JPH01125072A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH01125072A JPH01125072A JP62282423A JP28242387A JPH01125072A JP H01125072 A JPH01125072 A JP H01125072A JP 62282423 A JP62282423 A JP 62282423A JP 28242387 A JP28242387 A JP 28242387A JP H01125072 A JPH01125072 A JP H01125072A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charges
- transfer
- vertical
- charge
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ビデオカメラや電子スチルカメラ等において
、光学レンズによシ結像された光学像を光電変換する撮
像装置に関するもので、特に電荷結合素子(COD)を
用いた固体撮像装置に関するものである。
、光学レンズによシ結像された光学像を光電変換する撮
像装置に関するもので、特に電荷結合素子(COD)を
用いた固体撮像装置に関するものである。
従来の技術
一般によく用いられるCOD型撮像素子は、光電変換素
子にフォトダイオード、垂直・水平転送にCODが用い
られておシ、さらに受光部とは別に記憶部(バッファメ
モリ)を持つF I T (Frame −Inter
line−Transf@r) −CCDと呼ばれるも
のがある。これはIL(InterLine−tran
sfer)−CCDに比べていくつかの特徴を持ってお
シ、これまでの主流であったIL−CODに徐々に置き
換わろうとしている。IL−CODの構成及び動作は周
知であるのでその説明は省略する。このF IT−CC
D撮像素子の例としては特開昭66−52675 号公
報、特開昭55−163963号公報に示されている。
子にフォトダイオード、垂直・水平転送にCODが用い
られておシ、さらに受光部とは別に記憶部(バッファメ
モリ)を持つF I T (Frame −Inter
line−Transf@r) −CCDと呼ばれるも
のがある。これはIL(InterLine−tran
sfer)−CCDに比べていくつかの特徴を持ってお
シ、これまでの主流であったIL−CODに徐々に置き
換わろうとしている。IL−CODの構成及び動作は周
知であるのでその説明は省略する。このF IT−CC
D撮像素子の例としては特開昭66−52675 号公
報、特開昭55−163963号公報に示されている。
以下、第3図を用いてその概要を説明する。
第3図はF IT−CODの基本構成を示すもので、受
光領域A、記憶領域B、水平走査領域C1電荷検出領域
D、不要電荷排出領域Eとによ多構成されている。受光
領域Aは二次元配列の受光素子1と、この受光素子1に
蓄積された信号電荷を読出すためのゲート2と、このゲ
ート2を介して読出された信号電荷を垂直方向に転送す
るための垂直転送レジスタ3とからなり、受光素子1以
外の部分は遮光マスク4により遮光されている。垂直転
送レジスタ3は垂直方向の上下例れの方向にも電荷を転
送できるようにポリシリコンによる4相電極構造となっ
ている。これら4相電極には垂直転送パルスφv1〜φ
v4が印加される。受光素子1に蓄積された信号電荷を
受は取る垂直転送を極t−φv1、φv3とし、この垂
直転送電極φv1、φv3に印加する垂直転送パルスに
信号読出しパルスを重畳すれば、受光素子1に蓄積され
た信号電荷を垂直転送レジスタ3に読み込むことが出来
る。従ってφv1、φv3の2つの垂直転送パルスに信
号読出しパルスを1フイールドおきに重畳すれば2:1
のインターレース走査を行なうことができる。
光領域A、記憶領域B、水平走査領域C1電荷検出領域
D、不要電荷排出領域Eとによ多構成されている。受光
領域Aは二次元配列の受光素子1と、この受光素子1に
蓄積された信号電荷を読出すためのゲート2と、このゲ
ート2を介して読出された信号電荷を垂直方向に転送す
るための垂直転送レジスタ3とからなり、受光素子1以
外の部分は遮光マスク4により遮光されている。垂直転
送レジスタ3は垂直方向の上下例れの方向にも電荷を転
送できるようにポリシリコンによる4相電極構造となっ
ている。これら4相電極には垂直転送パルスφv1〜φ
v4が印加される。受光素子1に蓄積された信号電荷を
受は取る垂直転送を極t−φv1、φv3とし、この垂
直転送電極φv1、φv3に印加する垂直転送パルスに
信号読出しパルスを重畳すれば、受光素子1に蓄積され
た信号電荷を垂直転送レジスタ3に読み込むことが出来
る。従ってφv1、φv3の2つの垂直転送パルスに信
号読出しパルスを1フイールドおきに重畳すれば2:1
のインターレース走査を行なうことができる。
垂直転送レジスタ3の延長上には記憶領域Bが配置され
ている。記憶領域Bは垂直転送レジスタ3によ多構成さ
れておシ、その画素数は受光領域Aの半分であシ、転送
電極は4相構造となっている。記憶領域Bの垂直転送レ
ジスタ3の各電極にはφM1〜φM4の転送パルスが印
加される。記憶領域Bの他端には水平転送領域Cが配置
されている。水平転送領域Cは3相の転送電極6.6.
7から構成されており、各転送電極には水平転送パルス
φH1〜φH3が印加される。水平転送領域Cの一端に
は電荷検出領域りが配置されている。
ている。記憶領域Bは垂直転送レジスタ3によ多構成さ
れておシ、その画素数は受光領域Aの半分であシ、転送
電極は4相構造となっている。記憶領域Bの垂直転送レ
ジスタ3の各電極にはφM1〜φM4の転送パルスが印
加される。記憶領域Bの他端には水平転送領域Cが配置
されている。水平転送領域Cは3相の転送電極6.6.
7から構成されており、各転送電極には水平転送パルス
φH1〜φH3が印加される。水平転送領域Cの一端に
は電荷検出領域りが配置されている。
また受光領域Aの他端には不要電荷排出領域Eが配置さ
れている。電荷検出領域pは周知の70−テイングデイ
フイージ四ンアンプ(FDA)によ多構成されておシ、
電荷吸収用のドレイン及びフローティングディフィージ
ッンのリセットゲートを有している。
れている。電荷検出領域pは周知の70−テイングデイ
フイージ四ンアンプ(FDA)によ多構成されておシ、
電荷吸収用のドレイン及びフローティングディフィージ
ッンのリセットゲートを有している。
前記の構成によるFIT−CODの駆動方法を第3図及
び第4図を用いて説明する。
び第4図を用いて説明する。
第4図は第3図に示したFIT−CODの受光領域Aに
印加する垂直転送パルスφv1〜φv4及び、記憶領域
Bの垂直転送レジスタの各電極に印加する垂直転送パル
スφM1〜φM4の波形の概要を示したものである@ まず、受光領域Aの垂直転送段に蓄積されたスミア等の
擬似信号は、垂直帰線期間の前半の期間tAの間に印加
された垂直転送パルスφv1〜φv4によシネ要電荷排
出領域Eに転送され排除される。
印加する垂直転送パルスφv1〜φv4及び、記憶領域
Bの垂直転送レジスタの各電極に印加する垂直転送パル
スφM1〜φM4の波形の概要を示したものである@ まず、受光領域Aの垂直転送段に蓄積されたスミア等の
擬似信号は、垂直帰線期間の前半の期間tAの間に印加
された垂直転送パルスφv1〜φv4によシネ要電荷排
出領域Eに転送され排除される。
次にφv1もしくはφv3に重畳された信号読出しパル
スφCHにより、受光素子に蓄積された信号電荷はφv
1もしくはφv3電極に読み出される。垂直転送段に転
送された信号電荷は、高速転送期間tBの期間にφv1
〜φv4、φM1〜φM4により記憶領域Bの所定の場
所まで高速で転送される。記憶領域Bの所定の場所まで
高速転送された信号電荷は、1水平走査毎に1ラインず
つ水平転送領域Cへ転送される。水平転送領域Cへ転送
された信号電荷は、水平転送レジスタに印加された水平
転送パルスφH1〜φH3により、順次電荷検出領域り
へ転送され、信号電荷は信号電圧に変換され固体撮像素
子から外部へ取シ出される。
スφCHにより、受光素子に蓄積された信号電荷はφv
1もしくはφv3電極に読み出される。垂直転送段に転
送された信号電荷は、高速転送期間tBの期間にφv1
〜φv4、φM1〜φM4により記憶領域Bの所定の場
所まで高速で転送される。記憶領域Bの所定の場所まで
高速転送された信号電荷は、1水平走査毎に1ラインず
つ水平転送領域Cへ転送される。水平転送領域Cへ転送
された信号電荷は、水平転送レジスタに印加された水平
転送パルスφH1〜φH3により、順次電荷検出領域り
へ転送され、信号電荷は信号電圧に変換され固体撮像素
子から外部へ取シ出される。
前述のように、受光素子からの信号電荷は垂直転送電極
φv1、φv3に印加する垂直転送パルスに信号読出し
パルスφCHを重畳し、垂直転送段のポテンシャルを高
くすることにより読出すことが出来る。従って第4図に
示すようにφ■1、φv3に交互に信号読出しパルスφ
CHを重畳することによシ2:1のインターレース走査
を行なうことが出来る。
φv1、φv3に印加する垂直転送パルスに信号読出し
パルスφCHを重畳し、垂直転送段のポテンシャルを高
くすることにより読出すことが出来る。従って第4図に
示すようにφ■1、φv3に交互に信号読出しパルスφ
CHを重畳することによシ2:1のインターレース走査
を行なうことが出来る。
ところで、第4図に示すように受光領域Aを駆動する垂
直転送パルスφv1、φv3に任意の時間に新たな読出
しパルスφSを重畳すれば受光部に蓄積された信号電荷
は前記読出しパルスφSが印加された時点で垂直転送段
3によみだされる。
直転送パルスφv1、φv3に任意の時間に新たな読出
しパルスφSを重畳すれば受光部に蓄積された信号電荷
は前記読出しパルスφSが印加された時点で垂直転送段
3によみだされる。
この読出された信号電荷はtAの期間に印加された垂直
転送パルスφv1〜φv4によシネ要電荷排出領域Eへ
転送され排出される。従って、受光素子1には前記読出
しパルスφSが終わってから次に読出しパルスφCHが
印加されて受光素子1の信号がよみだされるまでの時間
、つまシtSの期間に和尚する信号電荷が蓄積されるこ
とになる。
転送パルスφv1〜φv4によシネ要電荷排出領域Eへ
転送され排出される。従って、受光素子1には前記読出
しパルスφSが終わってから次に読出しパルスφCHが
印加されて受光素子1の信号がよみだされるまでの時間
、つまシtSの期間に和尚する信号電荷が蓄積されるこ
とになる。
これは受光領域Aの露光時間がtSになったことになる
。即ち固体撮像素子自体がシャッター機能を有したこと
になる。前記の状態で動きを持つ被写体を撮像すれば動
解像度が極めて良好な画像を得ることができる。ここで
シャッター用読出しパルスφSはtAのはじめとtBの
終了の期間以外の任意の時間に設定できるので任意のシ
ャッター速度の画像を得ることができる。
。即ち固体撮像素子自体がシャッター機能を有したこと
になる。前記の状態で動きを持つ被写体を撮像すれば動
解像度が極めて良好な画像を得ることができる。ここで
シャッター用読出しパルスφSはtAのはじめとtBの
終了の期間以外の任意の時間に設定できるので任意のシ
ャッター速度の画像を得ることができる。
このように、不要電荷を受光領域Aの延長上に配置した
不要電荷排出領域Eの方向に排出し、信号電荷を受光領
域Aの延長上に配置した記憶領域Bに高速で転送し、記
憶領域Bに記憶された信号を1水平ライン毎に順次読み
だせば、垂直スミアが極めて少なく、また動解像度の良
好な画像を得ることが可能である。
不要電荷排出領域Eの方向に排出し、信号電荷を受光領
域Aの延長上に配置した記憶領域Bに高速で転送し、記
憶領域Bに記憶された信号を1水平ライン毎に順次読み
だせば、垂直スミアが極めて少なく、また動解像度の良
好な画像を得ることが可能である。
また、上記の例では1画素ずつの読み出しであったが、
第5図に示す転送パルスを用いることにより2画素混合
読み出し駆動とすることができる。
第5図に示す転送パルスを用いることにより2画素混合
読み出し駆動とすることができる。
これは垂直方向に隣接する受光素子の信号電荷を垂直転
送段で混合して転送するもので、垂直解像度は若干劣化
するものの、垂直方向のMTFが落ちるためにモワレが
生じにくく、また、上記のようなシャッター駆動をしな
い場合でも、全ての受光素子の信号電荷が毎フィールド
読み出されるため、露光時間は1/60秒となるので動
解像度の点で有利である。逆に、露光時間を等しくする
ならば、2つの受光素子の信号電荷を加算するので、上
記の1画素読み出しに比べて感度が良いという特徴を持
っている。
送段で混合して転送するもので、垂直解像度は若干劣化
するものの、垂直方向のMTFが落ちるためにモワレが
生じにくく、また、上記のようなシャッター駆動をしな
い場合でも、全ての受光素子の信号電荷が毎フィールド
読み出されるため、露光時間は1/60秒となるので動
解像度の点で有利である。逆に、露光時間を等しくする
ならば、2つの受光素子の信号電荷を加算するので、上
記の1画素読み出しに比べて感度が良いという特徴を持
っている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、以下のような問題
点を有していた。
点を有していた。
固体撮像素子のダイナミック・レンジは、光電変換素子
の容量訃よび電荷転送CODの転送容量によって決まる
。従って、広いダイナミック・レンジを実現するために
は、垂直転送CODの転送容量を光電変換素子の容量に
対し大きくしてやらねばならない。しかし高解像度の撮
像素子では、垂直転送CCDの幅を確保するために光電
変換素子の面積が制限され、開口率が小さくなって感度
が劣化したシ、偽信号が発生しやすくなる。逆に垂直転
送CCDの幅を狭めれば電荷の転送容量が小さくなって
ダイナミック・レンジが劣化してしまう。
の容量訃よび電荷転送CODの転送容量によって決まる
。従って、広いダイナミック・レンジを実現するために
は、垂直転送CODの転送容量を光電変換素子の容量に
対し大きくしてやらねばならない。しかし高解像度の撮
像素子では、垂直転送CCDの幅を確保するために光電
変換素子の面積が制限され、開口率が小さくなって感度
が劣化したシ、偽信号が発生しやすくなる。逆に垂直転
送CCDの幅を狭めれば電荷の転送容量が小さくなって
ダイナミック・レンジが劣化してしまう。
本発明はかかる点に鑑み、開口率を劣化させることなし
にダイナミック・レンジの広い固体撮像装置を提供する
ことを目的とする。
にダイナミック・レンジの広い固体撮像装置を提供する
ことを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明の固体撮像装置は、受
光部に配置された光電変換素子と、一つまたは複数の前
記光電変換素子につき一つの転送段が対応するように遮
光部に設けられた第2電荷転送部と、前記第2電荷転送
部の転送方向延長上に設けられた第3′電荷転送部と、
前記光電変換素子で光電変換された電荷を前記光電変換
素子に対応する前記第2電荷転送部転送段へ同一露光期
間に少なくとも2回転送する第1電荷転送部からなり、
同一露光期間に前記光電変換素子で発生した電荷が対応
する前記第2電荷転送部転送段で加算されたのちに、前
記第2電荷転送部は前記第3電荷転送部へ電荷を高速転
送し、前記第3電荷転送部は前記第2電荷転送部から転
送された電荷を転送して出力するように構成されたもの
である。
光部に配置された光電変換素子と、一つまたは複数の前
記光電変換素子につき一つの転送段が対応するように遮
光部に設けられた第2電荷転送部と、前記第2電荷転送
部の転送方向延長上に設けられた第3′電荷転送部と、
前記光電変換素子で光電変換された電荷を前記光電変換
素子に対応する前記第2電荷転送部転送段へ同一露光期
間に少なくとも2回転送する第1電荷転送部からなり、
同一露光期間に前記光電変換素子で発生した電荷が対応
する前記第2電荷転送部転送段で加算されたのちに、前
記第2電荷転送部は前記第3電荷転送部へ電荷を高速転
送し、前記第3電荷転送部は前記第2電荷転送部から転
送された電荷を転送して出力するように構成されたもの
である。
作 用
前記した構成によシ、光電変換素子に蓄積した電荷を露
光期間中に数回に分けて読み出して第2電荷転送部へ転
送し、同一露光期間中に読み出された同じ画素の電荷を
第2電荷転送部で加算してから出力することにより、第
1電荷転送部の1回あたシの電荷転送量が減るため第1
電荷転送部の面積を削減でき、しかも同一露光期間に出
力する信号量を増やすことができるため、ダイナミック
・レンジを拡大することができる。
光期間中に数回に分けて読み出して第2電荷転送部へ転
送し、同一露光期間中に読み出された同じ画素の電荷を
第2電荷転送部で加算してから出力することにより、第
1電荷転送部の1回あたシの電荷転送量が減るため第1
電荷転送部の面積を削減でき、しかも同一露光期間に出
力する信号量を増やすことができるため、ダイナミック
・レンジを拡大することができる。
実施例
第1図は本発明の固体撮像装置の一実施例の構成図であ
る。第1図において、201は光電変換素子で、例えば
フォトダイオードであfi 、NTSC方式用の撮像素
子の場合は垂直方向に約aOO段設けられている。20
2は光電変換素子201に蓄積した電荷を読み出すため
の読み出しゲート、203は読み出しゲート2o2を通
して読み出した電荷を転送する第1電荷転送部である垂
直CODであシ、駆動パルスφv11〜14、φV21
〜24がそれぞれ電極に加えられ駆動される。垂直CC
D203によって転送された電荷は蓄積ゲート204を
通じて第2電荷転送部である垂直C0D205へ注入さ
れる。206は垂直CODで、インターレースを考慮す
ると、垂直方向には、受光部における垂直C0D203
と同じ段数でよい。206は垂直C0D205の延長上
に設けられた第3電荷転送部である垂直CODであって
、垂直C0D205と同じ段数設けられておシ、電荷を
水平CODへ転送する。207は垂直CCD206から
転送された電荷を水平方向に転送する水平CC1)であ
る。208は転送された電荷を検出する電荷検出部、2
09は出力アンプである。そして、光。
る。第1図において、201は光電変換素子で、例えば
フォトダイオードであfi 、NTSC方式用の撮像素
子の場合は垂直方向に約aOO段設けられている。20
2は光電変換素子201に蓄積した電荷を読み出すため
の読み出しゲート、203は読み出しゲート2o2を通
して読み出した電荷を転送する第1電荷転送部である垂
直CODであシ、駆動パルスφv11〜14、φV21
〜24がそれぞれ電極に加えられ駆動される。垂直CC
D203によって転送された電荷は蓄積ゲート204を
通じて第2電荷転送部である垂直C0D205へ注入さ
れる。206は垂直CODで、インターレースを考慮す
ると、垂直方向には、受光部における垂直C0D203
と同じ段数でよい。206は垂直C0D205の延長上
に設けられた第3電荷転送部である垂直CODであって
、垂直C0D205と同じ段数設けられておシ、電荷を
水平CODへ転送する。207は垂直CCD206から
転送された電荷を水平方向に転送する水平CC1)であ
る。208は転送された電荷を検出する電荷検出部、2
09は出力アンプである。そして、光。
電変換素子201〜垂直CCD203からなる部分を受
光部21o、垂直CCD203〜垂直CCD206から
なる部分を記憶部211、垂直CCD206〜出力アン
プ209からなる部分を出力部212とする。
光部21o、垂直CCD203〜垂直CCD206から
なる部分を記憶部211、垂直CCD206〜出力アン
プ209からなる部分を出力部212とする。
以上のように構成された本実施例の固体撮像装置につい
て、その動作を第2図を参照しながら説明する。
て、その動作を第2図を参照しながら説明する。
第2図は本実施例の固体撮像装置の動作を説明するため
のタイミングチャートである。φV11〜14およびφ
V21〜24、φV31〜34、φV41〜44は第1
図に示したそれぞれのパルスである。
のタイミングチャートである。φV11〜14およびφ
V21〜24、φV31〜34、φV41〜44は第1
図に示したそれぞれのパルスである。
φv11.φV13は3値であシ、最も高い電圧が加わ
ったときに読み出しゲート202を通じて光電変換素子
201の電荷が垂直CCD203の転送電極V11.V
13に読み出される。これらの読み出しパルスを水平ブ
ランキング期間内に入るようにすると出力信号に対して
妨害を与えない。
ったときに読み出しゲート202を通じて光電変換素子
201の電荷が垂直CCD203の転送電極V11.V
13に読み出される。これらの読み出しパルスを水平ブ
ランキング期間内に入るようにすると出力信号に対して
妨害を与えない。
これら2つの電荷は混合され、上下2画素で1つの信号
となる。その後垂直CCD203は高速駆動されて、電
荷を記憶部211へ転送する。転送された電荷は、垂直
C0D205の転送電極V31に印加される駆動パルス
φV31に重畳されたゲートパルスによって、蓄積ゲー
ト204を通して転送電極V31に読み出される。この
ゲートパルスを水平ブランキング期間内に入るようにす
ると出力信号に対して妨害を与えない。
となる。その後垂直CCD203は高速駆動されて、電
荷を記憶部211へ転送する。転送された電荷は、垂直
C0D205の転送電極V31に印加される駆動パルス
φV31に重畳されたゲートパルスによって、蓄積ゲー
ト204を通して転送電極V31に読み出される。この
ゲートパルスを水平ブランキング期間内に入るようにす
ると出力信号に対して妨害を与えない。
一定時間後に再びこの動作が繰シ返され、垂直CCD2
03によって転送された電荷は蓄積ゲート204を通じ
て垂直C0D205の転送電極V31に注入され、先に
注入された電荷と加算される。これらの動作を数回繰シ
返した後、駆動パルスφV31〜34によって、転送電
極v31に蓄えられた電荷は垂直CCD206に高速転
送される。これらの電荷は駆動パルスφV41〜44に
よって水平ブランキング期間毎に1段ずつ水平CCD2
07によって電荷検出部208ならびに出力アンプ20
9を通じて1ラインの信号として出力される。
03によって転送された電荷は蓄積ゲート204を通じ
て垂直C0D205の転送電極V31に注入され、先に
注入された電荷と加算される。これらの動作を数回繰シ
返した後、駆動パルスφV31〜34によって、転送電
極v31に蓄えられた電荷は垂直CCD206に高速転
送される。これらの電荷は駆動パルスφV41〜44に
よって水平ブランキング期間毎に1段ずつ水平CCD2
07によって電荷検出部208ならびに出力アンプ20
9を通じて1ラインの信号として出力される。
第2図では1フイールド(露光期間)につき、光電変換
素子201から電荷を3回読み出して、これを高速転送
して垂直CCD205で加算し、次のフィールドで出力
している。このようKすれば、光電変換素子201と垂
直CCD203の面積を従来の固体撮像装置のものと同
じとすれば、1フイ一ルド間に読み出される電荷量は3
倍となシ、従来比3倍のダイナミック・レンジを実現す
ることができる。逆に、ダイナミック・レンジを従来と
同じ程度に抑えれば、垂直CCD203の転送容量は1
/3でよいので面積を小さくすることができ、開口率を
上げつつ撮像素子の高解像度化が容易となる。
素子201から電荷を3回読み出して、これを高速転送
して垂直CCD205で加算し、次のフィールドで出力
している。このようKすれば、光電変換素子201と垂
直CCD203の面積を従来の固体撮像装置のものと同
じとすれば、1フイ一ルド間に読み出される電荷量は3
倍となシ、従来比3倍のダイナミック・レンジを実現す
ることができる。逆に、ダイナミック・レンジを従来と
同じ程度に抑えれば、垂直CCD203の転送容量は1
/3でよいので面積を小さくすることができ、開口率を
上げつつ撮像素子の高解像度化が容易となる。
以上のように本実施例によれば、開口率の向上とダイナ
ミック・レンジの拡大という相反する課題を併せて解決
することができる。そして、製造プロセスや駆動方法等
は従来のものとほとんど同じであるため、実現は極めて
容易である。
ミック・レンジの拡大という相反する課題を併せて解決
することができる。そして、製造プロセスや駆動方法等
は従来のものとほとんど同じであるため、実現は極めて
容易である。
なおこの実施例において、光電変換素子201からの電
荷読み出しが1露光期間につき3回として説明したが、
特にこれに限るものではない。また、電荷の読み出しに
ついては、2画素混合読み出しの場合について説明した
が、不要電荷掃き出しによるフィールド蓄積の場合でも
良いし、フレーム蓄積の場合においても実現は可能であ
る。
荷読み出しが1露光期間につき3回として説明したが、
特にこれに限るものではない。また、電荷の読み出しに
ついては、2画素混合読み出しの場合について説明した
が、不要電荷掃き出しによるフィールド蓄積の場合でも
良いし、フレーム蓄積の場合においても実現は可能であ
る。
また、垂直CCD205および垂直cc’o2oeの垂
直段数を、受光部における垂直CCD203の段数の2
倍とすることによシ、毎露光期間、全画素について上記
の動作を行なうことができるので、EDTV等のカメラ
にも適用可能である。
直段数を、受光部における垂直CCD203の段数の2
倍とすることによシ、毎露光期間、全画素について上記
の動作を行なうことができるので、EDTV等のカメラ
にも適用可能である。
また、シャッター駆動時においても、上記の動作は可能
である。
である。
また、第2図におけるto間の走査線数に相当する段数
だけ垂直CCD206の垂直段数を削減しても、上記の
動作には全く問題ない。このようにすると、素子のチッ
プ面積を縮小することが可能である。
だけ垂直CCD206の垂直段数を削減しても、上記の
動作には全く問題ない。このようにすると、素子のチッ
プ面積を縮小することが可能である。
発明の効果
本発明によれば、開口率の向上とダイナミック・レンジ
の拡大を同時に実現することができ、なおかつシャッタ
ー駆動などの特殊駆動にも対応することができるなど、
その実用的効果は大きい。
の拡大を同時に実現することができ、なおかつシャッタ
ー駆動などの特殊駆動にも対応することができるなど、
その実用的効果は大きい。
第1図は本発明における一実施例の固体撮像装置の構成
図、第2図は同実施例における固体撮像装置の駆動を説
明するためのタイミング図、第3図は従来の固体撮像装
置の構成図、第4図は同従来例における駆動パルスのタ
イミング図、第6図は同従来例における2画素混合読み
出し駆動の場合の駆動パルスのタイミング図である。 201・・・・・・光電変換素子、203,205,2
06・・・・・・垂直CCD、207・・・・・・水平
COD、20B・・・・・・電荷検出部、209・・・
・・・出力アンプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第2
図 霞3図
図、第2図は同実施例における固体撮像装置の駆動を説
明するためのタイミング図、第3図は従来の固体撮像装
置の構成図、第4図は同従来例における駆動パルスのタ
イミング図、第6図は同従来例における2画素混合読み
出し駆動の場合の駆動パルスのタイミング図である。 201・・・・・・光電変換素子、203,205,2
06・・・・・・垂直CCD、207・・・・・・水平
COD、20B・・・・・・電荷検出部、209・・・
・・・出力アンプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第2
図 霞3図
Claims (1)
- 受光部に配置された光電変換素子と、一つまたは複数
の前記光電変換素子につき一つの転送段が対応するよう
に遮光部に設けられた第2電荷転送部と、前記第2電荷
転送部の転送方向延長上に設けられた第3電荷転送部と
、前記光電変換素子で光電変換された電荷を前記光電変
換素子に対応する前記第2電荷転送部転送段へ同一露光
期間に少なくとも2回転送する第1電荷転送部からなり
、同一露光期間に前記光電変換素子で発生し前記第1電
荷転送部から転送された電荷が対応する前記第2電荷転
送部転送段で加算されたのちに、前記第2電荷転送部は
前記第3電荷転送部へ電荷を高速転送し、前記第3電荷
転送部は前記第2電荷転送部から転送された電荷を転送
して出力するように構成された固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282423A JPH01125072A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282423A JPH01125072A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125072A true JPH01125072A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=17652216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62282423A Pending JPH01125072A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125072A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0279471A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-20 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| US5694167A (en) * | 1990-11-22 | 1997-12-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pick up device using transfer registers in parallel with rows of light receiving cells |
| US10690577B2 (en) | 2012-07-09 | 2020-06-23 | RigDeluge Ltd. | Nozzle system |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP62282423A patent/JPH01125072A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0279471A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-20 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| US5694167A (en) * | 1990-11-22 | 1997-12-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pick up device using transfer registers in parallel with rows of light receiving cells |
| US10690577B2 (en) | 2012-07-09 | 2020-06-23 | RigDeluge Ltd. | Nozzle system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4996600A (en) | Two dimensional solid state image sensing device | |
| JP3906496B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法、並びにカメラ | |
| JPH04262679A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| EP0498662B1 (en) | A method of reading out signals for a solid-state imaging device | |
| JP2000201355A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム | |
| JPS6043704B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH10285467A (ja) | 撮像装置 | |
| JP2988095B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH01125073A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2799003B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方式 | |
| JPH01228378A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH10200819A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラ | |
| US7616354B2 (en) | Image capture apparatus configured to divisionally read out accumulated charges with a plurality of fields using interlaced scanning | |
| JP2692219B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2897665B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JP2000115643A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置、固体撮像素子、並びに撮像カメラ | |
| JP4112106B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JP2534105B2 (ja) | 固体撮像装置及びその信号読出し方法 | |
| JPS6149564A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH09312849A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0595515A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2001145025A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
| JPH0654245A (ja) | 固体撮像素子の駆動方式 | |
| JPH0771234B2 (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方式 | |
| JPH09191432A (ja) | 撮像装置 |