JPH01125821A - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

Info

Publication number
JPH01125821A
JPH01125821A JP62283516A JP28351687A JPH01125821A JP H01125821 A JPH01125821 A JP H01125821A JP 62283516 A JP62283516 A JP 62283516A JP 28351687 A JP28351687 A JP 28351687A JP H01125821 A JPH01125821 A JP H01125821A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
vapor phase
reaction chamber
transfer
phase growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62283516A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinari Matsushita
圭成 松下
Kenji Fukumoto
福本　健治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP62283516A priority Critical patent/JPH01125821A/ja
Priority to KR1019880014389A priority patent/KR920004172B1/ko
Priority to US07/268,929 priority patent/US4962726A/en
Publication of JPH01125821A publication Critical patent/JPH01125821A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H10P72/3312—Vertical transfer of a batch of workpieces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/14—Wafer cassette transporting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体もしくは電子部品製造工程において、化
学的気相成長法（以下、ＣＶＤ法と記す）により基板上
に薄膜を堆積するロードロック式縦凰減圧ＣＶＤ装置に
関するものである。
従来の技術 例えば、半導体製造工程においてはデバイスの高集積化
や微細化への取組みと相まって、ウェハーの大口径化も
６インチから６インチ、８インチと並行して進められて
いる。近年、ＣＶＤ法により形成された多結晶シリコン
膜、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等が導電膜や絶縁
膜材料として重要な役割を果たしていることは云うまで
もない。
特に、スループットの高い拡散炉を用いたバッチ式気相
成長装置においては、ウェハーの大口径化及び無人化、
自動化に対応するため、横型から縦凰の気相成長装置へ
、更に、反応室内部でのフレーク削減や気相成長前のウ
ェハーへの空気中の酸素成分によるシリコンウェハーの
熱酸化防止のため、ロードロック式気相成長装置へと移
行しつつある。
以下図面を参照しながら、上述した従来の気相成長装置
の一例について説明する。
第５図、第８図は従来の気相成長装置の概略構造図を示
すものである。第６図において、１はロード室、２は反
応室、３は移載室、４はアンロード室である。６は基板
をロードしたカセットである。６はロード室１に接続さ
れた扉である。７は不活性ガス導入バルブ、８は真空バ
ルブであり、ロード室１の圧力を調整する。１０はゲー
トバルブであり、ロード室１と移載室３を接続する。９
は移載アームであり、ロード室１のカセット５から基板
を移載室３に移載する。１１は加熱体であり、反応室２
を加熱する。１６は反応ガス導入バルブ、１２は真空パ
ルプであシ、反応ガスの排気を調整する。１３は基板を
搭載できるボートであり、１４はボート１３を支えるボ
ートサポート部であり、移載室３の下部に設けられた図
面には記載されていない機構により回転もしくは上下移
動が可能である。１６はゲートバルブであり、移載室３
とアンロード室４を持続する。１９は不活性ガス導入パ
ルプ、２０は真空パルプであり、アンロード室４の圧力
を調整する。１７は移載アームであシ、移載室３のボー
ト１３から基板をアンロード室４のカセット１８に移載
する。２１はアンロード室４に持続された扉である。第
６図は基板が搭載されたボート１３がボートサポート部
１４により反応室２に移動した状態を示す。
以上のように構成された気相成長装置について、以下そ
の動作について説明する。
まず、予め真空状態に保持されたロード室、１内部のカ
セット６に搭載された基板は、ゲートパルプ１０が開き
移載アーム９を介して、予め真空状態に保持された移載
室３内部のボート１３に移載され、ボート１３が満載に
なる迄この移載動作がくり返し行われる。その後、ゲー
トパルプ１ｏが閉じ、ボートサポート部１４上のボート
１３は、予め、加熱体１１により加熱された反応室２の
所定の位置迄移動し、ボート１３上の基板の温度が所定
の温度に達する迄の間、引き続き真空パルプ１２が開の
状態で減圧排気される。所定温度到達後、反応ガス導入
バルブ１６が開き、反応室２内に反応ガスが供給されボ
ート１３上の基板に気相成長が行われる。この時、加熱
体１１の設定温度は、均一でなく予め傾斜をつけておき
ボート１３上の基板間の膜厚分布を均一にすることがで
きる。
又、ボート１３上の基板の面内膜厚分布は、ボートサポ
ート部１４を介してボート１３を回転させることにより
均一にすることができる。気相成長終了後、反応ガス導
入バルブ１６が閉じ、反応室２は引き続き真空パルプ１
２が開の状態で減圧排気される。次に、ボートサポート
部１４を介してボート１３が移載室３に移動し、ボート
１３上の基板はゲートバルブ１６が開き、移載アーム１
７を介して、予め真空状態に保持されたアンロード室４
内部のカセット１８に移載される。ボート１３が空載に
なる迄との移載動作がくり返し行われ、その後、ゲート
バルブ１６が閉じ、不活性ガス導入パルプ１９が開くと
同時に真空パルプ２Ｑが閉じ、アンロード室４は大気状
態まで調圧される。
大気状態に調圧されたアンロード室４内部のカセット１
８はアンロード室４より敗り出され、一連の気相成長は
全て完了する。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成では、気相成長時に反
応ガスが反応室だけでなく移載室に廻り込み、形成温度
が低く剥離しやすい膜がボートサポート部表面や移載室
の内表面に付着し、この付着した膜がボート上の基板へ
飛散し、膜欠陥を誘発すると云う問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、気相成長時に反応ガスが移
載室へ廻り込むことを防止するとともにボートやチュー
ブサポート部に付着した膜がたとえ移載室で剥離したと
しても、それらを減圧排気できる気相成長装置を提供す
るものである。
問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決するだめに本発明の第１の発明は、化
学的気相成長を行うロードロック式縦型気相成長装置に
おいて、ロード室及びアンロード室と基板の挿入取出し
を行う移載室下部に反応室とは別に単独真空排気手段を
設けたものである。
また、本発明の第２の発明は、上記第１の発明において
移載室の単独真空排気手段を設けるとともに不活性ガス
導入手段を設けることを加えたものである。
作　　用 本発明の第１の発明は上述した手段により、反応室から
移載室への反応ガスの廻り込みを防止するものである。
また、本発明の第２の発明は上述した手段により、ボー
トや反応室内に気相成長装置入されているボートサポー
ト部に付着した膜が剥離して、移載室内部に落下したと
しても、不活性ガスの導入を開閉し移載室内の圧力を変
化させることにより、剥離した膜を排出するものである
。
実施例 以下本発明の一実施例の気相成長装置について、図面を
参照しながら説明する。第１図、第２図は本発明の第１
の実施例における気相成長装置の概略構造図を示すもの
である。第１図において、１０１はロード室、１０′２
は反応室、１０３は移載室、１０４はアンロード室であ
る。１０６は基板をロードしたカセットである。１０６
はロード室１ｏ１に接続された扉である。１０７はＮ２
ガス導入パルプ、１０８は真空バルブでありロード室１
ｏ１の圧力を大気から真空状態（１０ｔｏｒｒ）まで調
圧することができる。１１０はゲートバルブであり、ロ
ード室１ｏ１と移載室１０３を接続する。１０９は移載
アームであり、ロード室１０１のカセッ）１０６から基
板を移載室１０３に移載する。１１１は加熱体であり、
反応室１０２を加熱する。１１６は反応ガス（シラン、
以下Ｓ　ＩＨ４と記す）導入バルブ、１１２は真空バル
ブであり、Ｓ　ＩＨ４の排気を調整する。１１３はシリ
コン基板を搭載できるボートであり、１１４はボート１
１３を支えるポートサポート部であり、移載室１０３の
下部に設けられた図面には記載されていない機構により
回転もしくは上下移動が可能である。１２２は反応室１
０２と移載室１０３を第２図の気相成長時において遮断
する扉であり、図面には記載されていない機構により上
下移動が可能である。１２３は真空バルブであり、扉１
２２が移載室上部のフランジ部１２４と０リングシール
される時、反応室１０２と独立に移載室１０３を真空排
気できる。
又この時扉１２２はポートサポート部１１４の外壁とＯ
リングシールされている。１１６はゲートバルブであり
、移載室１１３とアンロード室１１４を接続する。１１
９はＮ２ガス導入パルプ、１２０は真空バルブであり、
アンロード室１１４の圧力を調整する。１１７は移載ア
ームであり、移載室１０３のボート１１３からシリコン
基板をアンロード室１０４のカセット１１８に移載する
。１２１はアンロード室１０４に接続された扉である。
以上のように構成された気相成長装置について、以下そ
の動作を説明する。
まず予め１Ｏ−３ｔｏｒｒ迄真空引きされたロード１ｏ
１内部のカセット１０５に搭載されたシリコン基板は、
ゲートバルブ１１０が開き、移載アーム１０９を介して
、予め１Ｏ−３ｔｏｒｒ迄真空引きされた移載室１０３
内部のボート１１３に移載され、ボート１１３が満載に
なる迄、この移載動作がくり返し行われる。その後、ゲ
ートバルブ１１０が閉じ、ボートサポート部１１４上の
ボート１１３は、予め、加熱体１１１により約６２０℃
前後に加熱された反応室１１２のセンター迄移動し、ボ
ー）１１’３上のシリコン基板の温度が安定する迄、約
６分間、引き続き真空バルブ１１２が開の状態で１０　
　ｔｏｒｒの圧力で排気される。また、同時に扉１２２
が図面には記載されていない上下機構により移載室１０
３上部のフランジ部１２４迄移動し、Ｏリングシールさ
れる。この状態で移載室１０３は真空バルブ１２３が開
き、反応室１０２でＳｉＨ４導入バルブ１１６が開き、
Ｓ　Ｉ　Ｈ４が供給され、ポリシリコンが０．３〜０．
５　ｔｏｒｒの圧力で気相成長されている間も、反応室
１０２とは単独に１０−５ｔｏｒτ程度の圧力となるよ
うに真空排気される。気相成長終了後、Ｓ　ｔ　Ｈ４導
入バルブ１１６が閉じ、反応室１０２は１０　　ｔｏｒ
ｒ迄真空パルプ１１２が開の状態で真空排気される。次
に扉１２２とボート１１３は移載室１０３の所定の位置
迄移動させる。移動完了後、真空バルブ１２３は閉じ、
ボート１１３上のシリコン基板はゲートバルブ１１６が
開き、移載アーム１１了を介して、予め１Ｏ−５ｔｏｒ
ｒ迄真空引きされたアンロード室１０４内部のカセット
１１８上に移載される。ボート１１３が空載になる迄こ
の移載動作がくり返し行われ、その後、ゲートバルブ１
１６が閉じ、Ｎ２ガス導入バルブ１１９が開くと同時に
真空バルブ１２０が閉じ、アンロード室１０４は大気状
態まで徐々に調圧される。その後、ポリシリコンが気相
成長したシリコン基板が満載されたカセット１１８はア
ンロード室１０４より取り出され、−連のポリシリコン
気相成長は全て完了する。
以上のように本実施例によれば、ロードロック式縦型気
相成長装置において、ポリシリコンを気相成長する場合
、ロード室１０１もしくはアンロード室１０４とシリコ
ン基板の移載が行われる移載室１０３下部に反応室１０
２とは別に真空バルブ１２３を設けることにより、反応
室１０２から移載室１０３へのＳ　ｉＨ４ガスの廻り込
みを防止することができる。
以下本発明の第２の実施例について図面を参照しながら
説明する。
第３図、第４図は本発明の第２の実施例における気相成
長装置の概略構造図を示すものである。
同図において１０１〜１２４は全て第１図及び第２図の
構成と同様のものである。第１図及び第２図の構成と異
なるのは移載室１０３にＮ２ガス導入バルブ１２５を設
けた点である。
以上のように構成された気相成長装置について、以下そ
の動作を説明する。
まず予め１０　　’　ｔｏｒｒ迄真空引きされたロード
室１０１内部のカセット１０５に搭載されたシリコン基
板は、ゲートバルブ１１０が開き、移載アーム１０９を
介して、予め１０　’　ｔｏｒｒ迄真空引きされた移載
室１０３内部のボート１１３に移載され、ボート１１３
が満載になる迄、この移載動作がくり返し行われる。そ
の後、ゲートバルブ１１０が閉じ、ボートサポート部１
１４上のボート１１３は、予め、加熱体１１１により約
６２０℃前後に加熱された反応室１１２のセンター迄移
動し、ボー）１１３上のシリコン基板の温度が安定する
迄、約６分間、引き続き真空バルブ１１２が開の状態で
１Ｏ−３ｔｏｒτの圧力で排気される。また扉１２２が
図面には記載されていない上下機構により移載室１０３
上部の７ランク部１２４迄移動し、Ｏリングシールされ
る。この状態で移載室１０３は真空バルブ１２３が開き
、同時にＮ２ガス導入バルブ１２５も開き、反応室１０
２でＳ　ｉＨ４導入バルブ１１６が開き、Ｓ　ｉＨ４が
供給され、ポリシリコンが０．３〜０゜５　ｔｏｒｒ　
　の圧力で気相成長されている間、移載室１０３は反応
室１０２とは単独に数ｔｏττ〜１０　ｔｏｒｒ迄の圧
力に真空排気される。気相成長終了後５ｉ）（４導入パ
ルプ１１５が閉じ、反応室１０２は１０　　ｔｏｒｒ迄
真空バルブ１１２が開の状態で真空排気される。また同
時に移載室１０３のＮ２ガス導入バルブ１２６が閉じ、
移載室１０３も１Ｏ−３ｔｏｒｒ迄引き読き真空バルブ
１２５が開の状態で真空排気される。反応室１０２と移
載室１０３の圧力が１０　　ｔｏｒｒで安定した後、扉
１２２とボート１１３は移載室１０３の所定の位置迄移
動させる。移動完了後、真空バルブ１２３は閉じ、ボー
ト１１３上のシリコン基板はゲートバルブ１１６が開き
、移載アーム１１７を介して、予め１０−３ｔｏｒｒ迄
真空引きされたアンロード室１０４内部のカセット１１
８上に移載される。ボート１１３が空載になる迄との移
載動作がくり返し行われ、その後、ゲートバルブ１１６
が閉じ、Ｎ２導入バルブ１１９が開くと同時に真空バル
ブ１２０が閉じアンロード室１０４は大気状態まで徐々
に調圧される。その後、ポリシリコンが気相成長したシ
リコン基板が満載されたカセット１１８はアンロード室
１０４より取り出され、一連のポリシリコン気相成長は
全て完了する。
以上のように本実施例によれば、ロードロック式縦型気
相成長装置において、ポリシリコンを成長する場合、ロ
ード室１０１もしくはアンロード室１０４とシリコン基
板の移載が行われる移載室１０３下部に反応室１０２と
は別に真空パルプ１２３と移載室１０３の上部にＮ２ガ
ス導入パルプ１２６を設けることにより、ボート１１３
や反応室１０２内にポリシリコン気相成長装置入されて
いるボートサポート部１１４に付着したポリシリコン膜
が移載室１０３内部で剥離し、残存したとしても、Ｎ２
ガス導入パルプ１２５を開閉し、移載室１０３内の圧力
を変化させ、はくすしたポリシリコン膜を殆んど完全に
排出することができる。
なお、第１及び第２の実施例において気相成長層はポリ
シリコンとしたが、反応ガスの組成を変えることにより
、シリコンナイトライド膜（Ｓ１３Ｎ４膜）やシリコン
酸化膜（Ｓｉｏ２膜）等でもよい。
また、第２の実施例ではＮ２ガス導入パルプ１２６とし
たがＡｒやＨｅ等の導入パルプとしてもよい。
発明の効果 以上述べたように本発明の第１の発明によれば、化学的
気相成長を行うロードロック式縦型気相成長装置におい
て、ロード室及びアンロード室と基板の挿入及び取出し
を行う移載室下部に反応室とは別に単独真空排気手段を
設けることにより、反応室から移載室への反応ガスの廻
り込みを防止することができ、その効果は犬なるもので
ある。
また、本発明の第２の発明によれば、化学的気相成長を
行うロードロック式縦型気相成長装置において、ロード
室及びアンロード室と基板の挿入及び取出しを行う移載
室下部に反応室とは別に移載室の単独真空排気手段とと
もに不活性ガス導入手段を設けることにより、ボートや
反応室内に気相成長装置入されているボートサポート部
に付着した膜がはくりして移載室内部に残留物の形で存
在しても、不活性ガスの導入を開閉し移載室内の圧力を
変化させることにより、残留物を排出することができる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例における気相成長装置の
概略構造図、第２図は第１図の気相成長時における各部
の位置関係を示す概略構造図、第３図は本発明の第２の
実施例における気相成長装置の概略構造図、第４図は第
３図の気相成長時における各部の位置関係を示す概略構
造図、第６図は従来の気相成長装置の概略構造図、第６
図は第６図の気相成長時における各部の位置関係を示す
概略構造図である。 １０１・・・・・・ロード室、１０２・・・・・・反応
室、１０３・・・・・・移載室、１０４・・・・・・ア
ンロード室、１１１・・・・・・加熱体、１１２・・・
・・・真空パルプ、１１３・・・・・・ポー）、１１４
・・・・・・ボートサポート部、１１６・・・・・・反
応ガス導入パルプ、１２２・・・・・・扉、１２３・・
・・・・Ｘ空バルブ、１２６・・・・・・Ｎ２ガス導入
パルプ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名（Ｏ
ｆ−−一口１ｇ１【 （＋２−−ｒ危工 ｌ０３−Ｖ〜紅γ ’１０４−７〕叶ｙｔ １１１−　完塾）ト 第２図 第４図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）真空排気手段と反応ガス導入口と周辺に上下方向
    に配置した温度制御可能な加熱体とを備えた反応室と、
    基板を保持し鉛直軸回りに回転する手段と前記反応室内
    部を上下方向に移動可能な昇降手段とを備えた移載室と
    、基板の移載手段と真空排気手段と不活性ガス導入口を
    有するとともに前記移載室に対して開閉可能に接続され
    たロード室及びアンロード室から成り、前記反応室内部
    で基板上に化学的気相成長を行うロードロック式縦型気
    相成長装置において、前記移載室下部に前記反応室とは
    別に単独真空排気手段を設けたことを特徴とする気相成
    長装置。
  2. （２）真空排気手段と反応ガス導入口と周辺に上下方向
    に配置した温度制御可能な加熱体とを備えた反応室と、
    基板を保持し鉛直軸回りに回転する手段と前記反応室内
    部を上下方向に移動可能な昇降手段とを備えた移載室と
    、基板の移載手段と真空排気手段と不活性ガス導入口を
    有するとともに前記移載室に対して開閉可能に接続され
    たロード室及びアンロード室から成り、前記反応室内部
    で基板上に化学的気相成長を行うロードロック式縦型気
    相成長装置において、前記移載室下部に前記反応室とは
    別に単独真空排気手段と不活性ガス導入手段とを設けた
    ことを特徴とする気相成長装置。
JP62283516A 1987-11-10 1987-11-10 気相成長装置 Pending JPH01125821A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62283516A JPH01125821A (ja) 1987-11-10 1987-11-10 気相成長装置
KR1019880014389A KR920004172B1 (ko) 1987-11-10 1988-11-02 기상 성장장치
US07/268,929 US4962726A (en) 1987-11-10 1988-11-09 Chemical vapor deposition reaction apparatus having isolated reaction and buffer chambers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62283516A JPH01125821A (ja) 1987-11-10 1987-11-10 気相成長装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01125821A true JPH01125821A (ja) 1989-05-18

Family

ID=17666548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62283516A Pending JPH01125821A (ja) 1987-11-10 1987-11-10 気相成長装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4962726A (ja)
JP (1) JPH01125821A (ja)
KR (1) KR920004172B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015503247A (ja) * 2012-01-04 2015-01-29 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド 処理ユニットを含む基板処理装置
JP2025066822A (ja) * 2024-04-03 2025-04-23 深▲セン▼市昇維旭技術有限公司 ウェハ処理装置、システム及びウェハ処理装置に適用される制御方法

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5259881A (en) * 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
US5110248A (en) * 1989-07-17 1992-05-05 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat-treatment apparatus having a wafer transfer mechanism
US5254170A (en) * 1989-08-07 1993-10-19 Asm Vt, Inc. Enhanced vertical thermal reactor system
DE69032945T2 (de) * 1989-10-20 1999-09-16 Applied Materials, Inc. Robotereinrichtung
US5447409A (en) * 1989-10-20 1995-09-05 Applied Materials, Inc. Robot assembly
US5227708A (en) * 1989-10-20 1993-07-13 Applied Materials, Inc. Two-axis magnetically coupled robot
JP2928930B2 (ja) * 1989-12-06 1999-08-03 セイコーインスツルメンツ株式会社 不純物ドーピング装置
JP2704309B2 (ja) * 1990-06-12 1998-01-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板の熱処理方法
JP2892170B2 (ja) * 1990-07-20 1999-05-17 株式会社東芝 熱処理成膜方法
US5169272A (en) * 1990-11-01 1992-12-08 Asyst Technologies, Inc. Method and apparatus for transferring articles between two controlled environments
JPH04297025A (ja) * 1991-01-10 1992-10-21 Nec Corp 半導体製造装置
US5145303A (en) * 1991-02-28 1992-09-08 Mcnc Method and apparatus for reducing particulate contamination in processing chambers
US5232328A (en) * 1991-03-05 1993-08-03 Semitool, Inc. Robot loadable centrifugal semiconductor processor with extendible rotor
FR2674225B1 (fr) * 1991-03-20 1993-07-16 Euritech Procede et installation pour transferer des produits d'une enceinte contaminee dans une deuxieme enceinte, sans contaminer cette derniere.
EP0505877A2 (en) * 1991-03-27 1992-09-30 Seiko Instruments Inc. Impurity doping method with adsorbed diffusion source
JPH04308090A (ja) * 1991-04-05 1992-10-30 M B K Maikurotetsuku:Kk 気相化学反応生成装置のロードロック機構
JP3238432B2 (ja) * 1991-08-27 2001-12-17 東芝機械株式会社 マルチチャンバ型枚葉処理装置
US5387265A (en) * 1991-10-29 1995-02-07 Kokusai Electric Co., Ltd. Semiconductor wafer reaction furnace with wafer transfer means
KR950006969B1 (ko) * 1992-01-06 1995-06-26 삼성전자주식회사 반도체 제조용 튜브장치
JPH05218176A (ja) * 1992-02-07 1993-08-27 Tokyo Electron Tohoku Kk 熱処理方法及び被処理体の移載方法
US5404894A (en) * 1992-05-20 1995-04-11 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Conveyor apparatus
ATE129360T1 (de) * 1992-08-04 1995-11-15 Ibm Unter druck stehende koppelsysteme zum transferieren von einem halbleiterwafer zwischen einem tragbaren abdichtbaren unter druckstehenden behälter und einer bearbeitungsanlage.
KR100303075B1 (ko) * 1992-11-06 2001-11-30 조셉 제이. 스위니 집적회로 웨이퍼 이송 방법 및 장치
JP2548062B2 (ja) * 1992-11-13 1996-10-30 日本エー・エス・エム株式会社 縦型熱処理装置用ロードロックチャンバー
US5376862A (en) * 1993-01-28 1994-12-27 Applied Materials, Inc. Dual coaxial magnetic couplers for vacuum chamber robot assembly
JP3120395B2 (ja) * 1993-03-10 2000-12-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置
CH687987A5 (de) * 1993-05-03 1997-04-15 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Erhoehung der Beschichtungsrate in einem Plasmaentladungsraum und Plasmakammer.
US5664337A (en) * 1996-03-26 1997-09-09 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing systems
US5784797A (en) * 1994-04-28 1998-07-28 Semitool, Inc. Carrierless centrifugal semiconductor processing system
US5658123A (en) * 1995-09-15 1997-08-19 Advanced Micro Devices, Inc. Container-less transfer of semiconductor wafers through a barrier between fabrication areas
WO2000061498A2 (en) 1999-04-13 2000-10-19 Semitool, Inc. System for electrochemically processing a workpiece
US6091498A (en) 1996-07-15 2000-07-18 Semitool, Inc. Semiconductor processing apparatus having lift and tilt mechanism
US6203582B1 (en) 1996-07-15 2001-03-20 Semitool, Inc. Modular semiconductor workpiece processing tool
US6672820B1 (en) 1996-07-15 2004-01-06 Semitool, Inc. Semiconductor processing apparatus having linear conveyer system
US6645355B2 (en) 1996-07-15 2003-11-11 Semitool, Inc. Semiconductor processing apparatus having lift and tilt mechanism
US5961269A (en) * 1996-11-18 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Three chamber load lock apparatus
US6152070A (en) * 1996-11-18 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Tandem process chamber
US5909994A (en) * 1996-11-18 1999-06-08 Applied Materials, Inc. Vertical dual loadlock chamber
KR100252213B1 (ko) * 1997-04-22 2000-05-01 윤종용 반도체소자제조장치및그제조방법
US6673673B1 (en) 1997-04-22 2004-01-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device having hemispherical grains
US6157866A (en) 1997-06-19 2000-12-05 Advanced Micro Devices, Inc. Automated material handling system for a manufacturing facility divided into separate fabrication areas
US6352593B1 (en) * 1997-08-11 2002-03-05 Torrex Equipment Corp. Mini-batch process chamber
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
US7393561B2 (en) * 1997-08-11 2008-07-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for layer by layer deposition of thin films
KR100263901B1 (ko) * 1997-10-14 2000-08-16 윤종용 반도체 디바이스 제조 장치, ｈｓｇ-다결정 실리콘막의 제조 방법 및 ｈｓｇ-다결정 실리콘막을 전극으로 포함하는 커패시터의 제조 방법
US6565729B2 (en) 1998-03-20 2003-05-20 Semitool, Inc. Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece
DE19819726A1 (de) * 1998-05-02 1999-11-04 Leybold Systems Gmbh Vakuumbehandlungsanlage zum Aufbringen dünner, harter Schichten
US6497801B1 (en) 1998-07-10 2002-12-24 Semitool Inc Electroplating apparatus with segmented anode array
US6462310B1 (en) 1998-08-12 2002-10-08 Asml Us, Inc Hot wall rapid thermal processor
US6900413B2 (en) 1998-08-12 2005-05-31 Aviza Technology, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6300600B1 (en) 1998-08-12 2001-10-09 Silicon Valley Group, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6041817A (en) * 1998-08-21 2000-03-28 Fairchild Semiconductor Corp. Processing system having vacuum manifold isolation
US6183564B1 (en) * 1998-11-12 2001-02-06 Tokyo Electron Limited Buffer chamber for integrating physical and chemical vapor deposition chambers together in a processing system
US6092981A (en) * 1999-03-11 2000-07-25 Applied Materials, Inc. Modular substrate cassette
US7160421B2 (en) * 1999-04-13 2007-01-09 Semitool, Inc. Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7189318B2 (en) 1999-04-13 2007-03-13 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7351315B2 (en) 2003-12-05 2008-04-01 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
US7351314B2 (en) 2003-12-05 2008-04-01 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
US7020537B2 (en) 1999-04-13 2006-03-28 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7438788B2 (en) 1999-04-13 2008-10-21 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US7264698B2 (en) 1999-04-13 2007-09-04 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US6916412B2 (en) 1999-04-13 2005-07-12 Semitool, Inc. Adaptable electrochemical processing chamber
US7585398B2 (en) 1999-04-13 2009-09-08 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
KR100345304B1 (ko) * 2000-10-12 2002-07-25 한국전자통신연구원 수직형 초고진공 화학증착장치
JP2005501180A (ja) 2001-08-31 2005-01-13 セミトゥール・インコーポレイテッド 超小型電子ワークピースの電気化学処理のための装置及び方法
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
US7114903B2 (en) * 2002-07-16 2006-10-03 Semitool, Inc. Apparatuses and method for transferring and/or pre-processing microelectronic workpieces
KR100712783B1 (ko) * 2003-03-25 2007-05-02 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 용기, 용기제조 방법, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의제조 방법
DE202004005216U1 (de) * 2004-03-15 2004-07-15 Applied Films Gmbh & Co. Kg Umsetzbares Wartungsventil
JP5079726B2 (ja) * 2009-03-23 2012-11-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造方法および半導体製造装置
CN107068587B (zh) * 2016-10-28 2019-10-25 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室的压力控制系统及压力控制方法
WO2021050070A1 (en) * 2019-09-12 2021-03-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Automated conveyance of articles in chemical vapor processing
US11817332B2 (en) * 2019-09-22 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Multi-wafer volume single transfer chamber facet
CN116657248B (zh) * 2023-08-02 2023-09-22 雅安宇焜芯材材料科技有限公司 一种半导体材料制备系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60200520A (ja) * 1984-03-26 1985-10-11 Hitachi Ltd 反応処理装置
JPS6246994A (ja) * 1985-08-23 1987-02-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜成長方法及びその装置
JPS62101029A (ja) * 1985-10-28 1987-05-11 Canon Inc 基体表面の処理方法及び基体表面の処理装置
JPS62298116A (ja) * 1986-06-18 1987-12-25 Hitachi Ltd 処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3749383A (en) * 1971-04-29 1973-07-31 Rca Corp Apparatus for processing semiconductor devices
US4047624A (en) * 1975-10-21 1977-09-13 Airco, Inc. Workpiece handling system for vacuum processing
JPS5264271A (en) * 1975-11-22 1977-05-27 Sony Corp Semiconductor producing device
JPS58197262A (ja) * 1982-05-13 1983-11-16 Canon Inc 量産型真空成膜装置及び真空成膜法
JPS59222922A (ja) * 1983-06-01 1984-12-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 気相成長装置
JPS612330A (ja) * 1984-06-15 1986-01-08 Hitachi Ltd 処理装置
US4640223A (en) * 1984-07-24 1987-02-03 Dozier Alfred R Chemical vapor deposition reactor
KR900001666B1 (ko) * 1985-07-19 1990-03-17 후지쓰가부시끼가이샤 화합물 반도체의 에피택셜층 성장용의 화학적 유기 금속 기상 성장장치
JPH0727875B2 (ja) * 1986-02-27 1995-03-29 株式会社ディスコ 縦型半導体熱処理装置への半導体基板の搬入出方法および外気混入防止装置
JPS6373620A (ja) * 1986-09-17 1988-04-04 Mitsubishi Electric Corp 高温処理装置
JPS63239938A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Toshiba Corp 半導体装置の製造装置
JPH01267330A (ja) * 1988-04-15 1989-10-25 Toyota Motor Corp 燃料噴射量制御装置
JPH02151568A (ja) * 1988-11-30 1990-06-11 Nissan Motor Co Ltd 車両運動推定装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60200520A (ja) * 1984-03-26 1985-10-11 Hitachi Ltd 反応処理装置
JPS6246994A (ja) * 1985-08-23 1987-02-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜成長方法及びその装置
JPS62101029A (ja) * 1985-10-28 1987-05-11 Canon Inc 基体表面の処理方法及び基体表面の処理装置
JPS62298116A (ja) * 1986-06-18 1987-12-25 Hitachi Ltd 処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015503247A (ja) * 2012-01-04 2015-01-29 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド 処理ユニットを含む基板処理装置
JP2025066822A (ja) * 2024-04-03 2025-04-23 深▲セン▼市昇維旭技術有限公司 ウェハ処理装置、システム及びウェハ処理装置に適用される制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
US4962726A (en) 1990-10-16
KR890008919A (ko) 1989-07-13
KR920004172B1 (ko) 1992-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920004172B1 (ko) 기상 성장장치
US6808564B2 (en) In-situ post epitaxial treatment process
US6471771B2 (en) In-situ post epitaxial treatment process
TWI483311B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP3386651B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
US20080090389A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus
JPH04218910A (ja) 熱処理成膜方法
JPS612321A (ja) 垂直ホツトウオール型ｃｖｄリアクタ
JPH0760804B2 (ja) 半導体気相成長方法及びその装置
JP4738671B2 (ja) Ｃｖｄ成膜方法
JP3122883B2 (ja) 気相成長装置
JP4324418B2 (ja) 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
JP3111994B2 (ja) 金属酸化物誘電体材料の気相成長装置
US6283273B1 (en) Substrate processing apparatus
JP2583675Y2 (ja) 薄膜気相成長装置
JP3070567B2 (ja) 縦型減圧気相成長装置とこれを用いた気相成長方法
KR100331964B1 (ko) 원자층 증착 설비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법
JPS6235809B2 (ja)
JP4394843B2 (ja) 薄膜形成方法
JPH01145806A (ja) 有機金属気相成長装置
JP2543795Y2 (ja) 気相成長装置
JPH062951B2 (ja) 気相反応装置
JPH04165614A (ja) 縦型気相成長装置
JPS62177912A (ja) 気相成長装置
JPS62133075A (ja) Ｃｖｄ薄膜形成装置