JPH0211763Y2 - - Google Patents
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- JPH0211763Y2 JPH0211763Y2 JP1983139929U JP13992983U JPH0211763Y2 JP H0211763 Y2 JPH0211763 Y2 JP H0211763Y2 JP 1983139929 U JP1983139929 U JP 1983139929U JP 13992983 U JP13992983 U JP 13992983U JP H0211763 Y2 JPH0211763 Y2 JP H0211763Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- temperature coefficient
- coefficient thermistor
- positive temperature
- gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は正特性サーミスタ装置に関する。正特
性サーミスタ装置は、従来より、電子蚊取器、電
子保温ジヤもしくは石油ガスコンロにおいて燃焼
効率を向上させるための石油霧化加熱装置等の定
温発熱装置またはモータ起動用の電流制御装置等
に広く使用されている。
性サーミスタ装置は、従来より、電子蚊取器、電
子保温ジヤもしくは石油ガスコンロにおいて燃焼
効率を向上させるための石油霧化加熱装置等の定
温発熱装置またはモータ起動用の電流制御装置等
に広く使用されている。
従来技術
従来の正特性サーミスタ装置の一般的な構造
は、正特性サーミスタ素体の両端面に、それぞれ
銀合金ペースト印刷等により、銀電極を被着して
オーミツク電極を形成し、この銀電極の表面上に
金属板を面接触させた構造になつていた。しか
し、このような電極構造では、銀電極の間に電位
差を与えた場合、銀電極から正特性サーミスタ素
体の外周表面に沿つて銀が移動析出する銀移動現
象を生じ、ついには電極間短絡を生じてしまうこ
ともたびたびであつた。このような現象はシルバ
ーマイグレーシヨン現象と呼ばれ、高温多湿の雰
囲気中で特に著るしく促進される。銀の代りに
金、白金またはパラジウム等の貴金属を使用して
電極を形成すれば、シルバーマイグレーシヨン現
象は起らないが、製品のコスト高騰を招いてしま
い実用的でない。また、シルバーマイグレーシヨ
ンバリアとして、銀電極の上に半田等の金属層を
コートし、または同電位の部分にバリアを構成す
ることにより、シルバーマイグレーシヨンを防止
する方法も知られているが、コスト高となつた
り、正特性サーミスタ装置の場合高温の為コート
する金属層の選択も必要であり、設計上、困難度
がある。
は、正特性サーミスタ素体の両端面に、それぞれ
銀合金ペースト印刷等により、銀電極を被着して
オーミツク電極を形成し、この銀電極の表面上に
金属板を面接触させた構造になつていた。しか
し、このような電極構造では、銀電極の間に電位
差を与えた場合、銀電極から正特性サーミスタ素
体の外周表面に沿つて銀が移動析出する銀移動現
象を生じ、ついには電極間短絡を生じてしまうこ
ともたびたびであつた。このような現象はシルバ
ーマイグレーシヨン現象と呼ばれ、高温多湿の雰
囲気中で特に著るしく促進される。銀の代りに
金、白金またはパラジウム等の貴金属を使用して
電極を形成すれば、シルバーマイグレーシヨン現
象は起らないが、製品のコスト高騰を招いてしま
い実用的でない。また、シルバーマイグレーシヨ
ンバリアとして、銀電極の上に半田等の金属層を
コートし、または同電位の部分にバリアを構成す
ることにより、シルバーマイグレーシヨンを防止
する方法も知られているが、コスト高となつた
り、正特性サーミスタ装置の場合高温の為コート
する金属層の選択も必要であり、設計上、困難度
がある。
かかる技術的困難性を解決する手段として、第
1図及び第2図に示すよに、正特性サーミスタ素
体1の両端面に、銀以外の金属を主成分とし、か
つ正特性サーミスタ素体1に対してオーム性接触
となる第1導電層2を形成すると共に、この第1
導電層2上にこの第1導電層2よりも平面積が小
さく、外周端全周に環状のギヤツプGを有する銀
を主成分とする第2導電層3を形成した正特性サ
ーミスタが提案されている。第2導電層3の幅
(直径)はギヤツプGよりも充分に大きい寸法に
設定されている。この正特性サーミスタは、第1
導電層2を銀以外の金属を主成分とするものによ
つて構成してあるから、該第1導電層2における
シルバーマイグレーシヨンの発生を防止すること
ができる。またこの第1導電層2は素体1に対し
てオーム性接触となるから、素体1自体の正の抵
抗温度特性をそのまま引出すことが可能になる。
しかも、この第1導電層2は素体1の両端面の略
全面に形成してあるから、第1導電層2から素体
1への電流密度が、素体1の両端面の全域に亘つ
て均一になる。このため、素体1が略全面に亘つ
て平均に発熱し、局部的発熱に伴う素体1の熱破
壊、発熱の不平衡がなくなり、特性が安定する。
なお、この第1導電層2は、無電解メツキ法、イ
オンプレーテイング法、スパツタリング法等によ
り形成することができる。
1図及び第2図に示すよに、正特性サーミスタ素
体1の両端面に、銀以外の金属を主成分とし、か
つ正特性サーミスタ素体1に対してオーム性接触
となる第1導電層2を形成すると共に、この第1
導電層2上にこの第1導電層2よりも平面積が小
さく、外周端全周に環状のギヤツプGを有する銀
を主成分とする第2導電層3を形成した正特性サ
ーミスタが提案されている。第2導電層3の幅
(直径)はギヤツプGよりも充分に大きい寸法に
設定されている。この正特性サーミスタは、第1
導電層2を銀以外の金属を主成分とするものによ
つて構成してあるから、該第1導電層2における
シルバーマイグレーシヨンの発生を防止すること
ができる。またこの第1導電層2は素体1に対し
てオーム性接触となるから、素体1自体の正の抵
抗温度特性をそのまま引出すことが可能になる。
しかも、この第1導電層2は素体1の両端面の略
全面に形成してあるから、第1導電層2から素体
1への電流密度が、素体1の両端面の全域に亘つ
て均一になる。このため、素体1が略全面に亘つ
て平均に発熱し、局部的発熱に伴う素体1の熱破
壊、発熱の不平衡がなくなり、特性が安定する。
なお、この第1導電層2は、無電解メツキ法、イ
オンプレーテイング法、スパツタリング法等によ
り形成することができる。
また、この第1導電層2の上に導電度の高い銀
を主成分とする第2導電層3を設けてあるから、
導電度の低い金属で構成された第1導電層2の面
内抵抗を下げ、導電度を向上させることができ
る。
を主成分とする第2導電層3を設けてあるから、
導電度の低い金属で構成された第1導電層2の面
内抵抗を下げ、導電度を向上させることができ
る。
更に、銀を主成分とする第2導電層3の平面積
を第1導電層2のそれより小さくなるように形成
し、外周端縁全周にギヤツプGを設けてあるの
で、第2導電層3におけるシルバーマイグレーシ
ヨンの発生が防止され、素体1の外周縁に沿つて
電極間短絡が防止される。
を第1導電層2のそれより小さくなるように形成
し、外周端縁全周にギヤツプGを設けてあるの
で、第2導電層3におけるシルバーマイグレーシ
ヨンの発生が防止され、素体1の外周縁に沿つて
電極間短絡が防止される。
従来技術の欠点
ところが、第3図に示すように引出端子電極
4,5を重ねた場合、通電発熱によつて引出端子
電極4,5にソリが発生すると、引出端子電極
4,5がギヤツプGの部分で第1導電層2の表面
に局部的に接触することがある。第1導電層2
は、銀以外の金属成分、例えばニツケル、黄銅或
いはアルミニユウム等によつて形成されていて、
銀を主成分とする第2導電層3より電気抵抗が高
い。このため、引出端子電極4,5がギヤツプG
の部分で第1導電層2に局部的に接触した場合の
接触抵抗が高くなり、この局部的接触部分で異常
発熱し、焼損事故を発生することがあつた。この
焼損事故は、基本的には引出端子電極4,5の第
1導電層2に対する局部的接触によつて発生する
ものであつて、必ずしも引出端子電極4,5が平
板状である場合に限定されるものではない。
4,5を重ねた場合、通電発熱によつて引出端子
電極4,5にソリが発生すると、引出端子電極
4,5がギヤツプGの部分で第1導電層2の表面
に局部的に接触することがある。第1導電層2
は、銀以外の金属成分、例えばニツケル、黄銅或
いはアルミニユウム等によつて形成されていて、
銀を主成分とする第2導電層3より電気抵抗が高
い。このため、引出端子電極4,5がギヤツプG
の部分で第1導電層2に局部的に接触した場合の
接触抵抗が高くなり、この局部的接触部分で異常
発熱し、焼損事故を発生することがあつた。この
焼損事故は、基本的には引出端子電極4,5の第
1導電層2に対する局部的接触によつて発生する
ものであつて、必ずしも引出端子電極4,5が平
板状である場合に限定されるものではない。
本考案の目的
そので本考案はこの技術的問題を解決し、シル
バーマイグレーシヨン防止としての信頼性が高
く、しかも第1導電層に対する引出端子電極の局
部的接触を防止して、焼損事故をなくすることが
できるようにした正特性サーミスタ装置を提供す
ることを目的とする。
バーマイグレーシヨン防止としての信頼性が高
く、しかも第1導電層に対する引出端子電極の局
部的接触を防止して、焼損事故をなくすることが
できるようにした正特性サーミスタ装置を提供す
ることを目的とする。
本考案の構成
上記目的を達成するため、本考案に係る正特性
サーミスタ装置は、正特性サーミスタ素子の端面
に銀以外の金属を主成分とするオーム性接触の第
1導電層を形成し、この第1導電層上に銀を主成
分とする第2導電層を形成した正特性サーミスタ
と、該正特性サーミスタの前記第2導電層の領域
内で、該第2導電層の方向に向つて突出して接触
する接触部を有する引出端子電極とを備える正特
性サーミスタ装置であつて、 前記第2導電層は、前記第1導電層の外周端全
周と自己の外周端全周との間に前記第1導電層の
露出するギヤツプが生じ、前記ギヤツプの部分を
除き、前記第1導電層の全体を覆うように形成さ
れており、 前記第2導電層の幅は、前記ギヤツプの幅より
も充分に大きいこと を特徴とする。
サーミスタ装置は、正特性サーミスタ素子の端面
に銀以外の金属を主成分とするオーム性接触の第
1導電層を形成し、この第1導電層上に銀を主成
分とする第2導電層を形成した正特性サーミスタ
と、該正特性サーミスタの前記第2導電層の領域
内で、該第2導電層の方向に向つて突出して接触
する接触部を有する引出端子電極とを備える正特
性サーミスタ装置であつて、 前記第2導電層は、前記第1導電層の外周端全
周と自己の外周端全周との間に前記第1導電層の
露出するギヤツプが生じ、前記ギヤツプの部分を
除き、前記第1導電層の全体を覆うように形成さ
れており、 前記第2導電層の幅は、前記ギヤツプの幅より
も充分に大きいこと を特徴とする。
実施例
第4図は本考案に係る正特性サーミスタ装置の
断面図である。図において、第1図乃至第3図と
同一の参照符号は同一性ある構成部分を示してい
る。この実施例では、アルミナ等の耐熱絶縁材料
で構成されたケース6の内部に、第1図及び第2
図で説明した構造の正特性サーミスタ、即ち、正
特性サーミスタ素体1の両端面に銀以外の金属を
主成分とし、かつ前記正特性サーミスタ素体1に
対してオーム性接触となる第1導電層2を形成
し、この第1導電層2上に該第1導電層2より平
面積が小さく外周端全周にギヤツプGを有する銀
を主成分とする第2導電層3を形成した正特性サ
ーミスタ7を収納すると共に、この正特性サーミ
スタ7の両端面の第2導電層3に、金属板で成る
引出端子電極4,5を、自己のバネ性を利用して
圧接させた構造となつている。第2導電層3の幅
(直径)はギヤツプGよりも充分に大きい寸法に
設定されている。ここで、前記引出端子電極4,
5は、第5図にも示すように、第2導電層3と接
触する部分を前記第2導電層の方向に向つて突出
するように湾曲させることにより、接触部41及
び51を形成してある。従つて、第1導電層1の
現われるギヤツプGの部分では、引出端子電極
4,5は第1導電層2の正面から離れるように配
置される。このような構造であると、発熱動作に
より、仮に引出端子電極4,5にソリを発生した
としても、ギヤツプGの部分で引出端子電極4,
5が第1導電層2の表面に接触することがなく、
常に接触部41,51で第2導電層3の表面に接
触する。従つて、引出端子電極4,5が第1導電
層2に接触することによる局部的発熱、それによ
る焼損事故が防止できる。引出端子電極4,5の
別の例としては、例えば第6図に示すように、第
2導電層3と対向する領域に部分的に突出する任
意数の突起41または51を設け、該突起41ま
たは51を接触部として第2導電層3上に接触さ
せる構造が考えられる。なお、引出端子電極4,
5とケース6との間に位置決め機構を形成し、引
出端子電極4,5をケース6の所定位置に位置決
め固定する。
断面図である。図において、第1図乃至第3図と
同一の参照符号は同一性ある構成部分を示してい
る。この実施例では、アルミナ等の耐熱絶縁材料
で構成されたケース6の内部に、第1図及び第2
図で説明した構造の正特性サーミスタ、即ち、正
特性サーミスタ素体1の両端面に銀以外の金属を
主成分とし、かつ前記正特性サーミスタ素体1に
対してオーム性接触となる第1導電層2を形成
し、この第1導電層2上に該第1導電層2より平
面積が小さく外周端全周にギヤツプGを有する銀
を主成分とする第2導電層3を形成した正特性サ
ーミスタ7を収納すると共に、この正特性サーミ
スタ7の両端面の第2導電層3に、金属板で成る
引出端子電極4,5を、自己のバネ性を利用して
圧接させた構造となつている。第2導電層3の幅
(直径)はギヤツプGよりも充分に大きい寸法に
設定されている。ここで、前記引出端子電極4,
5は、第5図にも示すように、第2導電層3と接
触する部分を前記第2導電層の方向に向つて突出
するように湾曲させることにより、接触部41及
び51を形成してある。従つて、第1導電層1の
現われるギヤツプGの部分では、引出端子電極
4,5は第1導電層2の正面から離れるように配
置される。このような構造であると、発熱動作に
より、仮に引出端子電極4,5にソリを発生した
としても、ギヤツプGの部分で引出端子電極4,
5が第1導電層2の表面に接触することがなく、
常に接触部41,51で第2導電層3の表面に接
触する。従つて、引出端子電極4,5が第1導電
層2に接触することによる局部的発熱、それによ
る焼損事故が防止できる。引出端子電極4,5の
別の例としては、例えば第6図に示すように、第
2導電層3と対向する領域に部分的に突出する任
意数の突起41または51を設け、該突起41ま
たは51を接触部として第2導電層3上に接触さ
せる構造が考えられる。なお、引出端子電極4,
5とケース6との間に位置決め機構を形成し、引
出端子電極4,5をケース6の所定位置に位置決
め固定する。
更に、この実施例では、ケース6の内部の、前
記正特性サーミスタ7の外周端に対向する位置
に、内側に向つて突出するストツパ61を設け、
該ストツパ61により正特性サーミスタ7の面方
向へ位置ズレを阻止する構造となつているので、
正特性サーミスタ7の位置ズレによる引出端子電
極4,5と第1導電層3との間の局部的接触を阻
止することができる。
記正特性サーミスタ7の外周端に対向する位置
に、内側に向つて突出するストツパ61を設け、
該ストツパ61により正特性サーミスタ7の面方
向へ位置ズレを阻止する構造となつているので、
正特性サーミスタ7の位置ズレによる引出端子電
極4,5と第1導電層3との間の局部的接触を阻
止することができる。
本考案の効果
以上述べたように、本考案に係る正特性サーミ
スタ装置は、正特性サーミスタ素体の端面に銀以
外の金属を主成分とするオーム性接触の第1導電
層を形成し、この第1導電層上に銀を主成分とす
る第2導電層を形成した正特性サーミスタと、正
特性サーミスタの第2導電層の領域内で、第2導
電層の方向に向つて突出して接触する接触部を有
する引出端子電極とを備える正特性サーミスタ装
置であつて、第2導電層は、第1導電層の外周端
全周と自己の外周端全周との間に前記第1導電層
の露出するギヤツプが生じ、ギヤツプの部分を除
き、第1導電層の全体を覆うように形成されてお
り、第2導電層の幅は、ギヤツプの幅よりも充分
に大きいことを特徴とするから、シルバーマイグ
レーシヨン防止としての信頼性が高く、しかも第
1導電層に対する引出端子電極の局部的接触を防
止して、焼損事故をなくすることができるように
した正特性サーミスタ装置を提供することができ
る。
スタ装置は、正特性サーミスタ素体の端面に銀以
外の金属を主成分とするオーム性接触の第1導電
層を形成し、この第1導電層上に銀を主成分とす
る第2導電層を形成した正特性サーミスタと、正
特性サーミスタの第2導電層の領域内で、第2導
電層の方向に向つて突出して接触する接触部を有
する引出端子電極とを備える正特性サーミスタ装
置であつて、第2導電層は、第1導電層の外周端
全周と自己の外周端全周との間に前記第1導電層
の露出するギヤツプが生じ、ギヤツプの部分を除
き、第1導電層の全体を覆うように形成されてお
り、第2導電層の幅は、ギヤツプの幅よりも充分
に大きいことを特徴とするから、シルバーマイグ
レーシヨン防止としての信頼性が高く、しかも第
1導電層に対する引出端子電極の局部的接触を防
止して、焼損事故をなくすることができるように
した正特性サーミスタ装置を提供することができ
る。
第1図は正特性サーミスタの平面図、第2図は
同じくその断面図、第3図は従来の正特性サーミ
スタ装置の構造を概略的に示す断面図、第4図は
本考案に係る正特性サーミスタ装置の断面図、第
5図は本考案に係る正特性サーミスタ装置におけ
る引出端子電極の斜視図、第6図は別の引出端子
電極を使用した場合の別の実施例における要部の
断面図である。 1……正特性サーミスタ素体、2……第1導電
層、3……第2導電層、4,5……引出端子電
極、6……ケース、41,51……接触部、G…
…ギヤツプ。
同じくその断面図、第3図は従来の正特性サーミ
スタ装置の構造を概略的に示す断面図、第4図は
本考案に係る正特性サーミスタ装置の断面図、第
5図は本考案に係る正特性サーミスタ装置におけ
る引出端子電極の斜視図、第6図は別の引出端子
電極を使用した場合の別の実施例における要部の
断面図である。 1……正特性サーミスタ素体、2……第1導電
層、3……第2導電層、4,5……引出端子電
極、6……ケース、41,51……接触部、G…
…ギヤツプ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 正特性サーミスタ素体の端面に銀以外の金属
を主成分とするオーム性接触の第1導電層を形
成し、この第1導電層上に銀を主成分とする第
2導電層を形成した正特性サーミスタと、該正
特性サーミスタの前記第2導電層の領域内で、
該第2導電層の方向に向つて突出して接触する
接触部を有する引出端子電極とを備える正特性
サーミスタ装置であつて、 前記第2導電層は、前記第1導電層の外周端
全周と自己の外周端全周との間に前記第1導電
層の露出するギヤツプが生じ、前記ギヤツプの
部分を除き、前記第1導電層の全体を覆うよう
に形成されており、 前記第2導電層の幅は、前記ギヤツプの幅よ
りも充分に大きいこと を特徴とする正特性サーミスタ装置。 (2) 前記引出端子電極は金属板で成り、該金属板
を部分的に突出させて前記接触部を形成したこ
とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項
に記載の正特性サーミスタ装置。 (3) 前記正特性サーミスタ及び前記引出端子電極
は、耐熱絶縁ケース内に組込んだことを特徴と
する実用新案登録請求の範囲第1項または第2
項に記載の正特性サーミスタ装置。 (4) 前記ケースはその内部に前記正特性サーミス
タの面方向への横ズレを阻止するストツパを有
することを特徴とする実用新案登録請求の範囲
第3項に記載の正特性サーミスタ装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983139929U JPS6048201U (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 正特性サ−ミスタ装置 |
| US06/647,032 US4635026A (en) | 1983-09-09 | 1984-09-04 | PTC resistor device |
| GB08422389A GB2146488B (en) | 1983-09-09 | 1984-09-05 | A ptc resistor device |
| IT8453790U IT8453790V0 (it) | 1983-09-09 | 1984-09-07 | Dispositivo a resistore a coefficiente di temperatura positivo ptc |
| FR8413780A FR2551910B1 (fr) | 1983-09-09 | 1984-09-07 | Dispositif resistant a coefficient de temperature positif |
| IT8467884A IT1179103B (it) | 1983-09-09 | 1984-09-07 | Dispositivo a resistore a coefficiente di temperatura positivo ptc |
| DK428584A DK163903C (da) | 1983-09-09 | 1984-09-07 | Modstand med positiv temperaturkoefficient |
| DE19843433196 DE3433196A1 (de) | 1983-09-09 | 1984-09-10 | Ptc-widerstandsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983139929U JPS6048201U (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 正特性サ−ミスタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6048201U JPS6048201U (ja) | 1985-04-04 |
| JPH0211763Y2 true JPH0211763Y2 (ja) | 1990-04-03 |
Family
ID=15256948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983139929U Granted JPS6048201U (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 正特性サ−ミスタ装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4635026A (ja) |
| JP (1) | JPS6048201U (ja) |
| DE (1) | DE3433196A1 (ja) |
| DK (1) | DK163903C (ja) |
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Families Citing this family (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1264871A (en) * | 1986-02-27 | 1990-01-23 | Makoto Hori | Positive ceramic semiconductor device with silver/palladium alloy electrode |
| JPH0690962B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1994-11-14 | 日本メクトロン株式会社 | Ptc素子の製造法 |
| DE3761236D1 (de) * | 1986-04-23 | 1990-01-25 | Siemens Ag | Elektrisches bauelement mit hoher festigkeit bei beanspruchung durch temperaturwechsel und durch stossstroeme, insbesondere ein varistor. |
| FR2608829B1 (fr) * | 1986-12-23 | 1989-05-26 | Europ Composants Electron | Thermistance du type a coefficient de temperature positif et a grande resistance aux surtensions |
| DE3703465C2 (de) * | 1987-02-05 | 1998-02-19 | Behr Thomson Dehnstoffregler | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Schaltgerätes und elektrisches Schaltgerät |
| JPS6466902A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Murata Manufacturing Co | Positive temperature coefficient thermistor |
| FR2620561B1 (fr) * | 1987-09-15 | 1992-04-24 | Europ Composants Electron | Thermistance ctp pour le montage en surface |
| US4837383A (en) * | 1987-10-23 | 1989-06-06 | Ray Andrews | Glass enamel |
| AU2806389A (en) * | 1987-10-23 | 1989-05-23 | Ray Andrews | Glass enamel |
| US4831354A (en) * | 1987-12-03 | 1989-05-16 | Therm-O-Disc, Incorporated | Polymer type PTC assembly |
| CA1301228C (en) * | 1987-12-08 | 1992-05-19 | James L. Claypool | Laminar electrical heaters |
| DE3815306A1 (de) | 1988-05-05 | 1989-11-16 | Eichenauer Gmbh & Co Kg F | Elektrisches heizelement mit ptc-element |
| JP2526680Y2 (ja) * | 1988-06-15 | 1997-02-19 | ティーディーケイ株式会社 | モータ起動リレー用正特性サーミスタ装置 |
| US4904850A (en) * | 1989-03-17 | 1990-02-27 | Raychem Corporation | Laminar electrical heaters |
| US4973936A (en) * | 1989-04-27 | 1990-11-27 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Adminstration | Thermal switch disc for short circuit protection of batteries |
| US4959633A (en) * | 1989-09-05 | 1990-09-25 | General Motors Corporation | Temperature sender connector cover and terminal |
| US5153555A (en) * | 1989-11-28 | 1992-10-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic device comprising a plate-shaped electronic element and a support and overcurrent protector for the same |
| JPH04118901A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Komatsu Ltd | 正特性サーミスタおよびその製造方法 |
| JPH0543503U (ja) * | 1991-11-08 | 1993-06-11 | 日本油脂株式会社 | 正特性サーミスタ装置 |
| US5287083A (en) * | 1992-03-30 | 1994-02-15 | Dale Electronics, Inc. | Bulk metal chip resistor |
| DE4330607A1 (de) * | 1993-09-09 | 1995-03-16 | Siemens Ag | Limiter zur Strombegrenzung |
| JP2674523B2 (ja) * | 1993-12-16 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | セラミック配線基板とその製造方法 |
| JPH07335408A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Murata Mfg Co Ltd | 発熱電子部品 |
| TW421413U (en) * | 1994-07-18 | 2001-02-01 | Murata Manufacturing Co | Electronic apparatus and surface mounting devices therefor |
| JPH08203703A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ素子 |
| GB2303492A (en) * | 1995-07-21 | 1997-02-19 | Bowthorpe Components Ltd | Contacts for assembly of electronic components |
| US5909168A (en) * | 1996-02-09 | 1999-06-01 | Raychem Corporation | PTC conductive polymer devices |
| DE29720357U1 (de) * | 1997-01-17 | 1998-02-26 | Siemens Matsushita Components GmbH & Co. KG, 81541 München | Kaltleiteranordnung |
| JPH10261507A (ja) | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ素子 |
| JPH10335114A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-12-18 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ素子 |
| DE19741143C1 (de) * | 1997-09-18 | 1999-06-02 | Siemens Matsushita Components | Kaltleiter mit migrationsfreier Elektrode zum Einsatz in Klemmsystemen mit Flächenkontaktierung |
| DE19808025A1 (de) * | 1998-02-26 | 1999-09-02 | Abb Research Ltd | Verfahren zur Herstellung einer Kaltleiteranordnung sowie Verwendung der Kaltleiteranordnung als Strombegrenzer |
| US6172303B1 (en) | 1998-05-12 | 2001-01-09 | Yazaki Corporation | Electrical terminal with integral PTC element |
| JP3520776B2 (ja) * | 1998-05-28 | 2004-04-19 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| DE10022487A1 (de) * | 2000-05-09 | 2001-11-29 | Epcos Ag | Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
| JP3589174B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2004-11-17 | 株式会社村田製作所 | 表面実装型正特性サーミスタおよびその実装方法 |
| JP2002305101A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Murata Mfg Co Ltd | 表面実装型正特性サーミスタおよびその製造方法 |
| DE10164752B4 (de) * | 2001-12-21 | 2011-03-03 | J. Eberspächer GmbH & Co. KG | Brennstoffleitungssystem zum Zuführen von Brennstoff zu einer Brennkammer |
| JP4119159B2 (ja) * | 2002-04-25 | 2008-07-16 | タイコ エレクトロニクス レイケム株式会社 | 温度保護素子 |
| AU2003302543A1 (en) * | 2002-11-29 | 2004-06-23 | Matsushita Refrigeration Company | Starting device for single-phase induction motor |
| JP4554893B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2010-09-29 | ニチコン株式会社 | 正特性サーミスタ素子の製造方法 |
| KR100567883B1 (ko) * | 2004-03-17 | 2006-04-04 | 엘에스전선 주식회사 | 리드 구조가 개선된 서미스터 및 이 서미스터가 부착된이차전지 |
| CN2735515Y (zh) * | 2004-09-10 | 2005-10-19 | 聚鼎科技股份有限公司 | 过电流保护组件 |
| EP1714810B1 (de) * | 2005-04-21 | 2010-07-28 | Behr GmbH & Co. KG | Elektrischer Zuheizer für eine Heizungs- oder Klimaanlage eines Kraftfahrzeugs |
| US8232509B2 (en) * | 2006-11-16 | 2012-07-31 | S.C. Johnson & Son, Inc. | Retainer system |
| DE102006055216B4 (de) * | 2006-11-21 | 2012-11-15 | Eichenauer Heizelemente Gmbh & Co. Kg | Heizeinrichtung für Dieselkraftstoff und beheizbares Dieselfiltersystem |
| US7288748B1 (en) | 2006-12-21 | 2007-10-30 | S.C. Johnson & Son, Inc. | PTC electrical heating devices |
| KR100928131B1 (ko) * | 2007-11-08 | 2009-11-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | Ptc 소자, ptc 소자를 포함하는 보호회로기판 및보호회로기판을 포함하는 이차전지 |
| PL2072795T3 (pl) * | 2007-12-21 | 2013-03-29 | Mahle Int Gmbh | Urządzenie grzejne do paliwa |
| DE102008052918A1 (de) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Mahle International Gmbh | Heizeinrichtung für Kraftstoff |
| US8174354B2 (en) * | 2010-07-23 | 2012-05-08 | Sensata Technologies Massachusetts, Inc. | Method and apparatus for control of failed thermistor devices |
| DE102011013334A1 (de) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | Epcos Ag | Elektrisches Modul zur Einschaltstrombegrenzung |
| DE102011054750B4 (de) | 2011-10-24 | 2014-08-21 | Stego-Holding Gmbh | Kühl- und Haltekörper für Heizelemente, Heizgerät und Verfahren zur Herstellung eines Kühl- und Haltekörpers |
| IN2014CN02579A (ja) * | 2011-10-24 | 2015-06-26 | Stego Holding Gmbh | |
| US8873219B2 (en) * | 2012-06-26 | 2014-10-28 | Kemet Electronics Corporation | Method for stacking electronic components |
| CN104596570A (zh) * | 2015-01-22 | 2015-05-06 | 德盛镁汽车部件(芜湖)有限公司 | 一种汽车发动机缸盖内孔检测装置 |
| FR3094147B1 (fr) | 2019-03-20 | 2023-01-06 | Citel | Dispositif de protection contre les surtensions |
| GB2618837A (en) * | 2022-05-19 | 2023-11-22 | Finar Module Sagl | enclosure for a power resistor assembly |
| DE102024208224A1 (de) * | 2024-08-29 | 2026-03-05 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Heizmodul mit Federelement, Wasserabscheider, Brennstoffzelle und Fahrzeug |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1490271A1 (de) * | 1958-04-30 | 1968-12-05 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung sperrschichtfreier Kontaktierungen an keramischen Kaltleitern |
| CH380807A (de) * | 1958-06-04 | 1964-08-15 | Siemens Ag | Keramischer elektrischer Widerstand |
| NL242214A (ja) * | 1958-08-11 | |||
| US3268844A (en) * | 1961-10-19 | 1966-08-23 | King Seeley Thermos Co | Temperature senser |
| US3568013A (en) * | 1968-12-30 | 1971-03-02 | Texas Instruments Inc | Solid-state switch |
| US3676211A (en) * | 1970-01-02 | 1972-07-11 | Texas Instruments Inc | Contact system for electrically conductive ceramic-like material |
| DE2107365C3 (de) * | 1971-02-16 | 1979-03-22 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Kaltleiterkombination fur die Entmagnetisierung von Farbfernsehgeräten |
| US3748439A (en) * | 1971-12-27 | 1973-07-24 | Texas Instruments Inc | Heating apparatus |
| US3750082A (en) * | 1972-06-15 | 1973-07-31 | Danfoss As | Plug assembly with resistor |
| DE2255664C2 (de) * | 1972-11-14 | 1974-11-28 | Danfoss A/S, Nordborg (Daenemark) | Vorrichtung zum Halten und Kontaktieren von thermisch belasteten Keramikwiderständen in einem Gehäuse |
| JPS5535843B2 (ja) * | 1972-12-28 | 1980-09-17 | ||
| DE2449028C3 (de) * | 1974-10-11 | 1978-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) | Zu einem Kaltleiterelement sinterbare Zusammensetzung mit BaTiO3 als Hauptbestandteil und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE7528422U (de) * | 1975-09-09 | 1978-06-08 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Haltevorrichtung fuer kaltleiter |
| FR2400244A1 (fr) * | 1977-08-08 | 1979-03-09 | Siemens Ag | Dispositif de montage pour des conducteurs a froid |
| DE7724604U1 (de) * | 1977-08-08 | 1977-11-17 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Haltevorrichtung fuer kaltleiter |
| DE2905905A1 (de) * | 1978-02-22 | 1979-08-23 | Tdk Electronics Co Ltd | Wabenfoermiges heizelement |
| NL7906442A (nl) * | 1979-08-28 | 1981-03-03 | Philips Nv | Samengesteld thermistorelement. |
| JPS57166474U (ja) * | 1981-04-13 | 1982-10-20 | ||
| JPS6010701A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | 株式会社村田製作所 | 正特性サ−ミスタ |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP1983139929U patent/JPS6048201U/ja active Granted
-
1984
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE3433196A1 (de) | 1985-03-28 |
| GB2146488A (en) | 1985-04-17 |
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