している。したがって、Ｚｒ
イオンが固溶していることにより事実上消えるＴｏモー
ドがあると、消えたＴｏモードのε“の分が当然なくな
り、そのぶん誘電損失が小さくなると予測したのである
。
発明者は、Ｚｒイオンが固溶しているとＴｏモードのう
ちで消えるものがあるという機構の解析についても試み
たので、それを以下に述べる。
ちで消えるものがあるという機構の解析についても試み
たので、それを以下に述べる。
Ｚｒイオンが固溶していない１３ ａ （Ｍｇ、７３
Ｔａ２．、）０３の結晶構造は超格子構造を生成してお
り、対称性はＤ−である。この場合、格子定数は、位置
対称の格子定数に対して３倍となる。したがって、プリ
ルアン帯が１／３に縮小されるため、分散関係の折り返
しくすなわちＺｏｎｅ Ｆｏｌｄｉｎｇ・ ）現象が生
じ、超格子構造を生成する複合ペロブスカイト系化合物
においては、１００〜２００ｃｍ利の波数領域に２つの
Ｔｏフォノンが赤外活性として出現する。そして、Ｚｒ
イオンの固溶は、上記のＺｏｎｅ Ｆｏｌｄｉｎｇ （
ゾーン・フォールディング）現象を解消し、この現象に
よって生じたフォノンを消してしまう、と考えられるの
である。
Ｔａ２．、）０３の結晶構造は超格子構造を生成してお
り、対称性はＤ−である。この場合、格子定数は、位置
対称の格子定数に対して３倍となる。したがって、プリ
ルアン帯が１／３に縮小されるため、分散関係の折り返
しくすなわちＺｏｎｅ Ｆｏｌｄｉｎｇ・ ）現象が生
じ、超格子構造を生成する複合ペロブスカイト系化合物
においては、１００〜２００ｃｍ利の波数領域に２つの
Ｔｏフォノンが赤外活性として出現する。そして、Ｚｒ
イオンの固溶は、上記のＺｏｎｅ Ｆｏｌｄｉｎｇ （
ゾーン・フォールディング）現象を解消し、この現象に
よって生じたフォノンを消してしまう、と考えられるの
である。
上記の発明者の推察は、材料の分析結果によっても支持
されるものである。
されるものである。
Ｚｒイオンが固溶していないｆ３ａ （Ｍｇ１７． Ｔ
ａ２／３）Ｏｎ結晶では、そのＸ線回折をみると擬ペロ
ブスカイトセルの（１００） ”面によるピークが明瞭
にあられれている。一方、Ｚｒイオンが固溶している結
晶では、そのＸ線回折をみると前記（１００） ”面に
よるピークが相当に減じ、消失に近いものもある。つま
り、Ｚｒイオンの固溶により結晶の超格子構造が解消さ
れ（Ｂａ（Ｍｇ、、、Ｔａ、、、）Ｏ，結晶が相転移を
起こしているともみることができる〕、このことが上記
ゾーン・フォールディング現象の解消に結びついている
、とみられる。
ａ２／３）Ｏｎ結晶では、そのＸ線回折をみると擬ペロ
ブスカイトセルの（１００） ”面によるピークが明瞭
にあられれている。一方、Ｚｒイオンが固溶している結
晶では、そのＸ線回折をみると前記（１００） ”面に
よるピークが相当に減じ、消失に近いものもある。つま
り、Ｚｒイオンの固溶により結晶の超格子構造が解消さ
れ（Ｂａ（Ｍｇ、、、Ｔａ、、、）Ｏ，結晶が相転移を
起こしているともみることができる〕、このことが上記
ゾーン・フォールディング現象の解消に結びついている
、とみられる。
さらに、Ｚｒイオンが固溶していない材料と、Ｚｒイオ
ンが固溶しているこの発明の材料の赤外線領域における
反射スペクトルを測定した。そして、この測定結果に基
づいて、赤外領域における各ＴＯモードの周波数とそれ
ぞれの周波数におけるε″の値、すなわち周波数（赤外
領域）−複素誘電率の虚数部ε″の誘電分散をそれぞれ
求めて比較した。そうすると、Ｚｒイオンが固溶されて
いない結晶では約１００〜２００ｃｍ−’の範囲の格子
振動モード（恐ら＜Ａ２ｕモードとＥｕモードであると
推定している）によるＴＯモードがあられれているので
あるが、このＴＯモードが、Ｚｒイオンが固溶されてい
る結晶では、著しく小さくなるか、あるいは、事実上消
滅していた。したがって、この点からも、弁明者の推察
が支持されることとなる。
ンが固溶しているこの発明の材料の赤外線領域における
反射スペクトルを測定した。そして、この測定結果に基
づいて、赤外領域における各ＴＯモードの周波数とそれ
ぞれの周波数におけるε″の値、すなわち周波数（赤外
領域）−複素誘電率の虚数部ε″の誘電分散をそれぞれ
求めて比較した。そうすると、Ｚｒイオンが固溶されて
いない結晶では約１００〜２００ｃｍ−’の範囲の格子
振動モード（恐ら＜Ａ２ｕモードとＥｕモードであると
推定している）によるＴＯモードがあられれているので
あるが、このＴＯモードが、Ｚｒイオンが固溶されてい
る結晶では、著しく小さくなるか、あるいは、事実上消
滅していた。したがって、この点からも、弁明者の推察
が支持されることとなる。
以下、この発明をさらに詳しく説明する。
この発明にかかる誘電体材料では、固溶しているＺｒイ
オンの量は、特に限定されるものではないが、超格子構
造をうまく解消させるような量が望ましい。Ｚｒイオン
の量がＭｇイオンとＴａイオンの量に対し約３０ｍｏＡ
％を越えるとＱ値の上昇の程度が小さい傾向がみられ、
Ｚｒイオンの量が約０．５ ｍｏ １２％を下まわると
Ｚｒイオン、による効果が発揮されない。
オンの量は、特に限定されるものではないが、超格子構
造をうまく解消させるような量が望ましい。Ｚｒイオン
の量がＭｇイオンとＴａイオンの量に対し約３０ｍｏＡ
％を越えるとＱ値の上昇の程度が小さい傾向がみられ、
Ｚｒイオンの量が約０．５ ｍｏ １２％を下まわると
Ｚｒイオン、による効果が発揮されない。
誘電体材料では、温度特性も重要な要素である。実用に
あたっては必要な温度係数とするため、この発明にかか
る誘電体材料が、温度変化に対し誘電特性が変化しない
ようにするために、Ｂａ（Ｎ Ｌｚ＋ Ｔａｇ／３ ）
ＯｘやＳｒ等の補正材料を含んでいてもよい。これらの
温度係数補正材料の量は、通常、各誘電特性がバランス
しているように選ばれる。
あたっては必要な温度係数とするため、この発明にかか
る誘電体材料が、温度変化に対し誘電特性が変化しない
ようにするために、Ｂａ（Ｎ Ｌｚ＋ Ｔａｇ／３ ）
ＯｘやＳｒ等の補正材料を含んでいてもよい。これらの
温度係数補正材料の量は、通常、各誘電特性がバランス
しているように選ばれる。
続いて、具体的な実施例と比較例の説明を行う〔実施例
〕 純度９９．９％以上の５ａｃｏ３ 、Ｚｒ０ｚ 、Ｍｇ
Ｏ１Ｔａ２０５の各粉末を所定の割合で配合して誘電体
材料を作成した。作成はつぎのようにして行った。まず
上記粉末を混合し、蒸留水を添加して２４時間ボールミ
ル粉砕を行った後、乾燥させてから、温度：１１００℃
、４時間の仮焼を行い粒状の複合ペロブスカイト系化合
物を得た。ついで、この化合物を再び粉砕し、所定の形
状にした後、ルツボ内のＭｇＯ板上に置いて、温度＝１
６００℃、２時間、空気雰囲気で焼成し誘電体材料を得
た。得られた材料の寸法は、直径約１１ｍｍ、長さ約１
５１の円柱である。上記雰囲気が、チッソガス、アルゴ
ンガス、あるいは、酸素ガス雰囲気である場合もある。
〕 純度９９．９％以上の５ａｃｏ３ 、Ｚｒ０ｚ 、Ｍｇ
Ｏ１Ｔａ２０５の各粉末を所定の割合で配合して誘電体
材料を作成した。作成はつぎのようにして行った。まず
上記粉末を混合し、蒸留水を添加して２４時間ボールミ
ル粉砕を行った後、乾燥させてから、温度：１１００℃
、４時間の仮焼を行い粒状の複合ペロブスカイト系化合
物を得た。ついで、この化合物を再び粉砕し、所定の形
状にした後、ルツボ内のＭｇＯ板上に置いて、温度＝１
６００℃、２時間、空気雰囲気で焼成し誘電体材料を得
た。得られた材料の寸法は、直径約１１ｍｍ、長さ約１
５１の円柱である。上記雰囲気が、チッソガス、アルゴ
ンガス、あるいは、酸素ガス雰囲気である場合もある。
ＺｒＯ２粉末を用いない他は上記実施例と同じようにし
て作成した材料を比較例１とした。
て作成した材料を比較例１とした。
さらに、ＭｇイオンとＴａイオンが、他のイオンに変わ
るようにＭｇＯ１Ｔａ２０Ｓ粉末を他の粉末に代えた以
外は上記実施例と略同様の条件で作成した材料を比較例
２〜４とした。比較例２〜４で用いられた粉末はつぎの
とおりである。
るようにＭｇＯ１Ｔａ２０Ｓ粉末を他の粉末に代えた以
外は上記実施例と略同様の条件で作成した材料を比較例
２〜４とした。比較例２〜４で用いられた粉末はつぎの
とおりである。
比較例２７Ｍｇ０粉末の代わりにＺｎＯ粉末を用いた。
比較例３：ＭｇＯ粉末の代わりにＣｏｏ粉末を用いた。
比較例４：Ｔａ２０５粉末の代わりにＮｂｔ０５粉末を
用いた。
用いた。
なお、作成した誘電体材料が、いずれもペロブスカイト
系結晶構造をしていることは、Ｘ線回折により確認した
。
系結晶構造をしていることは、Ｘ線回折により確認した
。
各誘電体材料の比誘電率ε′、および、Ｑ値を、数Ｇ〜
約２０数ＧＨｚ帯における測定に適した誘電体円柱共振
器法により測定した。測定に用いた機器は、ヒユーレッ
ト・パラカード社製：ネットワークアナライザ８５１０
Ｔである。測定結果を第１表に示す。
約２０数ＧＨｚ帯における測定に適した誘電体円柱共振
器法により測定した。測定に用いた機器は、ヒユーレッ
ト・パラカード社製：ネットワークアナライザ８５１０
Ｔである。測定結果を第１表に示す。
第１表
上記第１表にみるように、この発明にかかる誘電体材料
は、優れた比誘電率特性を維持しつつ誘電損失特性が最
も向上しており、極めて実用的価値の高いものであるこ
とが分かる。
は、優れた比誘電率特性を維持しつつ誘電損失特性が最
も向上しており、極めて実用的価値の高いものであるこ
とが分かる。
この材料は、前記した共振器等のみならず、マイクロ波
集積回路用基板として用いたり、導波管の空洞内に入れ
導波管の小型化を図るのに用いたりもできる。
集積回路用基板として用いたり、導波管の空洞内に入れ
導波管の小型化を図るのに用いたりもできる。
この発明は上記実施例に限らない。誘電体材料が上記に
例示した以外の製法で作られてもよい。
例示した以外の製法で作られてもよい。
例えば、ＺｒＯ□粉末を用いる代わりにＢａＺｒＯ３粉
末を用いて誘電体材料を作るようにしてもよい。また、
誘電体材料が単結晶であってもよい〔発明の効果〕 この発明にかかる誘電体材料は、上記に述べたような構
成であるので、誘電体材料は、マイクロ波帯の周波数領
域において、十分に実用的な比誘電率であり、極低誘電
損失である。
末を用いて誘電体材料を作るようにしてもよい。また、
誘電体材料が単結晶であってもよい〔発明の効果〕 この発明にかかる誘電体材料は、上記に述べたような構
成であるので、誘電体材料は、マイクロ波帯の周波数領
域において、十分に実用的な比誘電率であり、極低誘電
損失である。
代理人 弁理士 松 本 武 彦
Claims (1)
- （１）式：Ｂａ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｔａ＿２＿／＿３）
Ｏ＿３であらわされる組成をとる各元素とＺｒとが互い
に固溶されてなる複合ペロブスカイト系結晶構造を有す
る誘電体材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282313A JPH01124272A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 誘電体材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282313A JPH01124272A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 誘電体材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124272A true JPH01124272A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=17650792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62282313A Pending JPH01124272A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 誘電体材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01124272A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298404A (ja) * | 1996-05-01 | 1997-11-18 | Nec Corp | 同軸共振器フィルタ |
| US6566291B1 (en) * | 2000-05-22 | 2003-05-20 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and method for designing dielectric ceramic composition |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60105107A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-10 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP62282313A patent/JPH01124272A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60105107A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-10 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298404A (ja) * | 1996-05-01 | 1997-11-18 | Nec Corp | 同軸共振器フィルタ |
| US6566291B1 (en) * | 2000-05-22 | 2003-05-20 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and method for designing dielectric ceramic composition |
| US6703335B2 (en) | 2000-05-22 | 2004-03-09 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and method for designing dielectric ceramic composition |
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