JPH01125802A - 正特性サーミスタ - Google Patents
正特性サーミスタInfo
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- JPH01125802A JPH01125802A JP28484687A JP28484687A JPH01125802A JP H01125802 A JPH01125802 A JP H01125802A JP 28484687 A JP28484687 A JP 28484687A JP 28484687 A JP28484687 A JP 28484687A JP H01125802 A JPH01125802 A JP H01125802A
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- Japan
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- electrode
- resin
- heat
- electrodes
- coefficient thermistor
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ヒータとして用いられる正特性サーミスタに
関する。
関する。
従来技術とその問題点
従来、熱源として用いられる正特性ザーミスタは、電極
に放熱板を固定している。ところで、電極の表面や放熱
板の表面は微視的に見れば多数の凹凸が形成されており
、電極上に直接放熱板を固定すると、電極と放熱板とは
微小な凸部でのみ接触し、熱伝導効率が悪い。そこで、
両者の間にはシリコン等のグリスを介在許せ、熱伝導効
率の向上を図っている。
に放熱板を固定している。ところで、電極の表面や放熱
板の表面は微視的に見れば多数の凹凸が形成されており
、電極上に直接放熱板を固定すると、電極と放熱板とは
微小な凸部でのみ接触し、熱伝導効率が悪い。そこで、
両者の間にはシリコン等のグリスを介在許せ、熱伝導効
率の向上を図っている。
しかしながら、前記放熱板は端子としても使用きれてお
り、電極と放熱板は電気的には点接触となるため、接触
部分の電流容量が小さく、焼損するおそれを有している
。
り、電極と放熱板は電気的には点接触となるため、接触
部分の電流容量が小さく、焼損するおそれを有している
。
一方、電極としては銀が一般的に使用されているが、銀
は通電によって酸化銀となって析出しくマイグレーショ
ン）、最終的には電極間がショートシてしまうという問
題点をも有している。
は通電によって酸化銀となって析出しくマイグレーショ
ン）、最終的には電極間がショートシてしまうという問
題点をも有している。
問題点を解決するための手段
そこで、本発明に係る正特性サーミスタは、正特性サー
ミスタ素子の表面に設けた電極上に導電性粒子を分散さ
せた樹脂を塗布して放熱板端子を固定したことを特徴と
する。
ミスタ素子の表面に設けた電極上に導電性粒子を分散さ
せた樹脂を塗布して放熱板端子を固定したことを特徴と
する。
作用
即ち、以上の構成においては、電極と放熱板端子との間
に導電性粒子を分散させた樹脂が介在されており、熱伝
導効率が向上することは勿論、電流容量も大きくなり、
焼損するおそれは解消する。
に導電性粒子を分散させた樹脂が介在されており、熱伝
導効率が向上することは勿論、電流容量も大きくなり、
焼損するおそれは解消する。
また、電極は樹脂で被覆されており、マイグレージョン
の発生が抑えられる。
の発生が抑えられる。
夫厩刻
第１図は本発明に係る正特性サーミスタの一実施例を示
し、１はＢａＴｉＯｓ等のセラミックからなる正特性サ
ーミスタ素子、２，３は銀からなる電極、５は導電性樹
脂、１０は銅、アルミニューム等導電性、熱伝導性の良
好な金属材からなる放熱板端子である。
し、１はＢａＴｉＯｓ等のセラミックからなる正特性サ
ーミスタ素子、２，３は銀からなる電極、５は導電性樹
脂、１０は銅、アルミニューム等導電性、熱伝導性の良
好な金属材からなる放熱板端子である。
電極２，３は、第２図に示す様に、円形の正特性サーミ
スタ素子１に対して、周辺部にギャップｇを残して設け
られている。
スタ素子１に対して、周辺部にギャップｇを残して設け
られている。
導電性樹脂５は、シリコン等の樹脂中にカーボン、金、
銀等の導電性粒子を分散させたもので、電極３の全面及
び前記ギヤ７１８部分をも被覆する様に塗布され、電極
３と放熱板端子１０との間に介在きれている。
銀等の導電性粒子を分散させたもので、電極３の全面及
び前記ギヤ７１８部分をも被覆する様に塗布され、電極
３と放熱板端子１０との間に介在きれている。
なお、裏面側の電極２には必要により図示しないリード
端子が固着されている。
端子が固着されている。
以上の構成においては、電極３と放熱板端子１０とは互
いの微小凸部で直接接触すると共に、導電性樹脂５を介
しても熱的、１！気的に接触することとなる。従って、
電極３．放熱板端子１０間の熱伝導特性は良好であり、
電流容量も大きい。換言すれば、熱抵抗、電気抵抗が減
少することとなる。
いの微小凸部で直接接触すると共に、導電性樹脂５を介
しても熱的、１！気的に接触することとなる。従って、
電極３．放熱板端子１０間の熱伝導特性は良好であり、
電流容量も大きい。換言すれば、熱抵抗、電気抵抗が減
少することとなる。
また、電極３は正特性サーミスタ素子１にギャップｇを
残して設けられていること、導電性樹脂５にて被覆きれ
ていることにより、マイグレーションが発生しにくく、
電極２，３間がショートするおそれはない。なお、電極
３として、あるいは電極２としてオーム銀を用いればマ
イグレーションが発生するおそれは全くない。
残して設けられていること、導電性樹脂５にて被覆きれ
ていることにより、マイグレーションが発生しにくく、
電極２，３間がショートするおそれはない。なお、電極
３として、あるいは電極２としてオーム銀を用いればマ
イグレーションが発生するおそれは全くない。
第３図は本発明に係る正特性サーミスタの他の実施例を
示す。
示す。
このものは、電極２，３の下地電極４，４としてニッケ
ルを設けたものであり、他の構成は前記第１図、第２図
に示したものと同様である。この場合、下地電極４，４
は正特性サーミスタ素子１の表裏全面に設けられ、電極
２，３は第２図に示した様にギャップｇを残して設けら
れている。これにて電極２，３への通電時の電界中心は
下地電極４，４の周辺部に生じ、電極２，３にマイグレ
ーションが発生することが抑えられる。
ルを設けたものであり、他の構成は前記第１図、第２図
に示したものと同様である。この場合、下地電極４，４
は正特性サーミスタ素子１の表裏全面に設けられ、電極
２，３は第２図に示した様にギャップｇを残して設けら
れている。これにて電極２，３への通電時の電界中心は
下地電極４，４の周辺部に生じ、電極２，３にマイグレ
ーションが発生することが抑えられる。
灸肌夏菫玉
以上の説明で明らかな様に、本発明によれば、正特性サ
ーミスタ素子の表面に設けた電極上に導電性粒子を分散
させた樹脂を塗布して放熱板端子を固定したため、電極
と放熱板端子間の熱伝導効率が向上すると共に、電気容
量が増大する。しかも、電極、放熱板端子の表面荒さを
厳密に管理する必要がなくなり、これらの製造工程が簡
略化きれる。また、電極は樹脂で被覆諮れていることか
ら、非オーム性電極であってもマイグレーションの発生
が低下し、電極間のショートを防止することができる。
ーミスタ素子の表面に設けた電極上に導電性粒子を分散
させた樹脂を塗布して放熱板端子を固定したため、電極
と放熱板端子間の熱伝導効率が向上すると共に、電気容
量が増大する。しかも、電極、放熱板端子の表面荒さを
厳密に管理する必要がなくなり、これらの製造工程が簡
略化きれる。また、電極は樹脂で被覆諮れていることか
ら、非オーム性電極であってもマイグレーションの発生
が低下し、電極間のショートを防止することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す部分断面図、第２図は
第１図に示した正特性サーミスタ素子に電極を設けた状
態の平面図、第３図は本発明の他の実施例を示す部分断
面図である。 １・・・正特性サーミスタ素子、３・・・電極、４・・
・下地電極、５・・・導電性樹脂、１０・・・放熱板端
子。 特許出願人 株式会社村田製作所
第１図に示した正特性サーミスタ素子に電極を設けた状
態の平面図、第３図は本発明の他の実施例を示す部分断
面図である。 １・・・正特性サーミスタ素子、３・・・電極、４・・
・下地電極、５・・・導電性樹脂、１０・・・放熱板端
子。 特許出願人 株式会社村田製作所
Claims (1)
- （１）正特性サーミスタ素子の表面に設けた電極上に導
電性粒子を分散させた樹脂を塗布して放熱板端子を固定
したことを特徴とする正特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28484687A JPH01125802A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28484687A JPH01125802A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 正特性サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125802A true JPH01125802A (ja) | 1989-05-18 |
| JPH0556001B2 JPH0556001B2 (ja) | 1993-08-18 |
Family
ID=17683785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28484687A Granted JPH01125802A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125802A (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325943A (en) * | 1976-08-24 | 1978-03-10 | Toshiba Corp | Microwave heater |
| JPS54152243A (en) * | 1978-05-22 | 1979-11-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Ptc heating unit and its preparation |
| JPS5763790A (en) * | 1980-10-01 | 1982-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Positive temperature coefficient thermistor heater and method of producing same |
| JPS57121185A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Positive temperature coefficient thermistor heater and method of producing same |
| JPS58223303A (ja) * | 1982-06-21 | 1983-12-24 | 株式会社デンソー | 正特性磁器半導体素子 |
| JPS59160991A (ja) * | 1983-03-03 | 1984-09-11 | ティーディーケイ株式会社 | 正特性サ−ミスタ装置 |
| JPS61144591U (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-06 | ||
| JPS62238602A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-19 | 株式会社デンソー | 正特性磁器半導体 |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP28484687A patent/JPH01125802A/ja active Granted
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325943A (en) * | 1976-08-24 | 1978-03-10 | Toshiba Corp | Microwave heater |
| JPS54152243A (en) * | 1978-05-22 | 1979-11-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Ptc heating unit and its preparation |
| JPS5763790A (en) * | 1980-10-01 | 1982-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Positive temperature coefficient thermistor heater and method of producing same |
| JPS57121185A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Positive temperature coefficient thermistor heater and method of producing same |
| JPS58223303A (ja) * | 1982-06-21 | 1983-12-24 | 株式会社デンソー | 正特性磁器半導体素子 |
| JPS59160991A (ja) * | 1983-03-03 | 1984-09-11 | ティーディーケイ株式会社 | 正特性サ−ミスタ装置 |
| JPS61144591U (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-06 | ||
| JPS62238602A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-19 | 株式会社デンソー | 正特性磁器半導体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0556001B2 (ja) | 1993-08-18 |
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